Name: developing high performance gap/si heterojunction solar cells
Uploaded: 2018-11-16T15:00:00
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Die Autoren möchten L. Ding und M. Boccard für ihren Beitrag bei der Bearbeitung und Prüfung von Solarzellen in dieser Studie zu danken. Die Autoren erkennen Finanzierung durch das U.S. Department of Energy unter Vertrag DE-EE0006335 und Engineering Research Center Program von der National Science Foundation und das Büro für Energieeffizienz und erneuerbare Energien des Department of Energy NSF Kooperationsvertrag No. EWG-1041895. Som Dahal bei Solar Power Labor wurde, teilweise durch NSF Vertrag ECCS-1542160 unterstützt.

Achtung: Bitte konsultieren Sie alle relevanten Sicherheitsdatenblätter (SDB) vor dem Umgang mit Chemikalien. Nutzen Sie alle entsprechenden Sicherheitsmaßnahmen bei der Durchführung einer Solarzelle Herstellung einschließlich der Abzugshaube und persönliche Schutzausrüstung (Schutzbrille, Handschuhe, Kittel, in voller Länge Hose, geschlossene Schuhe).
(1) Si-Wafer Reinigung
<ol><li>Si-Wafer in Piranha-Lösung reinigen (H2O2/h2SO4) bei 110 ?...

<ol>
	<li>Friedman, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Progress+and+challenges+for+next-generation+high-efficiency+multijunction+solar+cells.">Progress and challenges for next-generation high-efficiency multijunction solar cells.</a> Current Opinion in Solid State &amp; Materials Science. 14, 131-138 (2010).</li><li>Vadiee, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=AlGaSb-Based+Solar+Cells+Grown+on+GaAs:+Structural+investigation+and+device+performance.">AlGaSb-Based Solar Cells Grown on GaAs: Structural investigation and device performance.</a> IEEE Journal of Photovoltaics. , (2017).</li><li>Wagner, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+numerical+simulation+study+of+gallium-phosphide/silicon+heterojunction+passivated+emitter+and+rear+solar+cells.">A numerical simulation study of gallium-phosphide/silicon heterojunction passivated emitter and rear solar cells.</a> Journal of Applied Physics. 115, 044508 (2014).</li><li>Limpert, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Results+from+coupled+optical+and+electrical+sentaurus+TCAD+models+of+a+gallium+phosphide+on+silicon+electron+carrier+selective+contact+solar+cell.">Results from coupled optical and electrical sentaurus TCAD models of a gallium phosphide on silicon electron carrier selective contact solar cell.</a> 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC). , 836-840 (2014).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=On+the+source+of+silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+growth+of+III-V+materials.">On the source of silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial growth of III-V materials.</a> 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). , 2048-2051 (2016).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+III-V+material+growth.">Silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial III-V material growth.</a> Energy Procedia. 92, 617-623 (2016).</li><li>Zhang, C., Kim, Y., Faleev, N. N., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improvement+of+GaP+crystal+quality+and+silicon+bulk+lifetime+in+GaP/Si+heteroepitaxy.">Improvement of GaP crystal quality and silicon bulk lifetime in GaP/Si heteroepitaxy.</a> Journal of Crystal Growth. 475, 83-87 (2017).</li><li>Garc&#237;a-Tabar&#233;s, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+silicon+bulk+lifetime+during+III-V-on-Si+multijunction+solar+cell+epitaxial+growth.">Evolution of silicon bulk lifetime during III-V-on-Si multijunction solar cell epitaxial growth.</a> Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 24, 634-644 (2016).</li><li>Varache, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+bulk+c-Si+properties+during+the+processing+of+GaP/c-Si+heterojunction+cell.">Evolution of bulk c-Si properties during the processing of GaP/c-Si heterojunction cell.</a> Energy Procedia. 77, 493-499 (2015).</li><li>Ishizaka, A., Shiraki, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low+temperature+surface+cleaning+of+silicon+and+its+application+to+silicon+MBE.">Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE.</a> Journal of The Electrochemical Society. 133, 666 (1986).</li><li>Zhang, C., Vadiee, E., King, R. R., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Carrier-selective+contact+GaP/Si+solar+cells+grown+by+molecular+beam+epitaxy.">Carrier-selective contact GaP/Si solar cells grown by molecular beam epitaxy.</a> Journal of Materials Research. 33, 414-423 (2018).</li><li>Battaglia, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hole+Selective+MoOx+Contact+for+Silicon+Solar+Cells.">Hole Selective MoOx Contact for Silicon Solar Cells.</a> Nano Letters. 14, 967-971 (2014).</li></ol>

