Name: developing high performance gap/si heterojunction solar cells
Uploaded: 2018-11-16T15:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Forfatterne vil gerne takke L. Ding og M. Boccard for deres bidrag i behandling og afprøvning af solceller i denne undersøgelse. Forfatterne anerkender støtte fra det amerikanske Department of Energy kontrakt DE-EE0006335 og Engineering Research Center Program af National Science Foundation og Office of Energy Efficiency og vedvarende energi af Department of Energy under NSF samarbejdsaftale nr. EOEF-1041895. Som Dahal på Solar Power Lab blev støttet, en del af NSF kontrakt ECCS-1542160.

Forsigtig: Kontakt venligst alle relevante materiale sikkerhedsdatablade (MSDS) før håndtering af kemikalier. Brug venligst alle relevante sikkerhedspraksis, når du udfører en solcelle fabrikation herunder stinkskab og personlige værnemidler (sikkerhedsbriller, handsker, laboratoriekittel, fuld længde bukser, lukket tå sko).
1. Si Wafer rengøring
<ol><li>Ren Si vafler i Piranha løsning (H2O2h2SO4) på 110 ° C.<ol>
<li>For at producere Pir...

<ol>
	<li>Friedman, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Progress+and+challenges+for+next-generation+high-efficiency+multijunction+solar+cells.">Progress and challenges for next-generation high-efficiency multijunction solar cells.</a> Current Opinion in Solid State &amp; Materials Science. 14, 131-138 (2010).</li><li>Vadiee, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=AlGaSb-Based+Solar+Cells+Grown+on+GaAs:+Structural+investigation+and+device+performance.">AlGaSb-Based Solar Cells Grown on GaAs: Structural investigation and device performance.</a> IEEE Journal of Photovoltaics. , (2017).</li><li>Wagner, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+numerical+simulation+study+of+gallium-phosphide/silicon+heterojunction+passivated+emitter+and+rear+solar+cells.">A numerical simulation study of gallium-phosphide/silicon heterojunction passivated emitter and rear solar cells.</a> Journal of Applied Physics. 115, 044508 (2014).</li><li>Limpert, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Results+from+coupled+optical+and+electrical+sentaurus+TCAD+models+of+a+gallium+phosphide+on+silicon+electron+carrier+selective+contact+solar+cell.">Results from coupled optical and electrical sentaurus TCAD models of a gallium phosphide on silicon electron carrier selective contact solar cell.</a> 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC). , 836-840 (2014).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=On+the+source+of+silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+growth+of+III-V+materials.">On the source of silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial growth of III-V materials.</a> 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). , 2048-2051 (2016).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+III-V+material+growth.">Silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial III-V material growth.</a> Energy Procedia. 92, 617-623 (2016).</li><li>Zhang, C., Kim, Y., Faleev, N. N., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improvement+of+GaP+crystal+quality+and+silicon+bulk+lifetime+in+GaP/Si+heteroepitaxy.">Improvement of GaP crystal quality and silicon bulk lifetime in GaP/Si heteroepitaxy.</a> Journal of Crystal Growth. 475, 83-87 (2017).</li><li>Garc&#237;a-Tabar&#233;s, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+silicon+bulk+lifetime+during+III-V-on-Si+multijunction+solar+cell+epitaxial+growth.">Evolution of silicon bulk lifetime during III-V-on-Si multijunction solar cell epitaxial growth.</a> Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 24, 634-644 (2016).</li><li>Varache, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+bulk+c-Si+properties+during+the+processing+of+GaP/c-Si+heterojunction+cell.">Evolution of bulk c-Si properties during the processing of GaP/c-Si heterojunction cell.</a> Energy Procedia. 77, 493-499 (2015).</li><li>Ishizaka, A., Shiraki, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low+temperature+surface+cleaning+of+silicon+and+its+application+to+silicon+MBE.">Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE.</a> Journal of The Electrochemical Society. 133, 666 (1986).</li><li>Zhang, C., Vadiee, E., King, R. R., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Carrier-selective+contact+GaP/Si+solar+cells+grown+by+molecular+beam+epitaxy.">Carrier-selective contact GaP/Si solar cells grown by molecular beam epitaxy.</a> Journal of Materials Research. 33, 414-423 (2018).</li><li>Battaglia, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hole+Selective+MoOx+Contact+for+Silicon+Solar+Cells.">Hole Selective MoOx Contact for Silicon Solar Cells.</a> Nano Letters. 14, 967-971 (2014).</li></ol>

