Name: developing high performance gap/si heterojunction solar cells
Uploaded: 2018-11-16T15:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Författarna vill tacka L. Ding och M. Boccard för deras bidrag i bearbetning och provning av Solcellerna i denna studie. Författarna erkänner finansiering från US Department of Energy under kontrakt DE-EE0006335 och programmet Engineering Research Center National Science Foundation och den kontor av energieffektivitet och förnybar energi av Department of Energy enligt NSF samarbetsavtal No. EEG-1041895. Som Dahal på Solar Power Lab stöddes, delvis av NSF kontrakt ECCS-1542160.

Varning: Läs alla relevanta säkerhetsdatablad (MSDS) innan det arbetar med kemikalier. Använd alla lämpliga säkerhetsrutiner när du utför en solcell tillverkning inklusive spiskåpa och personlig skyddsutrustning (skyddsglasögon, handskar, labbrock, hellånga byxor, stängd tå skor).
1. Si Wafer rengöring
<ol><li>Rengöra Si wafers i Piranha lösning (H2O2h2SO4) på 110 ° C.<ol>
<li>För att producera Piranha lösning, fyll den syra bad ...

<ol>
	<li>Friedman, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Progress+and+challenges+for+next-generation+high-efficiency+multijunction+solar+cells.">Progress and challenges for next-generation high-efficiency multijunction solar cells.</a> Current Opinion in Solid State &amp; Materials Science. 14, 131-138 (2010).</li><li>Vadiee, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=AlGaSb-Based+Solar+Cells+Grown+on+GaAs:+Structural+investigation+and+device+performance.">AlGaSb-Based Solar Cells Grown on GaAs: Structural investigation and device performance.</a> IEEE Journal of Photovoltaics. , (2017).</li><li>Wagner, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+numerical+simulation+study+of+gallium-phosphide/silicon+heterojunction+passivated+emitter+and+rear+solar+cells.">A numerical simulation study of gallium-phosphide/silicon heterojunction passivated emitter and rear solar cells.</a> Journal of Applied Physics. 115, 044508 (2014).</li><li>Limpert, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Results+from+coupled+optical+and+electrical+sentaurus+TCAD+models+of+a+gallium+phosphide+on+silicon+electron+carrier+selective+contact+solar+cell.">Results from coupled optical and electrical sentaurus TCAD models of a gallium phosphide on silicon electron carrier selective contact solar cell.</a> 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC). , 836-840 (2014).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=On+the+source+of+silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+growth+of+III-V+materials.">On the source of silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial growth of III-V materials.</a> 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). , 2048-2051 (2016).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+III-V+material+growth.">Silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial III-V material growth.</a> Energy Procedia. 92, 617-623 (2016).</li><li>Zhang, C., Kim, Y., Faleev, N. N., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improvement+of+GaP+crystal+quality+and+silicon+bulk+lifetime+in+GaP/Si+heteroepitaxy.">Improvement of GaP crystal quality and silicon bulk lifetime in GaP/Si heteroepitaxy.</a> Journal of Crystal Growth. 475, 83-87 (2017).</li><li>Garc&#237;a-Tabar&#233;s, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+silicon+bulk+lifetime+during+III-V-on-Si+multijunction+solar+cell+epitaxial+growth.">Evolution of silicon bulk lifetime during III-V-on-Si multijunction solar cell epitaxial growth.</a> Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 24, 634-644 (2016).</li><li>Varache, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+bulk+c-Si+properties+during+the+processing+of+GaP/c-Si+heterojunction+cell.">Evolution of bulk c-Si properties during the processing of GaP/c-Si heterojunction cell.</a> Energy Procedia. 77, 493-499 (2015).</li><li>Ishizaka, A., Shiraki, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low+temperature+surface+cleaning+of+silicon+and+its+application+to+silicon+MBE.">Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE.</a> Journal of The Electrochemical Society. 133, 666 (1986).</li><li>Zhang, C., Vadiee, E., King, R. R., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Carrier-selective+contact+GaP/Si+solar+cells+grown+by+molecular+beam+epitaxy.">Carrier-selective contact GaP/Si solar cells grown by molecular beam epitaxy.</a> Journal of Materials Research. 33, 414-423 (2018).</li><li>Battaglia, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hole+Selective+MoOx+Contact+for+Silicon+Solar+Cells.">Hole Selective MoOx Contact for Silicon Solar Cells.</a> Nano Letters. 14, 967-971 (2014).</li></ol>

