Name: developing high performance gap/si heterojunction solar cells
Uploaded: 2018-11-16T15:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

De auteurs bedank L. Ding en M. Boccard voor hun bijdragen in de verwerking en het testen van de zonnecellen in deze studie. De auteurs erkennen financiering uit het Amerikaanse Department of Energy onder contract DE-EE0006335 en de Engineering Research Center Program van de National Science Foundation en het kantoor van energie-efficiëntie en hernieuwbare energie van het Department of Energy onder NSF samenwerkingsovereenkomst nr. EEG-1041895. Som Dahal bij Solar Power Lab werd gesteund, gedeeltelijk door NSF contract ECCS-1542160.

Let op: Raadpleeg alle relevante veiligheidsinformatiebladen (VIB) voor het omgaan met chemische stoffen. Gebruik alle passende veiligheidspraktijken bij het uitvoeren van een zonnecel fabricage met inbegrip van de zuurkast en persoonlijke beschermingsmiddelen (veiligheidsbril, handschoenen, laboratoriumjas, full-length broek, gesloten-teen schoenen).
1. Si Wafer schoonmaken
<ol><li>Schoon Si wafeltjes in Piranha-oplossing (H2O2/H2SO4) bij 110 ° C...

<ol>
	<li>Friedman, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Progress+and+challenges+for+next-generation+high-efficiency+multijunction+solar+cells.">Progress and challenges for next-generation high-efficiency multijunction solar cells.</a> Current Opinion in Solid State &amp; Materials Science. 14, 131-138 (2010).</li><li>Vadiee, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=AlGaSb-Based+Solar+Cells+Grown+on+GaAs:+Structural+investigation+and+device+performance.">AlGaSb-Based Solar Cells Grown on GaAs: Structural investigation and device performance.</a> IEEE Journal of Photovoltaics. , (2017).</li><li>Wagner, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+numerical+simulation+study+of+gallium-phosphide/silicon+heterojunction+passivated+emitter+and+rear+solar+cells.">A numerical simulation study of gallium-phosphide/silicon heterojunction passivated emitter and rear solar cells.</a> Journal of Applied Physics. 115, 044508 (2014).</li><li>Limpert, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Results+from+coupled+optical+and+electrical+sentaurus+TCAD+models+of+a+gallium+phosphide+on+silicon+electron+carrier+selective+contact+solar+cell.">Results from coupled optical and electrical sentaurus TCAD models of a gallium phosphide on silicon electron carrier selective contact solar cell.</a> 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC). , 836-840 (2014).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=On+the+source+of+silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+growth+of+III-V+materials.">On the source of silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial growth of III-V materials.</a> 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). , 2048-2051 (2016).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+III-V+material+growth.">Silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial III-V material growth.</a> Energy Procedia. 92, 617-623 (2016).</li><li>Zhang, C., Kim, Y., Faleev, N. N., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improvement+of+GaP+crystal+quality+and+silicon+bulk+lifetime+in+GaP/Si+heteroepitaxy.">Improvement of GaP crystal quality and silicon bulk lifetime in GaP/Si heteroepitaxy.</a> Journal of Crystal Growth. 475, 83-87 (2017).</li><li>Garc&#237;a-Tabar&#233;s, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+silicon+bulk+lifetime+during+III-V-on-Si+multijunction+solar+cell+epitaxial+growth.">Evolution of silicon bulk lifetime during III-V-on-Si multijunction solar cell epitaxial growth.</a> Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 24, 634-644 (2016).</li><li>Varache, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+bulk+c-Si+properties+during+the+processing+of+GaP/c-Si+heterojunction+cell.">Evolution of bulk c-Si properties during the processing of GaP/c-Si heterojunction cell.</a> Energy Procedia. 77, 493-499 (2015).</li><li>Ishizaka, A., Shiraki, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low+temperature+surface+cleaning+of+silicon+and+its+application+to+silicon+MBE.">Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE.</a> Journal of The Electrochemical Society. 133, 666 (1986).</li><li>Zhang, C., Vadiee, E., King, R. R., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Carrier-selective+contact+GaP/Si+solar+cells+grown+by+molecular+beam+epitaxy.">Carrier-selective contact GaP/Si solar cells grown by molecular beam epitaxy.</a> Journal of Materials Research. 33, 414-423 (2018).</li><li>Battaglia, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hole+Selective+MoOx+Contact+for+Silicon+Solar+Cells.">Hole Selective MoOx Contact for Silicon Solar Cells.</a> Nano Letters. 14, 967-971 (2014).</li></ol>