En nominel 25 nm-tyk hul lag var epitaxially vokset på en P-rige Si overflade via MBE. For at dyrke en bedre kvalitet af kløften lag på Si substrater, en relativt lav V/III er (P/Ga) forholdet at foretrække. En god crystal kvalitet af kløften lag er nødvendige for at opnå høj ledningsevne og lav befolkningstæthed rekombination Centre. Den AFM root-betyde-square (RMS) af kløften overfladen er ~0.52 nm viser en glat overflade med ingen gruber, vejledende af høj crystal kvalitet med lav threading dislokation befo...

Der har været en vedvarende indsats for integration af forskellige materialer med gitter uoverensstemmelser for at øge den samlede solcelle effektivitet1,2. III-V/Si integration har potentiale til yderligere øge den nuværende Si solcelle effektivitet og erstatte de dyre III-V substrater (f.eks GaAs og Ge) med en Si substrat for multijunction solcelle applikationer. Blandt alle III-V binære materiale-systemer er gallium indiumfosfid (GaP) en god kandidat til dette formål, da det har den mindste gitter-uoverensstemmelse (~ 0,4%) med Si og en høj indirekte bandgap. Disse funktioner kan aktivere høj kvalitet integration af hullet med Si substrat. Det teoretisk er blevet påvist at hullet/Si heterojunction solceller kunne øge effektiviteten af konventionelle passivated emitter bageste Si solceller3,4 af drager fordel af den unikke band-forskydning mellem hullet og Si (∆Ev ~1.05 eV og ∆Ec ~0.09 eV). Dette gør kløften en lovende elektron selektiv kontakt for silicium solceller. Men for at opnå høj ydeevne hul/Si heterojunction solceller, en høj Si bulk levetid og høj hul/Si interface kvalitet er påkrævet.
Under væksten af III-V materialer på en Si substrat af molekylære stråle epitaxy (MBE) og metalorganic dampe fase epitaxy (MOVPE), er væsentlig Si levetid nedbrydning blevet almindeligt observeret5,6,7, 8 , 9. det blev afsløret at levetid nedbrydning primært sker under termisk behandling af Si vafler i reaktorer, hvilke er krævede nemlig overflade oxid desorption og/eller overflade genopbygning før epitaxial vækst10. Denne nedbrydning blev tilskrevet den extrinsiske diffusion af forurenende stoffer stammer fra vækst reaktorer5,7. Flere metoder er blevet foreslået til at undertrykke denne Si levetid nedbrydning. I vores tidligere arbejde, har vi vist to metoder som Si levetid nedbrydning kan være betydeligt undertrykt. Den første metode blev demonstreret ved indførelsen af syndenx som en diffusion barriere7 og den anden ved at indføre P-diffusion layer som en gettering agent11 til Si substrat.
I dette arbejde, har vi vist højt ydende hul/Si solceller baseret på de ovennævnte tilgange til at afbøde silicium bulk levetid nedbrydning. De teknikker, der anvendes til at bevare Si levetid kan har brede anvendelsesmuligheder i multijunction solceller med aktive Si bunden celler og elektroniske enheder såsom høj-mobilitet CMOS. I denne detaljerede protokollen, er fabrikation detaljerne i hullet/Si heterojunction solar celler, herunder Si wafer rengøring, P-diffusion i ovnen, GaP vækst og hul/Si solceller forarbejdning, præsenteret.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Hydrogen peroxide, 30%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181019</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid, 96%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64103</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrochloric acid, 37%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64009</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Buffered Oxide Etch 10:1</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>62060</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrofluoric acid, 49%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181736</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetic acid</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10180830</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nitride acid, 69.5%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>200288</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

