Name: developing high performance gap/si heterojunction solar cells
Uploaded: 2018-11-16T15:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

الكتاب يود أن يشكر دينغ لام وم. بوككارد لمساهماتها في تجهيز واختبار الخلايا الشمسية في هذه الدراسة. الكتاب الاعتراف بتمويل من "وزارة الطاقة الأميركية" تحت العقد دي-EE0006335، وبرنامج مركز البحوث الهندسية من المؤسسة الوطنية للعلوم، ومكتب لكفاءة الطاقة والطاقة المتجددة لوزارة الطاقة تحت رقم اتفاق تعاوني جبهة الخلاص الوطني الجماعة الاقتصادية الأوروبية-1041895. داهال سوم في "معمل الطاقة الشمسية" وأيد، في جزء منه، عقد جبهة الخلاص الوطني ECCS-1542160.

تنبيه: يرجى استشارة جميع صحائف بيانات السلامة المادية ذات الصلة (MSDS) قبل التعامل مع المواد الكيميائية. الرجاء استخدام جميع ممارسات السلامة المناسبة عند القيام تصنيع خلايا الشمسية بما في ذلك غطاء الدخان ومعدات الحماية الشخصية (سلامة النظارات، قفازات، معطف مختبر، وكامل طول السراويل، أحذية...

<ol>
	<li>Friedman, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Progress+and+challenges+for+next-generation+high-efficiency+multijunction+solar+cells.">Progress and challenges for next-generation high-efficiency multijunction solar cells.</a> Current Opinion in Solid State &amp; Materials Science. 14, 131-138 (2010).</li><li>Vadiee, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=AlGaSb-Based+Solar+Cells+Grown+on+GaAs:+Structural+investigation+and+device+performance.">AlGaSb-Based Solar Cells Grown on GaAs: Structural investigation and device performance.</a> IEEE Journal of Photovoltaics. , (2017).</li><li>Wagner, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+numerical+simulation+study+of+gallium-phosphide/silicon+heterojunction+passivated+emitter+and+rear+solar+cells.">A numerical simulation study of gallium-phosphide/silicon heterojunction passivated emitter and rear solar cells.</a> Journal of Applied Physics. 115, 044508 (2014).</li><li>Limpert, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Results+from+coupled+optical+and+electrical+sentaurus+TCAD+models+of+a+gallium+phosphide+on+silicon+electron+carrier+selective+contact+solar+cell.">Results from coupled optical and electrical sentaurus TCAD models of a gallium phosphide on silicon electron carrier selective contact solar cell.</a> 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC). , 836-840 (2014).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=On+the+source+of+silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+growth+of+III-V+materials.">On the source of silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial growth of III-V materials.</a> 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). , 2048-2051 (2016).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+III-V+material+growth.">Silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial III-V material growth.</a> Energy Procedia. 92, 617-623 (2016).</li><li>Zhang, C., Kim, Y., Faleev, N. N., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improvement+of+GaP+crystal+quality+and+silicon+bulk+lifetime+in+GaP/Si+heteroepitaxy.">Improvement of GaP crystal quality and silicon bulk lifetime in GaP/Si heteroepitaxy.</a> Journal of Crystal Growth. 475, 83-87 (2017).</li><li>Garc&#237;a-Tabar&#233;s, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+silicon+bulk+lifetime+during+III-V-on-Si+multijunction+solar+cell+epitaxial+growth.">Evolution of silicon bulk lifetime during III-V-on-Si multijunction solar cell epitaxial growth.</a> Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 24, 634-644 (2016).</li><li>Varache, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+bulk+c-Si+properties+during+the+processing+of+GaP/c-Si+heterojunction+cell.">Evolution of bulk c-Si properties during the processing of GaP/c-Si heterojunction cell.</a> Energy Procedia. 77, 493-499 (2015).</li><li>Ishizaka, A., Shiraki, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low+temperature+surface+cleaning+of+silicon+and+its+application+to+silicon+MBE.">Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE.</a> Journal of The Electrochemical Society. 133, 666 (1986).</li><li>Zhang, C., Vadiee, E., King, R. R., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Carrier-selective+contact+GaP/Si+solar+cells+grown+by+molecular+beam+epitaxy.">Carrier-selective contact GaP/Si solar cells grown by molecular beam epitaxy.</a> Journal of Materials Research. 33, 414-423 (2018).</li><li>Battaglia, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hole+Selective+MoOx+Contact+for+Silicon+Solar+Cells.">Hole Selective MoOx Contact for Silicon Solar Cells.</a> Nano Letters. 14, 967-971 (2014).</li></ol>