Eine nominale 25 nm dicke Lücke Schicht wurde epitaktisch auf eine P-reiche Si-Oberfläche über MBE angebaut. Um eine bessere Qualität der Lücke Schicht auf einem relativ niedrigen V/III Si Substraten wachsen ist Verhältnis (P/Ga) vorzuziehen. Ein guter Kristallqualität Lücke Schicht ist notwendig, hohe Leitfähigkeit und niedriger Dichte von Rekombinationszentren zu erreichen. Die AFM Root-Mean-Square (RMS) der Lücke Oberfläche ist ~0.52 nm zeigt eine glatte Oberfläche mit keine Gruben, bezeichnend für hohe K...

Verbesserung der gesamten Solarzelle Wirkungsgrad1,2gab es Bemühungen zur Integration von unterschiedlichen Materialien mit Gitter Fehlanpassungen. Die Integration von III-V/Si hat das Potenzial, weiter die aktuelle Si Solarzelle Effizienz und ersetzen die teuren III-V-Substraten (z. B. GaAs und Ge) mit einem Si-Substrat für Mehrfachsolarzellen Solarzelle Anwendungen. Unter allen III-V binäre Materialsysteme ist Gallium-Phosphid (GaP) ein guter Kandidat für diesen Zweck, da es die kleinste Gitterfehlanpassung (~ 0,4 %) mit Si und eine hohe indirekte Bandlücke hat. Diese Funktionen können qualitativ hochwertige Integration der Lücke mit Si-Substrat. Es hat theoretisch gezeigt, dass GaP/Si Heterojunction Solarzellen die Effizienz der konventionellen passivierte Emitter hinteren Si Solarzellen3,4 steigern könnte, um in den Genuss des einzigartigen Band-Offset zwischen GaP und Si (∆Ev ~1.05 eV und ∆Ec ~0.09 eV). Dies macht Lücke einen vielversprechenden Elektron selektive Kontakt für Silizium-Solarzellen. Um Hochleistungs Lücke/Si Heterojunction Solarzellen zu erreichen, sind jedoch eine hohe Si Bulk Lebensdauer und hochwertige Lücke/Si-Schnittstelle erforderlich.
Während des Wachstums der III-V-Materialien auf einem Si-Substrat Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) und metallorganischen Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) hat bedeutende Verminderung der Si-Lebensdauer weit5,6,7, beobachtet 8 , 9. es zeigte sich, dass die Lebensdauer Abbau geschieht hauptsächlich während der thermischen Behandlung von Si-Wafern in den Reaktoren was für Oberfläche Oxid Desorption und/oder Oberfläche Wiederaufbau vor der epitaktische Wachstum10erforderlich ist. Dieser Abbau wurde die extrinsische Diffusion von Verunreinigungen stammten aus den Wachstum Reaktoren5,7zugeschrieben. Verschiedene Ansätze sind vorgeschlagen worden, um dieser Si-Lebensdauer-Abbau zu unterdrücken. In unserer bisherigen Arbeit haben wir zwei Methoden gezeigt, in denen der Si-Lebensdauer-Abbau deutlich unterdrückt werden kann. Die erste Methode zeigte sich durch die Einführung von SiNx als eine Diffusion Barrier7 und die zweite durch die Einführung der P-Diffusionsschicht als ein Gettern Agent11 an das Si-Substrat.
In dieser Arbeit haben wir bewiesen, Hochleistungs-Lücke/Si-Solarzellen auf der Grundlage der genannten Ansätze um Silizium Bulk Lebensdauer Abbau zu mildern. Die Techniken, die Si-Lebensdauer zu bewahren haben breite Anwendungen in Mehrfachsolarzellen Solarzellen mit aktiven Si unteren Zellen und elektronische Geräte wie hochmobile CMOS. In diesem ausführlichen Protokoll werden die Verarbeitungsdetails der Lücke/Si Heterojunction Solar Zellen, einschließlich Si Wafer Reinigung, P-Diffusion in den Ofen, Lücke Wachstum und Verarbeitung, Lücke/Si-Solarzellen vorgestellt.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Hydrogen peroxide, 30%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181019</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid, 96%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64103</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrochloric acid, 37%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64009</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Buffered Oxide Etch 10:1</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>62060</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrofluoric acid, 49%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181736</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetic acid</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10180830</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nitride acid, 69.5%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>200288</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

