Silicon Wafer Cleaning and Phosphorus Diffusion into the Silicon Substrate
3:08
SiNx Coating by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), GaP Growth by Molecular Beam Epitaxy (MBE), and Wet Etching of Back n+ and SiNx Layers
6:01
Hole-Selective Contact Formation on the Bare Si Side and External Contact Formation on the GaP Side
8:17
Results: Characterization of the GaP/Si Heterojunction Devices
10:11
Conclusion
Transcript
Bu yöntem söyleyebilirim, büyüme sırasında yüksek silikon toplu ömür boyu korumak hakkında katmanlı silikon entegre güneş pili imalatı anahtar sorulara cevap. Bu sürecin ana avantajları biz silikon galyum fosfat taşıyıcı selektif temas heterovalen
Sign in or start your free trial to access this content
Burada, yüksek performanslı GaP/Si heterojunction güneş hücreleri bir yüksek Si azınlık taşıyıcı ömür boyu ile geliştirmek için bir protokol mevcut.