أومية الاتصال التصنيع باستخدام تقنية تركز أيون شعاع وتوصيف الكهربائية للطبقة أشباه الموصلات النانوية

أشباه الموصلات طبقة مع معالجتها بسهولة ثنائية الأبعاد (2D) هياكل يحمل التحولات فجوة الحزمة غير المباشرة، لمباشرة والأداء الترانزستور متفوقة، والتي تشير إلى اتجاه جديد لتطوير الجيل القادم من سامسونج والأجهزة الضوئية والإلكترونية مرنة. وقد لوحظ على نطاق واسع تعزيز كفاءة التلألؤ الكم في هذه البلورات 2D رقيقة بالذرة. ومع ذلك، آثار البعد وراء سمك الحبس الكم أو حتى على نطاق ميكرومتر لا يتوقع ونادرا ما لوحظ. في هذه الدراسة، ثنائي سيلينيت الموليبدينوم (موس ₂₎ طبقة البلورات مع مجموعة سمك 6-2،700 نانومتر ملفقة كما سنتين أو الأجهزة الطرفية أربع سنوات. وقد تحقق تشكيل الاتصال أومية بنجاح للتركيز أيون شعاع (الاكذوبه) طريقة الترسيب باستخدام البلاتين (حزب العمال) كمعدن للإتصال به. أعدت بلورات طبقة مع مختلف السماكات من خلال تقشير ميكانيكية بسيطة باستخدام الشريط التكعيب. الجهد الحالي measuremen منحنىوأجريت البحوث لتحديد قيمة التوصيل من البلورات النانوية طبقة. وبالإضافة إلى ذلك، وارتفاع القرار المجهر الإلكتروني النافذ، واستخدمت في منطقة مختارة حيود الإلكترون، والتشتت للطاقة الطيفي للأشعة السينية لتحديد خصائص واجهة للاتصال معادن أشباه الموصلات من موسي ₂ أجهزة ملفقة الاكذوبه. بعد تطبيق النهج، وقد لوحظ الموصلية كبير تعتمد على سمك الكهربائي في مجموعة وسمك واسعة للطبقة أشباه الموصلات موسي _2. ارتفع الموصلية من قبل أكثر من عقدين من أوامر من حجم من 4.6 إلى 1500 Ω ^{- 1 سم} - ^1، مع انخفاض في سمك من 2700 إلى 6 نانومتر. وبالإضافة إلى ذلك، أشار الموصلية التي تعتمد على درجة الحرارة التي رقيقة موسي ₂ متعددة الطبقات أظهرت ضعف إلى حد كبير سلوك شبه موصلة مع الطاقات تفعيل 3،5-8،5 إلكترون فولت، التي هي أصغر بكثير من تلك (36-38 إلكترون فولت) من الجزء الأكبر. بروباويقترح خصائص النقل سطح المهيمن بلي وجود تركيز الإلكترون سطح عالية في موس _2. يمكن الحصول على نتائج مشابهة لغيرها من المواد طبقة أشباه الموصلات مثل موس _{2 و} WS _2.