developing high performance gap/si heterojunction solar cells

Zur Verbesserung der Effizienz von Si-basierte Solarzellen über ihre Shockley-Queisser-Grenze hinaus ist der optimale Pfad mit III-V-basierte Solarzellen integrieren. In dieser Arbeit präsentieren wir Lücke/Si Heterojunction Hochleistungssolarzellen mit einem hohen Si Minderheit-Träger Lebensdauer und hoher Kristallqualität epitaktische Lücke Schichten. Es wird gezeigt, dass durch Anwendung von Phosphor (P)-Diffusionsschichten in das Si-Substrat und eine SündeX Schicht, die Si Minderheit-Träger Lebensdauer kann werden gepflegte während des Wachstums der Lücke in der Molekularstrahl-Epitaxie (MBE). Durch die Kontrolle der Wachstumsbedingungen, wuchs die hohe Kristallqualität Lücke auf der P-reiche Si-Oberfläche. Die Filmqualität ist geprägt von Rasterkraftmikroskopie und hochauflösende Röntgenbeugung. Darüber hinaus MoOx wurde eingeführt, als Loch-selektiven Kontakt, das führte zu einem deutlichen Anstieg der Kurzschluss Stromdichte. Die erreichte hohe Geräteleistung der Lücke/Si Heterojunction Solarzellen stellt einen Weg zur weiteren Verstärkung der Leistung des Si-basierten Photovoltaik-Geräte.

Atomic Force Microscopy (AFM) Bilder und hochauflösende Röntgendiffraktometrie (XRD) Scans, einschließlich der rockenden Kurve in der Nähe (004) Reflexion und der reziproken Raum Karte (RSM) in der Nähe (224) Reflexion, wurden für die Lücke/Si gesammelt. Struktur (Abbildung 1). Die AFM wurde zur Morphologie die Oberfläche der MBE-grown Lücke zu charakterisieren und XRD wurde verwendet, um die Kristallqualität Lücke Ebene zu untersuchen. Die effekti...

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Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells

Hier präsentieren wir ein Protokoll, um Hochleistungs-Lücke/Si Heterojunction Solarzellen mit einer hohen Si Minderheit-Träger Lebensdauer zu entwickeln.

Entwicklung von Hochleistungs-Lücke/Si Heterojunction Solarzellen

To improve the efficiency of Si-based solar cells beyond their Shockley-Queisser limit, the optimal path is to integrate them with III-V-based solar ...

