Name: developing high performance gap/si heterojunction solar cells
Uploaded: 2018-11-16T15:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Forfatterne vil takke L. Ding og M. Boccard for deres bidrag på behandling og testing av solceller i denne studien. Forfatterne bekrefter finansiering fra US Department of Energy kontrakt DE-EE0006335 og Engineering Research Center programmet av National Science Foundation og Office av energieffektivisering og fornybar energi av Department of Energy under NSF samarbeidsavtale nr. EEC-1041895. Som Dahal ved Solar Power Lab ble støttet, delvis av NSF kontrakt ECCS-1542160.

FORSIKTIG: Se alle relevante sikkerhetsdatablader (MSDS) før håndtering av kjemikalier. Kan bruke alle nødvendige sikkerhets praksis når en solar cellen fabrikasjon inkludert avtrekksvifte og personlig verneutstyr (vernebriller, hansker, laboratoriefrakk, full lengde bukser, lukket-toe sko).
1. Si Wafer rengjøring
<ol><li>Rengjør Si wafere i Piranha løsning (H2O2h2SO4) på 110 ° C.<ol>
<li>For å produsere Piranha løsning, acid badet fylle...

<ol>
	<li>Friedman, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Progress+and+challenges+for+next-generation+high-efficiency+multijunction+solar+cells.">Progress and challenges for next-generation high-efficiency multijunction solar cells.</a> Current Opinion in Solid State &amp; Materials Science. 14, 131-138 (2010).</li><li>Vadiee, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=AlGaSb-Based+Solar+Cells+Grown+on+GaAs:+Structural+investigation+and+device+performance.">AlGaSb-Based Solar Cells Grown on GaAs: Structural investigation and device performance.</a> IEEE Journal of Photovoltaics. , (2017).</li><li>Wagner, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+numerical+simulation+study+of+gallium-phosphide/silicon+heterojunction+passivated+emitter+and+rear+solar+cells.">A numerical simulation study of gallium-phosphide/silicon heterojunction passivated emitter and rear solar cells.</a> Journal of Applied Physics. 115, 044508 (2014).</li><li>Limpert, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Results+from+coupled+optical+and+electrical+sentaurus+TCAD+models+of+a+gallium+phosphide+on+silicon+electron+carrier+selective+contact+solar+cell.">Results from coupled optical and electrical sentaurus TCAD models of a gallium phosphide on silicon electron carrier selective contact solar cell.</a> 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC). , 836-840 (2014).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=On+the+source+of+silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+growth+of+III-V+materials.">On the source of silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial growth of III-V materials.</a> 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). , 2048-2051 (2016).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+III-V+material+growth.">Silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial III-V material growth.</a> Energy Procedia. 92, 617-623 (2016).</li><li>Zhang, C., Kim, Y., Faleev, N. N., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improvement+of+GaP+crystal+quality+and+silicon+bulk+lifetime+in+GaP/Si+heteroepitaxy.">Improvement of GaP crystal quality and silicon bulk lifetime in GaP/Si heteroepitaxy.</a> Journal of Crystal Growth. 475, 83-87 (2017).</li><li>Garc&#237;a-Tabar&#233;s, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+silicon+bulk+lifetime+during+III-V-on-Si+multijunction+solar+cell+epitaxial+growth.">Evolution of silicon bulk lifetime during III-V-on-Si multijunction solar cell epitaxial growth.</a> Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 24, 634-644 (2016).</li><li>Varache, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+bulk+c-Si+properties+during+the+processing+of+GaP/c-Si+heterojunction+cell.">Evolution of bulk c-Si properties during the processing of GaP/c-Si heterojunction cell.</a> Energy Procedia. 77, 493-499 (2015).</li><li>Ishizaka, A., Shiraki, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low+temperature+surface+cleaning+of+silicon+and+its+application+to+silicon+MBE.">Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE.</a> Journal of The Electrochemical Society. 133, 666 (1986).</li><li>Zhang, C., Vadiee, E., King, R. R., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Carrier-selective+contact+GaP/Si+solar+cells+grown+by+molecular+beam+epitaxy.">Carrier-selective contact GaP/Si solar cells grown by molecular beam epitaxy.</a> Journal of Materials Research. 33, 414-423 (2018).</li><li>Battaglia, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hole+Selective+MoOx+Contact+for+Silicon+Solar+Cells.">Hole Selective MoOx Contact for Silicon Solar Cells.</a> Nano Letters. 14, 967-971 (2014).</li></ol>

