Name: flow-assisted dielectrophoresis: a low cost method for the fabrication of high performance solution-processable nanowire devices
Uploaded: 2017-12-07T14:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices at JoVE.com

المؤلف يود أن يشكر اسبرك وشركة بي أية أي نظم للدعم المالي، والبروفيسور براين أ كورجيل ومجموعته لتوريد سفلس نمت أسلاك السليكون المستخدمة في هذا العمل.

تنبيه: جميع الإجراءات ما لم خلاف ذلك المعلن إجراؤها في عمليات تقييم البيئة ومخاطر غرفة نظيفة قد تم القيام به لضمان السلامة خلال أسلاك والتعامل مع المواد الكيميائية. المواد النانوية قد تحتوي على عدد من الآثار الصحية التي يتم وصفها من غير معروف، وحيث يجب التعامل مع المناسبة الرعاية<sup class="xref...

<ol>
	<li>Constantinou, M., Rigas, G. P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Simultaneous+Tunable+Selection+and+Self-Assembly+of+Si+Nanowires+from+Heterogeneous+Feedstock.">Simultaneous Tunable Selection and Self-Assembly of Si Nanowires from Heterogeneous Feedstock.</a> ACS Nano. , (2016).</li><li>Constantinou, M., Hoettges, K. F., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Rapid+determination+of+nanowires+electrical+properties+using+a+dielectrophoresis-well+based+system.">Rapid determination of nanowires electrical properties using a dielectrophoresis-well based system.</a> App. Phy. Lett. 110 (13), 1-6 (2017).</li><li>Huang, H., Lee, Y. C., Tan, O. K., Zhou, W., Peng, N., Zhang, Q. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High+sensitivity+SnO2+single-nanorod+sensors+for+the+detection+of+H2+gas+at+low+temperature.">High sensitivity SnO2 single-nanorod sensors for the detection of H2 gas at low temperature.</a> Nanotech. 20 (11), 115501 (2009).</li><li>Rutherglen, C., Jain, D., Burke, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nanotube+electronics+for+radiofrequency+applications.">Nanotube electronics for radiofrequency applications.</a> Nat. nanotech. 4 (12), 811-819 (2009).</li><li>Kang, M. G., Hwang, D. H., Kim, B. S., Whang, D., Hwang, S. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=RF+characterization+of+germanium+nanowire+field+effect+transistors.">RF characterization of germanium nanowire field effect transistors.</a> AIP Conf. Proc. 1399 (2011), 319-320 (2011).</li><li>Collet, M., Salomon, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Large-scale+assembly+of+single+nanowires+through+capillary-assisted+dielectrophoresis.">Large-scale assembly of single nanowires through capillary-assisted dielectrophoresis.</a> Adv. Mat. 27 (7), 1268-1273 (2015).</li><li>Pethig, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dielectrophoresis:+Status+of+the+theory,+technology,+and+applications.">Dielectrophoresis: Status of the theory, technology, and applications.</a> Biomicrofluidics. 4 (2), (2010).</li><li>Jones, T. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Electromechanics of particles. (2), (1995).</li><li>El-Ali, J., Sorger, P. K., Jensen, K. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cells+on+chips.">Cells on chips.</a> Nat. 442 (7101), 403-411 (2006).</li><li>Doh, I., Cho, Y. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+continuous+cell+separation+chip+using+hydrodynamic+dielectrophoresis+(DEP)+process.">A continuous cell separation chip using hydrodynamic dielectrophoresis (DEP) process.</a> Sensrs. and Actrs, A: Phys. 121 (1), 59-65 (2005).</li><li>Freer, E. M., Grachev, O., Duan, X., Martin, S., Stumbo, D. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-yield+self-limiting+single-nanowire+assembly+with+dielectrophoresis.">High-yield self-limiting single-nanowire assembly with dielectrophoresis.</a> Nat. nanotech. 5 (7), 525-530 (2010).