Silicon Wafer Cleaning and Phosphorus Diffusion into the Silicon Substrate
3:08
SiNx Coating by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), GaP Growth by Molecular Beam Epitaxy (MBE), and Wet Etching of Back n+ and SiNx Layers
6:01
Hole-Selective Contact Formation on the Bare Si Side and External Contact Formation on the GaP Side
8:17
Results: Characterization of the GaP/Si Heterojunction Devices
10:11
Conclusion
Transcript
Questo metodo può dire, rispondere alle domande chiave nella fabbricazione di celle solari integrate in silicio stratificato su come mantenere un'elevata durata della massa di silicio durante la crescita. I principali vantaggi di questo processo s
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Qui, presentiamo un protocollo per sviluppare alte prestazioni GaP/Si eterogiunzione celle solari con una vita di minoranza-vettore Si alta.