Name: developing high performance gap/si heterojunction solar cells
Uploaded: 2018-11-16T15:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Yazarlar L. Ding ve M. Boccard işleme ve güneş hücreleri bu çalışmada test katkılarından dolayı teşekkür etmek istiyorum. ABD Enerji Bakanlığı Sözleşmeli DE-EE0006335 ve Mühendislik Araştırma Merkezi programı Ulusal Bilim Vakfı ve Office enerji verimliliği ve yenilenebilir enerji, Enerji Bakanlığı'nın fon yazarlar kabul NSF işbirliği anlaşması No altında AET-1041895. Som Dahal güneş güç Laboratuvarı, kısmen, NSF sözleşme ECCS-1542160 tarafından desteklenmiştir.

Dikkat: Tüm ilgili malzeme güvenlik veri sayfaları (MSDS) kimyasallar ile ilgili önce danışın. Lütfen tüm uygun güvenlik uygulamaları duman hood ve kişisel koruyucu ekipman (koruyucu gözlük, eldiven, önlük, tam uzunlukta pantolon, kapalı-toe ayakkabı) de dahil olmak üzere güneş pili tamamen uydurma kullanırlar.
1. Si gofret Temizleme
<ol><li>Si gofret Piranha çözümde temiz (H2O2/h2SO4) 110 ° C'de<ol>
<li>Piranha çözüm ?...

<ol>
	<li>Friedman, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Progress+and+challenges+for+next-generation+high-efficiency+multijunction+solar+cells.">Progress and challenges for next-generation high-efficiency multijunction solar cells.</a> Current Opinion in Solid State &amp; Materials Science. 14, 131-138 (2010).</li><li>Vadiee, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=AlGaSb-Based+Solar+Cells+Grown+on+GaAs:+Structural+investigation+and+device+performance.">AlGaSb-Based Solar Cells Grown on GaAs: Structural investigation and device performance.</a> IEEE Journal of Photovoltaics. , (2017).</li><li>Wagner, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+numerical+simulation+study+of+gallium-phosphide/silicon+heterojunction+passivated+emitter+and+rear+solar+cells.">A numerical simulation study of gallium-phosphide/silicon heterojunction passivated emitter and rear solar cells.</a> Journal of Applied Physics. 115, 044508 (2014).</li><li>Limpert, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Results+from+coupled+optical+and+electrical+sentaurus+TCAD+models+of+a+gallium+phosphide+on+silicon+electron+carrier+selective+contact+solar+cell.">Results from coupled optical and electrical sentaurus TCAD models of a gallium phosphide on silicon electron carrier selective contact solar cell.</a> 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC). , 836-840 (2014).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=On+the+source+of+silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+growth+of+III-V+materials.">On the source of silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial growth of III-V materials.</a> 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). , 2048-2051 (2016).</li><li>Ding, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+minority-carrier+lifetime+degradation+during+molecular+beam+heteroepitaxial+III-V+material+growth.">Silicon minority-carrier lifetime degradation during molecular beam heteroepitaxial III-V material growth.</a> Energy Procedia. 92, 617-623 (2016).</li><li>Zhang, C., Kim, Y., Faleev, N. N., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improvement+of+GaP+crystal+quality+and+silicon+bulk+lifetime+in+GaP/Si+heteroepitaxy.">Improvement of GaP crystal quality and silicon bulk lifetime in GaP/Si heteroepitaxy.</a> Journal of Crystal Growth. 475, 83-87 (2017).</li><li>Garc&#237;a-Tabar&#233;s, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+silicon+bulk+lifetime+during+III-V-on-Si+multijunction+solar+cell+epitaxial+growth.">Evolution of silicon bulk lifetime during III-V-on-Si multijunction solar cell epitaxial growth.</a> Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 24, 634-644 (2016).</li><li>Varache, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evolution+of+bulk+c-Si+properties+during+the+processing+of+GaP/c-Si+heterojunction+cell.">Evolution of bulk c-Si properties during the processing of GaP/c-Si heterojunction cell.</a> Energy Procedia. 77, 493-499 (2015).</li><li>Ishizaka, A., Shiraki, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low+temperature+surface+cleaning+of+silicon+and+its+application+to+silicon+MBE.">Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE.</a> Journal of The Electrochemical Society. 133, 666 (1986).</li><li>Zhang, C., Vadiee, E., King, R. R., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Carrier-selective+contact+GaP/Si+solar+cells+grown+by+molecular+beam+epitaxy.">Carrier-selective contact GaP/Si solar cells grown by molecular beam epitaxy.</a> Journal of Materials Research. 33, 414-423 (2018).</li><li>Battaglia, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hole+Selective+MoOx+Contact+for+Silicon+Solar+Cells.">Hole Selective MoOx Contact for Silicon Solar Cells.</a> Nano Letters. 14, 967-971 (2014).</li></ol>

Nominal 25 nm-kalın boşluk katman epitaxially MBE üzerinden bir P-zengin Si yüzey üzerinde büyüdü. Daha kaliteli bir Si yüzeylerde, nispeten düşük bir V/III katmanda boşluk büyümeye (P/Ga) oranı tercih edilir. GaP katman iyi kristal kalitesini yüksek iletkenlik ve düşük yoğunluklu rekombinasyon merkezlerinden elde etmek gereklidir. AFM-ortalama-karekök (RMS) GaP yüzey yok çukurları, düz bir yüzeyle yüksek crystal kalite düşük iş parçacığı çıkığı yoğunluklu (?...

