Name: developing high performance gap/si heterojunction solar cells
Uploaded: 2018-11-16T15:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

המחברים רוצה להודות ל' דינג ו מ Boccard על תרומתם של עיבוד ובדיקות של התאים הסולאריים במחקר זה. המחברים לאשר מימון מחלקת האנרגיה של ארצות הברית תחת חוזה דה-EE0006335, התוכנית הנדסה של מרכז מחקר של הקרן הלאומית למדע, Office של חיסכון באנרגיה, אנרגיה מתחדשת של מחלקת האנרגיה תחת מספר הסכם שיתופי NSF EEC-1041895. סום Dahal במעבדה כוח סולארית נתמכה, בחלקו, על ידי ה-NSF החוזה מרכזים לגיל הרך-1542160.

אזהרה: נא עיין כל גליונות נתונים בטיחות חומרים רלוונטיים (MSDS) לפני התמודדות עם כימיקלים. אנא השתמש כל נוהלי בטיחות המתאים בעת ביצוע של ייצור תאים סולאריים כולל fume הוד, ציוד מגן אישי (בטיחות משקפיים, כפפות, חלוק המעבדה, מכנסיים באורך מלא, נעליים סגורות).
1. סי וופל ניקוי
<ol><li>לנק...

<ol>
	<li>Friedman, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Progress+and+challenges+for+next-generation+high-efficiency+multijunction+solar+cells.">Progress and challenges for next-generation high-efficiency multijunction solar cells.</a> Current Opinion in Solid State &amp; Materials Science. 14, 131-138 (2010).</li><li>Vadiee, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=AlGaSb-Based+Solar+Cells+Grown+on+GaAs:+Structural+investigation+and+device+performance.">AlGaSb-Based Solar Cells Grown on GaAs: Structural investigation and device performance.</a> IEEE Journal of Photovoltaics. , (2017).</li><li>Wagner, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+numerical+simulation+study+of+gallium-phosphide/silicon+heterojunction+passivated+emitter+and+rear+solar+cells.">A numerical simulation study of gallium-phosphide/silicon heterojunction passivated emitter and rear solar cells.</a> Journal of Applied Physics. 115, 044508 (2014).</li><li>Limpert, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Results+from+coupled+optical+and+electrical+sentaurus+TCAD+models+of+a+gallium+phosphide+on+silicon+electron+carrier+selective+contact+solar+cell.">Results from coupled optical and electrical sentaurus TCAD models of a gallium phosphide on silicon electron carrier selective contact solar cell.</a> 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC). , 836-840 (2014).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=On+the+source+of+silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+growth+of+III-V+materials.">On the source of silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial growth of III-V materials.</a> 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). , 2048-2051 (2016).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+III-V+material+growth.">Silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial III-V material growth.</a> Energy Procedia. 92, 617-623 (2016).</li><li>Zhang, C., Kim, Y., Faleev, N. N., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improvement+of+GaP+crystal+quality+and+silicon+bulk+lifetime+in+GaP/Si+heteroepitaxy.">Improvement of GaP crystal quality and silicon bulk lifetime in GaP/Si heteroepitaxy.</a> Journal of Crystal Growth. 475, 83-87 (2017).</li><li>Garc&#237;a-Tabar&#233;s, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+silicon+bulk+lifetime+during+III-V-on-Si+multijunction+solar+cell+epitaxial+growth.">Evolution of silicon bulk lifetime during III-V-on-Si multijunction solar cell epitaxial growth.</a> Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 24, 634-644 (2016).</li><li>Varache, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+bulk+c-Si+properties+during+the+processing+of+GaP/c-Si+heterojunction+cell.">Evolution of bulk c-Si properties during the processing of GaP/c-Si heterojunction cell.</a> Energy Procedia. 77, 493-499 (2015).</li><li>Ishizaka, A., Shiraki, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low+temperature+surface+cleaning+of+silicon+and+its+application+to+silicon+MBE.">Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE.</a> Journal of The Electrochemical Society. 133, 666 (1986).</li><li>Zhang, C., Vadiee, E., King, R. R., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Carrier-selective+contact+GaP/Si+solar+cells+grown+by+molecular+beam+epitaxy.">Carrier-selective contact GaP/Si solar cells grown by molecular beam epitaxy.</a> Journal of Materials Research. 33, 414-423 (2018).</li><li>Battaglia, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hole+Selective+MoOx+Contact+for+Silicon+Solar+Cells.">Hole Selective MoOx Contact for Silicon Solar Cells.</a> Nano Letters. 14, 967-971 (2014).</li></ol>

