超导二维电子气体平台上的可扩展量子集成电路

为了在混合超导体-半导体超导体约瑟夫森结中形成相干量子传输，有必要在两种不同材料之间形成均匀和无障碍的接口。在这里，我们介绍了一个新的二维材料平台，然后研究二维电子气体中作为混合量子集成电路基础的接近诱导超导性。要设计 JJ 和 QIC 设备布局，首先使用丙酮和异丙醇清洁亚硫酸钠晶圆。

然后用氮气干燥设备。旋转硅对子胺晶圆顶部的光膜。将设备在热板上烘烤几秒钟。

在此之后，将光掩码放在蒙版对齐器中，然后将设备放在适当的图案下。通过 mesa 和 QIC 布局的光掩贴使设备暴露在紫外线下。然后在 MF-319 开发人员中开发电阻几分钟。

将器件放入水、硫酸和过氧化氢溶液中，使梅萨成为活性区域。用去气水冲洗设备三十秒，然后用氮气干燥。现在使用 DEKTAK 表面探查器确保蚀刻深度约为 150 纳米。

用丙酮和异丙醇清洁设备。接下来，在器件顶部旋转光电阻，形成欧姆垫，使金属和二维电子气体之间的电接触。将设备在热板上烘烤几秒钟。

将光掩膜放在蒙版对齐器中，然后将设备放在适当的图案下。通过欧米图案的光掩，使设备暴露在紫外线下。然后在 MF-319 开发人员中开发电阻几分钟。

之后，在蒸发器机的电阻型样品上沉积一层薄薄的金镍镍合金。用丙酮执行升空后，将设备退火至 430 摄氏度几秒钟。在设备顶部旋转光圈。

然后在热板上烘烤设备几秒钟。湿蚀刻在活动区域顶部的130纳米深的沟渠，形成二维JJ的光面图案和湿蚀酸，如前面所述。将设备切成小芯片。

使用 GE 清漆将包含二维 JJ 阵列的芯片加载到标准无铅芯片托架上。然后在器件和无铅芯片托架垫之间制造电气触点。最后，将设备装入稀释冰箱进行运输测量。

此处显示了设备 2 电路上一个交汇点的 SEM 图像。交汇点两侧的两个 Niobium 薄膜之间的距离在最短路径上为 550 纳米。设备1的一个交汇点的SEM图像是光光的，它显示了两个镍电极的分离距离为850纳米。

这里描述了混合超导-半导体结中的普通和安德烈夫反射。此处显示了温度依赖引起的超导间隙，具有明显的亚谐波能量间隙结构、峰值和器件 1 的凹度。在最低温度下，亚谐波能量间隙结构出现3个峰值和3个下降。

此处显示了由于诱导超导性随着温度升高而抑制的峰值和浸渍的温度演变。所有特征都明显依赖于温度，在50毫高温时观察到最强的亚谐波能量间隙峰值。此处显示了超导间隙作为应用源排放电压和器件 2 温度的函数。

器件 2 的温度和磁场依赖性传输测量值未显示设备 1 观察到的间隙或子间隙振荡的任何迹象。执行此过程时，最重要的是获得正确的H级，以访问器件中的二维电子气体并形成纳米结。我相信二维约瑟夫森交汇点可以研究不同长度和宽度，以研究交汇点的尺寸对观测的拓扑阶段的影响。

这项技术使得在一个冰箱中测量数百个量子器件成为可能，为实现可扩展的混合量子器件铺平道路。