Method Article
提出了记录和解释离轴电子全息图的指南,以在透射电子显微镜中提供纳米级材料和器件中磁场的定量图像。
离轴电子全息术是一种强大的技术,它涉及通过重叠电子波的两个部分在透射电子显微镜 (TEM) 中形成干涉图样,其中一个部分穿过样品上的感兴趣区域,另一个是参考波。生成的离轴电子全息图可以进行数字分析,以恢复电子波两部分之间的相位差,然后可以对其进行解释,以提供有关样品内部和周围静电势和磁感应局部变化的定量信息。当样品受到外部刺激(如升高或降低的温度、电压或光)时,可以记录离轴电子全息图。此处介绍的协议描述了记录、分析和解释离轴电子全息图所需的实际步骤,主要侧重于测量纳米级材料和器件内部和周围的磁场。这里介绍的是记录、分析和处理离轴电子全息图所涉及的步骤,以及相位图像的重建和解释以及结果的可视化。还讨论了优化样品几何形状、显微镜的电子光学配置和电子全息图采集参数的需求,以及使用来自多个全息图的信息从记录信号中提取所需磁贡献的需求。通过对 B20 型 FeGe 样品的研究来说明这些步骤,B20 型 FeGe 样品包含磁性斯格明子,并用聚焦离子束 (FIB) 制备。讨论了该技术未来发展的前景。
磁性纳米结构越来越多地用于包括纳米级逻辑、存储和自旋电子器件 1,2,3,4,5 在内的应用。要对组成材料的磁性进行局部理解,需要开发具有纳米 (nm) 空间分辨率的磁性表征技术,包括投影和三维,理想情况下,当样品受到外部刺激(如升高或降低的温度、施加的电压或光)时。目前可用的磁性表征技术包括磁光克尔效应显微镜、磁力显微镜、自旋极化扫描隧道显微镜、自旋极化低能电子显微镜、X 射线磁圆二色性、X 射线全息术和扫描透射 X 射线显微镜 6,7,8,9,10,11。
在透射电子显微镜中,磁性表征技术包括洛伦兹显微镜的菲涅耳和傅科模式、离轴电子全息术、差分相差 (DPC) 成像和电子磁圆二色性 (EMCD)6,7,12,13,14。本文的重点是离轴电子全息技术,该技术能够以亚 5 nm 的空间分辨率对纳米级材料内部和周围的磁场进行实时空间定量测量,无论是在投影中,还是在与电子断层扫描相结合时,在三维中13,14。
在 TEM 中,高度加速的电子束穿过电子透明(通常是固体)样品,以达到原子级的空间分辨率进入其晶体学、化学、电子和/或磁性结构。通常,薄 (<100 nm) 样品用电子枪发射的电子照射,并在高真空 (<10-5 Pa) 色谱柱中以 60-300 kV 的速度加速。电磁透镜用于将电子聚焦到样品上,然后聚焦到一个或多个检测器上。电子与样品中的原子势及其内部和周围的电磁场强烈相互作用。尽管这些信息被编码在电子波函数中,但聚焦明场或暗场 TEM 图像仅记录到达检测器的电子强度的变化,而有关其相移的信息则丢失了。这种所谓的“相位问题”在 X 射线和中子实验中也遇到。
允许测量电子波函数相移的技术之一是离轴电子全息术。有关电子波函数基本方面的更多详细信息可在其他地方找到15。电子全息术的概念由 Dennis Gabor 于 1948 年首次提出,以克服由于显微镜主成像镜头像差而导致的电子显微镜空间分辨率限制16。该技术可以记录有关电子波的振幅和相位的信息。自 1990 年代以来,它一直很容易用于商用电子显微镜,部分原因是场发射枪技术的发展。尽管已经描述了 20 多种电子全息术变体,但目前最流行和用途最广泛的类型是离轴电子全息术17 的 TEM 模式,用于具有高空间分辨率18、19、20、21、22、23 的电磁场映射。
离轴电子全息术的 TEM 模式涉及通过重叠电子波的两个部分形成干涉图案或全息图(图 1A),其中一个部分穿过样品上的感兴趣区域,另一个是参考波24。相移 Φ 可以从记录的离轴电子全息图中以数字方式检索,并使用 公式 125 进行解释,以提供有关静电势和磁矢势局部变化的定量信息。
(1)
其中 CE 是取决于显微镜加速电压的相互作用参数(300 kV 时 CE = 6.53 × 106 rad/(Vm)),V(x,y,z) 是静电势,Az(x,y,z) 是磁矢势的 z 分量,z 平行于入射电子束方向,e 是基本电荷单位, h 是普朗克常数。静电和磁对相移的贡献可以分开,例如,通过组合来自翻转样品前后记录的电子全息图、低于和高于样品磁居里温度记录的电子全息图的信息,或来自不同显微镜加速电压13,26 记录的电子全息图的信息。一旦检索到对相移 Φm 的磁贡献(即方程 1 右侧的第二项),就可以使用方程 2 从其一阶导数中获得投影在电子束方向上的面内磁感应 Βp。
, (2)
其中 和
.