Een nominale 25 nm-dikke GaP laag werd epitaxially gekweekt op een P-rijke Si oppervlak via MBE. Om te groeien van een betere kwaliteit van GaP laag op Si substraten, een relatief lage V/III is (P/Ga) verhouding beter. Een goede kristallen kwaliteit van GaP laag is nodig om hoge geleidbaarheid en de lage dichtheid van recombinatie centra. De AFM--kwadratische gemiddelde (RMS) van het oppervlak van de kloof is ~0.52 nm met een glad oppervlak met geen kuilen, indicatieve van kristal van hoge kwaliteit met een lage threadin...

Is er een voortdurende inspanning op de integratie van verschillende materialen met rooster incongruenties teneinde de algehele zonnecel efficiëntie-1,2. De integratie van III-V/Si heeft de potentie om verder de huidige Si zonnecel efficiëntie verhogen en de dure III-V substraten (zoals GaAs en Ge) vervangen door een Si-substraat voor multijunction zonnecel toepassingen. Tussen alle III-V binaire materiële systemen is gallium calciumfosfide (GaP) een goede kandidaat voor dit doel, zoals het de kleinste rooster-wanverhouding (~ 0,4%) met Si en een hoge indirecte bandgap heeft. Deze functies kunnen kwalitatief hoogwaardige integratie van kloof met Si substraat. Het is theoretisch aangetoond dat GaP/Si heterojunctie zonnecellen zou kunnen van de efficiëntie van conventionele speciaal emitter rear Si zonnecellen3,4 verbeteren door te profiteren van de unieke band-offset tussen GaP en Si (∆Ev ~1.05 eV en ∆Ec ~0.09 eV). Dit maakt de kloof een veelbelovende elektron selectieve contactpersoon voor silicium zonnecellen. Echter, met het oog op een high-performance GaP/Si heterojunctie zonnecellen, een hoge Si bulk levensduur en hoge kwaliteit van GaP/Si interface zijn vereist.
Tijdens de groei van III-V materialen op een substraat Si door moleculaire straal epitaxie (MBE) en metalorganic damp fase epitaxie (MOVPE), aanzienlijke achteruitgang van de levensduur van de Si algemeen geconstateerd5,6,7, 8 , 9. het bleek dat de aantasting van het leven voornamelijk tijdens de thermische behandeling van de Si-wafeltjes in de reactoren gebeurt, die nodig is voor oppervlakte oxide desorptie en/of oppervlak wederopbouw vóór de epitaxiale groei10. Deze afbraak werd toegeschreven aan de extrinsieke verspreiding van verontreinigingen afkomstig is van de groei reactoren5,7. Verschillende benaderingen hebben voorgesteld om te onderdrukken de aantasting van het leven van deze Si. In onze eerdere werk, hebben wij twee methoden waarin de aantasting van de Si-levensduur aanzienlijk kan worden onderdrukt aangetoond. De eerste methode werd aangetoond door de invoering van SiNx als een diffusie barrière7 en de tweede door de invoering van de P-diffusie-laag als een gettering agent11 aan de ondergrond van de Si.
In dit werk, hebben wij krachtige GaP/Si zonnecellen gebaseerd op de bovengenoemde benaderingen ter vermindering van de aantasting van de levensduur van het bulk van silicium aangetoond. De technieken voor het behoud van de levensduur van de Si hebben brede toepassingen in multijunction zonnecellen met actieve Si onder cellen en elektronische apparaten zoals hoge-mobiliteit CMOS. In dit gedetailleerde protocol, zijn de bijzonderheden van de fabricage van GaP/Si heterojunctie zonne-cellen, met inbegrip van Si wafer schoonmaken, P-diffusie in de oven, GaP groei en GaP/Si zonnecellen verwerking, opgenomen.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Hydrogen peroxide, 30%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181019</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid, 96%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64103</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrochloric acid, 37%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64009</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Buffered Oxide Etch 10:1</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>62060</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrofluoric acid, 49%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181736</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetic acid</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10180830</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nitride acid, 69.5%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>200288</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