En nominell 25 nm-tykk GaP lag var epitaxially dyrket på en P-rik Si overflate via MBE. For å vokse en bedre kvalitet på GaP lag på Si underlag, en relativt lav V/III er (P/Ga) forholdet å foretrekke. En god krystall kvalitet GaP lag er nødvendig for å oppnå høy ledningsevne og lav tetthet av rekombinasjon sentre. Det AFM root-betyr-torget (RMS) av gapet overflaten er ~0.52 nm viser en glatt overflate med ingen groper, indikativ av høy krystall kvalitet med lav tråder forvridning tetthet (...

Det har vært en vedvarende innsats på integrasjon av ulike materialer med gitter uoverensstemmelser for å forbedre generelle solcelle effektivitet1,2. III-V/Si integrering har potensial til å ytterligere øke den gjeldende Si solar cell effektiviteten og erstatte de dyre III-V underlag (for eksempel GaAs og Ge) med en Si substrat for multijunction solcelle formål. Blant alle III-V binære materiale systemer er gallium phosphide (GaP) en god kandidat for dette formålet, som har den minste gitter-feil (~ 0,4%) og Si en høy indirekte bandgap. Disse funksjonene kan aktivere høy kvalitet integrering av gapet med Si substrat. Det har teoretisk vist at gapet/Si heterojunction solceller kan forbedre effektiviteten av konvensjonelle paddivert emitter bakre Si solceller3,4 ved av unike band-forskyvningen mellom GaP og Si (∆Ev ~1.05 eV og ∆Ec ~0.09 eV). Dette gjør GaP en lovende elektron selektiv kontakt for silisium solceller. Men for å oppnå høy ytelse GaP/Si heterojunction solceller, er en høy Si bulk levetid og høy GaP/Si grensesnitt kvalitet nødvendig.
Under veksten av III-V materialer på et Si substrat av molekylære strålen epitaxy (MBE) og metalorganic damp fasen epitaxy (MOVPE), er betydelig Si levetid fornedrelse mye observert5,6,7, 8 , 9. det ble avslørt at levetid nedbrytning hovedsakelig skjer i løpet av den termale behandlingen Si wafere i reaktorer, som kreves for overflate og desorpsjon og/eller overflaten gjenoppbygging før epitaxial vekst10. Denne forringelsen ble tilskrevet ytre spredningen av forurensninger stammer fra vekst reaktorer5,7. Flere tilnærminger har blitt foreslått å undertrykke dette Si levetid degradering. I vår tidligere arbeid, har vi vist to metoder som Si levetid nedbrytning kan bli betydelig undertrykt. Den første metoden ble demonstrert av innføringen av SiNx som en diffusjon barriere7 og den andre ved å introdusere P-diffusjon laget som en gettering agent11 til Si underlaget.
I dette arbeidet har vi vist høyytelses GaP/Si solceller basert på de nevnte tilnærmingene til å redusere silisium bulk levetid nedbrytning. Teknikkene som brukes å bevare det Si levetiden kan har bred programmer i multijunction solceller aktive Si bunnen celler og elektroniske enheter som høy-mobilitet CMOS. Denne detaljerte protokollen, blir fabrikasjon detaljer om gapet/Si heterojunction solceller, inkludert Si wafer rengjøring, P-diffusjon i ovn, GaP vekst og GaP/Si solceller behandling, presentert.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Hydrogen peroxide, 30%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181019</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid, 96%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64103</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrochloric acid, 37%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64009</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Buffered Oxide Etch 10:1</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>62060</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrofluoric acid, 49%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181736</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetic acid</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10180830</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nitride acid, 69.5%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>200288</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