然后可以使用轮廓和颜色显示磁感应图,以提供薄膜或纳米结构 26,27,28,29,30,31 的磁场的视觉表示,如下所述。应始终非常小心地解释磁相图像和磁感应图:首先,因为它们代表了三维 (3D) 磁矢量场的二维投影;其次,因为它们对磁场 Βz 的平面外分量不敏感;第三,因为它们结合了来自样品内部和外部的磁场的信息。幸运的是,现在可以使用基于反向投影的 32,33,34,35,36,37 或基于模型的 38,39,40 重建算法,从层析倾斜系列磁相图像中恢复 3D 磁性信息。
材料磁性能的透射电子显微镜研究通常在无磁场条件下对样品进行,即在关闭常规显微镜物镜并使用非浸没洛伦兹透镜或像差校正器的传输透镜作为主成像镜头后进行。使用位于聚光镜和物镜41 之间的附加样品台或双物镜系统来消除样品位置42 处的磁场也有助于实现无磁场条件。将样品置于无磁场条件下的图像记录通常称为洛伦兹显微镜。洛伦兹透射电子显微镜是一种在存在外部刺激的情况下检查样品磁状态的快速技术。然而,它通常仅定性应用,并不容易适用于最小纳米结构中的磁场研究,部分原因是样品厚度的局部变化存在菲涅耳条纹。根据显微镜和目标样品的规格,可以使用各种不同的成像、衍射或光谱技术(例如 DPC 成像和 EMCD)在透射电子显微镜中进行磁性表征。
离轴电子全息术通常与更简单但定量较少的菲涅耳散焦成像技术(即洛伦兹显微镜的菲涅耳模式)结合使用,特别是用于磁畴壁的研究。与离轴电子全息术一样,菲涅耳散焦图像中的对比度是由样品内外磁场的面内分量对电子的折射引起的。对于第一个近似值,厚度为 t 的样品中的面内磁场 βxy 导致入射电子束偏转一个角度,其中 λ 是(相对论)电子波长。当使用菲涅耳散焦成像时,磁畴壁的位置在散焦明场图像中显示为暗或亮强度线。通过求解强度传输方程43,可以从此类图像中恢复相位信息。然而,缺乏对视场边缘边界条件的了解可能会导致重建阶段出现错误。
相比之下,当使用洛伦兹显微镜的傅科模式时,使用孔径来只允许已向特定方向偏转的电子参与图像形成。应该注意的是,扫描透射电子显微镜中的 DPC 成像和洛伦兹显微镜的菲涅耳模式分别记录与电子波相移的一阶和二阶导数大致成比例的信号。因此,它们可能包含来自样品厚度和成分局部变化的强烈贡献,这可以主导磁对对比度的贡献 6,7。
从实验的角度来看,离轴电子全息的 TEM 模式需要使用静电双棱镜,它通常采用细导线的形式,该导线位于显微镜中靠近共轭成像平面之一的位置。向双棱镜施加电压以使物体和参考电子波重叠(图 1A)导致电子全息图的形成,该全息图可以记录在电荷耦合器件 (CCD) 相机或直接电子计数检测器44 上。
通常调整聚光镜柱头设置,使电子束高度椭圆,以最大限度地提高电子束在垂直于双棱柱的方向上的横向相干性,同时保留足够数量的电子计数。标本上感兴趣区域的位置使其覆盖部分视场,而参考全息图通常从相邻的真空区域或薄而干净的支撑膜区域获得。下面描述的实验是在 300 kV 下运行的图像像差校正 TEM 中进行的。该显微镜具有较大的 (11 mm) 极片间隙,并配备了两个电子双棱镜(图 1B)。在这些实验中,只有一个双棱镜用于记录电子全息图。使用多个双棱柱的优点在别处描述45,46。菲涅耳散焦图像和离轴电子全息图是使用传统的 2k x 2k CCD 相机或 4k x 4k 直接电子计数探测器记录的。通过将物镜调整到一个小的负激发来设置洛伦兹模式,通过补偿物镜和附近透镜的残余磁场,在样品位置实现无磁场环境。然后,图像校正器单元的第一个传输镜头用作非浸没式成像镜头。可以在剩磁(零磁场)或预先校准的磁场47 存在下对标本进行成像,这可以通过激发传统的显微镜物镜来施加。该显微镜中物镜的双结构允许在负和正垂直方向上施加 -150 mT 至 1.5 T 范围内的磁场,通过在施加垂直磁场的情况下倾斜样品,在 TEM 中原位研究磁化反转过程。虽然原则上可以使用专用的磁化样品架来施加面内磁场,但这种支架在目前的工作中没有使用。