Ett nominellt 25 nm tjock lucka lager odlades epitaxially på en P-rika Si yta via MBE. För att växa en bättre kvalitet på GaP lager på Si substrat, en relativt låg V/III är (P/Ga) förhållandet att föredra. En bra kristall kvalitet av GaP skikt är nödvändigt för att uppnå hög ledningsförmåga och låg densitet av rekombination centra. Den AFM root-mean-square (RMS) GaP yta är ~0.52 nm visar en slät yta med inga gropar, vägledande av hög crystal kvalitet med en låg trädande dislokation densitet (<st...

Det har funnits fortsatta ansträngningar på integration av olika material med galler missmatchningar för att förbättra övergripande solcell effektivitet1,2. III-V/Si integrationen har potential att ytterligare öka den nuvarande Si solcell effektiviteten och ersätta de dyra III-V substratesna (såsom GaAs och Ge) med ett Si substrat för multijunction solcell applikationer. Bland alla III-V binära materialsystem är gallium indiumfosid (GaP) en bra kandidat för detta ändamål, eftersom det har den minsta galler-mismatch (~ 0,4%) med Si och en hög indirekta bandgap. Dessa funktioner kan aktivera hög integration av GaP med Si substrat. Det teoretiskt har visats att GaP/Si halvledarkontakt solceller skulle kunna öka effektiviteten i konventionella passiverad emitter bakre Si solceller3,4 av nytta av den unika band-offset mellan GaP och Si (∆Ev ~1.05 eV och ∆Ec ~0.09 eV). Detta gör GaP en lovande elektron selektiv kontakt för kiselsolceller. För att uppnå hög prestanda GaP/Si halvledarkontakt solceller, krävs en hög Si bulk livstid och högkvalitativa GaP/Si gränssnitt dock.
Under tillväxten av III-V material på ett Si substrat av molekylärt stråla epitaxyen (MBE) och metalorganic dunsten arrangerar gradvis epitaxy (MOVPE), har betydande Si livstid försämring ofta observerats5,6,7, 8 , 9. det avslöjades att livstid nedbrytning främst händer under värmebehandling av de Si Oblaten i reaktorer, vilket krävs för ytan oxid desorption och/eller yta återuppbyggnad innan de epitaxiell tillväxt10. Denna nedbrytning var tillskrivs extrinsic spridningen av föroreningar som härstammar från den tillväxt reaktorer5,7. Flera metoder har föreslagits för att undertrycka denna Si livstid nedbrytning. I vårt tidigare arbete, har vi visat två metoder där Si livstid nedbrytningen kan dämpas avsevärt. Den första metoden demonstrerades genom införandet av syndx som en diffusion barriär7 och den andra genom att införa P-diffusionsskiktet som en gettering agent11 till Si substratet.
I detta arbete, har vi visat högpresterande GaP/Si solceller baserat på de ovannämnda metoderna att minska kisel bulk livstid nedbrytning. De tekniker som används för att bevara Si livstid kan ha breda program i multijunction solceller med aktiva Si nedre celler och elektroniska enheter såsom hög rörlighet CMOS. I denna detaljerade protokoll presenteras GaP/Si halvledarkontakt solceller, inklusive Si wafer rengöring, P-diffusion i ugnen, GaP tillväxt och GaP/Si solceller bearbetning, tillverkning Detaljer.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Hydrogen peroxide, 30%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181019</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid, 96%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64103</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrochloric acid, 37%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64009</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Buffered Oxide Etch 10:1</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>62060</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrofluoric acid, 49%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181736</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetic acid</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10180830</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nitride acid, 69.5%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>200288</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