developing high performance gap/si heterojunction solar cells

Ter verbetering van de efficiëntie van zonnecellen Si gebaseerde voorbij de limiet van hun Shockley-Queisser, is het optimale pad om ze te integreren met zonnecellen op basis van III-V. Hierbij presenteren wij hoge prestaties GaP/Si heterojunctie zonnecellen met een hoge Si minderheid-carrier levensduur en kristal van hoge kwaliteit van de epitaxiale kloof lagen. Het is aangetoond dat door het toepassen van fosfor (P)-diffusie lagen in het Si-substraat en een zondex laag, de levensduur van de minderheid-carrier Si tijdens de groei van de kloof in de moleculaire straal epitaxie (MBE) goed onderhouden kan worden. Door het beheersen van de groei-omstandigheden, werd de hoge crystal kwaliteit van GaP gekweekt op het oppervlak van de P-rijke Si. De kwaliteit van de film wordt gekenmerkt door atomaire kracht microscopie en hoge resolutie Röntgendiffractie. Daarnaast MoOx is geïmplementeerd als een gat-selectieve contactpersoon die hebben geleid tot een aanzienlijke toename van de stroomdichtheid kortsluiting. De bereikte hoge Apparaatprestaties van de zonnecellen van GaP/Si heterojunctie stelt een pad voor verdere verbetering van de prestaties van Si-fotovoltaïsche apparaten.

Atomaire kracht microscopie (AFM) beelden en hoge resolutie röntgendiffractie (XRD) scans, met inbegrip van de rockende curve in de nabijheid van de (004) reflectie en de reciproque ruimte kaart (RSM) in de nabijheid van (224) reflectie, werden verzameld voor de GaP/Si structuur (Figuur 1). De AFM werd gebruikt voor het karakteriseren van de bovengrondse morfologie van de kloof MBE-gegroeid en XRD werd gebruikt om de kwaliteit van de kristallen van GaP laag ...

Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells

Hier presenteren we een protocol voor de ontwikkeling van high-performance GaP/Si heterojunctie zonnecellen met een hoge Si minderheid-carrier levensduur.

Ontwikkeling van High Performance GaP/Si heterojunctie zonnecellen

To improve the efficiency of Si-based solar cells beyond their Shockley-Queisser limit, the optimal path is to integrate them with III-V-based solar ...

