Silicon Wafer Cleaning and Phosphorus Diffusion into the Silicon Substrate
3:08
SiNx Coating by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), GaP Growth by Molecular Beam Epitaxy (MBE), and Wet Etching of Back n+ and SiNx Layers
6:01
Hole-Selective Contact Formation on the Bare Si Side and External Contact Formation on the GaP Side
8:17
Results: Characterization of the GaP/Si Heterojunction Devices
10:11
Conclusion
Transcript
Deze methode kan vertellen, antwoord op de belangrijkste vragen in gelaagd silicium geïntegreerde zonnecel fabricage over hoe een hoge silicium bulk levensduur te behouden tijdens de groei. De belangrijkste voordelen van dit proces zijn dat we een
Sign in or start your free trial to access this content
Hier presenteren we een protocol voor de ontwikkeling van high-performance GaP/Si heterojunctie zonnecellen met een hoge Si minderheid-carrier levensduur.