Name: atmospheric pressure fabrication of large-sized single-layer rectangular snse flakes
Uploaded: 2018-03-21T13:30:00
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इस शोध में चीन के युवा वैज्ञानिकों के लिए 1,000 प्रतिभा कार्यक्रम, चीन के राष्ट्रीय प्राकृतिक विज्ञान फाउंडेशन (ग्रांट नो. ५१४७२१६४), ए * स्टार Pharos कार्यक्रम (अनुदान सं. १५२ ७० ०००१४), और उंनत 2d के लिए NUS केंद्र से सुविधा सहायता का समर्थन किया गया था सामग्री.

चेतावनी: कुछ रासायनिक एजेंटों और इस काम में इस्तेमाल गैसों के विषाक्त, यलो, ज्वलनशील, और विस्फोटक हैं । कृपया सभी उचित सुरक्षा प्रथाओं का उपयोग करें जब इंजीनियरिंग नियंत्रण (धुएं हूड) और व्यक्तिगत सुरक?...

<ol>
	<li>Geim, A. K., Novoselo, K. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+Rise+of+Graphene.">The Rise of Graphene.</a> Nature Mater. 6, 183-191 (2007).</li><li>Chhowalla, M., Shin, H. S., Eda, G., Li, L. -. J., Loh, K. P., Zhang, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+Chemistry+of+Two-Dimensional+Layered+Transition+Metal+Dichalcogenide+Nanosheets.">The Chemistry of Two-Dimensional Layered Transition Metal Dichalcogenide Nanosheets.</a> Nat. Chem. 5, 263-275 (2013).</li><li>Zhang, W., Wang, Q., Chen, Y., Wang, Z., Wee, A. T. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Van+der+Waals+Stacked+2D+Layered+Materials+for+Optoelectronics.">Van der Waals Stacked 2D Layered Materials for Optoelectronics.</a> 2D Mater. 3 (1-17), 02200 (2016).</li><li>Li, M. -. Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+Growth+of+a+Monolayer+WSe2-MoS2+Lateral+p-n+Junction+with+an+Atomically+Sharp+Interface.">Epitaxial Growth of a Monolayer WSe2-MoS2 Lateral p-n Junction with an Atomically Sharp Interface.</a> Science. 349, 524-528 (2015).</li><li>Wang, H., Yuan, H., Hong, S. S., Li, Y., Cui, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Physical+and+Chemical+Tuning+of+Two-Dimensional+Transition+Metal+Dichalcogenides.">Physical and Chemical Tuning of Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides.</a> Chem. Soc. Rev. 44, 2664-2680 (2015).</li><li>Wang, Q. H., Kalantar-Zadeh, K., Kis, A., Coleman, J. N., Strano, M. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electronics+and+Optoelectronics+of+Two-Dimensional+Transition+Metal+Dichalcogenides.">Electronics and Optoelectronics of Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides.</a> Nat.Nanotechnol. 7, 699-712 (2012).</li><li>Kim, K. 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Chem. 126, 3728-3732 (2014).</li><li>Liu, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Metal-Free+Efficient+Photocatalyst+for+Stable+Visible+Water+Splitting+via+a+Two-Electron+Pathway.">Metal-Free Efficient Photocatalyst for Stable Visible Water Splitting via a Two-Electron Pathway.</a> Science. 347, 970-974 (2015).</li><li>Jiang, J., Zou, J., Wee, A. T. S., Zhang, W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Use+of+Single-Layer+g-C3N4/Ag+Hybrids+for+Surface-Enhanced+Raman+Scattering+(SERS).">Use of Single-Layer g-C3N4/Ag Hybrids for Surface-Enhanced Raman Scattering (SERS).</a> Sci.Rep. 6 (1-10), 34599 (2016).</li><li>Jiang, J., Zhu, L., Zou, J., Ou-yang, L., Zheng, A., Tang, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Micro/Nano-Structured+Graphitic+Carbon+Nitride-Ag+Nanoparticle+Hybrids+as+Surface-Enhanced+Raman+Scattering+Substrates+with+Much+Improved+Long-Term+Stability.">Micro/Nano-Structured Graphitic Carbon Nitride-Ag Nanoparticle Hybrids as Surface-Enhanced Raman Scattering Substrates with Much Improved Long-Term Stability.</a> Carbon. 87, 193-205 (2015).</li><li>Jariwala, D., Marks, T. J., Hersam, M. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Mixed-dmensional+van+der+Waals+Heterostructures.">Mixed-dmensional van der Waals Heterostructures.</a> Nature Mater. 16, 170-181 (2017).</li><li>Late, D. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=GaS+and+GaSe+Ultrathin+Layer+Transistors.">GaS and GaSe Ultrathin Layer Transistors.</a> Adv. Mater. 24, 3549-3554 (2012).</li><li>Klein, A., Lang, O., Schlaf, R., Pettenkofer, C., Jaegermann, W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electronically+Decoupled+Films+of+InSe+Prepared+by+van+der+Waals+Epitaxy:+Localized+and+Delocalized+Valence+States.">Electronically Decoupled Films of InSe Prepared by van der Waals Epitaxy: Localized and Delocalized Valence States.</a> Phys. Rev. Lett. 80, 361-364 (1998).