Silicon Wafer Cleaning and Phosphorus Diffusion into the Silicon Substrate
3:08
SiNx Coating by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), GaP Growth by Molecular Beam Epitaxy (MBE), and Wet Etching of Back n+ and SiNx Layers
6:01
Hole-Selective Contact Formation on the Bare Si Side and External Contact Formation on the GaP Side
8:17
Results: Characterization of the GaP/Si Heterojunction Devices
10:11
Conclusion
Transcript
Este método puede decir, responder preguntas clave en la fabricación de células solares integradas de silicio estratificado sobre cómo mantener una vida útil a granel de silicio alto durante el crecimiento. Las principales ventajas de este proceso
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Aquí, presentamos un protocolo para desarrollar alto rendimiento GaP/Si células solares de heterounión con alta Si minoría portador toda la vida.