ディプリーションモード MOSFET は、エンハンスメントモードの MOSFET とは根本的に異なる機能を持つ、MOSFET テクノロジのユニークなサブセットです。エンハンスメント MOSFET は正のゲート ソース電圧 (V_gs) でオンになる必要がありますが、ディプリーションモード MOSFET は本質的に導電性があり、「通常オン」のデバイスです。
ディプリーションモード MOSFET の主な特徴は、ゲートバイアスなしでドレイン端子とソース端子の間で電流を伝導できることです。この固有の導電性は、チャネルのドーピングによって生じ、電流が流れる低抵抗の経路を作成します。このデバイスは、チャネルの導電性がその材料特性によって事前に決定される接合型電界効果トランジスタ (JFET) と同様に動作します。
n チャネルディプリーションモード MOSFET では、正の V_gs を適用するとチャネル幅が広がり、ドレイン電流 (i_d) が増加します。逆に、負の V_gs を適用するとチャネルが狭くなり、i_d が減少します。この動作は p チャネル デプレッション MOSFET では逆で、正の V_gs は i_d を減少させ、負の V_gs は i_d を増加させます。
これらの MOSFET の重要なパラメータはゲートしきい値電圧 (V_TH) です。これは、チャネルが完全に閉じて電流の流れが停止する特定の V_gs です。もう 1 つの重要な特性は飽和電流です。これは、V_gs がゼロのときに MOSFET を流れる最大電流です。
ディプリーションモード MOSFET は、デフォルトで「オン」状態であるため、無線送信機のパワーアンプなどのアプリケーションで特に役立ちます。ここでは、制御電圧によってデバイスが明示的にオフになるまで信号の存在を維持し、連続信号伝送を可能にします。この連続アクティブ状態を維持できる機能により、ディプリーションモード MOSFET は、信頼性が高く中断のない動作を必要とするアプリケーションに不可欠なものとなっています。
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