</li><li>Gomes, L. C., Carvalho, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Phosphorene+Analogues:+Isoelectronic+Two-Dimensional+Group-IV+Monochalcogenides+with+Orthorhombic+Structure.">Phosphorene Analogues: Isoelectronic Two-Dimensional Group-IV Monochalcogenides with Orthorhombic Structure.</a> Phys. Rev. B. 92 (1-8), 085406 (2015).</li><li>Xue, D., Tan, J., Hu, J., Hu, W., Guo, Y., Wan, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Anisotropic+Photoresponse+Properties+of+Single+Micrometer-Sized+GeSe+Nanosheet.">Anisotropic Photoresponse Properties of Single Micrometer-Sized GeSe Nanosheet.</a> Adv. Mater. 24, 4528-4533 (2012).</li><li>Antunez, P. D., Buckley, J. J., Brutchey, R. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Tin+and+Germanium+Monochalcogenide+IV-VI+Semiconductor+Nanocrystals+for+Use+in+Solar+Cells.">Tin and Germanium Monochalcogenide IV-VI Semiconductor Nanocrystals for Use in Solar Cells.</a> Nanoscale. 3, 2399-2411 (2011).</li><li>Zhao, L. D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultralow+Thermal+Conductivity+and+High+Thermoelectric+Figure+of+Merit+in+SnSe+Crystals.">Ultralow Thermal Conductivity and High Thermoelectric Figure of Merit in SnSe Crystals.</a> Nature. 508, 373-377 (2014).</li><li>Zhao, L. D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultrahigh+Power+Factor+and+Thermoelectric+Performance+in+Hole-Doped+Single-Crystal+SnSe.">Ultrahigh Power Factor and Thermoelectric Performance in Hole-Doped Single-Crystal SnSe.</a> Science. 351, 141-144 (2016).</li><li>Bhatt, V. P., Gireesan, K., Pandya, G. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+and+Characterization+of+SnSe+and+SnSe2+Single+Crystals.">Growth and Characterization of SnSe and SnSe2 Single Crystals.</a> J. Cryst. Growth. 96, 649-651 (1989).</li><li>Yu, J. G., Yue, A. S., Stafsudd, O. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+and+Electronic+Properties+of+the+SnSe+Semiconductor.">Growth and Electronic Properties of the SnSe Semiconductor.</a> J. Cryst. Growth. 54, 248-252 (1981).</li><li>Zhang, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Tinselenidene:+a+Two-dimensional+Auxetic+Material+with+Ultralow+Lattice+Thermal+Conductivity+and+Ultrahigh+Hole+Mobility.">Tinselenidene: a Two-dimensional Auxetic Material with Ultralow Lattice Thermal Conductivity and Ultrahigh Hole Mobility.</a> Sci. Rep. 6 (1-9), (2016).</li><li>Liu, X., Li, Y., Zhou, B., Wang, X., Cartwright, A. N., Swihart, M. T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Shape-Controlled+Synthesis+of+SnE+(E=S,+Se)+Semiconductor+Nanocrystals+for+Optoelectronics.">Shape-Controlled Synthesis of SnE (E=S, Se) Semiconductor Nanocrystals for Optoelectronics.</a> Chem. Mater. 26, 3515-3521 (2014).</li><li>Franzman, M. A., Schlenker, C. W., Thompson, M. E., Brutchey, R. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-Phase+Synthesis+of+SnSe+Nanocrystals+for+Use+in+Solar+Cells.">Solution-Phase Synthesis of SnSe Nanocrystals for Use in Solar Cells.</a> J. Am. Chem. Soc. 132, 4060-4061 (2010).</li><li>Baumgardner, W. J., Choi, J. J., Lim, Y. -. F., Hanrath, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=SnSe+Nanocrystals:+Synthesis,+Structure,+Optical+Properties,+and+Surface+Chemistry.">SnSe Nanocrystals: Synthesis, Structure, Optical Properties, and Surface Chemistry.</a> J. Am. Chem. Soc. 132, 9519-9521 (2010).</li><li>Boscher, N. D., Carmalt, C. J., Palgrave, R. G., Parkin, I. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atmospheric+Pressure+Chemical+Vapour+Deposition+of+SnSe+and+SnSe+2+Thin+Films+on+Glass.">Atmospheric Pressure Chemical Vapour Deposition of SnSe and SnSe 2 Thin Films on Glass.</a> Thin Solid Films. 516, 4750-4757 (2008).</li><li>Zhao, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Controlled+Synthesis+of+Single-Crystal+SnSe+Nanoplates.">Controlled Synthesis of Single-Crystal SnSe Nanoplates.</a> Nano Res. 8, 288-295 (2015).</li><li>Li, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Single-Layer+Single-Crystalline+SnSe+Nanosheets.">Single-Layer Single-Crystalline SnSe Nanosheets.</a> J. Am. Chem. Soc. 135, 1213-1216 (2013).</li><li>Jiang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Two-Step+Fabrication+of+Single-Layer+Rectangular+SnSe+Flakes.">Two-Step Fabrication of Single-Layer Rectangular SnSe Flakes.</a> 2D Mater. 4 (1-9), 021026 (2017).</li></ol>