1. 电子显微镜对准
2. 感兴趣区域
3. 洛伦兹 TEM(菲涅耳散焦成像)
4. 离轴电子全息术
下面显示的结果来自单晶 FeGe 样品中磁性斯格明子的洛伦兹显微镜和离轴电子全息研究。
TEM 标本制备。使用配备 Ga FIB、显微纵器和气体注射系统的双光束扫描电子显微镜制备单晶 B20 型 FeGe 的电子透明样品用于 TEM 检查。使用 30 和 5 kV 离子束进行 FIB 铣削,电流在 6.5 nA 和 47 pA 之间。使用提取方法48 制造薄片,该薄片连接到 Cu 网格(图 1C)。为了减少窗帘引起的厚度变化,在 FIB 铣削之前将非晶态 C 沉积在晶体上。通过使用低能 (<1 keV) Ar 离子束溅射减少了剩余的离子束诱导损伤49。最终标本的宽度、高度和厚度分别约为 15 、 10 和 0.1 μm。
磁成像 - 洛伦兹显微镜。FeGe 样品的磁态预计会遵循磁场与温度相图,如图 4A 所示,首先使用洛伦兹显微镜通过在室温和低温(低于 FeGe 的居里温度)下记录菲涅耳散焦图像来研究。
B20 型 FeGe 在室温下是顺磁性的。低于 278 K 的转变温度(即居里温度),根据施加的磁场50,可以形成不同的磁性构型。在本研究中,使用双倾斜液氮冷却的 TEM 样品架在室温和低温下记录图像。使用温度控制器和相机的控制软件监测和控制试样温度。低于转变温度时,FeGe 通常在零施加磁场中包含螺旋磁性结构。这种磁性纹理在薄 TEM 样品的洛伦兹(菲涅耳散焦)图像中产生迷宫般的黑白对比线,如图 4B 所示。
FeGe 的特征磁参数,例如其交换常数、Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用常数和饱和磁化强度 M,决定了螺旋相的平衡周期 (~70 nm) 以及磁饱和的临界场 (320 mT)。通过使用反对透镜的轻微激发,向样品施加面外磁场,可以从螺旋态形成 Bloch 型斯格明子。在本研究中使用的显微镜中,6% 的激发提供 ~100 mT 的视场。对螺旋结构或斯格明子晶格进行成像所需的典型散焦值在 300 μm-1 mm 范围内,具体取决于 TEM 样品的厚度。
图 2 显示了在样品温度为 100 K、存在 100 mT 面外磁场的情况下记录的布洛赫型斯格明子的菲涅耳散焦图像,该磁场是使用传统的显微镜物镜施加的。在施加磁场的存在下冷却样品会导致形成规则的密堆布洛赫型斯格明子晶格 51。根据散焦的符号,每个斯格明子的对比度显示为强度最大值或最小值,分别如图 2A 和 图 2B 所示。
磁成像 - 离轴电子全息术。使用上述程序在室温和低于临界温度下记录使用 FIB miling 制备的 FeGe 薄片的离轴电子全息图。
图 3A 显示了 B20 型 FeGe 在 200 K 的样品温度下在 100 mT 外加磁场下冷却后记录的离轴电子全息图。将 120 V 的电压施加到双棱镜上,导致全息干涉条纹间距为 2.69 nm,全息干涉条纹对比度为 ~25%。
振幅和相位的重建涉及在全息图的傅里叶变换中以数字方式选择一个边带(图 3B),用以边带为中心的软边缘为零的圆形掩模之外的所有内容进行掩盖,将掩蔽的边带置于傅里叶空间中的中心,并计算其逆傅里叶变换以提供包含振幅和相位信息的真实空间复波图像。实空间复波函数的相位 Φ = arctan (i/r) 和振幅从其实部 r 和虚部 i 进行评估。相位(图 3C)最初以 2π 为模进行评估,因此包含相位不连续性,可以使用合适的算法展开以提供展开的相位图像(图 3D)。有关重建程序和相应开源软件的更多详细信息,请参见其他位置 52,53,54。