developing high performance gap/si heterojunction solar cells

For at forbedre effektiviteten af Si-baserede solceller ud over deres Shockley-Queisser grænse, er den optimale vej til at integrere dem med III-V-baserede solceller. I dette arbejde præsenterer vi højtydende hul/Si heterojunction solceller med høj Si mindretal-carrier levetid og høj crystal kvalitet epitaxial hul lag. Det er vist, at ved at anvende fosfor (P)-diffusion lag i Si substrat og en syndx lag, Si mindretal-carrier levetid kan være velholdt under GaP væksten i molekylær stråle epitaxy (MBE). Ved at kontrollere vækstbetingelserne, blev høj crystal kvalitet af kløften dyrket på P-rige Si overflade. Film kvalitet er karakteriseret ved atomic force mikroskopi og høj opløsning røntgen diffraktion. Derudover MoOx blev gennemført som en hul-selektiv kontakt, der førte til en betydelig stigning i at kortslutte strømtæthed. Opnåede høje enhed ydeevne af hullet/Si heterojunction solceller etablerer en vej for yderligere forbedring af udførelsen af Si-baserede solceller udstyr.

Atomic force mikroskopi (AFM) billeder og høj opløsning røntgen diffraktion (XRD) scanninger, herunder den vuggende kurve (004) refleksion og gensidige plads kort (RSM) i nærheden af (224) refleksion, blev indsamlet til hul/Si struktur (figur 1). AFM blev brugt til at karakterisere MBE-vokset kløften overflade morfologi og XRD blev brugt til at undersøge crystal kvalitet af kløften lag. Effektiv mindretal-carrier levetid hul/Si struktur og Si bulk blev...

Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells

Vi præsenterer her, en protokol for at udvikle højtydende hul/Si heterojunction solceller med høj Si mindretal-carrier levetiden.

Udvikle højtydende hul/Si Heterojunction solceller

To improve the efficiency of Si-based solar cells beyond their Shockley-Queisser limit, the optimal path is to integrate them with III-V-based solar ...