ابيتاكسيالي كان نمت القيمة اسمية 25 نانومتر سميكة طبقة فجوة على سطح سي ف غنية عن طريق MBE. لتنمو بنوعية أفضل من طبقة الفجوة على ركائز Si، ثالثا الخامس منخفضة نسبيا نسبة (P/Ga) الأفضل. جودة كريستال جيدة من طبقة الفجوة ضروري لتحقيق موصلية عالية ومنخفضة الكثافة من مراكز جزئ. فؤاد الجذر-يعني-المربع (RM...

كان هناك جهد مستمر على إدماج مواد مختلفة مع عدم التطابق شعرية من أجل تعزيز كفاءة الخلايا الشمسية الإجمالية1،2. التكامل الثالث-الخامس/سي لديها إمكانات لزيادة كفاءة الخلايا الشمسية Si الحالية واستبدالها ركائز ثالثا-V غالية (مثل GaAs وجنرال الكتريك) ركيزة Si لتطبيقات الخلايا الشمسية مولتيجونكشن. بين جميع الثالث إلى الخامس ثنائي نظم المواد، فوسفيد الغاليوم (الفجوة) مرشح جيد لهذا الغرض، كما أنها أصغر شعرية-عدم التطابق (~ 0.4 في المائة) مع الاشتراكية الدولية وباندجاب غير مباشرة عالية. يمكن تمكين هذه الميزات التكامل عالية الجودة من الفجوة مع الركازة Si. فقد ثبت من الناحية النظرية أن الفجوة/Si هيتيروجونكتيون الخلايا الشمسية يمكن أن تعزز كفاءة الخلايا الشمسية Si الخلفية التقليدية باعث تخميلها3،4 بالاستفادة من الفرقة فريدة من نوعها-الإزاحة بين الفجوة والاشتراكية (∆Eالخامس دا ~1.05 و ∆Eج ~0.09 ف). وهذا يجعل الفجوة اتصال إلكترون انتقائية واعدة للخلايا الشمسية السيليكون. ومع ذلك، من أجل تحقيق الأداء العالي الفجوة/Si هيتيروجونكتيون الخلايا الشمسية، عمر الأكبر سي عالية وعالية الجودة واجهة الفجوة/سي مطلوبة.
خلال نمو المواد الثالث إلى الخامس على الركازة Si تنضيد الحزمة الجزيئية (MBE) وتنضيد مرحلة البخار ميتالورجانيك (موفبي)، كبيرة سي عمر قد تم على نطاق واسع ملاحظة انخفاض5،،من67، 8 , 9-واتضح أن تدهور الحياة يحدث أساسا أثناء المعالجة الحرارية لرقائق Si في المفاعلات، ومطلوبة من أجل التعمير أكسيد سطح الامتزاز و/أو السطح قبل النمو الفوقي10. كان يعزى هذا التدهور للخارجية نشر الملوثات التي نشأت من5،7مفاعلات النمو. واقترحت عدة نهج لقمع هذا تدهور الحياة الاشتراكية. في أعمالنا السابقة، لقد أظهرنا طريقتين يمكن التي قمعت سي عمر تدهور إلى حد كبير. وقد تجلى الطريقة الأولى الأخذ بالخطيئةx ك حاجز نشر7 والثانية بإدخال طبقة فنشر ك عامل جيتيرينج11 إلى الركيزة Si.
في هذا العمل، وقد أثبتنا الخلايا الشمسية الفجوة/سي عالية الأداء استناداً إلى النهج المذكورة أعلاه التخفيف من حدة تدهور الحياة جل السليكون. التقنيات المستخدمة للحفاظ على عمر سي يمكن أن يكون تطبيقات واسعة النطاق في مولتيجونكشن الخلايا الشمسية مع Si أسفل الخلايا النشطة والأجهزة الإلكترونية مثل CMOS قدرة عالية على الحركة. وترد تفاصيل تصنيع الفجوة/Si هيتيروجونكتيون الخلايا الشمسية، بما في ذلك التنظيف ويفر سي، فنشر في الفرن، والفجوة في النمو، والخلايا الشمسية الفجوة/Si التجهيز، في هذا البروتوكول مفصلاً،.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Hydrogen peroxide, 30%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181019</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid, 96%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64103</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrochloric acid, 37%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64009</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Buffered Oxide Etch 10:1</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>62060</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrofluoric acid, 49%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181736</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetic acid</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10180830</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nitride acid, 69.5%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>200288</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

