Silicon Wafer Cleaning and Phosphorus Diffusion into the Silicon Substrate
3:08
SiNx Coating by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), GaP Growth by Molecular Beam Epitaxy (MBE), and Wet Etching of Back n+ and SiNx Layers
6:01
Hole-Selective Contact Formation on the Bare Si Side and External Contact Formation on the GaP Side
8:17
Results: Characterization of the GaP/Si Heterojunction Devices
10:11
Conclusion
Transcript
Este método pode dizer, responder a perguntas-chave na fabricação de células solares integradas de silício estratificados sobre como manter uma alta vida útil do silício durante o crescimento. As principais vantagens desse processo são que podemos
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Aqui, apresentamos um protocolo para desenvolver alta performance GaP/Si heterojunction células solares com uma vida de minoria-portador de Si elevada.