שכבה הנומינלי ננומטר בעובי 25 הפער גדל epitaxially על משטח P-עשיר סי דרך בין. לגדול איכות טובה יותר של הפער על סי מצעים, V/השלישי נמוך יחסית השכבה (P/Ga) יחס עדיפה. איכות טובה קריסטל של הפער שכבה יש צורך להשיג את מוליכות גבוהה בצפיפות נמוכה של מרכזי רקומבינציה. AFM השורש-אומר-הכיכר (RMS) של פני השטח הפער הו?...

יש כבר מאמץ מתמשך על השילוב של חומרים שונים עם סריג אי התאמות כדי לשפר הכוללת תא פוטו-וולטאי יעילות1,2. השילוב השלישי-V/סי יש פוטנציאל נוספת להגביר את היעילות השמש נייד סי הנוכחי ולהחליף את סובסטרטים השלישי-V יקר (כגון GaAs ו ג ' נרל אלקטריק) עם מצע סי ליישומים multijunction תא פוטו-וולטאי. בין כל השלישי-V בינארי גשמי מערכות, גליום מונו גבישי (מרווח) הוא מועמד טוב למטרה זו, שכן יש הקטן הסריג-ההתאמה (~ 0.4%) ועם סי bandgap עקיף גבוה. תכונות אלה ניתן לאפשר שילוב איכותי של הפער עם סובסטרט סי. תיאורטית הוכח כי הפער/Si heterojunction תאים סולריים יכול לשפר את היעילות של פולט passivated המקובלת אחורי סי תאים סולריים3,4 על-ידי מנצלות ההיסט הלהקה ייחודי בין הפער סי (∆Ev ~1.05 eV ו ∆Eג ~0.09 eV). זה הופך את הפער איש קשר מבטיח סלקטיבי אלקטרון עבור סיליקון השמש תאים. עם זאת, על מנת להשיג ביצועים גבוהים פער/Si heterojunction תאים סולריים, החיים בצובר סי גבוה ואיכות גבוהה פער/Si ממשק נדרשים.
במהלך הגידול השלישי-V חומרים על מצע סי על ידי קרן מולקולרית epitaxy (בין) ו metalorganic אדי שלב epitaxy (MOVPE), השפלה החיים סי משמעותי נצפתה נרחב5,6,7, 8 , 9. התגלה כי השפלה החיים בעיקר קורה במהלך הטיפול התרמי ופלים Si בהכורים, אשר נדרש עבור שחזור desorption ו/או משטח תחמוצת השטח לפני צמיחה epitaxial10. את ההשפלה הזו היה המיוחס פעפוע החיצוניים של מזהמים שמקורם את הצמיחה כורים5,7. מספר גישות הוצעו כדי לדכא את ההשפלה הזו כל החיים סי. בעבודה הקודמת שלנו הראו שתי שיטות שבו השפלה החיים סי ניתן באופן משמעותי לדכא. השיטה הראשונה הודגם המבוא של SiNx כמו מחסום דיפוזיה7 והשני על ידי החדרת השכבה P דיפוזיה בתור הסוכן gettering11 אל המצע סי.
בעבודה זאת, הראו ביצועים גבוהים תאים סולריים פער/Si בהתבסס על הגישות הנ ל כדי להמתיק סיליקון בצובר שלמים השפלה. טכניקות השתמשו כדי לשמור על אורך החיים סי יכולים להיות יישומים רחב בתאים סולאריים multijunction עם תאים התחתונה סי פעיל ומכשירים אלקטרוניים כגון גבוהה ניידות CMOS. ב פרוטוקול מפורט זה, מוצגים הפרטים פבריקציה נוספת של גאפ/Si heterojunction תאים סולריים, כולל סי וופל ניקוי, P-דיפוזיה הכבשן, פער גדילה, וכן תאים סולריים פער/Si עיבוד.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Hydrogen peroxide, 30%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181019</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid, 96%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64103</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrochloric acid, 37%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64009</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Buffered Oxide Etch 10:1</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>62060</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrofluoric acid, 49%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181736</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetic acid</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10180830</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nitride acid, 69.5%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>200288</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

