Name: developing high performance gap/si heterojunction solar cells
Uploaded: 2018-11-16T15:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Авторы хотели бы поблагодарить L. Ding и M. Боккар за их вклад в области обработки и тестирования солнечных батарей в этом исследовании. Авторы признают, что финансирование от министерства энергетики США по контракту де-EE0006335 и инженерных исследований центр программы национального научного фонда и управление по обеспечению энергоэффективности и возобновляемых источников энергии Министерство энергетики под № NSF соглашение о сотрудничестве ЕЭС-1041895. Дахал СОМ на солнечной энергии лаборатории было поддержано, в частности, NSF контракт ECCS-1542160.

Предупреждение: Обратитесь все соответствующие паспорта безопасности материалов (MSDS) до рассмотрения химических веществ. Пожалуйста, используйте все практики безопасности при выполнении Изготовление солнечных батарей, включая зонта и средства индивидуальной защиты (очки, перчатки, ?...

<ol>
	<li>Friedman, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Progress+and+challenges+for+next-generation+high-efficiency+multijunction+solar+cells.">Progress and challenges for next-generation high-efficiency multijunction solar cells.</a> Current Opinion in Solid State &amp; Materials Science. 14, 131-138 (2010).</li><li>Vadiee, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=AlGaSb-Based+Solar+Cells+Grown+on+GaAs:+Structural+investigation+and+device+performance.">AlGaSb-Based Solar Cells Grown on GaAs: Structural investigation and device performance.</a> IEEE Journal of Photovoltaics. , (2017).</li><li>Wagner, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+numerical+simulation+study+of+gallium-phosphide/silicon+heterojunction+passivated+emitter+and+rear+solar+cells.">A numerical simulation study of gallium-phosphide/silicon heterojunction passivated emitter and rear solar cells.</a> Journal of Applied Physics. 115, 044508 (2014).</li><li>Limpert, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Results+from+coupled+optical+and+electrical+sentaurus+TCAD+models+of+a+gallium+phosphide+on+silicon+electron+carrier+selective+contact+solar+cell.">Results from coupled optical and electrical sentaurus TCAD models of a gallium phosphide on silicon electron carrier selective contact solar cell.</a> 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC). , 836-840 (2014).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=On+the+source+of+silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+growth+of+III-V+materials.">On the source of silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial growth of III-V materials.</a> 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). , 2048-2051 (2016).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+III-V+material+growth.">Silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial III-V material growth.</a> Energy Procedia. 92, 617-623 (2016).</li><li>Zhang, C., Kim, Y., Faleev, N. N., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improvement+of+GaP+crystal+quality+and+silicon+bulk+lifetime+in+GaP/Si+heteroepitaxy.">Improvement of GaP crystal quality and silicon bulk lifetime in GaP/Si heteroepitaxy.</a> Journal of Crystal Growth. 475, 83-87 (2017).</li><li>Garc&#237;a-Tabar&#233;s, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+silicon+bulk+lifetime+during+III-V-on-Si+multijunction+solar+cell+epitaxial+growth.">Evolution of silicon bulk lifetime during III-V-on-Si multijunction solar cell epitaxial growth.</a> Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 24, 634-644 (2016).</li><li>Varache, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+bulk+c-Si+properties+during+the+processing+of+GaP/c-Si+heterojunction+cell.">Evolution of bulk c-Si properties during the processing of GaP/c-Si heterojunction cell.</a> Energy Procedia. 77, 493-499 (2015).</li><li>Ishizaka, A., Shiraki, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low+temperature+surface+cleaning+of+silicon+and+its+application+to+silicon+MBE.">Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE.</a> Journal of The Electrochemical Society. 133, 666 (1986).</li><li>Zhang, C., Vadiee, E., King, R. R., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Carrier-selective+contact+GaP/Si+solar+cells+grown+by+molecular+beam+epitaxy.">Carrier-selective contact GaP/Si solar cells grown by molecular beam epitaxy.</a> Journal of Materials Research. 33, 414-423 (2018).</li><li>Battaglia, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hole+Selective+MoOx+Contact+for+Silicon+Solar+Cells.">Hole Selective MoOx Contact for Silicon Solar Cells.</a> Nano Letters. 14, 967-971 (2014).</li></ol>

Номинальный 25 Нм толстый слой разрыв epitaxially выращивается на поверхности Si P-богатые через MBE. Расти лучше качество разрыв слоя на Si субстратов, относительно низким V/III (P/Ga) соотношение является предпочтительным. Качество хорошее кристалла разрыв слоя необходимо для достижения высокой те...

