Silicon Wafer Cleaning and Phosphorus Diffusion into the Silicon Substrate
3:08
SiNx Coating by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), GaP Growth by Molecular Beam Epitaxy (MBE), and Wet Etching of Back n+ and SiNx Layers
6:01
Hole-Selective Contact Formation on the Bare Si Side and External Contact Formation on the GaP Side
8:17
Results: Characterization of the GaP/Si Heterojunction Devices
10:11
Conclusion
Transcript
Denne metode kan fortælle, besvare centrale spørgsmål i lagdelt silicium integreret solcellefabrikation om, hvordan man opretholder en høj silicium bulk levetid under væksten. De største fordele ved denne proces er, at vi kan opnå en lang silicium
Sign in or start your free trial to access this content
Vi præsenterer her, en protokol for at udvikle højtydende hul/Si heterojunction solceller med høj Si mindretal-carrier levetiden.