developing high performance gap/si heterojunction solar cells

כדי לשפר את היעילות של תאים סולאריים מבוססי סי מעבר למגבלה שוקלי-Queisser שלהם, הדרך האופטימלית היא לשלב אותן עם השלישי-V מבוססי תאים סולריים. בעבודה זו, אנו מציגים תאים סולריים ביצועים גבוהים פער/Si heterojunction עם סי גבוה-המיעוט-המוביל לכל החיים, קריסטל גבוהים ואיכות שכבות הפער epitaxial. הוא הראה את זה על-ידי החלת זרחן (P)-דיפוזיה שכבות לתוך המצע סי, שכבהx ' חטא ', משך החיים של המיעוט-המוביל סי ניתן מתוחזקים היטב במהלך הגידול הפער epitaxy הקורה מולקולרית (בין). על ידי שליטה על תנאי הגידול, קריסטל גבוהים ואיכות הפער גדל על פני עשיר פי סי. איכות הסרט מאופיין על ידי מיקרוסקופ כוח אטומי ואת ברזולוציה גבוהה רנטגן עקיפה. בנוסף, MoOx יושם כאיש קשר חור סלקטיבית שהובילה לעליה משמעותית צפיפות זרם קצר. ביצועי המכשיר גבוהה מושגת התאים הסולאריים פער/Si heterojunction יוצר נתיב נוסף שיפור הביצועים של מכשירים פוטו מבוססי-סי.

תמונות מיקרוסקופ (AFM) כוח אטומי, סריקות רנטגן ברזולוציה גבוהה עקיפה (XRD), כולל העקומה נדנדה בקרבת ההשתקפות (004) ועל המפה שטח הדדיים (RSM) בקרבת השתקפות (224), נאספו עבור הפער/Si מבנה (איור 1). AFM שימש לאפיין המורפולוגיה משטח של הפער בין תוצרת, XRD שימש כדי לבחון את איכות...

Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells

כאן, אנו מציגים פרוטוקול לפתח ביצועים גבוהים פער/Si heterojunction השמש תאים עם חיים גבוהה של המיעוט-המוביל סי.

פיתוח תאים סולריים ביצועים גבוהים פער/סי Heterojunction

To improve the efficiency of Si-based solar cells beyond their Shockley-Queisser limit, the optimal path is to integrate them with III-V-based solar ...