Diese Methode kann sagen, beantworten Schlüsselfragen in geschichtet Silizium integrierte Solarzellen Herstellung, wie eine hohe Silizium-Massenlebensdauer während des Wachstums zu halten. Die Hauptvorteile dieses Verfahrens sind, dass wir eine lange Silizium-Massenlebensdauer erreichen können, auch nach heterovalentem Wachstum des selektiven Kontakts des Galliumphosphidträgers auf Silizium. Dies ermöglicht uns den Zugriff auf die Bandlücken anderer III-V-Halbleiter.Es ist eine Form der Multijunction-Solarzelle mit einer Silizium-Bodenzelle. Zu Beginn eine Piranha-Lösung in einem Hochdichte-Polyethylensäure-Heizbad vorbereiten, auf 110 Grad Celsius erhitzen und warten, bis sich die Temperatur stabilisiert. In einem anderen Säurebad eine verdünnte Salzsäure- und Wasserstoffperoxidlösung zur Beseitigung der Ionenkontamination vorbereiten, auf 74 Grad Celsius erhitzen und darauf warten, dass sich die Temperatur stabilisiert.Legen Sie vier Zoll Durchmesser FloatZone Ende Typ doppelseitig poliert Silizium-Wafer in eine saubere Polypropylen Vier-Zoll-Wafer-Kassette. Die Wafer 10 Minuten in Piranha-Lösung einweichen. Dann spülen Sie die Wafer 10 Minuten lang mit entionisiertem Wasser ab und legen Sie sie in eine saubere Kassette.Die Wafer in der ionischen Reinigungslösung 10 Minuten einweichen und dann 10 Minuten lang mit entionisiertem Wasser abspülen. Dann die Wafer in einer gepufferten Oxid-Ätzlösung von 10 bis 1 Ammoniumfluorid zu Flusssäure drei Minuten bei Raumtemperatur einweichen und 10 Minuten lang mit entionisiertem Wasser abspülen. Trocknen Sie die sauberen Wafer unter einem Strom von trockenem Stickstoffgas.Als nächstes legen Sie einen sauberen Wafer in ein Quarzboot und laden Sie ihn in einen Quarzrohrofen, der auf 800 Grad Celsius mit einer Atmosphäre aus fließendem Stickstoffgas erhitzt wird. Rampe den Ofen auf 820 Grad Celsius im Laufe von 20 Minuten. Dann schalten Sie das Trägergas auf Stickstoff, der durch Phosphoroxychlorid bei 1 000 SCCM geblasen wird.Nach 15 Minuten, stoppen Sie den Fluss des Trägergases und rampen den Ofen auf 800 Grad Celsius. Entfernen Sie den Wafer aus dem Ofen und lassen Sie ihn abkühlen. Dann in frisch gepufferte Oxid Ätzlösung für 10 Minuten einweichen, um Phosphorsilikatglas zu entfernen.Spülen Sie den Wafer 10 Minuten lang in entionisiertem Wasser und trocknen Sie ihn mit Stickstoffgas. Kurz vor der Siliziumnitridablagerung den Wafer in einer gepufferten Oxid-Ätzlösung für eine Minute einweichen, um native Oxide zu entfernen. Spülen Sie es in entionisiertem Wasser für 10 Minuten, und trocknen Sie es mit trockenem Stickstoffgas.Legen Sie den Wafer auf einen sauberen monokristallinen Siliziumträger und laden Sie ihn in ein PECVD-Instrument, das mit Silan- und Ammoniakquellen ausgestattet ist. Stellen Sie den Kammerdruck auf 3,5 Torr ein und legen Sie 150 Nanometer Siliziumnitrid auf 3,9 Nanometer pro Sekunde bei 300 Watt HF-Leistung ab. Als nächstes laden Sie den Wafer in ein MBE-Instrument, das mit Gallium-, Phosphor- und Silizium-Ergusszellen ausgestattet ist.Den Wafer in der Einleitenderkammer drei Stunden lang bei 180 Grad Celsius ausgasen. Dann übertragen Sie den Wafer in die Pufferkammer und vergasen Sie ihn bei 240 Grad Celsius für zwei Stunden. Den Wafer in die Wachstumskammer laden und bei 850 Grad Celsius 10 Minuten backen.Danach kühlen Sie den Wafer auf 580 Grad Celsius ab und bereiten die Ergusszellen vor, um die entsprechenden Flussmittel zu erzeugen. Öffnen Sie das Gallium, Phosphor und Silizium schaudern, und wachsen 25 Nanometer Galliumphosphid mit einer unterbrochenen Wachstumsmethode, gefolgt von 121 Sekunden ununterbrochenem Wachstum. Danach die Probe auf 200 Grad Celsius abkühlen und vom Instrument abladen.Als nächstes bedecken Sie die Galliumphosphid-Oberfläche mit einem säurebeständigen Dicing-Band. Den Wafer in etwa 300 Milliliter 49% Flusssäure für fünf Minuten einweichen, um die Siliziumnitridschicht zu entfernen. Entfernen Sie das Band, spülen Sie den Wafer 10 Minuten lang mit entionisiertem Wasser ab und trocknen Sie es unter einem Stickstoffgasstrom.Dann die Galliumphosphid-Oberfläche mit frischem Dicing-Band bedecken. In einem Plastikbecher 500 Milliliter einer Mischung aus Flusssäure, Salpetersäure und Essigsäure zubereiten. Den Wafer vorsichtig in die HNA-Lösung geben und drei Minuten bei Raumtemperatur einweichen lassen.Entfernen Sie das Band, spülen Sie den Wafer mit entionisiertem Wasser und trocknen Sie es mit Stickstoff. Verwenden Sie einen Diamantstift, um den vorbereiteten Wafer in vier Viertel zu schneiden. Legen Sie die Stücke in einen Korb, reinigen Sie sie gründlich in einem Tank mit entionisiertem Wasser und trocknen Sie sie mit