Продолжающиеся усилия был на интеграции различных материалов с решетки несоответствия с целью повышения общей солнечной ячейки эффективности1,2. III-V/Si интеграции имеет потенциал для дальнейшего увеличения текущего Si солнечных фотоэлементов и заменить дорогие субстрата III-V (например, GaAs и Ge) Si субстрат для приложений многопереходных солнечных батарей. Среди всех III-V двоичные материальных систем Фосфид галлия (зазор) является хорошим кандидатом для этой цели, как это имеет наименьший решетки несоответствие (~ 0,4%) с Si и высокой косвенные bandgap. Эти возможности можно включить интеграцию высокого качества разрыва с Si субстрата. Было теоретически доказано, что разрыв/Si гетеропереход солнечных батарей может повысить эффективность обычных пассивированы излучателя задних Si солнечных батарей3,4 , пользующихся уникальной группы смещение между разрыв и Si (∆Ev ~1.05 eV и ∆Ec ~0.09 eV). Это делает разрыв перспективных электрона селективного контакт кремниевых солнечных элементов. Однако для достижения высокой производительности разрыв/Si гетеропереход солнечных батарей, требуются высокие Si сыпучих жизни и высокое качество интерфейс разрыв/Si.
Во время роста III-V материалов на подложке Si эпитаксия молекулярного луча (MBE) и металлоорганических паров этапе эпитаксия (MOVPE) значительное ухудшение жизни Si широко наблюдается5,6,7, 8 , 9. было установлено, что ухудшение жизни главным образом происходит во время термической обработки Si пластин в реакторах, который необходим для поверхности оксида десорбции и/или поверхности реконструкции до эпитаксиального роста10. Эта деградация был приписан к внешняя диффузии загрязнений, возникла из роста реакторов5,7. Для подавления этой деградации жизни Si были предложены несколько подходов. В нашей предыдущей работы мы продемонстрировали два метода, в которых могут быть значительно подавлены деградации жизни Si. Первый метод было продемонстрировано введение SiNx как диффузия барьер7 и второй, представляя P-диффузии слой как gettering агент11 Si субстрата.
В этой работе мы продемонстрировали высокопроизводительных разрыв/Si солнечных батарей на основе вышеупомянутых подходов к смягчению деградации жизни массовых кремния. Методы, используемые для сохранения жизни Si может иметь широкое применение в многопереходных солнечных батарей с активной Si нижней клетки и электронных устройств, таких как высокомобильных CMOS. В этом подробный протокол изготовления детали разрыв/Si гетеропереход солнечных батарей, включая Чистка пластин Si, P-диффузии в печи, разрыв роста и разрыв/Si солнечных батарей обработки, представлены.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Hydrogen peroxide, 30%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181019</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid, 96%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64103</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrochloric acid, 37%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64009</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Buffered Oxide Etch 10:1</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>62060</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrofluoric acid, 49%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181736</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetic acid</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10180830</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nitride acid, 69.5%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>200288</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