שיטה זו יכולה להגיד, לענות על שאלות מפתח ייצור תאים סולאריים משולב סיליקון ריבוד על איך לשמור על חיים בתפזורת סיליקון גבוה במהלך הצמיחה. היתרונות העיקריים של תהליך זה הם שאנחנו יכולים להשיג אורך חיים ארוך בתפזורת סיליקון, גם לאחר צמיחה הטרוובלנטית של נשא גליום פוספיד מגע סלקטיבי על סיליקון. זה מאפשר לנו לגשת לפערים הלהקה של מוליכים למחצה III-V אחרים.זה סוג של תא סולארי רב-ג'וציה עם תא תחתון מסיליקון. כדי להתחיל, להכין פתרון פיראנה באמבט חימום חומצת פוליאתילן בצפיפות גבוהה, חימום זה ל 110 מעלות צלזיוס, ולחכות לטמפרטורה להתייצב. באמבט חומצה אחר, הכינו חומצה הידרוכלורית מדוללת ותווי מי חמצן להסרת זיהום יוני, מחממים אותו ל-74 מעלות צלזיוס ומחכים שהטמפרטורה תתייצב.מניחים ארבעה אינץ' קוטר לצוף אזור סוף סוג כפול צד מלוטש ופלים סיליקון בקלטת פוליפרופילן נקי ארבעה אינץ' רקיק. משרים את הוופלים בתספיר פיראניה במשך 10 דקות. לאחר מכן, לשטוף את הוופלים במשך 10 דקות עם מים deionized, ולשים אותם בקלטת נקייה.משרים את הוופלים בתסכולת הניקוי היונית במשך 10 דקות, ולאחר מכן שוטפים אותם במים deionized במשך 10 דקות. לאחר מכן, להשרות את הוופלים בתמצית תחריט תחמוצת במאגר של 10 כדי אמוניום פלואוריד אחד לחומצה הידרופלואורית במשך שלוש דקות בטמפרטורת החדר, ולשטוף אותם עם מים deionized במשך 10 דקות. יבש את הוופלים הנקיים תחת זרם של גז חנקן יבש.לאחר מכן, מניחים רקיק נקי בסירת קוורץ ועומסים אותו לתוך תנור צינור קוורץ, מחומם ל 800 מעלות צלזיוס עם אווירה של גז חנקן זורם. שיפוע הכבשן ל 820 מעלות צלזיוס במהלך 20 דקות. לאחר מכן, להעביר את גז המוביל לחנקן מבעבע דרך זרחן אוקסיכלוריד ב 1, 000 SCCM.לאחר 15 דקות, לעצור את זרימת גז נושאת המטוסים רמפה הכבשן עד 800 מעלות צלזיוס. מוציאים את הוופל מהתנור ותנו לו להתקרר. לאחר מכן, להשרות אותו בתסריט תחמוצת חציצה טרי במשך 10 דקות כדי להסיר זכוכית סיליקט זרחן.שוטפים את הוופל במים דה-מיונו במשך 10 דקות ומייבשים אותו בגז חנקן. ממש לפני תצהיר סיליקון ניטרייד, להשרות את הוופל בתסריט תחמוצת חיץ במשך דקה אחת כדי להסיר תחמוצות ילידים. שוטפים אותו במים דה-מיונים במשך 10 דקות, ומייבשים אותו בגז חנקן יבש.מניחים את הוופל על מנשא סיליקון מונוקריסטליני נקי ומטמיסים אותו למכשיר PECVD, המצויד במקורות סילאן ואמוניה. הגדר את לחץ התא ל 3.5 טורס ולהפקיד 150 ננומטר של ניטרד סיליקון ב 3.9 ננומטר לשנייה, עם 300 וואט של כוח RF. לאחר מכן, לטעון את הוופל לתוך מכשיר MBE, מצויד גליום, זרחן, ותאי סיליקון.יוצא מהופל בתא ההיכרות ב-180 מעלות צלזיוס למשך שלוש שעות. לאחר מכן, להעביר את הוופל לתא החיץ, ו outgas אותו ב 240 מעלות צלזיוס במשך שעתיים. טוענים את הוופל לתוך תא הגדילה, ואופים אותו ב 850 מעלות צלזיוס במשך 10 דקות.לאחר מכן, לקרר את הוופל ל 580 מעלות צלזיוס, ולהכין את תאי התפלה כדי ליצור את השטף המתאים. פתח את גליום, זרחן, צמרמורת סיליקון, ולגדל 25 ננומטר של גליום פוספיד עם שיטת צמיחה מופרעת, ואחריו 121 שניות של צמיחה רציפה. לאחר מכן, מצננים את הדגימה ל-200 מעלות ונועלים אותה מהמכשיר.