Name: developing high performance gap/si heterojunction solar cells
Uploaded: 2018-11-16T15:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Los autores desean agradecer a L. Ding y Boccard M. por sus contribuciones en el procesamiento y análisis de las células solares en este estudio. Los autores reconocen que la financiación del Departamento de energía estadounidense bajo contrato DE EE0006335 y el programa de centro de investigación ingeniería de la National Science Foundation y la oficina de eficiencia energética y energía renovable del Departamento de energía bajo NSF acuerdo cooperativo no. CEE-1041895. Dahal de SOM en el laboratorio de energía Solar fue apoyada, en parte, por contrato de NSF ECCS-1542160.

PRECAUCIÓN: Por favor consulte todas hojas de datos de seguridad material (MSDS) antes de tratar con productos químicos. Utilice todas las prácticas de seguridad apropiadas cuando se realiza una fabricación de células solares como la campana y equipo de protección personal (gafas, guantes, bata, pantalones largos, zapatos cerrados).
1. Si oblea limpieza
<ol><li>Limpiar las obleas de Si en la solución de piraña (H2O2/h2SO4) a 110 ° C.<ol>
<...

<ol>
	<li>Friedman, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Progress+and+challenges+for+next-generation+high-efficiency+multijunction+solar+cells.">Progress and challenges for next-generation high-efficiency multijunction solar cells.</a> Current Opinion in Solid State &amp; Materials Science. 14, 131-138 (2010).</li><li>Vadiee, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=AlGaSb-Based+Solar+Cells+Grown+on+GaAs:+Structural+investigation+and+device+performance.">AlGaSb-Based Solar Cells Grown on GaAs: Structural investigation and device performance.</a> IEEE Journal of Photovoltaics. , (2017).</li><li>Wagner, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+numerical+simulation+study+of+gallium-phosphide/silicon+heterojunction+passivated+emitter+and+rear+solar+cells.">A numerical simulation study of gallium-phosphide/silicon heterojunction passivated emitter and rear solar cells.</a> Journal of Applied Physics. 115, 044508 (2014).</li><li>Limpert, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Results+from+coupled+optical+and+electrical+sentaurus+TCAD+models+of+a+gallium+phosphide+on+silicon+electron+carrier+selective+contact+solar+cell.">Results from coupled optical and electrical sentaurus TCAD models of a gallium phosphide on silicon electron carrier selective contact solar cell.</a> 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC). , 836-840 (2014).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=On+the+source+of+silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+growth+of+III-V+materials.">On the source of silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial growth of III-V materials.</a> 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). , 2048-2051 (2016).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+III-V+material+growth.">Silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial III-V material growth.</a> Energy Procedia. 92, 617-623 (2016).</li><li>Zhang, C., Kim, Y., Faleev, N. N., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improvement+of+GaP+crystal+quality+and+silicon+bulk+lifetime+in+GaP/Si+heteroepitaxy.">Improvement of GaP crystal quality and silicon bulk lifetime in GaP/Si heteroepitaxy.</a> Journal of Crystal Growth. 475, 83-87 (2017).</li><li>Garc&#237;a-Tabar&#233;s, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+silicon+bulk+lifetime+during+III-V-on-Si+multijunction+solar+cell+epitaxial+growth.">Evolution of silicon bulk lifetime during III-V-on-Si multijunction solar cell epitaxial growth.</a> Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 24, 634-644 (2016).</li><li>Varache, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+bulk+c-Si+properties+during+the+processing+of+GaP/c-Si+heterojunction+cell.">Evolution of bulk c-Si properties during the processing of GaP/c-Si heterojunction cell.</a> Energy Procedia. 77, 493-499 (2015).</li><li>Ishizaka, A., Shiraki, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low+temperature+surface+cleaning+of+silicon+and+its+application+to+silicon+MBE.">Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE.</a> Journal of The Electrochemical Society. 133, 666 (1986).</li><li>Zhang, C., Vadiee, E., King, R. R., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Carrier-selective+contact+GaP/Si+solar+cells+grown+by+molecular+beam+epitaxy.">Carrier-selective contact GaP/Si solar cells grown by molecular beam epitaxy.</a> Journal of Materials Research. 33, 414-423 (2018).</li><li>Battaglia, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hole+Selective+MoOx+Contact+for+Silicon+Solar+Cells.">Hole Selective MoOx Contact for Silicon Solar Cells.</a> Nano Letters. 14, 967-971 (2014).</li></ol>