यहां, एक वाष्प परिवहन जमाव विधि और एक वायुमंडलीय दबाव प्रणाली में एक नाइट्रोजन नक़्क़ाशी तकनीक का संयोजन पहले की सूचना दी है । इस प्रोटोकॉल में, महत्वपूर्ण कदम एकल परत SnSe गुच्छे के निर्माण की धारा हैं ।</...

दो आयामी (2d) सामग्री में अनुसंधान ग्राफीन के सफल अलगाव के बाद से हाल के वर्षों में खिल गया है, 2 डी सामग्री की संभावना के कारण बेहतर बिजली, ऑप्टिकल, और यांत्रिक गुणों पर अपने थोक समकक्षों1 , 2 , 3 , 4 , 5. 2d सामग्री optoelectronic और इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में होनहार अनुप्रयोगों को दिखाने के6,7, catalysis और जल बंटवारे8,9, सतह बढ़ाकर रमन कैटरिंग सेंस 10,11, आदि स्तरित सामग्री के बड़े परिवार जो 2d सामग्री में छूटना हो सकता है महान विविधता दिखाने के लिए, अर्द्ध धातु semiconducting संक्रमण के लिए ग्राफीन से लेकर-धातु dichalcogenides (TMDs ) और काले फास्फोरस (बीपी) को अछूता रखने के लिए षट्कोण बोरान नाइट्राइड (एच-बीएन) । इन सामग्रियों और उनके बिषम अच्छी तरह से हाल के वर्षों में अध्ययन किया गया है, और कई उपंयास गुण और12अनुप्रयोगों का प्रदर्शन किया है । अन्य कम अध्ययन किया, लेकिन समान रूप से IIIA में 2d स्तरित सामग्री का वादा-via (गैस, GaSe, और ईनसे)13,14 और IVA-via (GeS, GeSe, और एसएनएस)15,16,17 परिवारों को भी हाल ही में ध्यान मिला है ।
SnSe IVA के अंतर्गत आता है-समूह के माध्यम से और एक orthorhombic संरचना में सघन, परमाणुओं के साथ pnma अंतरिक्ष समूह में व्यवस्था की और परत के भीतर पकड़े बैठा रहता है, phosphorene के क्रिस्टल संरचना की तरह । SnSe 0.6 eV के एक बैंड के अंतर के साथ एक संकीर्ण अंतर अर्धचालक है, लेकिन अधिक अच्छी तरह से अपने अधिक अद्वितीय तापविद्युत गुणों के लिए जाना जाता है, के रूप में यह एक बहुत ही उच्च ZT (मेरिट का तापविद्युत आंकड़ा) ९२३ K18,19 पर 2.6 के मूल्य की सूचना है , जो अपनी अनूठी इलेक्ट्रॉनिक संरचना और कम थर्मल चालकता के लिए जिंमेदार ठहराया गया है । जबकि थोक SnSe क्रिस्टल व्यावसायिक रूप से उपलब्ध है और ज्ञात विधियों द्वारा उगाया जा सकता है, जैसे कि Bridgeman-Stockbarger विधि20 या रासायनिक वाष्प परिवहन विधि21, बढ़ती बड़े आकार कुछ परत और अचालक पर एकल परत SnSe सब्सट्रेट अधिक चुनौतीपूर्ण है. इस तरह के उच्च उन्मुख pyrolytic ग्रेफाइट (HOPG), मीका, सिइओ2, एसआई3एन4, और कांच के रूप में 2 डी सामग्री की वृद्धि, समर्थन करने के लिए कई सब्सट्रेट हैं । कम लागत सिइओ2 dielectrics सबसे अधिक इस्तेमाल किया सब्सट्रेट कर रहे हैं, के रूप में इन क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर के निर्माण की अनुमति, जहां dielectrics बिजली के पीछे के गेट के हिस्से के