לאחר מכן, כסו את משטח הפוספיד של הגליום בעזרת סרט דית עמיד בפני חומצה. משרים את הוופל בכ-300 מיליליטר של 49% חומצה הידרופלואורית במשך חמש דקות כדי להסיר את שכבת הניטרדה מסיליקון. הסר את הקלטת, לשטוף את הוופל עם מים deionized במשך 10 דקות, ולייבש אותו תחת זרם של גז חנקן.לאחר מכן, לכסות את פני השטח גליום פוספיד עם סרט דיץ טרי. ב פלסטיק, להכין 500 מיליליטר של תערובת של חומצה הידרופלואורית, חומצה חנקתית, וחומצה אצטית. בזהירות למקם את הוופל בתס ה-HNA ולתת לו להשרות בטמפרטורת החדר במשך שלוש דקות.מוציאים את הקלטת, שוטפים את הוופל במים מיונים ומייבשים אותו בחנקן. השתמש בעט יהלום כדי לחתוך את הוופל המוכן לארבעה רבעים. מניחים את החתיכות בסל, מנקים אותן ביסודיות במיכל מים מיונים, ומייבשים אותן בגז חנקן.לאחר מכן, להשרות את החלקים בתסריט תחמוצת חיץ במשך 30 שניות, ולשטוף ולייבש אותם עם מים deionized וגז חנקן. לאחר מכן, להפקיד 50 ננומטר של סיליקון אמורפי על מדגם אחד, ולבדוק את חיי הסיליקון. לאחר מכן, להפקיד תשעה ננומטר של סיליקון אמורפי מהותי, ו 16 ננומטר של סיליקון אמורפי p-סוג, עם dopant בורון, בצד הסיליקון החשוף של מדגם שני.על מדגם שלישי, להשתמש אידוי תרמי להפקיד תשעה ננומטר של תחמוצת מוליבדן בצד הסיליקון החשוף ב 0.5 אנגסטרום לשנייה, בטמפרטורת החדר, ממקור מוליבדן trioxide. לאחר מכן, מניחים את הסיליקון האמורפי ודגימות מצופות תחמוצת מוליבדן בכלי sputtering RF, עם צד פוספיד גליום פונה כלפי מעלה. הפקדה 75 ננומטר של תחמוצת אינדיום 10, עם קצב זרימת חמצן של 2.2 SCCM.לאחר מכן, לפרוק את הדגימות ולהפוך אותם. מניחים מסכת צל מסה על כל דגימה. לטעון אותם בחזרה לתוך המכשיר, ולהפקיד עוד 75 ננומטר של ITO.לפרוק את הדגימות, להחליף את המסכה למסכת צל אצבע, ולהפקיד 200 ננומטר של כסף על MEO mesa ב קילוואט אחד ושמונה טור. להפוך את הדגימות ולהפקיד עוד 200 ננומטר של כסף בצד ITO גליום פוספיד, כמו מגע אחורי. לבסוף, תן את הדגימות בתנור ב 220 מעלות צלזיוס ולחץ אטמוספרי.מיקרוסקופ כוח אטומי הראה כי שכבת גליום פוספיד היה חספוס ריבוע ממוצע שורש של כ 0.52 ננומטר, המציין איכות גביש גבוהה עם צפיפות נקע השחלה נמוכה. שולי פנדלואסונג שנצפו מעקומת הנדנדה הכפולה אומגה 2 תטא בסיליקון וההשתקפויות של גליום פוספיד 004 תאימו לממשקים חלקים. מפת החלל ההדדית של 224 נקודות defraction מראה גליום פוספיד קוהרנטי פסגות סיליקון, המציין כי גליום פוספיד הוא מתוח לחלוטין מצע סיליקון עם איכות גבישית טובה.יצירת שכבת N פלוס על ידי דיפוזיה זרחן לפני הוספת שכבת גליום פוספיד שמרה על אורך החיים בתפזורת סיליקון עד רמות אלפית שנייה. חיי הסיליקון של גליום פוספיד היו בערך 100 מיקרו-שניות. מכשירים נבנו באמצעות שכבה של סיליקון אמורפי, או שכבה של תחמוצת מוליגדן.היעילות הקוונטית הפנימית של מכשיר תחמוצת מוליבדן נותרה גבוהה באורך גל נמוך יותר מאשר מכשיר סיליקון אמורפי, אבל היה לו גם השתקפות גבוהה יותר באורך גל נמוך יותר. ביצועים מבטיחים של תאים סולריים נצפתה עבור שני המכשירים. למכשירי הסיליקון והתחמוצת האמורפית היו יעילות דומה, מתחי מעגלים פתוחים וגורמי מילוי.בסך הכל, שכבת תחמוצת מוליגדן ביצעה טוב יותר כמגע סלקטיבי שלם מאשר שכבת הסיליקון האמורפית. בעת ניסיון הליך זה, זכור לשמור על הוופל השני נקי ככל האפשר לפני טעינה לתוך תא MBE, במיוחד בעת הפקדת ניטרד סיליקון.