developing high performance gap/si heterojunction solar cells

Для повышения эффективности на основе Si солнечных батарей пределы их Шокли-Квайзер, оптимальный путь заключается в интеграции их с основанные на III-V солнечных батарей. В этой работе мы представляем высокопроизводительных разрыв/Si гетеропереход солнечных батарей с высоким жизни меньшинств перевозчик Si и качество высокое кристалл эпитаксиальных слоев разрыв. Показано, что путем применения фосфора (P)-диффузии слоев в подложке Si и SiNx слой, Si жизни меньшинств перевозчик может быть ухоженные во время роста разрыва в эпитаксия молекулярного луча (MBE). Контролируя условия роста, качество высокое кристалл разрыв был выращен на поверхности Si P-богатые люди. Качество фильма характеризуется атомно-силовой микроскопии и высоким разрешением дифракции рентгеновских лучей. Кроме того, муx был реализован как отверстие селективный контакт, что привело к значительному увеличению плотности тока короткого замыкания. Производительность достигается высокое устройство гетеропереход разрыв/Si солнечных батарей устанавливает путь для дальнейшего повышения производительности на основе Si фотоэлектрических устройств.

Атомно-силовой микроскопии (АСМ) изображения и высокого разрешения рентгеновской дифракции (XRD) сканирования, включая кривой качания вблизи (004) отражение и взаимные карта (RSM) вблизи (224) отражение, были собраны на разрыв/Si Структура (рис. 1). АСМ был исполь?...

Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells

Здесь мы представляем протокол для разработки высокопроизводительных разрыв/Si гетеропереход солнечных элементов с высоким жизни меньшинств перевозчик Si.

Разработка высокопроизводительных разрыв/Si гетеропереход солнечных батарей

To improve the efficiency of Si-based solar cells beyond their Shockley-Queisser limit, the optimal path is to integrate them with III-V-based solar ...