</li><li>Monica, A. H., Papadakis, S. J., Osiander, R., Paranjape, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Wafer-level+assembly+of+carbon+nanotube+networks+using+dielectrophoresis.">Wafer-level assembly of carbon nanotube networks using dielectrophoresis.</a> Nanotech. 19, 85303 (2008).</li><li>Raychaudhuri, S., Dayeh, S. A., Wang, D., Yu, E. T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Precise+semiconductor+nanowire+placement+through+dielectrophoresis.">Precise semiconductor nanowire placement through dielectrophoresis.</a> Nano Lett. 9 (6), 2260-2266 (2009).</li><li>Schmidt, V., Riel, H., Senz, S., Karg, S., Riess, W., G&#246;sele, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Realization+of+a+silicon+nanowire+vertical+surround-gate+field-effect+transistor.">Realization of a silicon nanowire vertical surround-gate field-effect transistor.</a> Small. 2 (1), 85-88 (2006).</li><li>Hanrath, T., Korgel, B. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Supercritical+fluid-liquid-solid+(SFLS)+synthesis+of+Si+and+Ge+nanowires+seeded+by+colloidal+metal+nanocrystals.">Supercritical fluid-liquid-solid (SFLS) synthesis of Si and Ge nanowires seeded by colloidal metal nanocrystals.</a> Adv. Mat. 15 (5), 437-440 (2003).</li><li>Heitsch, A. T., Akhavan, V. A., Korgel, B. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Rapid+SFLS+synthesis+of+Si+nanowires+using+trisilane+with+in+situ+alkyl-amine+passivation.">Rapid SFLS synthesis of Si nanowires using trisilane with in situ alkyl-amine passivation.</a> Chem. of Mat. 23 (11), 2697-2699 (2011).</li><li>Constantinou, M., Stolojan, V., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Interface+Passivation+and+Trap+Reduction+via+a+Solution-Based+Method+for+Near-Zero+Hysteresis+Nanowire+Field-Effect+Transistors.">Interface Passivation and Trap Reduction via a Solution-Based Method for Near-Zero Hysteresis Nanowire Field-Effect Transistors.</a> ACS App. Mat. and Intf. 7 (40), 22115-22120 (2015).</li><li>Kim, T. H., Lee, S. Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dielectrophoretic+alignment+of+gallium+nitride+nanowires+(GaN+NWs)+for+use+in+device+applications.">Dielectrophoretic alignment of gallium nitride nanowires (GaN NWs) for use in device applications.</a> Nanotech. 17 (14), 3394-3399 (2006).</li><li>Boote, J., Evans, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dielectrophoretic+manipulation+and+electrical+characterization+of+gold+nanowires.">Dielectrophoretic manipulation and electrical characterization of gold nanowires.</a> Nanotech. 16 (9), 1500-1505 (2005).</li><li>Gierhart, B. C., Howitt, D. G., Chen, S. J., Smith, R. L., Collins, S. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Frequency+Dependence+of+Gold+Nanoparticle+Superassembly+by+Dielectrophoresis.">Frequency Dependence of Gold Nanoparticle Superassembly by Dielectrophoresis.</a> Langmuir. 23 (19), 12450-12456 (2007).</li><li>Klaine, S. J., Alvarez, P. J. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nanomaterials+in+the+environment:+behavior,+fate,+bioavailability,+and+effects.">Nanomaterials in the environment: behavior, fate, bioavailability, and effects.</a> Environ. tox. and chem. / SETAC. 27 (9), 1825-1851 (2008).</li><li>van Tilburg, J. W. W., Algra, R. E., Immink, W. G. G., Verheijen, M., Bakkers, E. P. A. M., Kouwenhoven, L. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Surface+passivated+InAs/InP+core/shell+nanowires.">Surface passivated InAs/InP core/shell nanowires.</a> Semicond. Sci. and Tech. 25 (2), 24011 (2010).</li><li>Krupke, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Separation+of+Metallic+from+Semiconducting+Single-Walled+Carbon+Nanotubes.">Separation of Metallic from Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes.</a> Sci. 301 (5631), 344-347 (2003).</li></ol>