Una capa de separación nominal de 25 nm de espesor epigenéticamente se cultiva en una superficie Si P-rico través de MBE. Para cultivar una mejor calidad de capa de brecha sobre sustratos de Si, un V/III relativamente baja ratio (P/Ga) es preferible. Una calidad de cristal de la capa de vacío es necesaria para lograr la alta conductividad y baja densidad de centros de recombinación. La AFM media cuadrática (RMS) de la superficie de separación es ~0.52 nm mostrando una superficie lisa con sin hoyos, indicativa de c...

Ha habido un esfuerzo continuo en la integración de diferentes materiales con desajustes del enrejado con el fin de mejorar la total eficiencia de células solares1,2. La integración de III-V/Si tiene el potencial para aumentar la eficiencia de células solares de Si actual y reemplazar los sustratos caros de III-V (como el GaAs y el Ge) con un sustrato de Si para aplicaciones de células solares multiunión. Entre todos sistemas material binario de III-V, fosfuro de galio (GaP) es un buen candidato para este propósito, como lo ha hecho el menor desajuste de enrejado (~ 0.4%) y Si un bandgap indirecto alto. Estas características permiten alta calidad integración de brecha con un sustrato de Si. Se ha demostrado teóricamente que GaP/Si células solares de heterounión podría mejorar la eficacia del emisor apaciguado convencional posterior Si células solares3,4 por beneficiarse del único banda-desplazamiento entre GaP y Si (∆Ev ~1.05 eV y ∆Ec ~0.09 eV). Esto hace diferencia un prometedor contacto selectivo electrón para células solares de silicio. Sin embargo, para lograr células solares de alto rendimiento brecha/Si heterounión, una alta brecha/Si interfaz calidad y alto curso de la vida a granel Si se requieren.
Durante el crecimiento de materiales III-V en un substrato de Si por epitaxia de haces moleculares (MBE) y epitaxy de la fase de vapor de metalorganic (MOVPE), degradación significativa de toda la vida Si se ha observado ampliamente5,6,7, 8 , 9. se reveló que la degradación de la vida ocurre principalmente durante el tratamiento térmico de las obleas de Si en los reactores, que se requiere para la reconstrucción de desorción o superficie de óxido superficial antes del crecimiento epitaxial10. Esta degradación fue atribuida a la difusión extrínseca de contaminantes originados de los reactores de crecimiento5,7. Se han propuesto varios enfoques para suprimir esta degradación de toda la vida Si. En nuestro trabajo anterior, hemos demostrado dos métodos en que la degradación de toda la vida Si puede ser suprimida significativamente. El primer método fue demostrado por la introducción del pecadox como una barrera de difusión7 y la segunda mediante la introducción de la capa de difusión de P como un agente de seguir11 al sustrato Si.
En este trabajo, hemos demostrado alto rendimiento brecha/Si células solares basadas en los enfoques mencionados para mitigar la degradación de toda la vida de silicio a granel. Las técnicas utilizadas para preservar la vida Si pueden tener amplias aplicaciones en las células solares multiunión con células activas de fondo Si y dispositivos electrónicos como el CMOS de alta movilidad. En este protocolo detallado, se presentan los detalles de fabricación de GaP/Si heterojunction células solares, incluyendo la limpieza de obleas de Si, P-difusión en el horno, crecimiento de la brecha y las células solares de la brecha/Si proceso.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Hydrogen peroxide, 30%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181019</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid, 96%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64103</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrochloric acid, 37%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64009</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Buffered Oxide Etch 10:1</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>62060</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrofluoric acid, 49%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181736</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetic acid</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10180830</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nitride acid, 69.5%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>200288</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

developing high performance gap/si heterojunction solar cells

Para mejorar la eficiencia de células solares basadas en Si más allá de su límite Shockley-Queisser, la ruta óptima es integrarlas con las células solares basadas en III-V. En este trabajo, presentamos células solares de alto rendimiento brecha/Si heterojunction con una alta vida útil del portador de la minoría de Si y cristal alta calidad de capas epitaxiales de GaP. Se muestra que mediante la aplicación de fósforo (P)-capas de difusión en el sustrato Si y una capa dex de pecado, la vida del portador de la minoría Si puede ser bien mantenida durante el crecimiento de la brecha en el epitaxy de viga molecular (MBE). Controlando las condiciones de crecimiento, la calidad de cristal alto de boquete se cultivaba en la superficie P-rico Si. La calidad de la película se caracteriza por microscopía de fuerza atómica y difracción de rayos x de alta resolución. Además, MoOx se implementó como un contacto selectivo de agujero que llevó a un aumento significativo en la densidad de corriente de cortocircuito. El rendimiento alcanzado alta de las células de solares de heterounión GaP/Si establece una ruta para mejorar aún más el rendimiento de dispositivos fotovoltaicos basados en Si.