Этот метод может сказать, ответить на ключевые вопросы в стратифицированных кремния комплексного изготовления солнечных батарей о том, как поддерживать высокий срок службы кремния навалом во время роста. Основными преимуществами этого процесса являются то, что мы можем достичь длительного срока службы кремния навалом, даже после неоднородного роста галлия фосфида перевозчика селективного контакта на кремнии. Это позволяет нам получить доступ к полосе пробелы других III-V полупроводников.Это форма мультиъюнкционной солнечной батареи с кремниевой нижней клеткой. Для начала подготовьте раствор пираньи в полиэтиленовой кислотной нагревательной ванне высокой плотности, нагревая ее до 110 градусов по Цельсию, и ждите стабилизации температуры. В другой кислотной ванне приготовьте разбавленную соляную кислоту и раствор перекиси водорода для удаления ионной загрязнения, нагревая ее до 74 градусов по Цельсию и ожидая стабилизации температуры.Поместите четыре дюйма диаметром поплавок зоны конца типа двойной стороны полированной кремниевой пластины в чистой полипропилена четыре дюйма пластины кассеты. Замочите в растворе пираньи в течение 10 минут. Затем промыть в течение 10 минут с деионизированной водой, и положить их в чистую кассету.Замочите в растворе ионной очистки в течение 10 минут, а затем промойте их деионизированной водой в течение 10 минут. Затем замочите в буферном растворе оксида etch от 10 до одного фтора аммония к гидрофторной кислоте в течение трех минут при комнатной температуре, и промойте их деионизированной водой в течение 10 минут. Высушите чистые под потоком сухого азотного газа.Затем поместите чистую пластину в кварцевую лодку и загрузите ее в кварцевую трубчатую печь, нагретую до 800 градусов по Цельсию атмосферой протекающего азотного газа. Обмойт печь до 820 градусов по Цельсию в течение 20 минут. Затем переключитесь на газ-носитель на азот, пузырьковатый через фосфорный оксихлорид при 1000 SCCM.Через 15 минут остановите поток газа перевозчика и обмойте печь до 800 градусов по Цельсию. Снимите с печи и дайте ей остыть. Затем замочите его в свежем буферном растворе оксида в течение 10 минут, чтобы удалить фосфор силикатное стекло.Промыть пластину в деионизированной воде в течение 10 минут и высушить ее азотным газом. Незадолго до осаждения нитрида кремния, замочите пластину в буферном растворе оксида etch в течение одной минуты, чтобы удалить местные оксиды. Промыть его в деионизированной воде в течение 10 минут, и высушить его сухим азотным газом.Поместите пластину на чистый монокристаллический кремниевый носитель и загрузите его в прибор PECVD, оснащенный источниками силана и аммиака. Установите давление камеры до 3,5 торр и депозит 150 нанометров кремния нитрида на 3,9 нанометров в секунду, с 300 Вт энергии РФ. Затем загрузите пластину в инструмент MBE, оснащенный галлием, фосфором и клетками выпота кремния.Выходит пластина во вступительной камере при 180 градусах по Цельсию в течение трех часов. Затем перенесите пластину в буферную камеру и выготмив ее при 240 градусах по Цельсию в течение двух часов. Загрузите пластину в камеру роста и выпекайте ее при температуре 850 градусов по Цельсию в течение 10 минут.После этого охладим пластину до 580 градусов по Цельсию и подготовим выпотные клетки для генерации соответствующих потоков. Откройте галлий, фосфор и кремний содрогается, и расти 25 нанометров галлия фосфида с прерванным методом роста, а затем 121 секунд непрерывного роста. После этого охладите образец до 200 градусов по Цельсию и выгрузите его из прибора.Затем накройте поверхность галлия фосфид кислотоустойчивой противообледенительной лентой. Замочите примерно в 300 миллилитров 49%гидрофторной кислоты в течение пяти минут, чтобы удалить слой нитрида кремния. Снимите ленту, промойте деионизированной водой в течение 10 минут и высушите ее под потоком азотного газа.Затем накройте поверхность галлия фосфид свежей лентой для обледенения. В пластиковом стакане приготовьте 500 миллилитров смеси гидрофторной кислоты, азотной кислоты и уксусной кислоты. Аккуратно поместите пластину в раствор HNA и дайте ему впитаться при комнатной температуре в течение трех минут.Снимите ленту, промойте пластину деионизированной водой и высушите ее азотом. Используйте бриллиантовую ручку, чтобы нарезать подготовленную пластину на четыре четверти. Поместите кусочки в корзину, тщательно очистите их в баке с деионизированной водой и высушите азотным газом.Затем замочите кусочки в буферном растворе оксида в течение 30 секунд, и промыть и высушить их деионизированной водой и азотным газом. Далее, депозит 50 нанометров аморфного кремния на одном образце, и проверить срок службы кремния. Затем, депозит девять нанометров внутренней аморфного кремния, и 16 нанометров р-типа аморфного кремния, с допантом бора, на голой силиконовой стороне второго образца.На третьем образце используйте тепловое испарение для отложения девяти нанометров оксида молибдена на голой силиконовой стороне со скоростью 0,5 ангстрема в секунду, при комнатной температуре, из источника триоксида молибдена. Далее поместите аморфный кремний и образцы оксида молибдена в прибор для распыления RF, с стороной галлия фосфида лицом вверх. Депозит 75 нанометров оксида индия 10, с скоростью потока кислорода 2,2 SCCM.Затем выгрузите образцы и переверните их. Поместите маску тени мезы на каждый образец. Загрузите их обратно в прибор и ввемите еще 75 нанометров ITO.Разгрузите образцы, обменяте маску на маску тени пальца и ввемите 200 нанометров серебра на Месу ITO на один киловатт и восемь торр. Переверните образцы и депонировать еще 200 нанометров серебра на стороне фосфида ИТО галлия, как задний контакт. Наконец, anneal образцы в печи при 220 градусов по Цельсию и атмосферного давления.Микроскопия атомной силы показала, что слой фосфида галлия имеет корневую средней квадратной шероховатости около 0,52 нанометров, что свидетельствует о высоком качестве кристалла с низкой плотностью вывиха резьбы. Pendellosung бахромой наблюдается из двойного кристалла омега-2 theta качания кривой на кремния и галлия фосфида 004 отражения были совместимы с гладкими интерфейсами. Взаимная космическая карта из 224 пятен дефракции показывает когерентный галлийный фосфид и кремниевые пики, что указывает на то, что фосфид галлия полностью процежен до кремниевого субстрата с хорошим кристаллическим качеством.Формирование N плюс слой фосфора диффузии перед добавлением галлия фосфида слой поддерживается кремния навалом жизни до миллисекундных уровней. Срок службы галлиевого фосфида кремния составил около 100 микросекунд. Устройства были построены с использованием либо слоя аморфного кремния, либо слоя оксида молибдена.Внутренняя квантовая эффективность устройства оксида молибдена оставалась высокой на более низких длинах волн, чем аморфное кремниевое устройство, но она также имела более высокую отражательное отражение на более низких длинах волн. Перспективные солнечные батареи производительность наблюдалась для обоих устройств. Аморфные кремниевые и молибденовые оксидные устройства имели сопоставимую эффективность, напряжение открытой цепи и факторы заполнения.В целом, слой оксида молибдена выполняется лучше в целом селективный контакт, чем аморфный слой кремния сделал. При попытке этой процедуры, не забудьте сохранить вторую пластину как можно более чистым перед загрузкой в камеру MBE, особенно при депонировании кремния нитрид.