रूप में सेवा. हमारे अनुभव में, ग्राफीन और TMDs के विपरीत, यह micromechanical छूटना विधि द्वारा कुछ परत या एकल परत SnSe गुच्छे को प्राप्त करने के लिए मुश्किल है, के रूप में थोक SnSe एक उच्च शक्ति है बाइंडिंग ऊर्जा 32 meV के22 / परतों, यहां तक कि छूटना गुच्छे के किनारों के साथ । इसलिए, कुछ परत और एकल परत SnSe के उपंयास इलेक्ट्रॉनिक गुणों का अध्ययन करने के लिए, एक नया, सरल, और कम लागत सिंथेटिक विधि उच्च गुणवत्ता तैयार करने के लिए बड़े आकार के एकल परत SnSe क्रिस्टल के लिए सब्सट्रेट्स को बचाने की आवश्यकता है, विशेष रूप से के बाद से SnSe है कम और मध्यम तापमान में ऊर्जा रूपांतरण के लिए तापविद्युत अनुप्रयोगों के लिए एक उंमीदवार के रूप में महान वादा दिखाया19।
कई शोधकर्ताओं ने उच्च गुणवत्ता SnSe क्रिस्टल संश्लेषण के लिए तरीके विकसित किया है । लियू एट अल. 23 और Franzman एट अल । 24 विभिंन आकृतियों के SnSe nanocrystals को संश्लेषित करने के लिए समाधान-चरण पद्धति का उपयोग किया गया, जैसे क्वांटम डॉट्स, nanoplates, एकल क्रिस्टलीय nanosheets, nanoflowers, और nanopolyhedra का प्रयोग SnCl2 और alkyl-phosphine-सेलेनियम या dialkyl diselenium पुरोगामी. Baumgardner एट अल. 25 संश्लेषित कोलाइडयन SnSe नैनोकणों इंजेक्शन द्वारा बीआईएस [भा (trimethylsilyl) अमीनो] टिन (II) गरम trioctylphosphine में, और वे व्यास में ~ 4-10 एनएम के nanocrystals प्राप्त की । बॉश एट अल. 26 एक वायुमंडलीय दबाव रासायनिक वाष्प जमाव तकनीक का इस्तेमाल किया ग्लास सब्सट्रेट पर SnSe फिल्मों को प्राप्त करने के लिए टिन टेट्राक्लोराइड और diethyl selenide पुरोगामी का उपयोग कर एक टिन टेट्राक्लोराइड अनुपात के साथ 10 diethyl selenide से बड़ा है, और उनके संश्लेषित SnSe फिल्में दिखने में करीब 100 एनएम मोटी और सिल्वर-ब्लैक थीं । Zhao एट अल. 27 एक कम निर्वात प्रणाली में वाष्प परिवहन जमाव और संश्लेषित एकल क्रिस्टल SnSe nanoplates पर अभ्रक सब्सट्रेट और प्राप्त की स्क्वायर nanoplates 1-6 µm. हालांकि, एकल परत SnSe क्रिस्टल प्राप्त इन तकनीकों का उपयोग संभव नहीं हैं । ली एट अल. 28 सफलतापूर्वक एकल परत एकल क्रिस्टल SnSe nanosheets एक एक पॉट SnCl4 और एसईओ2 पुरोगामी के साथ सिंथेटिक विधि का उपयोग कर संश्लेषित । हालांकि, वे केवल अपने nanosheets के लिए के बारे में 300 एनएम के एक पार्श्व आकार प्राप्त करने में सक्षम थे । हम हाल ही में हमारे विधि प्रकाशित किया है उच्च गुणवत्ता बढ़ने, बड़े आकार के एकल परत SnSe क्रिस्टल जो चरण शुद्ध कर रहे है29। इस विस्तृत प्रोटोकॉल के लिए नए चिकित्सकों की मदद करने के लिए अंय बड़े आकार उच्च गुणवत्ता ultrathin 2d सामग्री इस पद्धति का उपयोग कर विकसित करना है ।