Imágenes de fuerza atómica (AFM) la microscopia y las exploraciones de alta resolución difracción de rayos x (DRX), incluyendo la curva oscilante de la reflexión (004) y el mapa del espacio recíproco (RSM) en las cercanías de reflexión (224), fueron recogidas por el boquete/Si estructura (figura 1). El AFM fue utilizada para caracterizar la morfología superficial de la brecha crecido de MBE y XRD fue utilizado para examinar la calidad cristalina de l...

Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells

Aquí, presentamos un protocolo para desarrollar alto rendimiento GaP/Si células solares de heterounión con alta Si minoría portador toda la vida.

Desarrollo de células solares de alto rendimiento brecha/Si Heterojunction

To improve the efficiency of Si-based solar cells beyond their Shockley-Queisser limit, the optimal path is to integrate them with III-V-based solar ...

Este método puede decir, responder preguntas clave en la fabricación de células solares integradas de silicio estratificado sobre cómo mantener una vida útil a granel de silicio alto durante el crecimiento. Las principales ventajas de este proceso son que podemos lograr una larga vida útil a granel de silicio, incluso después del crecimiento heterovalente del contacto selectivo del portador de fosfuro de galio en el silicio. Esto nos permite acceder a las brechas de banda de otros semiconductores III-V.Es una forma de célula solar multijunción con una célula inferior de silicio. Para empezar, preparar una solución de piraña en un baño de calefacción de ácido de polietileno de alta densidad, calentarlo a 110 grados Celsius, y esperar a que la temperatura se estabilice. En otro baño ácido, preparar una solución diluida de ácido clorhídrico y peróxido de hidrógeno para eliminar la contaminación iónica, calentarlo a 74 grados Centígrados y esperar a que la temperatura se estabilice.Coloque obleas de silicio pulidas de doble cara tipo extremo de zona de flotador de cuatro pulgadas de diámetro en un casete de oblea de cuatro pulgadas de polipropileno limpio. Sumerja las obleas en solución de pirañas durante 10 minutos. Luego, enjuague las obleas durante 10 minutos con agua desionizada, y colóquelas en un casete limpio.Remoje las obleas en la solución de limpieza iónica durante 10 minutos y luego enjuáguelas con agua desionizada durante 10 minutos. A continuación, remoje las obleas en una solución de óxido tamponado de 10 a un fluoruro de amonio al ácido fluorh durante tres minutos a temperatura ambiente, y enjuáguelas con agua desionizada durante 10 minutos. Seque las obleas limpias bajo una corriente de gas nitrógeno seco.A continuación, coloque una oblea limpia en un bote de cuarzo y cárguelo en un horno de tubo de cuarzo, calentado a 800 grados Celsius con una atmósfera de gas nitrógeno que fluye. Rampa el horno a 820 grados Celsius en el transcurso de 20 minutos. A continuación, cambie el gas portador a nitrógeno burbujado a través de oxicloruro de fósforo a 1.000 SCCM.Después de 15 minutos, detenga el flujo de gas portador y en aumento del horno hasta 800 grados Celsius. Retire la oblea del horno y déjela enfriar. A continuación, remoje en una solución de color grabado de óxido tamponado fresco durante 10 minutos para eliminar el vidrio de silicato de fósforo.Enjuague la oblea en agua desionizada durante 10 minutos y séquela con gas nitrógeno. Justo antes de la deposición del nitruro de silicio, remoje la oblea en una solución de color etch de óxido tamponado durante un minuto para eliminar los óxidos nativos. Enjuáguelo en agua desionizada durante 10 minutos y séquelo con gas nitrógeno seco.Coloque la oblea en un portador de silicio monocristalino limpio y cárguelo en un instrumento PECVD, equipado con fuentes de silano y amoníaco. Ajuste la presión de la cámara a 3,5 torrs y deposite 150 nanómetros de nitruro de silicio a 3,9 nanómetros por segundo, con 300 vatios de potencia de RF. A continuación, cargue la oblea en un instrumento MBE, equipado con células de derrame de galio, fósforo y silicio.Supera la oblea en la cámara introductoria a 180 grados Celsius durante tres horas. Luego, transfiera la oblea a la cámara de amortiguación, y la gaste a 240 grados Celsius durante dos horas. Cargue la oblea en la cámara de crecimiento y hornéquela a 850 grados Celsius durante 10 minutos.Después de eso, enfríe la oblea a 580 grados Celsius, y prepara las células de derrame para generar los flujos apropiados. Abra los estremecedores de