Research

JoVE Journal

Engineering

Research and Development of High-performance Explosives

Исследование и разработка взрывчатых веществ с высокими эксплуатационными характеристиками

Developmental testing of high explosives for military applications involves small-scale formulation, safety testing, and finally detonation performance ...

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Печать Изготовление Bulk гетероперехода солнечных элементов и<em&gt; В Ситу</em&gt; Морфология характеристика

Polymer-based materials hold promise as low-cost, flexible efficient photovoltaic devices. Most laboratory efforts to achieve high performance devices ...

Digital Printing of Titanium Dioxide for Dye Sensitized Solar Cells

Цифровая печать диоксида титана для ячейка гретцеля

Silicon solar cell manufacturing is an expensive and high energy consuming process. In contrast, dye sensitized solar cell production is less ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Зондирование C<sub&gt; 84</sub&gt; -вложено Si подложки с помощью сканирующей зондовой микроскопии и молекулярной динамики

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

A High Performance Impedance-based Platform for Evaporation Rate Detection

Высокая производительность импеданса на основе платформы для испарения определение скорости

This paper describes the method of a novel impedance-based platform for the detection of the evaporation rate. The model compound hyaluronic acid was ...

Morphology Control for Fully Printable Organic&#8211;Inorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Morphology Control for Fully Printable OrganicÃƒÆ’Ã‚Â¢ÃƒÂ¢Ã¢â‚¬Å¡Ã‚Â¬ÃƒÂ¢Ã¢â€šÂ¬Ã…â€œInorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Контроль за Морфология Полностью Printable органо-неорганические Bulk-гетеропереходной солнечных батарей На основе Ti-алкогол и полупроводникового полимера

The photoactive layer of a typical organic thin-film bulk-heterojunction (BHJ) solar cell commonly uses fullerene derivatives as the electron-accepting ...

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Одновалентного катиона легирование CH<sub&gt; 3</sub&gt; NH<sub&gt; 3</sub&gt; PbI<sub&gt; 3</sub&gt; Для эффективного перовскита солнечных батарей

Here, we demonstrate the incorporation of monovalent cation additives into CH3NH3PbI3 perovskite in order to adjust the optical, excitonic, and electrical ...

Electrospinning of Photocatalytic Electrodes for Dye-sensitized Solar Cells

Электропереработка фотокаталитических электродов для сенсибилизированных красителем солнечных элементов

This work demonstrates a protocol to fabricate a fiber-based photoanode for dye-sensitized solar cells, consisting of a light-scattering layer made of ...

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for CuIn,GaSe2 Solar Cells

На месте Мониторинг производительности ускоренной деградации солнечных элементов и модулей: тематическое исследование для Cu (In, Ga) Se2 солнечных батарей

The levelized cost of electricity (LCOE) of photovoltaic (PV) systems is determined by, among other factors, the PV module reliability. Better prediction ...

Detecting the Water-soluble Chloride Distribution of Cement Paste in a High-precision Way

Обнаружение водорастворимый хлорид распределение цементной пасты в виде высокой точности

To improve the accuracy of the chloride distribution along the depth of cement paste under cyclic wet-dry conditions, a new method is proposed to obtain a ...