Plasmaunterstütztes MolekularstrahlepitaxieWachstum von Mg₃N2 und Zn₃N₂ Dünnschichten

Dieser Artikel beschreibt ein Verfahren zum Anbau von Mg₃N2 und Zn₃N2-Filmen durch plasmaunterstützte Molekularstrahlepitaxietaxi (MBE). Die Folien werden auf 100 orientierten MgO-Substraten mit N2-Gas als Stickstoffquelle angebaut. Die Methode zur Herstellung der Substrate und der MBE-Wachstumsprozess werden beschrieben. Die Ausrichtung und kristalline Reihenfolge des Substrats und der Filmoberfläche werden durch die Reflexions-Hochenergieelektronenbeugung (RHEED) vor und während des Wachstums überwacht. Die Spiegelreflektivität der Probenoberfläche wird während des Wachstums mit einem Ar-Ionen-Laser mit einer Wellenlänge von 488 nm gemessen. Durch die Anpassung der Zeitabhängigkeit der Reflektivität an ein mathematisches Modell werden der Brechungsindex, der optische Aussterbekoeffizient und die Wachstumsrate des Films bestimmt. Die Metallflüsse werden unabhängig voneinander in Abhängigkeit von den Ergusszellentemperaturen mit einem Quarzkristallmonitor gemessen. Typische Wachstumsraten liegen bei Wachstumstemperaturen von 150 °C bzw. 330 °C bei Mg₃N2 bzw. Zn₃N2-Folien bei 0,028 nm/s.