JoVE Logo

Oturum Aç

12.15 :  MOSFET

Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör (MOSFET), elektrik akımlarını kontrol etmedeki çok yönlülüğü ve verimliliği sayesinde modern elektronikte çok önemli bir rol oynamaktadır. Bu cihaz aynı zamanda IGFET, MISFET ve MOSFET olarak da bilinir. Üç ana terminali vardır: Kaynak, drenaj ve kapı. MOSFET'ler, substratlarının ve kaynak veya drenaj bölgelerinin katkı özelliklerine göre n-kanal veya p-kanal türleri olarak sınıflandırılır.

Bir n-MOSFET'te yapı, ters taraflı p-n diyotlarla p-tipi bir alt tabakadan izole edilen n-tipi kaynak ve boşaltma bölgelerini içerir. Bir oksit tabakası üzerine yerleştirilmiş metal bir plakadan ve alt tabaka üzerindeki omik temastan oluşan kapı, MOSFET'in dört terminalini oluşturur. Geçide voltaj uygulanmayan normal koşullar altında, n-MOSFET kapalı kalır ve ihmal edilebilir bir kaçak akım dışında kaynaktan drenaja önemli bir akım akmaz.

Bununla birlikte, bir n-MOSFET'in kapısına pozitif bir öngerilim uygulanması, büyük bir akımın akışını kolaylaştıran bir n-kanalı oluşturur. Bu kanalın iletkenliği, kapı voltajı değiştirilerek ayarlanabilir, böylece sabit kaynak ve drenaj bölgeleri arasındaki akım üzerinde hassas kontrol sağlanır.

MOSFET'ler, akıllı telefonlar ve dizüstü bilgisayarlardaki mikroişlemcilerden elektrikli araçlardaki güç yönetim sistemlerine kadar çeşitli uygulamaların ayrılmaz bileşenleridir. Minimum güç kaybıyla akımı verimli bir şekilde kontrol edebilme yetenekleri, onları çeşitli sektörlerde ilerleyen teknolojide vazgeçilmez kılmaktadır.

Etiketler

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorIGFETMISFETN channelP channelElectrical CurrentsSourceDrainGateN MOSFETP type SubstrateDoping CharacteristicsCurrent ControlPower Management SystemsMicroprocessorsTechnology Advancement

Bölümden 12:

article

Now Playing

12.15 : MOSFET

Transistörler

402 Görüntüleme Sayısı

article

12.1 : Bipolar Bağlantılı (Kavşak) Transistor

Transistörler

493 Görüntüleme Sayısı

article

12.2 : Bipolar Bağlantı Transistörleri Yapılandırmaları

Transistörler

347 Görüntüleme Sayısı

article

12.3 : Bipolar Bağlantı Transistörünin Çalışma Prensibi

Transistörler

351 Görüntüleme Sayısı

article

12.4 : Bipolar Bağlantı Transistörünün Özellikleri

Transistörler

599 Görüntüleme Sayısı

article

12.5 : BJT'nin Çalışma Modları

Transistörler

900 Görüntüleme Sayısı

article

12.6 : Bipolar Bağlantı Transistörünün Frekans Tepkisi

Transistörler

680 Görüntüleme Sayısı

article

12.7 : Bipolar Bağlantı Transistörlerinin Kesme Frekansı

Transistörler

598 Görüntüleme Sayısı

article

12.8 : Bipolar Bağlantı Transistörlerin Değiştirilmesi

Transistörler

353 Görüntüleme Sayısı

article

12.9 : Bipolar Bağlantı Transistör Amplifikatörler

Transistörler

317 Görüntüleme Sayısı

article

12.10 : Bipolar Bağlantı Transistörlü Yükselteçlerin Küçük Sinyal Analizi

Transistörler

909 Görüntüleme Sayısı

article

12.11 : Alan Etkili Transistör

Transistörler

273 Görüntüleme Sayısı

article

12.12 : JFET'in Özellikleri

Transistörler

327 Görüntüleme Sayısı

article

12.13 : Yüzey Birleşimli Alan Etkili Transistörlerin (FET) Öngerilimlenmesi

Transistörler

203 Görüntüleme Sayısı

article

12.14 : MOS Kapasitör

Transistörler

663 Görüntüleme Sayısı

See More

JoVE Logo

Gizlilik

Kullanım Şartları

İlkeler

Araştırma

Eğitim

JoVE Hakkında

Telif Hakkı © 2020 MyJove Corporation. Tüm hakları saklıdır