developing high performance gap/si heterojunction solar cells

For å forbedre effektiviteten av Si-baserte solceller utover deres Shockley-trombonens grense, er den optimale banen å integrere dem med III-V-baserte solceller. I dette arbeidet presenterer vi høy ytelse GaP/Si heterojunction solceller med høy Si mindretall-carrier levetid og høy krystall kvaliteten på epitaxial GaP lag. Det er vist at ved å bruke fosfor (P)-diffusjon lag i Si underlaget og en syndx lag, Si mindretall-carrier levetid kan være godt vedlikeholdt under GaP veksten i molekylær strålen epitaxy (MBE). Ved å kontrollere forholdene vekst, ble høy krystall kvaliteten på GaP dyrket på P-rik Si overflaten. Filmkvalitet kjennetegnes av atomic force mikroskopi og høy oppløsning x-ray Diffraksjon. I tillegg MoOx ble gjennomført som en hull-selektiv kontakt som førte til en betydelig økning i de kortslutte nåværende tetthet. Oppnådd høye enhet ytelse GaP/Si heterojunction solcellene oppretter en bane for ytterligere forbedring av ytelsen til Si photovoltaic enheter.

Atomic force mikroskopi (AFM) bilder og høy oppløsning x-ray Diffraksjon (XRD) skanner, inkludert rocking buen i (004) refleksjon og gjensidige rom kartet (RSM) i (224) refleksjon, ble samlet for GaP/Si struktur (figur 1). AFM ble brukt til å prege overflaten morfologi av MBE dyrket gapet og XRD ble brukt til å undersøke krystall kvaliteten på GaP lag. Effektiv mindretall-carrier levetiden av gapet/Si struktur og Si bulk ble målt for å undersøke effe...

Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells

Her presenterer vi en protokoll for å utvikle høy ytelse GaP/Si heterojunction solceller med høy Si mindretall-carrier levetid.

Utvikle høy ytelse GaP/Si Heterojunction solceller

To improve the efficiency of Si-based solar cells beyond their Shockley-Queisser limit, the optimal path is to integrate them with III-V-based solar ...