developing high performance gap/si heterojunction solar cells

För att förbättra effektiviteten i Si-baserat solceller utöver deras Shockley-Queisser gräns, är den optimala vägen att integrera dem med III-V-baserade solceller. I detta arbete presenterar vi högpresterande GaP/Si halvledarkontakt solceller med en hög Si minoritet-carrier livslängd och hög crystal kvalitet av epitaxiell GaP lager. Det visas att genom tillämpning av fosfor (P)-diffusion lager i Si underlaget och en syndx lager, Si minoritet-carrier livstid kan vara välskött under GaP tillväxten i den molekylära stråla epitaxyen (MBE). Genom att kontrollera tillväxten villkorar, odlades hög crystal kvaliteten gap på P-rika Si ytan. Filmkvalitet kännetecknas av atomic force microscopy och högupplösta röntgendiffraktion. Dessutom MoOx genomfördes som en hål-selektiv kontakt som ledde till en betydande ökning av kortslutning strömtäthet. Uppnådd hög enhetens prestanda av solcellerna GaP/Si halvledarkontakt upprättar en sökväg för ytterligare förbättring av prestanda för Si-baserat solceller enheter.

Atomic force microscopy (AFM) bilder och högupplösta röntgendiffraktion (XRD) genomsökningar, inklusive gungande kurvan i närheten av (004) reflektion och ömsesidiga utrymme karta (RSM) i närheten av (224) reflektion, samlades för GaP/Si struktur (figur 1). AFM användes att karakterisera ytan morfologi av MBE-odlade klyftan och XRD användes för att undersöka crystal kvaliteten GaP lager. Effektiv minoritet-carrier livstid GaP/Si struktur och Si bu...

Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells

Här presenterar vi ett protokoll för att utveckla högpresterande GaP/Si halvledarkontakt solceller med en hög Si minoritet-carrier livstid.

Utveckla högpresterande GaP/Si halvledarkontakt solceller

To improve the efficiency of Si-based solar cells beyond their Shockley-Queisser limit, the optimal path is to integrate them with III-V-based solar ...