类似的方法用于仅从真空记录参考全息图。从标本全息图的重建相位中减去参考全息图的重建相位,以去除与显微镜成像和记录系统相关的相位伪影。然后将样品加热至室温,并使用与减温相同的程序记录样品全息图(图 3E)和真空参考全息图。由于 FeGe 在室温下是顺磁性的,因此电子光学相移完全来自静电(平均内电位)对相位的贡献。在室温和降低温度下记录的对齐相位图像之间的差异(使用真空参考全息图校正后)用于单独提供磁相移(图 3F)。减去相位图像需要子像素对齐。最终的磁相图像提供了有关样品内部和周围沿电子束方向积分的磁感应的面内分量的信息(参见 公式 2)。
可以通过向磁相图像添加轮廓来获得投影面内磁感应的可视化表示(例如,通过评估其所选倍数的余弦)。它的导数还可用于生成颜色,其色调和强度可以分别用于表示投影面内磁感应的方向和大小。 图 5A 显示了 FeGe 中 Bloch 型斯格明子的代表性磁相图像,该图像是从 图 3 所示的离轴电子全息结果中获得的。相应的磁感应图如图 5B 所示。
可以使用与模型无关的55 或基于模型的40 算法进一步分析磁相图像,以确定样品中投射的面内磁化强度。 图 5C 显示了由 图 5A 所示的磁相图像确定的面内磁化图,该图使用基于模型的迭代重建算法40,以及使用电子能量损失光谱对 TEM 样品厚度进行的独立测量。磁化强度以 kA/m 为单位显示,并揭示了斯格明子的六边形形状,这是由它们紧密排列产生的。自旋平行于电子束方向的斯格明子核心的尺寸为 ~8 nm。测得的磁化强度峰值为 ~135 kA/m,这与考虑存在表面扭曲和非磁性损坏样品表面层的平均值56 非常一致。类似的方法可用于系统地研究自旋织构的演变,作为施加的磁场和温度的函数。
图 1:基本的离轴电子全息设置和示例样品几何形状。 (A) 离轴电子全息的射线路径示意图。(B) 本研究中使用的透射电子显微镜的照片。该显微镜配备了一个场发射枪、一个像差校正器、一个洛伦兹透镜和两个电子双棱镜,并在 300 kV 下运行。(C) 使用 FIB 铣削制备的 B20 型 FeGe TEM 样品的二次电子扫描电子显微镜图像,连接到 Cu TEM 支撑网格(样品的 TEM 图像见 图 2B )。比例尺 = 500 μm。缩写: OA = 开孔;Ltz = 洛伦兹;SA = 所选区域;e- = 电子;TEM = 透射电子显微镜。 请单击此处查看此图的较大版本。
图 2:B20 型 FeGe 中 Bloch 型斯格明子的菲涅耳散焦图像。 使用 FIB miling 制备的 FeGe 薄片中 Bloch 型斯格明子的 (A) 欠焦和 (B) 过焦图像,并在 100 K 的样品温度下在 100 mT 的面外磁场存在下记录。散焦值为 ±500 μm。宽阔的波浪状暗对比带是由衍射对比产生的结晶弯曲轮廓。插图显示图像的放大区域。比例尺 = 2 μm。 请单击此处查看此图的较大版本。
图 3:离轴电子全息图的重建。 (A) 在 200 K 的样品温度下在 100 mT 的面外磁场作用下记录的 B20 型 FeGe 薄片的实验离轴电子全息图。插图显示了全息影像的放大区域;比例尺 = 200 nm。(B) 全息图的傅里叶变换,包含一个中心带、两个侧带和源自双棱柱边缘菲涅耳条纹的条纹。其中一个侧带的扩大揭示了与斯格明子的有序排列相关的斑点;比例尺 = 0.4 nm-1。(C) 通过对其中一个边带进行逆傅里叶变换获得的包裹相位图像;比例尺 = 200 nm。(D) 展开的相位图像;比例尺 = 200 nm。(E) 在室温下在零面外施加磁场中记录的同一区域的展开相位图像;比例尺 = 200 nm (F) 将室温下记录的相位图像与 200 K 下记录的相位图像相减,以亚像素精度对齐后,获得的最终磁相图像的一部分;比例尺 = 200 nm。 请单击此处查看此图的较大版本。