developing high performance gap/si heterojunction solar cells

لتحسين كفاءة الخلايا الشمسية على أساس سي تتجاوز حد شوكلي-قيصر، الطريق الأمثل دمجها مع الخلايا الشمسية الثالث-الخامس-تعتمد. في هذا العمل، نحن نقدم عالية الأداء الفجوة/Si هيتيروجونكشن الخلايا الشمسية مع عمر الأقلية-الناقل Si عالية والكريستال عالية الجودة الفوقي الفجوة طبقات. ويتضح أنه بتطبيق الفوسفور (P)-طبقات نشرها إلى الركيزة Si وطبقةالعاشر خطيئة، عمر الناقل الأقلية الاشتراكية يمكن أن تكون عليها بشكل جيد أثناء نمو الفجوة في تنضيد الحزمة الجزيئية (MBE). عن طريق التحكم في ظروف النمو، يزرع جودة عالية كريستال الفجوة على سطح سي ف الغنية. جودة الفيلم يتسم مجهر القوة الذرية وحيود الأشعة السينية ذات الدقة العالية. وباﻹضافة إلى ذلك، موx نفذ كجهة اتصال ثقب انتقائي التي أدت إلى زيادة كبيرة في الدائرة القصيرة الكثافة الحالية. أداء الجهاز عالية يتحقق من الخلايا الشمسية هيتيروجونكشن الفجوة/سي يحدد مساراً لزيادة تعزيز أداء الأجهزة الضوئية المستندة إلى الاشتراكية.

صور مجهرية (فؤاد) القوة الذرية ومسح حيود الأشعة السينية ذات الدقة العالية (زرد)، بما في ذلك المنحنى هزاز محيط الانعكاس (004) وخريطة المساحة المعاملة بالمثل (RSM) محيط انعكاس (224)، وجمعت للفجوة/سي هيكل (الشكل 1). فؤاد كان يستخدم لتمييز مورفولوجية سطح الفجوة ازدادت...

Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells

نقدم هنا، بروتوكول لتطوير الخلايا الشمسية هيتيروجونكتيون الفجوة/سي عالية الأداء مع عمر أقلية-ناقل Si عالية.

تطوير الخلايا الشمسية هيتيروجونكشن الفجوة/سي عالية الأداء

To improve the efficiency of Si-based solar cells beyond their Shockley-Queisser limit, the optimal path is to integrate them with III-V-based solar ...