galio, fósforo y silicio, y crezca 25 nanómetros de fosfuro de galio con un método de crecimiento interrumpido, seguido de 121 segundos de crecimiento ininterrumpido. Después, enfríe la muestra a 200 grados Centígrados y descártela del instrumento.A continuación, cubra la superficie de fosfuro de galio con una cinta de dicing resistente a los ácidos. Sumerja la oblea en unos 300 mililitros de ácido fluorhídrico al 49% durante cinco minutos para eliminar la capa de nitruro de silicio. Retire la cinta, enjuague la oblea con agua desionizada durante 10 minutos y séquela bajo una corriente de gas nitrógeno.A continuación, cubra la superficie de fosfuro de galio con cinta adhesiva fresca. En un vaso de precipitados de plástico, preparar 500 mililitros de una mezcla de ácido fluorhídrico, ácido nítrico y ácido acético. Coloque cuidadosamente la oblea en la solución de HNA y déjela empapar a temperatura ambiente durante tres minutos.Retire la cinta, enjuague la oblea con agua desionizada y séquela con nitrógeno. Use una pluma de diamante para cortar la oblea preparada en cuatro cuartos. Coloque las piezas en una cesta, límpielos a fondo en un tanque de agua desionizada y séquelos con gas nitrógeno.A continuación, remoje las piezas en una solución de óxido tamponado etch durante 30 segundos, y enjuáguelas y séquelas con agua desionizada y gas nitrógeno. A continuación, deposite 50 nanómetros de silicio amorfo en una muestra y compruebe la vida útil del silicio. Luego, deposite nueve nanómetros de un silicio amorfo intrínseco, y 16 nanómetros de un silicio amorfo tipo p, con un dopant de boro, en el lado de silicio desnudo de una segunda muestra.En una tercera muestra, utilice la evaporación térmica para depositar nueve nanómetros de óxido de molibdeno en el lado del silicio desnudo a 0,5 angstroms por segundo, a temperatura ambiente, de una fuente de trióxido de molibdeno. A continuación, coloque las muestras de silicio amorfo y recubierto de óxido de molibdeno en un instrumento de pulverización de RF, con el lado de fosfuro de galio hacia arriba. Deposite 75 nanómetros de óxido de indio 10, con un caudal de oxígeno de 2,2 SCCM.A continuación, descargue las muestras y dé la vuelta. Coloque una máscara de sombra de mesa en cada muestra. Cárguelos de nuevo en el instrumento y deposite otros 75 nanómetros de ITO.Descargue las muestras, cambie la máscara por una máscara de sombra de dedo y deposite 200 nanómetros de plata en la mesa ITO a un kilovatio y ocho torr. Entregue las muestras y deposite otros 200 nanómetros de plata en el lado del fosfuro de galio ITO, como el contacto posterior. Por último, recose las muestras en un horno a 220 grados centígrados y presión atmosférica.La microscopía de fuerza atómica mostró que la capa de fosfuro de galio tenía una rugosidad cuadrada media de la raíz de aproximadamente 0,52 nanómetros, lo que indica una alta calidad de cristal con una baja densidad de dislocación de roscado. Los flecos Pendellosung observados a partir de la curva de balanceo de doble cristal omega dos theta en los reflejos de silicio y fosfuro de galio 004 eran consistentes con interfaces suaves. El mapa espacial recíproco de 224 puntos de defracción muestra picos coherentes de fosfuro de galio y silicio, lo que indica que el fosfuro de galio está completamente tensado al sustrato de silicio con buena calidad cristalina.La formación de una capa N más por difusión de fósforo antes de agregar la capa de fosfuro de galio mantuvo la vida útil a granel de silicio a niveles de hasta milisegundos. La vida útil del silicio de fosfuro de galio fue de unos 100 microsegundos. Los dispositivos fueron construidos usando una capa de silicio amorfo, o una capa de óxido de molibdeno.La eficiencia cuántica interna del dispositivo de óxido de molibdeno se mantuvo alta en longitudes de onda más bajas que un dispositivo de silicio amorfo, pero también tenía una mayor reflectancia en longitudes de onda más bajas. Se observó un rendimiento prometedor de las células solares para ambos dispositivos. Los dispositivos de silicio amorfo y óxido de molibdeno tenían eficiencias comparables, voltajes de circuito abierto y factores de llenado.En general, la capa de óxido de molibdeno tuvo un mejor desempeño como contacto selectivo en su conjunto que la capa de silicio amorfo. Al intentar este procedimiento, recuerde mantener la segunda oblea lo más limpia posible antes de cargarla en la cámara MBE, especialmente al depositar nitruro de silicio.