图 4:FeGe 的磁场与温度相位图。 (A) B20 型 FeGe 的相图,显示磁态与温度的关系。(B) 使用 FIB miling 制备的 FeGe 薄片中代表性螺旋磁态的菲涅耳散焦图像,并在 260 K 的样品温度下在零施加磁场中记录。比例尺 = 2 μm。缩写: PM = 顺磁相;Tc = 居里温度;FIBs = 聚焦离子束。 请单击此处查看此图的较大版本。
图 5:磁相移的定量分析。 (A) 在 200 K 的样品温度下,在施加 100 mT 的面外磁场的情况下,在 B20 型 FeGe 中记录的 Bloch 型斯格明子的磁相移 Φm 。(B) 通过显示磁相图像倍数的余弦并添加其导数生成的颜色来创建磁感应图。相位轮廓间距为 2π/20~0.314 弧度。(C) 使用基于模型的迭代重建算法从 (A) 所示的磁相图像中获得的投影面内磁化强度。比例尺 = 50 nm。请单击此处查看此图的较大版本。
离轴电子全息术提供纳米级材料磁性的完全定量测量,当与电子断层扫描相结合时,可以进行投影或三维测量。这些优势使该技术不同于基于 X 射线和中子的技术,用于磁性纳米结构的高空间分辨率表征。但是,在实验的设计和执行以及数据分析过程中需要小心。这里提到了一些需要考虑的因素。首先,磁性材料通常对离子束溅射诱导的伪影敏感,这可能导致在 TEM 样品表面形成有缺陷的、非晶的和/或非磁性的层。它们可能还需要储存在惰性气体环境或真空中以防止氧化。此外,使用 FIB 铣削制备的 TEM 样品体积小且易碎。因此,通常不建议使用镊子等机械工具。相反,可以使用真空镊子将样品插入 TEM 样品架中。
其次,传统的冷却 TEM 样品架,例如本研究中使用的样品架,由于样品架、螺钉和传热丝的温度变化,可能会引入样品漂移。样品漂移通常会在 10-40 分钟的时间范围内减慢到可接受的速率。第三,在冷却实验期间,可能存在电子束感应电荷,尤其是在研究包含绝缘材料的样品时。充电会对记录的相位图像的静电贡献产生缓慢变化的贡献,该贡献会随样品温度以及电子束照明和样品位置而变化。有时,在样品上涂上一层薄薄的 C 有助于减少电子束感应电荷。
第四,在 TEM 中进行的磁成像实验需要电子透明样品。这种样品的制备在上面的代表性结果部分简要描述。在计划、实施和解释实验时,必须考虑样品的形状,因为从“薄膜”获得的结果可能与从块样品获得的结果不同。例如,TEM 样品中的磁畴通常比块状材料更小,并且退磁场更强。然而,从薄 TEM 样品中测得的磁性(例如饱和磁化强度和畴壁宽)通常与从块状材料中获得的值相匹配。
第五,使用常规显微镜物镜对标本施加垂直磁场会改变图像放大倍率和旋转率,应在数字图像对准之前进行校正。相位图像之间的轻微错位可能会导致将错位伪影误解为磁对比度。
展望未来,电子全息断层扫描技术基于基于反向投影的 34 或基于模型的40 断层扫描重建算法,为材料中磁场和磁化分布的3D 重建提供了一条途径。此类实验需要采集和处理大量图像,包括减去每个样品倾斜角度对相位的平均内电位贡献。断层扫描实验容易受到长时间实验期间样品变化、动态衍射变化(标本倾斜角的变化)、采集不完整数据集导致的伪影以及错位和图像失真的影响。数据采集和分析工作流程的自动化有望克服其中一些问题。其他未来的实验发展可能包括设计复杂的磁化线圈和方法,以便在对样品施加多个外部刺激期间进行磁开关的时间分辨离轴电子全息实验。
作者没有什么可披露的。