Deze methode kan vertellen, antwoord op de belangrijkste vragen in gelaagd silicium geïntegreerde zonnecel fabricage over hoe een hoge silicium bulk levensduur te behouden tijdens de groei. De belangrijkste voordelen van dit proces zijn dat we een lange silicium bulk levensduur kunnen bereiken, zelfs na heterovalente groei van de galliumfosfide drager selectief contact op silicium. Dit stelt ons in staat om toegang te krijgen tot de band hiaten van andere III-V halfgeleiders.Het is een vorm van multijunctie zonnecel met een siliconen bodemcel. Om te beginnen, bereiden een piranha oplossing in een high-density polyethyleen zuur verwarming bad, verwarming tot 110 graden Celsius, en wacht tot de temperatuur te stabiliseren. In een ander zuurbad, bereiden een verdund zoutzuur en waterstofperoxide oplossing voor het verwijderen van ionische verontreiniging, verwarming tot 74 graden Celsius en wachten op de temperatuur te stabiliseren.Plaats vier inch diameter float zone einde type dubbele kant gepolijst silicium wafers in een schone polypropyleen vier inch wafer cassette. Week de wafers 10 minuten in piranha-oplossing. Spoel vervolgens de wafels 10 minuten met gedeïoniseerd water en doe ze in een schone cassette.Week de wafels in de ionische reinigingsoplossing gedurende 10 minuten, en spoel ze vervolgens 10 minuten met gedeïoniseerd water. Vervolgens, weken de wafers in een gebufferde oxide etsoplossing van 10 tot een ammoniumfluoride fluoride fluorzuur gedurende drie minuten op kamertemperatuur, en spoel ze met gedeïoniseerd water gedurende 10 minuten. Droog de schone wafers onder een stroom droog stikstofgas.Plaats vervolgens een schone wafer in een quartzboot en laad deze in een quartzbuisoven, verwarmd tot 800 graden Celsius met een atmosfeer van stromend stikstofgas. Helling de oven tot 820 graden Celsius in de loop van 20 minuten. Schakel vervolgens het draaggas in op stikstof die door fosforoxychloride borrelt bij 1.000 SCCM.Na 15 minuten, stop de stroom van carrier gas en helling de oven tot 800 graden Celsius. Haal de wafer uit de oven en laat afkoelen. Vervolgens, weken in verse gebufferde oxide etsoplossing gedurende 10 minuten om fosfor silicaat glas te verwijderen.Spoel de wafer 10 minuten in gedeïioniseerd water en droog deze met stikstofgas. Net voor de siliciumnitride depositie, weken de wafer in een gebufferde oxide etsoplossing voor een minuut om inheemse oxiden te verwijderen. Spoel het in gedeïsized water gedurende 10 minuten, en droog het met droog stikstofgas.Plaats de wafer op een schone monokristallijne siliciumdrager en laad deze in een PECVD-instrument, uitgerust met silane- en ammoniakbronnen. Stel de kamerdruk in op 3,5 torrs en deponeren 150 nanometer siliciumnitride op 3,9 nanometer per seconde, met 300 watt RF-vermogen. Laad vervolgens de wafer in een MBE-instrument, uitgerust met gallium-, fosfor- en silicium effusiecellen.Outgas de wafer in de inleidende kamer op 180 graden Celsius voor drie uur. Breng de wafer vervolgens over naar de bufferkamer en buitengas op 240 graden Celsius gedurende twee uur. Laad de wafer in de groeikamer en bak deze 10 minuten op 850 graden Celsius.Daarna koelt u de wafer af tot 580 graden Celsius en bereidt u de effusiecellen voor om de juiste fluxen te genereren. Open het gallium, fosfor en silicium huivert en kweek 25 nanometer galliumfosfide met een onderbroken groeimethode, gevolgd door 121 seconden ononderbroken groei. Daarna koelt u het monster af tot 200 graden Celsius en ontlaad het uit het instrument.Bedek vervolgens het galliumfosfideoppervlak met een zuurbestendige dicing tape. Week de wafer in ongeveer 300 milliliter van 49% fluorzuur gedurende vijf minuten om de siliciumnitride laag te verwijderen. Verwijder de tape, spoel de wafer met gedeïioniseerd water gedurende 10 minuten, en droog het onder een stroom van stikstofgas.Bedek vervolgens het galliumfosfideoppervlak met verse dicing tape. In een plastic bekerglas, bereid 500 milliliter van een mengsel van fluorzuur, salpeterzuur, en azijnzuur. Plaats de wafer voorzichtig in de HNA-oplossing en laat hem drie minuten op kamertemperatuur weken.Verwijder de tape, spoel de wafer met gedeïioneerd water, en droog het met stikstof. Gebruik een diamantpen om de voorbereide wafer in vier kwarten te snijden. Leg de stukken in een mand, grondig reinigen in een tank van gedeïoniseerd water, en droog ze met stikstofgas.Dan, weken de stukken in een gebufferde oxide etsoplossing voor 30 seconden, en spoel en droog ze met gedeïïsteerd water en stikstofgas. Vervolgens, deponeren 50 nanometer van amorf silicium op een monster, en controleer de levensduur van het silicium. Dan, deponeren negen nanometer van een intrinsiek amorfe silicium, en 16 nanometer van een p-type amorfe silicium, met een boor dopant, op de kale silicium kant van een tweede monster.Gebruik bij een derde monster thermische verdamping om negen nanometer molybdeenoxide op de kale siliciumzijde te deponeren bij 0,5 angstroms per seconde, bij kamertemperatuur, uit een molybdeentrioxidebron. Plaats vervolgens de amorfe silicium en molybdeen oxide gecoate monsters in een RF sputterend instrument, met de galliumfosfide kant naar boven gericht. Deponeren 75 nanometer indium 10 oxide, met een zuurstofstroom van 2,2 SCCM.Dan, laad de monsters en draai ze om. Plaats een mesa schaduwmasker op elk monster. Laad ze terug in het instrument, en deponeren nog eens 75 nanometer van ITO.Ontlaad de monsters, ruil het masker voor een vingerschaduwmasker en deponeer 200 nanometer zilver op de ITO mesa bij één kilowatt en acht torr. Draai de monsters om en deponeer nog eens 200 nanometer zilver op de ITO galliumfosfidezijde, als het rugcontact. Ten slotte, anneal de monsters in een oven op 220 graden Celsius en atmosferische druk.Atoomkracht microscopie toonde aan dat de galliumfosfidelaag een wortel gemiddelde vierkante ruwheid van ongeveer 0,52 nanometer had, wat wijst op een hoge kristalkwaliteit met een lage threading dislocatiedichtheid. Pendellosung franjes waargenomen van de dubbele kristal omega twee theta schommelen curve op het silicium en gallium phosphide 004 reflecties waren in overeenstemming met gladde interfaces. De wederzijdse ruimtekaart van 224 brekingsvlekken toont coherente galliumfosfide- en siliciumpieken, wat aangeeft dat galliumfosfide volledig is gespannen aan het siliciumsubstraat met een goede kristallijne kwaliteit.Het vormen van een N plus laag door fosfor diffusie voor het toevoegen van de gallium fosfide laag hield de silicium bulk levensduur op maximaal milliseconde niveaus. De galliumfosfide silicium levensduur was ongeveer 100 microseconden. Apparaten werden gebouwd met behulp van een laag van amorf silicium, of een laag molybdeenoxide.De interne kwantumefficiëntie van het molybdeenoxide-apparaat bleef hoog bij lagere golflengten dan een amorf siliciumapparaat, maar het had ook een hogere reflectantie bij lagere golflengten. Veelbelovende zonnecel prestaties werd waargenomen voor beide apparaten. De amorfe silicium en molybdeenoxide apparaten hadden vergelijkbare efficiëntie, open circuit spanningen, en vulfactoren.Over het algemeen presteerde de molybdeenoxidelaag als geheel beter selectief contact dan de amorfe siliciumlaag. Tijdens een poging tot deze procedure, vergeet niet om de tweede wafer zo schoon mogelijk te houden voordat u in de MBE-kamer laadt, vooral bij het deponeren van siliciumnitride.

