MOSFET は、アクティブ領域で動作しているとき、電圧制御電流源として機能します。この領域では、ゲートからソースへの電圧がドレイン電流を制御します。この原理は、トランスコンダクタンス MOSFET アンプの動作の基礎となっています。出力電流は負荷抵抗器に導かれ、このアンプを電圧アンプに変換します。次に、負荷抵抗器の電圧降下を電源電圧から差し引くことで出力電圧が得られます。このプロセスにより、電源電圧によってシフトされた反転出力電圧が得られます。
アンプの電圧伝達特性プロットは、出力ドレイン電圧と入力ゲート電圧の関係を示しています。このプロットは、アンプの動作を理解するために重要です。曲線の傾斜が急で最大ゲインを示すアンプのアクティブ領域を強調しています。ただし、この領域はドレイン電圧に関して非線形でもあります。
ゲートからソースへの接合に DC 電圧バイアスを適用してほぼ線形の増幅を実現し、MOSFET をアクティブ領域内の静止点 (点Q) に配置します。このバイアスにより、MOSFET は動作がほぼ線形となる領域で動作します。この DC バイアス電圧に時間とともに変化する小さな信号を重ねると、MOSFET は点Q付近で動作します。その結果、MOSFET は特性曲線の短いほぼ線形のセグメント内で動作し、増幅された出力ドレイン電圧が得られます。
実際のアプリケーションでは、この設定により、MOSFET アンプは小さな AC 信号を効果的に増幅できます。増幅は、小さな入力信号が点Q付近のゲート電圧を変調し、ドレイン電流に比例した変化を引き起こすために発生します。これらの変化は負荷抵抗器の両端の出力電圧の増大に変換され、結果として増幅が実現されます。
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