我们感谢众多同事的宝贵讨论、建议、支持、样本提供和持续的合作,以及根据欧盟的 Horizon 2020 研究和创新计划(第 856538 号资助,项目“3D MAGiC”)、Deutsche Forschungsgemeinschaft(DFG,德国研究基金会)- 项目 ID 405553726 - TRR 270,欧盟的 Horizon 2020 研究和创新计划(第 823717 号资助, 项目“ESTEEM3”)、欧盟的 Horizon 2020 研究和创新计划(拨款号 766970,项目“Q-SORT”),以及通过拨款 MIPR# HR0011831554 向 DARPA TEE 计划。
Name | Company | Catalog Number | Comments |
Materials | |||
B20-type iron germanium single crystal | Investigated material | ||
Software | |||
Aberration correction software | CEOS | 2.21.49 | Software for aberration corrections |
Gatan microscopy suite (GMS) | Gatan | 3.41 | Software for controlling Gatan K2 IS camera |
Holoworks | Holowerk | 6.0 beta | Software for hologram reconstruction |
Technical equipment | |||
Cu Omniprobe grid | Omniprobe | AGJ420 | Support grid for TEM lamella |
DC high voltage power supply | Fug Elektronik | HCL 14M-1250 | Biprism voltage supply and controller |
Direct electron counting detector | Gatan | GATAN K2 IS | Lorentz images and hologram acqusition |
Double tilt liquid-nitrogen-cooled TEM specimen holder | Gatan | GATAN model 636 | Specimen holder |
Focused ion beam scanning electron microscope | Thermo Fisher Scientific | FEI Helios NanoLab 460F1 FIB-SEM | Specimen preparation |
Temperature controller for liquid-nitrogen-cooled TEM specimen holder | Gatan | GATAN model 1905 | Specimen temperature controller |
Transmission electron microscope | Thermo Fisher Scientific | FEI Titan G2 60-300 FEG TEM | Lorentz microscopy and electron holography |
请求许可使用此 JoVE 文章的文本或图形
请求许可This article has been published
Video Coming Soon
版权所属 © 2025 MyJoVE 公司版权所有,本公司不涉及任何医疗业务和医疗服务。