Stickstoffgas.Dann die Stücke in einer gepufferten Oxidätzlösung für 30 Sekunden einweichen und mit entionisiertem Wasser und Stickstoffgas abspülen und trocknen. Als nächstes 50 Nanometer amorphes Silizium auf eine Probe ablagern und die Siliziumlebensdauer überprüfen. Legen Sie dann neun Nanometer eines intrinsischen amorphen Siliziums und 16 Nanometer eines p-Typ-Amorphsiliziums mit einem Bordopant auf der nackten Siliziumseite einer zweiten Probe ab.Verwenden Sie bei einer dritten Probe die thermische Verdunstung, um neun Nanometer Molybdänoxid auf der nackten Siliziumseite bei 0,5 Angstroms pro Sekunde bei Raumtemperatur aus einer Molybdäntrioxidquelle abzulagern. Als nächstes legen Sie die amorphen Silizium- und Molybdänoxid-beschichteten Proben in ein HF-Sputternsinstrument, wobei die Galliumphosphidseite nach oben zeigt. Ablagerung 75 Nanometer Indium 10 Oxid, mit einer Sauerstoffdurchflussrate von 2,2 SCCM.Entladen Sie dann die Proben und drehen Sie sie um. Platzieren Sie eine Mesa-Schattenmaske auf jeder Probe. Laden Sie sie wieder in das Instrument und legen Sie weitere 75 Nanometer ITO ab.Entladen Sie die Proben, tauschen Sie die Maske gegen eine Fingerschattenmaske aus und legen Sie 200 Nanometer Silber auf die ITO-Mesa bei einem Kilowatt und acht Torr ab. Drehen Sie die Proben um und legen Sie weitere 200 Nanometer Silber auf der ITO-Galliumphosphidseite als Rückenkontakt ab. Schließlich die Proben in einem Ofen bei 220 Grad Celsius und atmosphärischem Druck anneal.Die Atomkraftmikroskopie zeigte, dass die Galliumphosphidschicht eine wurzelmittlere quadratische Rauheit von etwa 0,52 Nanometern hatte, was auf eine hohe Kristallqualität mit einer geringen Threading-Dislokationsdichte hindeutet. Pendellosung Fransen, die aus dem Doppelkristall Omega beobachtet wurden, waren die Gesteinskurve an der Silizium- und Galliumphosphid 004-Reflexionen mit glatten Schnittstellen konsistent. Die wechselseitige Raumkarte von 224 Defraktionsflecken zeigt kohärente Galliumphosphid- und Siliziumspitzen, was darauf hinweist, dass Galliumphosphid mit guter kristalliner Qualität vollständig auf das Siliziumsubstrat gespannt ist.Die Bildung einer N-Plus-Schicht durch Phosphordiffusion vor Zugabe der Galliumphosphidschicht hielt die Silizium-Massenlebensdauer auf einem Niveau von bis zu Millisekunden. Die Lebensdauer von Galliumphosphid-Silizium betrug etwa 100 Mikrosekunden. Die Geräte wurden entweder mit einer Schicht aus amorphem Silizium oder einer Schicht Aus Molybdänoxid konstruiert.Die interne Quanteneffizienz des Molybdänoxid-Geräts blieb bei niedrigeren Wellenlängen hoch als bei einem amorphen Siliziumgerät, aber es hatte auch eine höhere Reflexion bei niedrigeren Wellenlängen. Für beide Geräte wurde eine vielversprechende Leistung von Solarzellen beobachtet. Die amorphen Silizium- und Molybdänoxid-Geräte wiesen vergleichbare Wirkungsgrade, Leerlaufspannungen und Füllfaktoren auf.Insgesamt schnitt die Molybdänoxidschicht insgesamt besser ab als die amorphe Siliziumschicht. Denken Sie beim Versuch dieses Verfahrens daran, den zweiten Wafer vor dem Laden in die MBE-Kammer so sauber wie möglich zu halten, insbesondere bei der Ablagerung von Siliziumnitrid.

Research

JoVE Journal

Engineering

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Forschung und Entwicklung von High-Performance Sprengstoffe

Developmental testing of high explosives for military applications involves small-scale formulation, safety testing, and finally detonation performance ...

Forschung

Ingenieurwesen

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

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Printing Herstellung von Bulk-Heterosolarzellen und<em&gt; In Situ</em&gt; Morphologie Charakterisierung

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Digital Printing of Titanium Dioxide for Dye Sensitized Solar Cells

Digitaldruck von Titandioxid für farbstoffsensibilisierte Solarzellen

Silicon solar cell manufacturing is an expensive and high energy consuming process. In contrast, dye sensitized solar cell production is less ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

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Probing C<sub&gt; 84</sub&gt; -embedded Si-Substrat mit Hilfe der Rastersondenmikroskopie und Molecular Dynamics

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Ein Hochleistungs-Impedanz-basierte Plattform für die Verdampfungsrate Erkennung

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Morphology Control for Fully Printable OrganicÃƒÆ’Ã‚Â¢ÃƒÂ¢Ã¢â‚¬Å¡Ã‚Â¬ÃƒÂ¢Ã¢â€šÂ¬Ã…â€œInorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

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