هذه الطريقة يمكن أن أقول، والإجابة على الأسئلة الرئيسية في السيليكون الطبقية المتكاملة تصنيع الخلايا الشمسية حول كيفية الحفاظ على عمر كبير السيليكون عالية خلال النمو. المزايا الرئيسية لهذه العملية هي أننا يمكن أن تحقق عمر طويل من السليكون السائبة، حتى بعد نمو غير التكافؤ من اتصال الناقل الغاليوم فوسفيد انتقائية على السيليكون. وهذا يسمح لنا بالوصول إلى فجوات النطاق من أشباه الموصلات الثالثة والخامسة الأخرى.إنه شكل من أشكال الخلايا الشمسية متعددة الزُواجن مع خلية سفلية من السيليكون. للبدء ، قم بإعداد محلول بيرانا في حمام تسخين حمض البولي إيثيلين عالي الكثافة ، وسخناته إلى 110 درجة مئوية ، وانتظر استقرار درجة الحرارة. في حمام حمض آخر، إعداد حمض الهيدروكلوريك المخفف ومحلول بيروكسيد الهيدروجين لإزالة التلوث الأيوني، وتسخينه إلى 74 درجة مئوية وانتظار استقرار درجة الحرارة.مكان أربعة بوصة قطرها منطقة نهاية نهاية نوع مزدوج الجانب مصقول رقائق السيليكون في البولي بروبلين نظيفة أربعة بوصة كاسيت رقاقة. نقع الرقاقة في محلول البيرانا لمدة 10 دقائق. ثم شطف الرقاقة لمدة 10 دقائق مع الماء الأيون، ووضعها في كاسيت نظيفة.نقع الرقاقة في محلول التنظيف الأيونية لمدة 10 دقائق، ثم شطف لهم بالماء الأيون لمدة 10 دقائق. ثم، نقع الرقاقة في محلول حفر أكسيد المخزنة من 10 إلى واحد فلوريد الأمونيوم إلى حمض الهيدروفلوريك لمدة ثلاث دقائق في درجة حرارة الغرفة، وشطفها بالماء الأيون لمدة 10 دقائق. جفف الرقاقة النظيفة تحت تيار من غاز النيتروجين الجاف.بعد ذلك، ضع رقاقة نظيفة في قارب كوارتز وتحميله في فرن أنبوب الكوارتز، ساخنة إلى 800 درجة مئوية مع جو من غاز النيتروجين المتدفقة. منحدر الفرن إلى 820 درجة مئوية على مدى 20 دقيقة. ثم، قم بتبديل الغاز الناقل إلى النيتروجين الفقاعي من خلال أكسيد كلوريد الفوسفور عند 1000 SCCM.بعد 15 دقيقة، ووقف تدفق الغاز الناقل ومنحدر الفرن وصولا الى 800 درجة مئوية. إزالة رقاقة من الفرن والسماح لها تبرد. ثم، نقع عليه في محلول حفر أكسيد عازلة طازجة لمدة 10 دقائق لإزالة الفسفور سيليكات الزجاج.شطف رقاقة في المياه ديونيد لمدة 10 دقيقة وتجفيفه مع غاز النيتروجين. قبل ترسب نيتريد السيليكون، نقع رقاقة في محلول تخزين أكسيد المخزنة لمدة دقيقة واحدة لإزالة أكسيدات الأصلي. شطفه في الماء غير المؤين لمدة 10 دقائق، وتجفيفه بغاز النيتروجين الجاف.ضع الرقاقة على حامل سيليكون أحادي البلورات نظيف وحمّلها في جهاز PECVD، مجهز بمصادر السيلاني والأمونيا. تعيين ضغط الغرفة إلى 3.5 تورس وأودع 150 نانومتر من نيتريد السيليكون في 3.9 نانومتر في الثانية الواحدة، مع 300 واط من قوة الترددات اللاسلكية. بعد ذلك، قم بتحميل الرقاقة في جهاز MBE، مجهزًا بالجاليوم والفوسفور وخلايا انصباب السيليكون.Outgas رقاقة في الغرفة التمهيدية في 180 درجة مئوية لمدة ثلاث ساعات. ثم، نقل رقاقة إلى الغرفة العازلة، و outgas عليه في 240 درجة مئوية لمدة ساعتين. تحميل رقاقة في غرفة النمو، وخبز في 850 درجة مئوية لمدة 10 دقائق.بعد ذلك، تبريد رقاقة إلى 580 درجة مئوية، وإعداد خلايا الانصباب لتوليد التدفقات المناسبة. فتح الغاليوم والفوسفور، ويرتعد السيليكون، وتنمو 25 نانومتر من فوسفيد الغاليوم مع طريقة نمو توقف، تليها 121 ثانية من النمو دون انقطاع. بعد ذلك، تبريد العينة إلى 200 درجة مئوية وتفريغها من الصك.بعد ذلك، قم بتغطية سطح فوسفيد الغاليوم بشريط اغطيه مقاوم للأحماض. نقع رقاقة في حوالي 300 ملليلتر من حمض الهيدروفلوريك 49٪ لمدة خمس دقائق لإزالة طبقة نيتريد السيليكون. إزالة الشريط، وشطف رقاقة مع الماء الأيون لمدة 10 دقائق، وتجفيفه تحت تيار من غاز النيتروجين.