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="1083">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">SnSe powder&#160;&#160;</td>
			<td style="width:295px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:159px;">1315-06-6</td>
			<td style="width:347px;">(99.999%) toxic, carcinogenic</td>
		</tr>
		<tr height="28">
			<td height="28" style="height:28px;width:283px;">Ar gas</td>
			<td style="width:295px;"></td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td>explosive</td>
		</tr>
		<tr height="32">
			<td height="32" style="height:32px;width:283px;">H2 gas</td>
			<td style="width:295px;"></td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td>flammable, explosive</td>
		</tr>
		<tr height="32">
			<td height="32" style="height:32px;">SiO2/Si wafer</td>
			<td style="width:295px;"></td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td>300 nm thick SiO2 on heavily doped Si</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Acetone</td>
			<td style="width:295px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td>67-64-1</td>
			<td>toxic, flammable</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Isopropanol</td>
			<td style="width:295px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td>67-63-0</td>
			<td>flammable</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Quartz tube</td>
			<td>Dongjing Quartz Company, China</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">Ceramic boat</td>
			<td style="width:295px;">Dongjing Quartz Company, China</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">Optical microscope</td>
			<td style="width:295px;">Olympus, BX51</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">Atomic force microscopy</td>
			<td style="width:295px;">Bruker&#160;</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td>Using FastScan-A probe type&#160; and ScanAsyst-air</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">Scanning electron microscopy&#160;</td>
			<td style="width:295px;">JEOL JSM-6700F</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">transmission electron microscopy</td>
			<td style="width:295px;">FEI Titan</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:283px;">Tube furnace</td>
			<td style="width:295px;">MTI Corporation</td>
			<td style="width:159px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

atmospheric pressure fabrication of large-sized single-layer rectangular snse flakes

टिन selenide (SnSe) phosphorene की तरह एक बकसुआ संरचना के साथ स्तरित धातु chalcogenide सामग्री के परिवार के अंतर्गत आता है, और दो आयामी nanoelectronics उपकरणों में अनुप्रयोगों के लिए संभावित दिखाया गया है । हालांकि कई तरीकों SnSe nanocrystals संश्लेषित करने के लिए विकसित किया गया है, एक सरल तरीका बड़े आकार एकल परत SnSe गुच्छे बनाना एक बड़ी चुनौती बनी हुई है । इस के साथ साथ, हम प्रयोगात्मक विधि दिखाने के लिए सीधे बड़े आकार के एकल परत आयताकार SnSe गुच्छे आमतौर पर इस्तेमाल किया सिइओ पर एक सीधी दो कदम निर्माण विधि का उपयोग कर एक वायुमंडलीय दबाव क्वार्ट्ज ट्यूब में2/Si अछूता सब्सट्रेट फर्नेस प्रणाली । के बारे में 30 µm × 50 µm के ~ 6.8 Å और पार्श्व आयामों की एक औसत मोटाई के साथ एकल परत आयताकार SnSe गुच्छे वाष्प परिवहन जमाव तकनीक और नाइट्रोजन नक़्क़ाशी मार्ग का एक संयोजन द्वारा गढ़े गए थे । हम आयताकार SnSe गुच्छे की आकृति विज्ञान, microstructure, और बिजली के गुणों की विशेषता है और उत्कृष्ट crystallinity और अच्छे इलेक्ट्रॉनिक गुणों को प्राप्त किया । दो कदम निर्माण विधि के बारे में यह लेख मदद कर सकता है शोधकर्ताओं ने अंय समान दो विकसित आयामी, बड़े आकार, एकल परत एक वायुमंडलीय दबाव प्रणाली का उपयोग कर सामग्री ।

प्रयोगात्मक तंत्र के योजनाबद्ध आरेख, ऑप्टिकल छवियां, परमाणु बल माइक्रोस्कोपी (AFM) छवियों, स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी (SEM) छवियों, और पारेषण इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी (उनि) गढ़े SnSe गुच?...