Denne metode kan fortælle, besvare centrale spørgsmål i lagdelt silicium integreret solcellefabrikation om, hvordan man opretholder en høj silicium bulk levetid under væksten. De største fordele ved denne proces er, at vi kan opnå en lang silicium bulk levetid, selv efter heterovalent vækst af galliumphosphide luftfartsselskab selektiv kontakt på silicium. Dette giver os adgang til bandet huller i andre III-V halvledere.Det er en form for multijunction solcelle med en silicium bundcelle. Til at begynde, forberede en piranha opløsning i en high-density polyethylen syre varmebad, varme det til 110 grader Celsius, og vente på temperaturen til at stabilisere. I et andet syrebad skal du forberede en fortyndet saltsyre og hydrogenperoxidopløsning til fjernelse af ionisk forurening, opvarme den til 74 grader Celsius og vente på, at temperaturen stabiliseres.Placer fire tommer diameter float zone ende type dobbelt side poleret silicium vafler i en ren polypropylen fire tommer wafer kassette. Læg waferene i blød i piranha opløsning i 10 minutter. Skyl derefter vaflerne i 10 minutter med deioniseret vand, og læg dem i en ren kassette.Læg waferene i blød i den ioniske rengøringsopløsning i 10 minutter, og skyl dem derefter med deioniseret vand i 10 minutter. Derefter lægges waferene i blød i en buffered oxidætningsopløsning på 10 til en ammoniumfluorid til flussyre i tre minutter ved stuetemperatur, og skyl dem med deioniseret vand i 10 minutter. Tør de rene vafler under en strøm af tør nitrogengas.Dernæst placere en ren wafer i en kvarts båd og indlæse den i en kvarts rør ovn, opvarmet til 800 grader Celsius med en atmosfære af strømmende nitrogen gas. Rampe ovnen til 820 grader Celsius i løbet af 20 minutter. Skift derefter bæregassen til nitrogen, der bobles gennem fosforoxychlorid ved 1.000 SCCM.Efter 15 minutter, stoppe strømmen af carrier gas og rampe ovnen ned til 800 grader Celsius. Fjern wafer fra ovnen og lad det køle af. Derefter lægges det i blød i frisk buffered oxidætningsopløsning i 10 minutter for at fjerne fosforsiliicatglas.Skyl waferen i deioniseret vand i 10 minutter og tør den med nitrogengas. Lige før silicium nitride deposition, suge wafer i en buffered oxid etch opløsning i et minut for at fjerne indfødte oxider. Skyl det i deioniseret vand i 10 minutter, og tør det med tør nitrogen gas.Placer wafer på en ren monokrystallinsk silicium luftfartsselskab og indlæse det i en PECVD instrument, udstyret med silan og ammoniak kilder. Sæt kammertrykket til 3,5 torrs og deponere 150 nanometer af silicium nitrid på 3,9 nanometer per sekund, med 300 watt RF effekt. Dernæst indlæses waferen i et MBE-instrument, der er udstyret med gallium, fosfor og silicium effusion celler.Outgas vaflen i det indledende kammer ved 180 grader Celsius i tre timer. Derefter overføre wafer til buffer kammer, og udgas det ved 240 grader Celsius i to timer. Læg waferen ind i vækstkammeret, og bag den ved 850 grader Celsius i 10 minutter.Derefter afkøles waferen til 580 grader Celsius, og forbered effusion cellerne til at generere de relevante fluxes. Åbn galium, fosfor, og silicium gyser, og vokse 25 nanometer af galliumphosphide med en afbrudt vækstmetode, efterfulgt af 121 sekunder af uafbrudt vækst. Derefter afkøles prøven til 200 grader Celsius, og den aflæses fra instrumentet.Dernæst dække galliumphosphide overfladen med en syre-resistent terning tape. Læg waferen i blød i ca. 300 milliliter 49% flussyre i fem minutter for at fjerne siliciumnitridlaget. Fjern tapen, skyl waferen med deioniseret vand i 10 minutter, og tør det under en strøm af nitrogengas.Derefter dække gallium fosfad overflade med frisk terning tape. I et plastnæbgglas tilberedes 500 milliliter af en blanding af flussyre, salpetersyre og eddikesyre. Placer forsigtigt waferen i HNA-opløsningen, og lad den ligge i blød ved stuetemperatur i tre minutter.Fjern tapen, skyl waferen med deioniseret vand, og tør det med nitrogen. Brug en diamantpen til at skære den forberedte wafer i fire kvarte. Læg stykkerne i en kurv, rengør dem grundigt i en tank af deioniseret vand, og tør dem med nitrogengas.Derefter lægges stykkerne i blød i en buffered oxidætningsopløsning i 30 sekunder, og skyl og tør dem med deioniseret vand og nitrogengas. Dernæst deponere 50 nanometer af amorf silicium på en prøve, og kontrollere silicium levetid. Derefter deponere ni nanometer af en iboende amorf silicium, og 16 nanometer af en p-type amorf silicium, med en bor dopant, på den nøgne silicium side af en anden prøve.På en tredje prøve, bruge termisk fordampning til at deponere ni nanometer af molybdænoxid på den nøgne silicium side på 0,5 angstroms per sekund, ved stuetemperatur, fra en molybdæn trioxid kilde. Dernæst placere amorf silicium og molybdænoxid-belagte prøver i en RF sputtering instrument, med galliumphosphide side vender opad. Aflejring 75 nanometer af indium 10 oxid, med en ilt strømningshastighed på 2,2 SCCM.Derefter skal du fjerne prøverne og vende dem. Placer en mesa skygge maske på hver prøve. Læg dem tilbage i instrumentet, og indbelejr yderligere 75 nanometer af ITO.Losse prøverne, udveksle masken til en finger skygge maske, og deponere 200 nanometer af sølv på ITO mesa på en kilowatt og otte torr. Vend prøverne og deponere yderligere 200 nanometer af sølv på ITO galliumphosphide side, som tilbage kontakt. Endelig, anneal prøverne i en ovn ved 220 grader Celsius og atmosfærisk tryk.Atomic force mikroskopi viste, at galliumphosphide lag havde en rod gennemsnitlig kvadratisk ruhed på omkring 0,52 nanometer, hvilket indikerer høj krystal kvalitet med en lav gevindledning dislokation tæthed. Pendellosung frynser observeret fra dobbelt krystal omega to theta vuggende kurve på silicium og galliumphosphide 004 refleksioner var i overensstemmelse med glatte grænseflader. Det gensidige rumkort over 224 affræsningspletter viser sammenhængende galliumphosphid og siliciumtoppe, hvilket indikerer, at galliumphosphide er fuldt anstrengt til siliciumsubstratet med god krystallinsk kvalitet.Danner en N plus lag ved fosfor diffusion før tilsætning af galliumphosphide lag opretholdt silicium bulk levetid på op til millisekund niveauer. Den gallium fosphid silicium levetid var omkring 100 mikrosekunder. Enheder blev konstrueret ved hjælp af enten et lag af amorf silicium, eller et lag af molybdænoxid.Den interne kvanteeffektivitet af molybdænoxid enheden forblev høj ved lavere bølgelængder end en amorf silicium enhed gjorde, men det havde også en højere reflektans ved lavere bølgelængder. Lovende solcelle ydeevne blev observeret for begge enheder. De amorfe silicium og molybdænoxid enheder havde sammenlignelige effektivitet, åbne kredsløb spændinger, og fylde faktorer.Samlet set klarede molybdænoxidlaget sig bedre som en hel selektiv kontakt end det amorfe siliciumlag gjorde. Mens du forsøger denne procedure, skal du huske at holde den anden wafer så ren som muligt, før du lægger i MBE kammer, især når deponering silicium nitride.

