Silicon Wafer Cleaning and Phosphorus Diffusion into the Silicon Substrate
3:08
SiNx Coating by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), GaP Growth by Molecular Beam Epitaxy (MBE), and Wet Etching of Back n+ and SiNx Layers
6:01
Hole-Selective Contact Formation on the Bare Si Side and External Contact Formation on the GaP Side
8:17
Results: Characterization of the GaP/Si Heterojunction Devices
10:11
Conclusion
Transcript
Denna metod kan berätta, svara på viktiga frågor i stratifierade kisel integrerad solcell tillverkning om hur man kan upprätthålla en hög kisel bulk livstid under tillväxten. De främsta fördelarna med denna process är att vi kan uppnå en lång kise
Sign in or start your free trial to access this content
Här presenterar vi ett protokoll för att utveckla högpresterande GaP/Si halvledarkontakt solceller med en hög Si minoritet-carrier livstid.