Culture of bEnd.3 Cells and Cell Viability After CoCl2 Treatment

首先，制备含有 FBS、青霉素和链霉素的 DMEM 细胞培养基。此外，通过将 1.30 毫克氯化钴加入 100 微升 DMSO 中来制备 100 毫摩尔氯化钴储备溶液。接下来，在含有DMEM培养基的100毫升培养皿中接种一毫升BEND3细胞，并在37摄氏度的5%二氧化碳的湿润气氛中培养。

每两到三天更换一次培养基，每周两次对细胞进行传代培养。BEND3细胞生长至80%汇合后，用0.25%胰蛋白酶消化细胞30秒。使用细胞计数器对细胞进行计数，并制成密度悬浮液 7 乘以每毫升 10 到第四个细胞。

然后，将 100 微升该细胞悬液接种在 96 孔板中以进行细胞粘附。然后用 PBS 洗涤细胞并加入 100 微升含有氯化钴的培养基。培养细胞24小时。

孵育后，取出培养基并用PBS洗涤。接下来，加入 100 微升 CCK-8 溶液。将板在 37 摄氏度下孵育一小时，然后使用酶标仪测量 450 纳米处的吸光度。

根据该公式计算氯化钴诱导的细胞活力。选择与对照组相比细胞活力降低有显著差异的浓度。通过CoCl2分析了用不同浓度氯化钴处理的BEND3细胞的活力。

结果表明，300微摩尔的氯化钴在体外表现出显著的细胞毒性。