أن التصنيع الناجح وأداء الأجهزة تعتمد على العديد من العوامل الرئيسية. تشمل هذه الكثافة أسلاك متناهية الصغر والتوزيع في الصياغة، واختيار المذيبات وتواتر DEP لمراقبة عدد أسلاك الحالية على أقطاب الجهاز1.
إحدى الخطوات الحاسمة في تحقيق تكرار عمل الأجهزة هو إعداد وض?...

الجمعية يمكن السيطرة عليها واستنساخه من جسيمات نانوية في مواقع محددة مسبقاً الركيزة أحد التحديات الرئيسية في الأجهزة الإلكترونية والضوئية معالجة حل استخدام جسيمات نانوية انتشارية أو إجراء. للأجهزة عالية الأداء، كما أنها مفيدة للغاية لتكون قادرة على تحديد جسيمات نانوية مع أحجام التفضيلية، وخاصة الخصائص الإلكترونية، بما في ذلك، على سبيل المثال، موصلية عالية ومنخفضة الكثافة السطحية فخ الدول. وعلى الرغم من إحراز تقدم كبير في نمو المواد متناهية الصغر، بما في ذلك مواد أسلاك متناهية الصغر وأنبوب نانوي، بعض الاختلافات في خصائص نانوحبيبات موجودة دائماً، وخطوة تحديد يمكن أن تحسن أداء الجهاز القائم على نانوحبيبات1 ،2.
وغرض الأسلوب DEP ساعد تدفق أداءهم في هذا العمل للتصدي للتحديات المذكورة أعلاه من خلال إظهار الجمعية أسلاك انتشارية يمكن السيطرة عليها إلى جهات الاتصال المعدني ترانزستور تأثير الحقل أسلاك متناهية الصغر عالية الأداء. DEP يحل العديد من المشاكل لتصنيع الجهاز أسلاك متناهية الصغر في خطوة واحدة بما في ذلك تحديد المواقع من أسلاك، المحاذاة وتوجيه أسلاك، واختيار من أسلاك مع الخصائص المطلوبة عن طريق ميزة DEP إشارة التردد التحديد1. وقد استخدمت ميزة DEP للعديد من الأجهزة الأخرى بدءاً من الغاز أجهزة الاستشعار3،1من الترانزستورات، وتبديل الترددات اللاسلكية5من4،، لتحديد المواقع للبكتيريا لتحليل7.
ميزة DEP هي التلاعب بجسيمات بولاريزابل عن طريق تطبيق حقل كهربائي غير موحد أسفر عن أسلاك التجميع الذاتي عبر أقطاب8. الأسلوب وضعت أصلاً للتلاعب بالبكتيريا9،10 ولكن منذ ذلك الحين تم توسيع للتلاعب بأسلاك والمواد النانوية.
تجهيز الحل ميزة DEP من جسيمات نانوية يمكن تصنيع الجهاز أشباه الموصلات يختلف إلى حد كبير عن التقنيات التقليدية من أعلى إلى أسفل استناداً إلى عدة فوتوماسكينج، زرع الأيونات، وارتفاع درجة الحرارة14، الصلب، والنقش الخطوات. منذ إقلاع تعالج جسيمات نانوية بالفعل قد تم تصنيعه، أنها تقنية تصنيع درجات الحرارة المنخفضة، وينطلق11. ويسمح هذا النهج أسلاك متناهية الصغر على نطاق واسع من الأجهزة يتم تجميعها على الركازة تقريبا أي بما في ذلك ركائز البلاستيك حساسة للحرارة، ومرونة6،،من1213.
في هذا العمل، عالية الأداء من نوع ف السليكون أسلاك متناهية الصغر حقل تأثير الترانزستورات ملفقة باستخدام ميزة DEP ساعد تدفق، ويجري وصف الجهد الحالي FET. وتزرع أسلاك السليكون المستخدمة في هذا العمل عن طريق ال15،أسلوب سوبر السائل السائلة الصلبة (سفلس)16. أسلاك هي يخدر عمدا، وحوالي 10-50 ميكرومتر في الطول و nm 30-40 في القطر. طريقة النمو سفلس جذابة جداً نظراً لأنها يمكن أن تقدم الصناعة كميات قابلة أسلاك متناهية الصغر المواد15. منهجية الجمعية المقترحة أسلاك متناهية الصغر تنطبق مباشرة على غيرها من المواد أشباه الموصلات أسلاك متناهية الصغر مثل إيناس13سنو23وقان18. يمكن توسيع هذه التقنية أيضا محاذاة أسلاك موصلة19 وجسيمات نانوية عبر القطب الفجوات20.

