欧姆接触制造用聚焦离子束技术和电气特性的半导体层的纳米结构

层半导体用容易加工的二维（2D）结构表现出间接到直接带隙跃迁和优越的晶体管性能，这表明用于下一代超薄和灵活的光子和电子设备的发展的新方向。增强发光量子效率得到了广泛的观察，这些原子薄的二维晶体。然而，除了量子限制厚度或甚至微米尺度尺寸效应预计不会与很少被观察到。在这项研究中，钼二硒化物（摩西_2）层晶体纳米被制造为两个或四个终端设备的厚度范围的6-2,700。欧姆接触的形成，成功通过使用铂（Pt）作为接触金属的聚焦离子束（FIB）沉积方法来实现的。层的晶体具有各种厚度通过简单的机械剥离通过使用切割带制备。电流 - 电压曲线measuremenTS进行，以确定层纳米晶体的电导率值。此外，高分辨率透射电子显微镜，选择区域电子衍射仪和能量色散X射线光谱进行了表征的金属-半导体的FIB-制造MOSE _2设备的接触界面。施加的方法之后，在很宽的厚度范围为摩西₂ -layer半导体实质厚度依赖性的导电性进行了观察。电导率增加从4.6以上两个数量级到1500Ω ^{- 1}厘米^{- 1，}从2700至6nm的降低的厚度。另外，温度依赖性的导电性表明，薄摩西₂多层膜表现出与3.5-8.5兆电子伏的活化能，其中比大部分（36-38兆电子伏）小得多相当弱半导体行为。普罗巴竹叶提取表面主导的运输性质和在摩西_2的高表面电子浓度的存在下提出。类似的结果可以为其他层的半导体材料，例如_二硫化钼和WS ₂来获得。