October 23rd, 2018
•Raggiungimento dei contatti Schottky di alta qualità è di importanza fondamentale per il raggiungimento di modulazione efficiente porta a eterostruttura transistor ad effetto di campo (HFET). Vi presentiamo la metodologia di fabbricazione e le caratteristiche dei diodi Schottky su Zn-polar BeMgZnO/ZnO eterostrutture con gas ad alta densità di elettrone dimensionale due (2DEG), cresciute di epitassia da fasci molecolari assistita da plasma su modelli di GaN.
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