Denne metoden kan fortelle, svare på viktige spørsmål i stratifisert silisium integrert solcelle fabrikasjon om hvordan å opprettholde en høy silisium bulk levetid under veksten. De viktigste fordelene med denne prosessen er at vi kan oppnå en lang silisium bulk levetid, selv etter heterovalent vekst av gallium fosfitid carrier selektiv kontakt på silisium. Dette gir oss tilgang til båndhullene til andre III-V halvledere.Det er en form for multijunction solcelle med en silisium bunncelle. For å begynne, forberede en piraja løsning i en høy tetthet polyetylensyre oppvarming bad, varme den til 110 grader Celsius, og vente på temperaturen å stabilisere. I et annet syrebad, lag en fortynnet saltsyre og hydrogenperoksidløsning for å fjerne ionisk forurensning, varme den opp til 74 grader Celsius og venter på at temperaturen skal stabilisere seg.Plasser fire tommers diameter float zone end type dobbel side polert silisium wafers i en ren polypropylen fire tommers wafer kassett. Bløtlegg wafers i pirajaløsning i 10 minutter. Skyll deretter wafers i 10 minutter med deionisert vann, og legg dem i en ren kassett.Bløtlegg wafers i ionisk rengjøringsløsning i 10 minutter, og skyll dem deretter med deionisert vann i 10 minutter. Deretter suge wafers i en bufret oksid etse løsning på 10 til en ammonium fluor til hydrofluorsyre i tre minutter ved romtemperatur, og skyll dem med deionisert vann i 10 minutter. Tørk de rene wafers under en strøm av tørr nitrogengass.Deretter plasserer du en ren wafer i en kvartsbåt og laster den inn i en kvartsrørovn, oppvarmet til 800 grader Celsius med en atmosfære av flytende nitrogengass. Rampe ovnen til 820 grader Celsius i løpet av 20 minutter. Deretter bytter du bærergassen til nitrogen bobler gjennom fosforoksyklorid ved 1 000 SCCM.Etter 15 minutter, stopp strømmen av bæregass og rampe ovnen ned til 800 grader Celsius. Fjern wafer fra ovnen og la den avkjøles. Deretter suge den i fersk bufret oksid etse løsning i 10 minutter for å fjerne fosfor silikat glass.Skyll wafer i deionisert vann i 10 minutter og tørk den med nitrogengass. Like før silisiumnitrtridedeponering, suge wafer i en bufret oksid etse løsning i ett minutt for å fjerne innfødte oksider. Skyll det i deionisert vann i 10 minutter, og tørk det med tørr nitrogengass.Plasser wafer på en ren monokrystallinsk silisiumbærer og last den inn i et PECVD-instrument, utstyrt med silan- og ammoniakkkilder. Sett kammertrykket til 3,5 torrs og sett 150 nanometer silisiumnitr ved 3,9 nanometer per sekund, med 300 watt RF-effekt. Deretter laster du waferen inn i et MBE-instrument, utstyrt med gallium-, fosfor- og silisiumefusjonsceller.Outgas wafer i innledende kammeret på 180 grader Celsius i tre timer. Deretter overfører wafer til bufferkammeret, og outgas det på 240 grader Celsius i to timer. Last wafer inn i vekstkammeret, og bake den på 850 grader Celsius i 10 minutter.Deretter avkjøles waferen til 580 grader Celsius, og klargjør effusjonscellene for å generere de riktige fluksene. Åpne gallium, fosfor og silisium grøsser, og vokse 25 nanometer gallium fosfiid med en avbrutt vekstmetode, etterfulgt av 121 sekunder med uavbrutt vekst. Etterpå avkjøles prøven til 200 grader Celsius og losser den fra instrumentet.Dekk deretter galliumfosfitidoverflaten med et syrebestandig skillebånd. Bløtlegg waferen i ca. 300 milliliter med 49 % hydrofluorsyre i fem minutter for å fjerne silisiumnitridlaget. Fjern båndet, skyll waferen med deionisert vann i 10 minutter, og tørk den under en strøm av nitrogengass.Dekk deretter galliumfosfitidoverflaten med ferskt dicing tape. I et plastbeger, lag 500 milliliter av en blanding av hydrofluorsyre, salpetersyre og eddiksyre. Plasser waferen forsiktig i HNA-løsningen og la den suge ved romtemperatur i tre minutter.Fjern båndet, skyll wafer med deionisert vann, og tørk den med nitrogen. Bruk en diamantpenn til å skjære den tilberedte waferen i fire kvartaler. Legg bitene i en kurv, rengjør dem grundig i en tank med deionisert vann, og tørk dem med nitrogengass.Deretter suge bitene i en bufret oksid etse løsning i 30 sekunder, og skyll og tørk dem med deionisert vann og nitrogengass. Deretter setter du 50 nanometer amorfe silisium på en prøve, og kontrollerer silisiumlevetid. Deretter legger du inn ni nanometer av en iboende amorfe silisium, og 16 nanometer av en p-type amorfe silisium, med en bor dopant, på den nakne silisiumsiden av en annen prøve.På en tredje prøve, bruk termisk fordampning til å deponere ni nanometer molybdenoksid på den nakne silisiumsiden ved 0,5 angstrom per sekund, ved romtemperatur, fra en molybdentrioksidkilde. Deretter plasserer du de amorfe silisium- og molybdenoksidbelagte prøvene i et RF-sputteringsinstrument, med galliumfosfidsiden vendt opp. Deponer 75 nanometer indium 10 oksid, med en oksygenstrømningshastighet på 2,2 SCCM.Deretter losser du prøvene og snur dem. Plasser en mesa skyggemaske på hver prøve. Legg dem tilbake i instrumentet, og deponer ytterligere 75 nanometer ito.Loss prøvene, byr masken mot en fingerskyggemaske, og deponer 200 nanometer sølv på ITO mesa på en kilowatt og åtte torr. Snu prøvene og deponer ytterligere 200 nanometer sølv på ITO galliumfosfidsiden, som ryggkontakt. Til slutt, anneal prøvene i en ovn på 220 grader Celsius og atmosfærisk trykk.Atomkraftmikroskopi viste at galliumfosfidlaget hadde en rot gjennomsnittlig firkantet grovhet på ca. 0,52 nanometer, noe som indikerer høy krystallkvalitet med lav gjengeforvridningstetthet. Pendellosung frynser observert fra dobbel krystall omega to theta gyngekurve på silisium og gallium fosfatid 004 refleksjoner var i samsvar med glatte grensesnitt. Det gjensidige romkartet over 224 defraksjonspunkter viser sammenhengende galliumfosfid og silisiumtopper, noe som indikerer at galliumfosfid er fullt anstrengt til silisiumsubstratet med god krystallinsk kvalitet.Danner en N pluss lag ved fosfor diffusjon før du legger gallium fosfid laget opprettholdt silisium bulk levetid på opptil millisekunder nivåer. Galliumfosfisium levetid var ca 100 mikrosekunder. Enheter ble konstruert ved hjelp av enten et lag av amorfe silisium, eller et lag med molybdenoksid.Den interne kvanteeffektiviteten til molybdenoksidenheten forble høy ved lavere bølgelengder enn en amorf silisiumenhet gjorde, men det hadde også en høyere refleksjon ved lavere bølgelengder. Lovende solcelleytelse ble observert for begge enhetene. De amorfe silisium- og molybdenoksidenhetene hadde sammenlignbar effektivitet, åpne kretsspenninger og fyllfaktorer.Samlet sett utførte molybdenoksidlaget bedre som en hel selektiv kontakt enn det amorfe silisiumlaget gjorde. Mens du prøver denne prosedyren, husk å holde den andre wafer så ren som mulig før du laster inn i MBE kammeret, spesielt når deponerer silisium nitril.