Denna metod kan berätta, svara på viktiga frågor i stratifierade kisel integrerad solcell tillverkning om hur man kan upprätthålla en hög kisel bulk livstid under tillväxten. De främsta fördelarna med denna process är att vi kan uppnå en lång kisel bulk livstid, även efter heterovalent tillväxt av gallium fosfid bärare selektiv kontakt på kisel. Detta gör det möjligt för oss att komma åt bandet luckor andra III-V halvledare.Det är en form av multijunction solcell med en kisel bottencell. Till att börja, förbereda en piraya lösning i en hög densitet polyetensyra värmebad, uppvärmning den till 110 grader Celsius, och vänta på att temperaturen stabiliseras. I ett annat syrabad, förbereda en utspädd saltsyra och väteperoxidlösning för att avlägsna joniska föroreningar, värma upp den till 74 grader Celsius och väntar på att temperaturen stabiliseras.Placera fyra tum diameter flytzon typ dubbel sida polerad kisel rån i en ren polypropylen fyra tum wafer kassett. Blötlägg wafers i piraya lösning i 10 minuter. Skölj sedan rånen i 10 minuter med avjoniserat vatten och lägg dem i en ren kassett.Blötlägg wafers i joniska rengöringslösningen i 10 minuter, och skölj dem sedan med avjoniserat vatten i 10 minuter. Sedan blöt wafers i en buffrad oxid etch lösning av 10 till en ammoniumfluorid till fluorvätesyra i tre minuter vid rumstemperatur, och skölj dem med avjoniserat vatten i 10 minuter. Torka de rena rånen under en ström av torr kvävegas.Därefter placerar du en ren wafer i en kvartsbåt och laddar den i en kvartsrörsugn, uppvärmd till 800 grader Celsius med en atmosfär av strömmande kvävegas. Ramp ugnen till 820 grader Celsius under loppet av 20 minuter. Sedan, växla transportören gas till kväve bubblade genom fosfor oxyklorid vid 1, 000 SCCM.Efter 15 minuter, stoppa flödet av bärargas och ramp ugnen ner till 800 grader Celsius. Ta bort rån från ugnen och låt den svalna. Sedan, blötlägg den i färsk buffrad oxid etch lösning i 10 minuter för att ta bort fosfor silikatglas.Skölj wafer i avjoniserat vatten i 10 minuter och torka den med kvävegas. Strax före kisel nitendeposition, blöt wafer i en buffrad oxid etch lösning i en minut för att ta bort inhemska oxider. Skölj den i avjoniserat vatten i 10 minuter, och torka den med torr kvävegas.Placera rånet på en ren monokristallin kiselbärare och ladda den i ett PECVD-instrument, utrustat med silan- och ammoniakkällor. Ställ in kammartrycket till 3,5 torrs och sätt in 150 nanometer av kiselnitrid vid 3,9 nanometer per sekund, med 300 watt RF-effekt. Därefter laddar wafer i ett MBE-instrument, utrustad med gallium, fosfor och kisel effusion celler.Outgas wafer i den inledande kammaren på 180 grader Celsius i tre timmar. Sedan överför wafer till buffertkammaren, och outgas det på 240 grader Celsius i två timmar. Ladda wafer i tillväxtkammaren, och grädda den i 850 grader Celsius i 10 minuter.Därefter kyler du wafer till 580 grader Celsius, och förbereda effusionscellerna för att generera lämpliga flöde. Öppna gallium, fosfor och kisel ryser, och växa 25 nanometer av galliumfosfid med en avbruten tillväxtmetod, följt av 121 sekunder av oavbruten tillväxt. Efteråt, kyl provet till 200 grader Celsius och lasta av det från instrumentet.Därefter täcker galliumfosfidytan med en syrabeständig tärningstejp. Blötlägg wafer i ca 300 milliliter av 49%fluorvätesyra i fem minuter för att ta bort kiselnitridskiktet. Ta bort tejpen, skölj rån med avjoniserat vatten i 10 minuter, och torka den under en ström av kvävegas.Sedan, täcka galliumfosfidytan med färsk tärningstejp. I en plastbägare, förbereda 500 milliliter av en blandning av fluorvätesyra, salpetersyra, och ättiksyra. Placera försiktigt wafer i HNA-lösningen och låt det blöta i rumstemperatur i tre minuter.Ta bort tejpen, skölj rån med avjoniserat vatten, och torka den med kväve. Använd en diamantpenna för att skiva det förberedda rånet i fyra fjärdedelar. Placera bitarna i en korg, rengör dem noggrant i en tank av avjoniserat vatten, och torka dem med kvävegas.Sedan blötlägg bitarna i en buffrad oxid etch lösning i 30 sekunder, och skölj och torka dem med avjoniserat vatten och kvävegas. Därefter sätter du in 50 nanometer av amorft kisel på ett prov och kontrollera kiselns livstid. Sedan, deponera nio nanometer av en inneboende amorft kisel, och 16 nanometer av en p-typ amorft kisel, med en bor dopant, på den nakna kisel sidan av ett andra prov.På ett tredje prov, använd termisk avdunstning för att deponera nio nanometer av molybdenoxid på den nakna kiselsidan vid 0,5 ångström per sekund, vid rumstemperatur, från en molybdentrioxidkälla. Därefter placerar du de amorfa kisel- och molybdenoxidbelagda proverna i ett RF-sputtringsinstrument, med galliumfosfidsidan uppåt. Deponera 75 nanometer av indium 10 oxid, med en syreflödeshastighet på 2,2 SCCM.Sedan, lossa proverna och vänd på dem. Placera en mesa-skuggmask på varje prov. Ladda dem tillbaka in i instrumentet, och deponera ytterligare 75 nanometer av ITO.Lossa proverna, byta masken mot en fingerskuggmask och sätt in 200 nanometer silver på ITO-mesa på en kilowatt och åtta torr. Vänd på proverna och deponera ytterligare 200 nanometer av silver på ITO galliumfosfidsidan, som ryggkontakten. Slutligen, glödgproven i en ugn vid 220 grader Celsius och atmosfärstryck.Atomkraftmikroskopi visade att galliumfosfidskiktet hade en rot genomsnittlig kvadrat ojämnhet på ca 0,52 nanometer, vilket indikerar hög kristallkvalitet med en låg gängning rubbas densitet. Pendellosung fransar observerats från dubbel kristall omega två theta gungande kurva vid kisel och gallium fosfid 004 reflektioner var förenliga med smidig gränssnitt. Den ömsesidiga rymdkartan över 224 avspräckningsfläckar visar sammanhängande galliumfosfid- och kiseltoppar, vilket indikerar att galliumfosfid är helt ansträngd till kiselsubstratet med god kristallin kvalitet.Bildar ett N plus-skikt genom fosfor diffusion innan du lägger till galliumfosfidskiktet behöll kisel bulk livstid på upp till millisekkunder nivåer. Galliumfosfid kisel livstid var ca 100 mikrosekond. Anordningar konstruerades med antingen ett lager av amorft kisel, eller ett lager av molybdenoxid.Den interna kvanteffektiviteten hos molybdenoxidanordningen förblev hög vid lägre våglängder än en amorf kiselanordning gjorde, men den hade också en högre reflektans vid lägre våglängder. Lovande solcellsprestanda observerades för båda enheterna. De amorfa kisel- och molybdenoxidenheterna hade jämförbara effektivitetsvinster, spänningar med öppen krets och fyllningsfaktorer.Sammantaget molybdenoxid lagret presterade bättre som en hel selektiv kontakt än amorft kisel lagret gjorde. Medan du försöker detta förfarande, kom ihåg att hålla den andra wafer så ren som möjligt innan du laddar in i MBE kammaren, särskilt när du sätter in kiselnitrid.