Research

JoVE Journal

Engineering

Research and Development of High-performance Explosives

Forskning og udvikling af højtydende Sprængstoffer

Developmental testing of high explosives for military applications involves small-scale formulation, safety testing, and finally detonation performance ...

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Udskrivning Fabrikation af Bulk heterojunction solceller og<em&gt; In Situ</em&gt; Morfologi Karakterisering

Polymer-based materials hold promise as low-cost, flexible efficient photovoltaic devices. Most laboratory efforts to achieve high performance devices ...

Digital Printing of Titanium Dioxide for Dye Sensitized Solar Cells

Digital udskrivning af titandioxid for Dye sensibiliserede solceller

Silicon solar cell manufacturing is an expensive and high energy consuming process. In contrast, dye sensitized solar cell production is less ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

sondering C<sub&gt; 84</sub&gt; -embedded Si Underlag Brug Scanning Probe Microscopy og Molecular Dynamics

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

A High Performance Impedance-based Platform for Evaporation Rate Detection

En High Performance Impedans-baserede Platform for Fordampningshastighed Detection

This paper describes the method of a novel impedance-based platform for the detection of the evaporation rate. The model compound hyaluronic acid was ...

Morphology Control for Fully Printable Organic&#8211;Inorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Morphology Control for Fully Printable OrganicÃƒÆ’Ã‚Â¢ÃƒÂ¢Ã¢â‚¬Å¡Ã‚Â¬ÃƒÂ¢Ã¢â€šÂ¬Ã…â€œInorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Morfologi Control til Fuldt Printable Økologisk-Uorganisk Bulk-heterojunction solceller baseret på en Ti-alkoxid og halvledende Polymer

The photoactive layer of a typical organic thin-film bulk-heterojunction (BHJ) solar cell commonly uses fullerene derivatives as the electron-accepting ...

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Monovalent kation doping af CH<sub&gt; 3</sub&gt; NH<sub&gt; 3</sub&gt; PBI<sub&gt; 3</sub&gt; Til Effektive Perovskite solceller

Here, we demonstrate the incorporation of monovalent cation additives into CH3NH3PbI3 perovskite in order to adjust the optical, excitonic, and electrical ...

Electrospinning of Photocatalytic Electrodes for Dye-sensitized Solar Cells

Elektrospinning af fotokatalytiske elektroder til farvesensibiliserede solceller

This work demonstrates a protocol to fabricate a fiber-based photoanode for dye-sensitized solar cells, consisting of a light-scattering layer made of ...

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for CuIn,GaSe2 Solar Cells

In Situ Overvågning af accelereret ydeevne nedbrydning af solceller og moduler: en Case Study for Cu (i, Ga) Se2 solceller

The levelized cost of electricity (LCOE) of photovoltaic (PV) systems is determined by, among other factors, the PV module reliability. Better prediction ...

Detecting the Water-soluble Chloride Distribution of Cement Paste in a High-precision Way

Påvisning af vandopløselige klorid Distribution af Cement pasta i en høj præcision måde

To improve the accuracy of the chloride distribution along the depth of cement paste under cyclic wet-dry conditions, a new method is proposed to obtain a ...