<table border="1" fo:keep-together.within-page="1" fo:keep-with-next.within-page="always">
	<tbody>
		<tr>
			<td>Silicon/silicon dioxide wafer, CZ method growth, 100mm diameter,&#160; 300 nm oxide thermal growth,&#160; n-doped phosphorus</td>
			<td>Si-Mat (Silicon materials)</td>
			<td>-</td>
			<td>http://si-mat.com/</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetone (200ml)</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>W332615</td>
			<td>-</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Isopropanol (200ml)</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>W292907</td>
			<td>-</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Deionised water (150ml)</td>
			<td>On site supply</td>
			<td>-</td>
			<td>-</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Photoresist (A) SF6 PMGI under etch photoresit (approx 1 ml per sample)</td>
			<td>Microchem&#160;</td>
			<td>-</td>
			<td>http://microchem.com/pdf/PMGI-Resists-data-sheetV-rhcedit-102206.pdf</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Photoresist (B) S1805 photoresit) (approx 1 ml per sample)</td>
			<td>Microchem&#160;</td>
			<td>-</td>
			<td>http://www.microchem.com/PDFs_Dow/S1800.pdf</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Photoresist developer (A) Microposit&#160; MF319&#160; (100ml)</td>
			<td>Microchem&#160;</td>
			<td>-</td>
			<td>http://microchem.com/products/images/uploads/MF_319_Data_Sheet.pdf</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Photoresist remover (A) Microposit remover 1165 (300ml (2 baths 150 each))</td>
			<td>Microchem&#160;</td>
			<td>-</td>
			<td>http://micromaterialstech.com/wp-content/dow_electronic_materials/datasheets/1165_Remover.pdf</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

flow-assisted dielectrophoresis: a low cost method for the fabrication of high performance solution-processable nanowire devices

ساعد تدفق ديليكتروفوريسيس (DEP) هو كفاءة أسلوب التجميع الذاتي للسيطرة عليها واستنساخه لتحديد المواقع، المحاذاة، ومختارة من أسلاك. يتم استخدام ميزة DEP لتحليل أسلاك متناهية الصغر، والوصف، وتلفيق انتشارية الأجهزة المستندة إلى الحل. يعمل الأسلوب بتطبيق حقل كهربائي تناوب بين أقطاب معدنية. وضع أسلاك متناهية الصغر ثم أسقط الأقطاب التي على سطح يميل خلق تدفق إعداد استخدام الجاذبية. ثم محاذاة أسلاك طول التدرج للحقل الكهربائي وفي اتجاه تدفق السائل. يمكن تعديل تواتر الحقل لتحديد أسلاك مع الموصلية الفائقة وانخفاض كثافة فخ.
في هذا العمل، يتم استخدام ميزة DEP ساعد تدفق لإنشاء أسلاك متناهية الصغر ترانزستور تأثير المجال. ساعد تدفق DEP مزايا عديدة: أنها تتيح اختيار أسلاك متناهية الصغر الخصائص الكهربائية؛ السيطرة على طول أسلاك متناهية الصغر؛ وضع أسلاك في مناطق محددة؛ السيطرة على اتجاه أسلاك؛ والسيطرة على كثافة أسلاك متناهية الصغر في الجهاز.
يمكن توسيع هذه التقنية للعديد من التطبيقات الأخرى مثل أجهزة استشعار الغاز ورموز التبديل الميكروويف. التقنية فعالة وسريعة واستنساخه، ويستخدم الحد أدنى من تمييع الحل مما يجعله مثاليا لاختبار المواد النانوية الرواية. الجمعية مقياس يفر من الأجهزة أسلاك متناهية الصغر يمكن أيضا أن يتحقق باستخدام هذه التقنية، يسمح لعدد كبير من العينات للاختبار والتطبيقات الإلكترونية مساحة كبيرة.

حادا تعريف النتائج التصويرية بيلايير في تنظيف أقطاب. في المثال (الشكل 1A)، استخدمت الإصبع ديجيتاتيد بين هيكل بطول قناة 10 ميكرون. تسمح هذه الهياكل مساحة كبيرة لتجميع أكبر عدد ممكن من أسلاك عند تطبيق القوة ميزة DEP. ويبين الشكل 1B تخطيطي لجهاز أ?...

Watch this Scientific Journal Video about Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices at JoVE.com

Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices

في هذه الورقة، وتدفق ويتجلى ديليكتروفوريسيس مساعدة للتجميع الذاتي لأجهزة أسلاك متناهية الصغر. ويرد تصنيع الترانزستور تأثير المجال أسلاك متناهية الصغر السليكون كمثال.

ديليكتروفوريسيس ساعد تدفق: طريقة منخفضة تكلفة لتصنيع الأجهزة عالية الأداء الحل مفهرسة أسلاك متناهية الصغر

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of ...