Research

JoVE Journal

Engineering

Research and Development of High-performance Explosives

Forskning och utveckling av högpresterande Sprängämnen

Developmental testing of high explosives for military applications involves small-scale formulation, safety testing, and finally detonation performance ...

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Tryckning Tillverkning av Bulk hetero solceller och<em&gt; In Situ</em&gt; Morfologi Karakterisering

Polymer-based materials hold promise as low-cost, flexible efficient photovoltaic devices. Most laboratory efforts to achieve high performance devices ...

Digital Printing of Titanium Dioxide for Dye Sensitized Solar Cells

Digital Printing titandioxid för grätzelsolcell

Silicon solar cell manufacturing is an expensive and high energy consuming process. In contrast, dye sensitized solar cell production is less ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Probing C<sub&gt; 84</sub&gt; -embedded Si substrat med användning av svepspetsmikroskopi och Molecular Dynamics

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

A High Performance Impedance-based Platform for Evaporation Rate Detection

En högpresterande Impedans-baserad plattform för Avdunstningshastighet Detection

This paper describes the method of a novel impedance-based platform for the detection of the evaporation rate. The model compound hyaluronic acid was ...

Morphology Control for Fully Printable Organic&#8211;Inorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Morphology Control for Fully Printable OrganicÃƒÆ’Ã‚Â¢ÃƒÂ¢Ã¢â‚¬Å¡Ã‚Â¬ÃƒÂ¢Ã¢â€šÂ¬Ã…â€œInorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Morfologi Control för fullt utskrivbara Organiska-oorganiska Bulk-hetero solceller baserade på en Ti-alkoxid och halvledande polymer

The photoactive layer of a typical organic thin-film bulk-heterojunction (BHJ) solar cell commonly uses fullerene derivatives as the electron-accepting ...

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Monovalent katjon Doping av CH<sub&gt; 3</sub&gt; NH<sub&gt; 3</sub&gt; PBI<sub&gt; 3</sub&gt; För effektiv Perovskite solceller

Here, we demonstrate the incorporation of monovalent cation additives into CH3NH3PbI3 perovskite in order to adjust the optical, excitonic, and electrical ...

Electrospinning of Photocatalytic Electrodes for Dye-sensitized Solar Cells

Elektrospinnning av fotokatalytiska elektroder för färgkänsliga solceller

This work demonstrates a protocol to fabricate a fiber-based photoanode for dye-sensitized solar cells, consisting of a light-scattering layer made of ...

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for CuIn,GaSe2 Solar Cells

In Situ Övervakning av den accelererade prestandaförsämring av solceller och moduler: en fallstudie för Cu (i, Ga) Se2 solceller

The levelized cost of electricity (LCOE) of photovoltaic (PV) systems is determined by, among other factors, the PV module reliability. Better prediction ...

Detecting the Water-soluble Chloride Distribution of Cement Paste in a High-precision Way

Att upptäcka vattenlösliga klorid fördelningen av cementpasta i hög precision sätt

To improve the accuracy of the chloride distribution along the depth of cement paste under cyclic wet-dry conditions, a new method is proposed to obtain a ...