Research

JoVE Journal

Engineering

Research and Development of High-performance Explosives

Forskning og utvikling av høy ytelse Sprengstoff

Developmental testing of high explosives for military applications involves small-scale formulation, safety testing, and finally detonation performance ...

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Utskrift Fabrikasjon av Bulk hetero solceller og<em&gt; In Situ</em&gt; Morfologi Karakterisering

Polymer-based materials hold promise as low-cost, flexible efficient photovoltaic devices. Most laboratory efforts to achieve high performance devices ...

Digital Printing of Titanium Dioxide for Dye Sensitized Solar Cells

Digitaltrykk av Titanium Dioxide for Dye Overfølsomme Solar Cells

Silicon solar cell manufacturing is an expensive and high energy consuming process. In contrast, dye sensitized solar cell production is less ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Verifiserer C<sub&gt; 84</sub&gt; -embedded Si underlaget med Scanning Probe Mikroskopi og Molecular Dynamics

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

A High Performance Impedance-based Platform for Evaporation Rate Detection

En High Performance Impedans-basert plattform for Fordunstingstall Detection

This paper describes the method of a novel impedance-based platform for the detection of the evaporation rate. The model compound hyaluronic acid was ...

Morphology Control for Fully Printable Organic&#8211;Inorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Morphology Control for Fully Printable OrganicÃƒÆ’Ã‚Â¢ÃƒÂ¢Ã¢â‚¬Å¡Ã‚Â¬ÃƒÂ¢Ã¢â€šÂ¬Ã…â€œInorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Morfologi Control for Fully utskriftsvennlig Organisk-uorganisk Bulk-hetero solceller basert på en Ti-alkoksyd og halvledende polymer

The photoactive layer of a typical organic thin-film bulk-heterojunction (BHJ) solar cell commonly uses fullerene derivatives as the electron-accepting ...

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Monovalent Kasjon Doping av CH<sub&gt; 3</sub&gt; NH<sub&gt; 3</sub&gt; PBI<sub&gt; 3</sub&gt; For effektiv Perovskite solceller

Here, we demonstrate the incorporation of monovalent cation additives into CH3NH3PbI3 perovskite in order to adjust the optical, excitonic, and electrical ...

Electrospinning of Photocatalytic Electrodes for Dye-sensitized Solar Cells

Elektrospinning av fotokatalytiske elektroder for fargesensibiliserte solceller

This work demonstrates a protocol to fabricate a fiber-based photoanode for dye-sensitized solar cells, consisting of a light-scattering layer made of ...

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for CuIn,GaSe2 Solar Cells

In Situ Overvåking av akselerert ytelse degradering av solceller og moduler: en Case studie for Cu (i, Ga) Se2 solceller

The levelized cost of electricity (LCOE) of photovoltaic (PV) systems is determined by, among other factors, the PV module reliability. Better prediction ...

Detecting the Water-soluble Chloride Distribution of Cement Paste in a High-precision Way

Oppdage vannløselige klorid fordelingen av sement lim på høypresisjons måte

To improve the accuracy of the chloride distribution along the depth of cement paste under cyclic wet-dry conditions, a new method is proposed to obtain a ...