The overall goal of this procedure is to demonstrate electric field assistance assembly and selection of high quality semi-conducting nanowires including fabrication of metal electrodes and use of these electrodes in flow-assisted dielectrophoresis to create solution-processable nanowire field effect transistors.This method can help us solve one of the main challenges in the field of solution-processable electronics such as placement of semi-conducting nanomaterials, control of the pilation done and field train of superior quality nanowires.The main function of this technique is that it's a fast reproducible method that can be scaled off controllable fabrication of nano material based devices.Although this method can provide insight into the alignment and selection of nanowires, it can also be applied in the alignment of nanotubes, nano flakes and blade-like nanomaterials.Most steps in this protocol take place in a clean room environment.Start with heavily doped four-inch N type silicon/silicon dioxide wafer.Use a diamond scribe to cut the wafer to produce suitably sized samples.Take care not to touch the top surface.Split the wafer along the cuts to yield several samples.The samples for this experiment are 2.5 x 2.5 centimeters.When done, take the samples to an ultrasonic bath.Place the samples on a substrate holder and immerse them in a beaker of deionized water.Sonicate the samples in the beaker for five minutes at full power.Then transfer the samples to a beaker with acetone before sonicating them for five minutes at full power again.Finally, transfer the samples to a beaker with isopropanol and sonicate for an additional five minutes at full power.Remove the samples from the ultrasonic bath and dry them with a nitrogen gun.Next, transfer the samples to a plasma asher to remove any remaining organic residues.For photolithography, move the samples to a yellow room.Work in a fume cupboard with a hotplate at 150

Research

JoVE Journal

Engineering

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

تحليل الاتصال واجهات لأجهزة أسلاك متناهية الصغر واحدة الجاليوم

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

Solvent Bonding for Fabrication of PMMA and COP Microfluidic Devices

الرابطة المذيبات لتصنيع PMMA وCOP أجهزة ميكروفلويديك

Thermoplastic microfluidic devices offer many advantages over those made from silicone elastomers, but bonding procedures must be developed for each ...

Scalable Solution-processed Fabrication Strategy for High-performance, Flexible, Transparent Electrodes with Embedded Metal Mesh

قابلة للتطوير حل معالجتها استراتيجية تصنيع عالية الأداء، مرنة، أقطاب شفافة مع شبكة معدنية جزءا لا يتجزأ

Here, the authors report the embedded metal-mesh transparent electrode (EMTE), a new transparent electrode (TE) with a metal mesh completely embedded in a ...

Detecting the Water-soluble Chloride Distribution of Cement Paste in a High-precision Way

الكشف عن توزيع الأسمنت لصق كلوريد للذوبان في الماء بطريقة عالية الدقة

To improve the accuracy of the chloride distribution along the depth of cement paste under cyclic wet-dry conditions, a new method is proposed to obtain a ...

Method for Recording Broadband High Resolution Emission Spectra of Laboratory Lightning Arcs

طريقة لتسجيل النطاق العريض عالية الدقة الأطياف الانبعاثات من أقواس البرق المختبر

Lightning is one of the most common and destructive forces in nature and has long been studied using spectroscopic techniques, first with traditional ...

A Fabrication and Measurement Method for a Flexible Ferroelectric Element Based on Van Der Waals Heteroepitaxy

تلفيق وطريقة قياس عنصر Ferroelectric مرنة تستند إلى هيتيرويبيتاكسي فإن دير فالس

Flexible non-volatile memories have received much attention as they are applicable for portable smart electronic device in the future, relying on ...

Fabrication of Refractive-index-matched Devices for Biomedical Microfluidics

تصنيع الأجهزة المتطابقة من مؤشر الانكسار للطب الحيوي ميكروفلويديكس

The use of microfluidic devices has emerged as a defining tool for biomedical applications. When combined with modern microscopy techniques, these devices ...

Low-cost Custom Fabrication and Mode-locked Operation of an All-normal-dispersion Femtosecond Fiber Laser for Multiphoton Microscopy

التصنيع المخصص المنخفض التكلفة والوضع-العملية المقفلة لليزر ألياف البصرية الطبيعي التشتت

A protocol is presented to build a custom low-cost yet high-performance femtosecond (fs) fiber laser. This all-normal-dispersion (ANDi) ytterbium-doped ...

Determination of Aggregate Surface Morphology at the Interfacial Transition Zone (ITZ)

Determination of Aggregate Surface Morphology at the Interfacial Transition Zone ITZ

تحديد المورفولوجية السطحية التجميعية في المنطقة الانتقالية بين الوجهين (ITZ)

Here, we present a comprehensive method to illustrate the uneven distribution of the interfacial transition zone (ITZ) around the aggregate and the effect ...

Fabrication and Design of Wood-Based High-Performance Composites

تصنيع وتصميم المواد المركبة عاليه الأداء المستندة إلى الخشب

Delignified densified wood is a new promising and sustainable material that possesses the potential to replace synthetic materials, such as glass fiber ...