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Atmospheric Pressure Fabrication of Large-Sized Single-Layer Rectangular SnSe Flakes

एक प्रोटोकॉल एक दो कदम निर्माण तकनीक का प्रदर्शन करने के लिए बड़े आकार के एक वायुमंडलीय दबाव क्वार्ट्ज ट्यूब फर्नेस प्रणाली में कम लागत सिइओ2/Si dielectrics वेफर्स पर एकल परत आयताकार आकार SnSe गुच्छे विकसित करने के लिए प्रस्तुत किया जाता है ।

वायुमंडलीय दबाव निर्माण के बड़े आकार का एकल परत आयताकार SnSe गुच्छे

Tin selenide (SnSe) belongs to the family of layered metal chalcogenide materials with a buckled structure like phosphorene, and has shown potential for ...

Research

JoVE Journal

Engineering

Fabrication of Spatially Confined Complex Oxides

Spatially सीमित परिसर आक्साइड का निर्माण

Complex materials such as high Tc superconductors, multiferroics, and colossal magnetoresistors have electronic and magnetic properties that arise from ...

Synthesis and Microdiffraction at Extreme Pressures and Temperatures

अत्यधिक दबाव और तापमान में संश्लेषण और Microdiffraction

High pressure compounds and polymorphs are investigated for a broad range of purposes such as determine structures and processes of deep planetary ...

How to Ignite an Atmospheric Pressure Microwave Plasma Torch without Any Additional Igniters

कैसे किसी भी अतिरिक्त igniters के बिना एक वायुमंडलीय दबाव माइक्रोवेव प्लाज्मा मशाल प्रज्वलित

This movie shows how an atmospheric pressure plasma torch can be ignited by microwave power with no additional igniters. After ignition of the plasma, a ...

Atomically Traceable Nanostructure Fabrication

Atomically Traceable nanostructure निर्माण

Reducing the scale of etched nanostructures below the 10 nm range eventually will require an atomic scale understanding of the entire fabrication process ...

Blast Quantification Using Hopkinson Pressure Bars

ब्लास्ट मात्रा Hopkinson दबाव सलाखों का उपयोग

Near-field blast load measurement presents an issue to many sensor types as they must endure very aggressive environments and be able to measure pressures ...

An Atmospheric Pressure Plasma Setup to Investigate the Reactive Species Formation

एक वायुमंडलीय दबाव प्लाज्मा सेटअप प्रतिक्रियाशील प्रजातियों गठन जांच करने के लिए

Non-thermal atmospheric pressure (&#39;cold&#39;) plasmas have received increased attention in recent years due to their significant biomedical potential. ...

New Application of an Atmospheric Pressure Plasma Jet as a Neuro-protective Agent Against Glucose Deprivation-induced Injury of SH-SY5Y Cells

एसएच-SY5Y कोशिकाओं की चोट प्रेरित-ग्लूकोज के अभाव के खिलाफ एक न्यूरो सुरक्षात्मक एजेंट के रूप में एक वायुमंडलीय दबाव प्लाज्मा जेट के नए आवेदन

The atmospheric pressure plasma jet (APPJ) has attracted the attention of many researchers from multiple disciplines in recent years because its emissions ...

Nerve Stem Cell Differentiation by a One-step Cold Atmospheric Plasma Treatment In Vitro

Nerve Stem Cell Differentiation by a One-step Cold Atmospheric Plasma Treatment In Vitro

तंत्रिका स्टेम सेल एक एक कदम ठंड वातावरण में प्लाज्मा उपचार के द्वारा भेदभाव इन विट्रो

As the development of physical plasma technology, cold atmospheric plasmas (CAPs) have been widely investigated in decontamination, cancer treatment, ...

Fabrication of Compressed Hosiery and Measurement of its Pressure Characteristic Exerted on the Lower Limbs

संकुचित होजरी का निर्माण और निचले अंगों पर लगाए गए अपने दबाव विशेषता का माप

This article reports the pressure characteristic measurement of compressed hosiery via direct and indirect methods. In the direct method, an interface ...

Microfluidic Fabrication Techniques for High-Pressure Testing of Microscale Supercritical CO2 Foam Transport in Fractured Unconventional Reservoirs

Microfluidic Fabrication Techniques for High-Pressure Testing of Microscale Supercritical CO2 Foam Transport in Fractured Unconventional Reservoirs

खंडित अपरंपरागत जलाशयों में माइक्रोस्केल सुपरक्रिटिकल सीओ2 फोम परिवहन के उच्च दबाव परीक्षण के लिए माइक्रोफ्लुइडिक फैब्रिकेशन तकनीक

Pressure limitations of many microfluidic platforms have been a significant challenge in microfluidic experimental studies of fractured media. As a ...