Research

JoVE Journal

Engineering

Research and Development of High-performance Explosives

Onderzoek en ontwikkeling van high-performance Explosieven

Developmental testing of high explosives for military applications involves small-scale formulation, safety testing, and finally detonation performance ...

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Printing Fabrication van Bulk Heterojunction Solar Cells en<em&gt; In Situ</em&gt; Morfologie karakterisering

Polymer-based materials hold promise as low-cost, flexible efficient photovoltaic devices. Most laboratory efforts to achieve high performance devices ...

Digital Printing of Titanium Dioxide for Dye Sensitized Solar Cells

Digital Printing titaandioxide voor kleurstof zonnecellen

Silicon solar cell manufacturing is an expensive and high energy consuming process. In contrast, dye sensitized solar cell production is less ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

probing C<sub&gt; 84</sub&gt; Ingebedde Si-substraat met behulp van Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

A High Performance Impedance-based Platform for Evaporation Rate Detection

Een High Performance impedantie-gebaseerd platform voor het Verdampingssnelheid Detection

This paper describes the method of a novel impedance-based platform for the detection of the evaporation rate. The model compound hyaluronic acid was ...

Morphology Control for Fully Printable Organic&#8211;Inorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Morphology Control for Fully Printable OrganicÃƒÆ’Ã‚Â¢ÃƒÂ¢Ã¢â‚¬Å¡Ã‚Â¬ÃƒÂ¢Ã¢â€šÂ¬Ã…â€œInorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Morfologie Control for Volledig Printable organisch-anorganische bulk-heterojunctie zonnecellen op basis van een Ti-alkoxide en halfgeleidende polymeer

The photoactive layer of a typical organic thin-film bulk-heterojunction (BHJ) solar cell commonly uses fullerene derivatives as the electron-accepting ...

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Eenwaardig kation Doping van CH<sub&gt; 3</sub&gt; NH<sub&gt; 3</sub&gt; PBI<sub&gt; 3</sub&gt; Voor Efficiënte Perovskite Solar Cells

Here, we demonstrate the incorporation of monovalent cation additives into CH3NH3PbI3 perovskite in order to adjust the optical, excitonic, and electrical ...

Electrospinning of Photocatalytic Electrodes for Dye-sensitized Solar Cells

Elektrospinning van fotokatalytische elektroden voor kleurstofgevoeligte zonnecellen

This work demonstrates a protocol to fabricate a fiber-based photoanode for dye-sensitized solar cells, consisting of a light-scattering layer made of ...

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for CuIn,GaSe2 Solar Cells

In Situ Toezicht op de afbraak van de versnelde prestaties van zonnecellen en Modules: een Case-Study voor Cu (In, Ga) Se2 zonnecellen

The levelized cost of electricity (LCOE) of photovoltaic (PV) systems is determined by, among other factors, the PV module reliability. Better prediction ...

Detecting the Water-soluble Chloride Distribution of Cement Paste in a High-precision Way

Opsporen van de in water oplosbare chloriden verdeling van Cement plakken in een High-precision manier

To improve the accuracy of the chloride distribution along the depth of cement paste under cyclic wet-dry conditions, a new method is proposed to obtain a ...