ثم، تغطية سطح فوسفيد الغاليوم مع الشريط dicing الطازجة. في الكواب البلاستيكية، إعداد 500 ملليلتر من خليط من حمض الهيدروفلوريك، وحمض النيتريك، وحمض الخليك. ضع الرقاقة بعناية في محلول HNA واتركها تنقع في درجة حرارة الغرفة لمدة ثلاث دقائق.إزالة الشريط، وشطف رقاقة مع الماء الأيون، وتجفيفه مع النيتروجين. استخدام قلم الماس لشريحة رقاقة أعدت إلى أربعة أرباع. ضع القطع في سلة، نظفها تمامًا في خزان من الماء الأيوني، وجففها بغاز النيتروجين.ثم نقع القطع في محلول حفر أكسيد المخزن لمدة 30 ثانية، وشطف وتجفيفها بالماء غير المؤين وغاز النيتروجين. بعد ذلك، قم بإيداع 50 نانومتر من السيليكون غير المتبلور على عينة واحدة، وتحقق من عمر السيليكون. ثم، إيداع تسعة نانومتر من السيليكون غير متبلور جوهري، و 16 نانومتر من السيليكون غير متبلور من نوع ف، مع دابانت البورون، على جانب السيليكون العاري من عينة ثانية.في عينة ثالثة، استخدم التبخر الحراري لإيداع تسعة نانومترات من أكسيد الموليبدينوم على جانب السيليكون العاري عند 0.5 angstroms في الثانية الواحدة، في درجة حرارة الغرفة، من مصدر ثلاثي أكسيد الموليبدينوم. بعد ذلك، ضع السيليكون غير المتبلور والعينات المغلفة بأكسيد الموليبدينوم في أداة مائية RF، مع جانب فوسفيد الغاليوم الذي يواجه الأعلى. إيداع 75 نانومتر من أكسيد إنديوم 10، مع معدل تدفق الأكسجين من 2.2 SCCM.ثم، تفريغ العينات وتحويلها. ضع قناع ظل ميسا على كل عينة. قم بتحميلها مرة أخرى إلى الأداة، وأودع 75 نانومتر آخر من ITO.تفريغ العينات، وتبادل القناع لقناع الظل الإصبع، وأودع 200 نانومتر من الفضة على ميسا ITO في كيلوواط واحد وثمانية تور. تسليم العينات وإيداع آخر 200 نانومتر من الفضة على الجانب الفوسفات الغاليوم ITO، كما الاتصال الخلفي. وأخيرا، عينات الطنين في فرن في 220 درجة مئوية والضغط الجوي.أظهر المجهر للقوة الذرية أن طبقة فوسفيد الغاليوم كان لها متوسط جذر مربع خشونة حوالي 0.52 نانومتر، مما يشير إلى جودة بلورية عالية مع كثافة خلع خيوط منخفضة. Pendellosung هامش لوحظ من مزدوجة الكريستال أوميغا اثنين ثيتا هزاز منحنى في السيليكون وسوسفيد الغاليوم 004 كانت متسقة مع واجهات على نحو سلس. تُظهر الخريطة الفضائية المتبادلة لـ 224 بقعة من بقع الهفوة الزفيرة الغليومية المتماسكة وقمم السيليكون، مما يشير إلى أن فوسفيد الغاليوم مجهد بالكامل إلى الركيزة السيليكونية ذات الجودة البلورية الجيدة.تشكيل طبقة N زائد عن طريق نشر الفوسفور قبل إضافة طبقة فوسفيد الغاليوم حافظت على عمر الجزء الأكبر من السيليكون في ما يصل إلى مستويات ميلي ثانية. وكان عمر السيليكون فوسفيد الغاليوم حوالي 100 ميكروثانية. تم بناء الأجهزة باستخدام طبقة من السيليكون غير متبلور، أو طبقة من أكسيد الموليبدينوم.ظلت كفاءة الكم الداخلي لجهاز أكسيد الموليبدينوم عالية في أطوال موجية أقل مما كان عليه جهاز سيليكون غير متبلور ، ولكنه كان له انعكاس أعلى في الأطوال الموجية المنخفضة. وقد لوحظ أداء الخلايا الشمسية الواعد لكلا الجهازين. وكان السيليكون غير متبلور وأجهزة أكسيد الموليبدينوم كفاءات مماثلة، والجهد الدائرة المفتوحة، وعوامل التعبئة.وعموما، كان أداء طبقة أكسيد الموليبدينوم أفضل كتلامس انتقائي كلي مما كانت عليه طبقة السيليكون غير المتبلورة. أثناء محاولة هذا الإجراء، تذكر أن تبقي رقاقة الثانية نظيفة قدر الإمكان قبل التحميل في غرفة MBE، خاصة عند إيداع نيتريد السيليكون.

