पूरी तरह से समाधान प्रसंस्कृत अकार्बनिक Nanocrystal फोटोवोल्टिक उपकरणों के निर्माण

हम एक स्पिन से पूरी तरह से समाधान संसाधित अकार्बनिक सौर कोशिकाओं की तैयारी के लिए एक विधि का प्रदर्शन और स्प्रे nanocrystal स्याही की कोटिंग बयान। प्रकाश सक्रिय अवशोषक परत, कोलाइडयन CdTe और सीडीएसई nanocrystals (3-5 एनएम) के लिए एक निष्क्रिय गर्म इंजेक्शन तकनीक का उपयोग कर संश्लेषित और वर्षा से साफ अतिरिक्त शुरुआती अभिकर्मकों दूर करने के लिए कर रहे हैं। इसी तरह, सोने nanocrystals (3-5 एनएम) परिवेश की स्थिति के तहत संश्लेषित और कार्बनिक सॉल्वैंट्स में भंग कर रहे हैं। इसके अलावा, पारदर्शी प्रवाहकीय इंडियम टिन ऑक्साइड (आईटीओ) फिल्मों के लिए अग्रदूत समाधान एक प्रतिक्रियाशील आक्सीकारक के साथ रखा इंडियम टिन और लवण के समाधान से तैयार किया जाता है। परत दर परत, इन समाधान एक गिलास सब्सट्रेट annealing (200-400 डिग्री सेल्सियस) nanocrystal सौर सेल (ग्लास / आईटीओ / सीडीएसई / CdTe / एयू) के निर्माण के लिए निम्नलिखित पर जमा कर रहे हैं। पूर्व annealing ligand विनिमय सीडीएसई और CdTe nanocrystals जहां फिल्मों एनएच ₄ सीएल में डूबा कर रहे हैं के लिए आवश्यक है: लंबी श्रृंखला मूल निवासी लिगा को बदलने के लिए मेथनॉलanions ^- छोटे अकार्बनिक सीएल के साथ एनडीएस। एनएच ₄ सीएल _(s) sintering प्रतिक्रिया (पारंपरिक CdCl _{2 (एस) के} इलाज के लिए एक गैर विषैले विकल्प के रूप में) के लिए एक उत्प्रेरक के रूप में कार्य करने के लिए हीटिंग के दौरान अनाज विकास (136 ± 39 एनएम) के लिए अग्रणी मिला था। मोटाई और तैयार फिल्मों का खुरदरापन SEM और ऑप्टिकल profilometry के साथ होती हैं। FTIR ligand विनिमय sintering के लिए पहले की डिग्री का निर्धारण करने के लिए प्रयोग किया जाता है, और XRD स्फटिकता और प्रत्येक सामग्री के चरण सत्यापित करने के लिए प्रयोग किया जाता है। यूवी / विज़ स्पेक्ट्रा शो उच्च दृश्य प्रकाश आईटीओ परत और थर्मल annealing के बाद कैडमियम chalcogenide nanocrystals के absorbance में एक लाल रंग की पारी के माध्यम से प्रसारण। पूरा उपकरणों की वर्तमान वोल्टेज घटता नकली एक सूरज रोशनी के तहत मापा जाता है। बयान तकनीक और ligand विनिमय के दौरान कार्यरत अभिकर्मकों में छोटे मतभेदों डिवाइस गुण पर गहरा प्रभाव है दिखाया गया है। यहाँ, हम केमी के प्रभाव की जांचकैलोरी (sintering और ligand विनिमय एजेंटों) और फोटोवोल्टिक डिवाइस के प्रदर्शन पर शारीरिक उपचार (समाधान एकाग्रता, स्प्रे दबाव, annealing समय और annealing तापमान)।