Silicon Wafer Cleaning and Phosphorus Diffusion into the Silicon Substrate
3:08
SiNx Coating by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), GaP Growth by Molecular Beam Epitaxy (MBE), and Wet Etching of Back n+ and SiNx Layers
6:01
Hole-Selective Contact Formation on the Bare Si Side and External Contact Formation on the GaP Side
8:17
Results: Characterization of the GaP/Si Heterojunction Devices
10:11
Conclusion
Transcript
Denne metoden kan fortelle, svare på viktige spørsmål i stratifisert silisium integrert solcelle fabrikasjon om hvordan å opprettholde en høy silisium bulk levetid under veksten. De viktigste fordelene med denne prosessen er at vi kan oppnå en lan
Sign in or start your free trial to access this content
Her presenterer vi en protokoll for å utvikle høy ytelse GaP/Si heterojunction solceller med høy Si mindretall-carrier levetid.