Токопроводящее Изготовление, используя технику сфокусированного ионного пучка и характеристик для Электрические слоя полупроводниковых наноструктур

Слоистых полупроводников с легкостью переработки двумерных (2D) структур проявляют косвенные к прямой запрещенной зоны переходов и высокую производительность транзисторов, которые предлагают новое направление для развития следующего поколения сверхтонких и гибких фотонных и электронных устройств. Улучшенная люминесценции квантовая эффективность была широко наблюдается в этих тонких атомно 2D кристаллов. Тем не менее, измерения эффектов за пределами квантовой толщины заключение или даже в масштабе микрометра не ожидается и редко наблюдается. В этом исследовании, молибден Диселенид (MoSe ₂₎ слой кристаллов с толщиной от 6-2,700 нм, изготовленной, как двух- или четырех-терминальных устройств. Формирование Токопроводящее успешно достигается сфокусированного ионного пучка (FIB) методом осаждения с использованием платины (Pt) в качестве контактного металла. Слой кристаллы с различными толщинами были подготовлены с помощью простого механического пилинга с помощью перетасовки ленту. Проводились измерения ВАХTS были выполнены, чтобы определить значение проводимости слоя нанокристаллов. Кроме того, высокое разрешение просвечивающая электронная микроскопия, выбран зоны электронов дифрактометрии и энергии рентгеновский спектроскопии используется для характеристики интерфейс контакте металл-полупроводник из FIB быстровозводимых MoSe ₂ устройств. После применения подходов, наблюдалось значительное толщины зависит электропроводность в широком диапазоне толщин для слойной полупроводника MoSe _2. Проводимость увеличился более чем на два порядка от 4,6 до 1500 Ω ^{- 1 см} - ^1, с уменьшением толщины с 2700 до 6 нм. Кроме того, в зависимости от температуры электропроводности показали, что тонкие многослойные Мёсе ₂ выставлены значительно слабый полупроводниковый поведение с энергией активации мэВ 3.5-8.5, которые значительно меньше, чем (36-38 мэВ) основной массы. Пробадаемых поверхностно-доминантные свойства транспорта и наличие концентрации электронов высокой поверхностной в Мёсе ₂ предлагается. Аналогичные результаты могут быть получены и для других полупроводниковых слой материалов, таких как _MoS 2 и _WS 2.