Research

JoVE Journal

Engineering

Research and Development of High-performance Explosives

מחקר ופיתוח של חומרי נפץ ביצועים גבוהים

Developmental testing of high explosives for military applications involves small-scale formulation, safety testing, and finally detonation performance ...

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

ייצור הדפסת תאים סולריים heterojunction הגורף<em&gt; באתרו</em&gt; אפיון מורפולוגיה

Polymer-based materials hold promise as low-cost, flexible efficient photovoltaic devices. Most laboratory efforts to achieve high performance devices ...

Digital Printing of Titanium Dioxide for Dye Sensitized Solar Cells

דפוס דיגיטלי של טיטניום דו-חמצני עבור לצבוע תאים סולריים רגישים

Silicon solar cell manufacturing is an expensive and high energy consuming process. In contrast, dye sensitized solar cell production is less ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

גשוש C<sub&gt; 84</sub&gt; -embedded Si המצע באמצעות סריקת בדיקה מיקרוסקופית דינאמיקה מולקולארית

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

A High Performance Impedance-based Platform for Evaporation Rate Detection

בעל ביצועים גבוהים פלטפורמת עכבה מבוססת איתור דרג אידוי

This paper describes the method of a novel impedance-based platform for the detection of the evaporation rate. The model compound hyaluronic acid was ...

Morphology Control for Fully Printable Organic&#8211;Inorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Morphology Control for Fully Printable OrganicÃƒÆ’Ã‚Â¢ÃƒÂ¢Ã¢â‚¬Å¡Ã‚Â¬ÃƒÂ¢Ã¢â€šÂ¬Ã…â€œInorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

בקרת מורפולוגיה עבור תאים סולריים מילוי heterojunction אורגני-אורגניים להדפסה מלא מבוסס על מולקולה פולימרית Ti-alkoxide ו מוליכים למחצה

The photoactive layer of a typical organic thin-film bulk-heterojunction (BHJ) solar cell commonly uses fullerene derivatives as the electron-accepting ...

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

חד ערכי חילוף קטיונים סימום של CH<sub&gt; 3</sub&gt; NH<sub&gt; 3</sub&gt; PBI<sub&gt; 3</sub&gt; עבור תאים סולריים יעילים perovskite

Here, we demonstrate the incorporation of monovalent cation additives into CH3NH3PbI3 perovskite in order to adjust the optical, excitonic, and electrical ...

Electrospinning of Photocatalytic Electrodes for Dye-sensitized Solar Cells

Electropinning של אלקטרודות photatalalytic עבור תאים סולריים רגישים צבען

This work demonstrates a protocol to fabricate a fiber-based photoanode for dye-sensitized solar cells, consisting of a light-scattering layer made of ...

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for CuIn,GaSe2 Solar Cells

בחיי עיר פיקוח על הפגיעה בביצועים מואצת של תאים סולריים מודולים: חקר מקרה של תאים סולריים2 Se Cu (ב, Ga)

The levelized cost of electricity (LCOE) of photovoltaic (PV) systems is determined by, among other factors, the PV module reliability. Better prediction ...

Detecting the Water-soluble Chloride Distribution of Cement Paste in a High-precision Way

זיהוי ההתפלגות כלוריד מסיסים במים של מלט הדבקה בדרך ברמת דיוק גבוהה

To improve the accuracy of the chloride distribution along the depth of cement paste under cyclic wet-dry conditions, a new method is proposed to obtain a ...