Research

JoVE Journal

Engineering

Research and Development of High-performance Explosives

Investigación y Desarrollo de explosivos de alto rendimiento

Developmental testing of high explosives for military applications involves small-scale formulation, safety testing, and finally detonation performance ...

Investigación

Ingeniería

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

La fabricación de la impresión a granel heterounión células solares y<em&gt; In Situ</em&gt; Morfología Caracterización

Polymer-based materials hold promise as low-cost, flexible efficient photovoltaic devices. Most laboratory efforts to achieve high performance devices ...

Digital Printing of Titanium Dioxide for Dye Sensitized Solar Cells

Impresión digital de dióxido de titanio para células solares sensibilizadas Tinte

Silicon solar cell manufacturing is an expensive and high energy consuming process. In contrast, dye sensitized solar cell production is less ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Sondeo de C<sub&gt; 84</sub&gt; -embedded Si Sustrato Uso del análisis de microscopio de sonda y Dinámica Molecular

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

A High Performance Impedance-based Platform for Evaporation Rate Detection

Una plataforma basada en la impedancia de alto rendimiento para la Tasa de detección de evaporación

This paper describes the method of a novel impedance-based platform for the detection of the evaporation rate. The model compound hyaluronic acid was ...

Morphology Control for Fully Printable Organic&#8211;Inorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Morphology Control for Fully Printable OrganicÃƒÆ’Ã‚Â¢ÃƒÂ¢Ã¢â‚¬Å¡Ã‚Â¬ÃƒÂ¢Ã¢â€šÂ¬Ã…â€œInorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Control de la morfología de las células solares a granel-heterounión orgánica-inorgánica completamente para imprimir Sobre la base de un Ti-alcóxido y semiconductores de polímero

The photoactive layer of a typical organic thin-film bulk-heterojunction (BHJ) solar cell commonly uses fullerene derivatives as the electron-accepting ...

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Dopaje de cationes monovalentes de CH<sub&gt; 3</sub&gt; NH<sub&gt; 3</sub&gt; PBI<sub&gt; 3</sub&gt; Para células solares eficientes perovskita

Here, we demonstrate the incorporation of monovalent cation additives into CH3NH3PbI3 perovskite in order to adjust the optical, excitonic, and electrical ...

Electrospinning of Photocatalytic Electrodes for Dye-sensitized Solar Cells

Electrospinning de electrodos fotocatalíticos para células solares sensibilizadas por tinte

This work demonstrates a protocol to fabricate a fiber-based photoanode for dye-sensitized solar cells, consisting of a light-scattering layer made of ...

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for CuIn,GaSe2 Solar Cells

In Situ Monitoreo de la degradación de rendimiento acelerado de células solares y módulos: un estudio de caso para celdas solares de Cu (In, Ga) Se2

The levelized cost of electricity (LCOE) of photovoltaic (PV) systems is determined by, among other factors, the PV module reliability. Better prediction ...

Detecting the Water-soluble Chloride Distribution of Cement Paste in a High-precision Way

Detección de la distribución de cloruro soluble en agua de la pasta de cemento en forma de alta precisión

To improve the accuracy of the chloride distribution along the depth of cement paste under cyclic wet-dry conditions, a new method is proposed to obtain a ...