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01:38 min
September 29th, 2023
DOI :
10.3791/200696-v
副本
首先培养BEND3细胞,然后将孔分为对照组和氯化钴组。向对照组上腔中加入200微升培养基,向氯化钴组中加入含有300微摩尔氯化钴的培养基。将板在37°C下孵育,并使用TEER方法检测孵育12小时和24小时的电阻值。
使用商业软件绘制细胞屏障的TEER值趋势。使用统计分析软件分析氯化钴处理的细胞和对照细胞之间的电阻值差异。与对照组相比,添加 300 微摩尔氯化钴在 12 小时和 24 小时时间点的 TEER 值显着降低。
24 小时后,与对照组相比,300 微摩尔氯化钴组的 TEER 值降低,表明氯化钴引起的缺氧条件诱导的细胞屏障破裂。
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