Research

JoVE Journal

Engineering

Research and Development of High-performance Explosives

البحوث والتنمية من المتفجرات عالية الأداء

Developmental testing of high explosives for military applications involves small-scale formulation, safety testing, and finally detonation performance ...

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

الطباعة تصنيع السائبة متغاير الخلايا الشمسية و<em&gt; في الموقع</em&gt; الصرف توصيف

Polymer-based materials hold promise as low-cost, flexible efficient photovoltaic devices. Most laboratory efforts to achieve high performance devices ...

Digital Printing of Titanium Dioxide for Dye Sensitized Solar Cells

الطباعة الرقمية من ثاني أكسيد التيتانيوم للخلايا الشمسية صبغ الحساس

Silicon solar cell manufacturing is an expensive and high energy consuming process. In contrast, dye sensitized solar cell production is less ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

التحقيق C<sub&gt; 84</sub&gt; -embedded سي الركيزة عن طريق المجهر التحقيقي وحيوية الجزيئية

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

A High Performance Impedance-based Platform for Evaporation Rate Detection

ومنصة مقرها معاوقة عالية الأداء للكشف التبخر تقييم

This paper describes the method of a novel impedance-based platform for the detection of the evaporation rate. The model compound hyaluronic acid was ...

Morphology Control for Fully Printable Organic&#8211;Inorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Morphology Control for Fully Printable OrganicÃƒÆ’Ã‚Â¢ÃƒÂ¢Ã¢â‚¬Å¡Ã‚Â¬ÃƒÂ¢Ã¢â€šÂ¬Ã…â€œInorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

مراقبة التشكل للناقلة متغاير قابلة للطباعة بالكامل الخلايا الشمسية العضوية، غير العضوية وبناء على تي-آلكوكسيد وشبه الموصلة بوليمر

The photoactive layer of a typical organic thin-film bulk-heterojunction (BHJ) solar cell commonly uses fullerene derivatives as the electron-accepting ...

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

أحادي التكافؤ الموجبة المنشطات من CH<sub&gt; 3</sub&gt; NH<sub&gt; 3</sub&gt; PBI<sub&gt; 3</sub&gt; لكفاءة الخلايا الشمسية Perovskite

Here, we demonstrate the incorporation of monovalent cation additives into CH3NH3PbI3 perovskite in order to adjust the optical, excitonic, and electrical ...

Electrospinning of Photocatalytic Electrodes for Dye-sensitized Solar Cells

إلكتروسبينينغ من أقطاب تحفيز ضوئي للخلايا الشمسية توعية صبغ

This work demonstrates a protocol to fabricate a fiber-based photoanode for dye-sensitized solar cells, consisting of a light-scattering layer made of ...

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for CuIn,GaSe2 Solar Cells

في الموقع رصد تدهور الأداء المتسارع للخلايا الشمسية والوحدات النمطية: دراسة حالة للخلايا الشمسية2 Se Cu (في, Ga)

The levelized cost of electricity (LCOE) of photovoltaic (PV) systems is determined by, among other factors, the PV module reliability. Better prediction ...

Detecting the Water-soluble Chloride Distribution of Cement Paste in a High-precision Way

الكشف عن توزيع الأسمنت لصق كلوريد للذوبان في الماء بطريقة عالية الدقة

To improve the accuracy of the chloride distribution along the depth of cement paste under cyclic wet-dry conditions, a new method is proposed to obtain a ...