Oldu sürekli bir çaba kafes eşleşmeme durumu farklı malzemelerle entegrasyonu üzerinde genel güneş pili verimliliği1,2geliştirmek için. III-V/Si entegrasyon daha fazla geçerli Si güneş hücresi verimliliği artırmak ve Si substrat multijunction güneş pili uygulamaları için pahalı III-V yüzeylerde (GaAs ve Ge gibi) yerine potansiyeline sahiptir. Si ve yüksek dolaylı bandgap ile en küçük kafes-uyuşmazlığı (~ %0,4) olduğu gibi tüm III-V ikili malzeme sistemleri arasında galyum fosfit (GaP) iyi bir bu amaç için adaydır. Bu özellikleri bir Gap yüksek kaliteli entegrasyon Si substrat etkinleştirebilirsiniz. GaP/Si heterojunction güneş hücreleri benzersiz grup uzaklık arasındaki boşluğu ve sı yararlanan tarafından geleneksel düzgünleştirilecek verici arka Si güneş hücreleri3,4 verimliliği artırmak teorik olarak gösterilmiştir (∆Ev ~1.05 eV ve ∆Ec ~0.09 eV). Bu boşluğu silikon güneş hücreleri için umut verici bir elektron seçmeli kişi yapar. Ancak, yüksek performanslı GaP/Si heterojunction güneş hücreleri elde etmek için bir yüksek Si toplu ömür boyu ve GaP/Si arabirimi kaliteli gereklidir.
III-V malzemelerin moleküler ışın epitaxy (MBE) ve metalorganic buharı faz epitaxy (MOVPE) tarafından Si substrat büyüme sırasında önemli Si ömür boyu bozulması yaygın olarak5,6,7, gözlenmiştir 8 , 9. yaşam boyu bozulması esas olarak reaktörler, Si gofret ısıl işlem sırasında yüzey oksit desorpsiyon ve/veya yüzey imar Epitaksiyel büyüme10önce için gereken olur ortaya çıktı. Bu bozulma büyüme reaktörler5,7' den kökenli kirleticiler dışsal difüzyon atfedilir. Birkaç yaklaşım bu Si ömür boyu bozulma bastırmak için önerilmiştir. Önceki çalışmalarda, iki yöntem hangi Si ömür boyu bozulması önemli ölçüde bastırılmış göstermiştir. İlk yöntem getirilmesiyle SiNx difüzyon bariyer7 ve P-Difüzyon tabakası bir gettering Ajan11 Si substrat tanıtımı tarafından ikincisi olarak gösterilmiştir.
Bu çalışmada, yüksek performanslı GaP/Si güneş hücreleri silikon toplu ömür boyu bozulması azaltmak için söz konusu yaklaşımlar alarak göstermiştir. Si ömür boyu korumak için kullanılan teknikler geniş uygulama multijunction güneş pilleri etkin Si alt hücreleri ve yüksek hareket yeteneği CMOS gibi elektronik cihazlar ile sahip olamaz. Bu ayrıntılı iletişim kuralında, GaP/Si heterojunction güneş hücreleri, P-difüzyon fırın, boşluk büyüme ve GaP/Si güneş hücreleri işleme, Si gofret Temizleme, dahil olmak üzere imalat detayları sunulmaktadır.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Hydrogen peroxide, 30%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181019</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid, 96%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64103</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrochloric acid, 37%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>64009</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Buffered Oxide Etch 10:1</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>62060</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrofluoric acid, 49%</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10181736</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetic acid</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>10180830</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nitride acid, 69.5%</td>
			<td>KMG electronic chemicals, Inc.</td>
			<td>200288</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

developing high performance gap/si heterojunction solar cells

Si tabanlı güneş hücreleri Shockley-Queisser sınırlarını ötesinde verimliliğini artırmak için en iyi yolu onları III-V tabanlı güneş hücreleri ile entegre etmektir. Bu çalışmada, bir yüksek Si azınlık taşıyıcı ömür boyu ve Epitaksiyel GaP katmanları yüksek kristal kalitesi ile yüksek performanslı GaP/Si heterojunction güneş hücreleri mevcut. Bu fosfor (P) uygulayarak gösterilir-Si substrat katmanlara difüzyon ve SiNx katman, Si azınlık taşıyıcı ömür boyu moleküler ışın epitaxy (MBE) boşluk büyüme sırasında bakımlı olabilir. Büyüme koşulları kontrol ederek, Gap yüksek crystal kalite P-zengin Si yüzeyinde büyüdü. Film kalitesi atomik kuvvet mikroskobu ve yüksek çözünürlüklü x-ışını kırınım ile karakterizedir. Buna ek olarak, MoOx önemli bir artış yol delik-seçici bir ilgili kişi olarak uygulanan akım yoğunluğu kısa devre. GaP/Si heterojunction güneş hücreleri elde yüksek aygıt performansını daha fazla donanım fotovoltaik cihazlar Si tabanlı performans için yolu oluşturur.

Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) görüntüleri ve yüksek çözünürlüklü x-ışını kırınım (XRD) inceden inceye gözden geçirmek (004) yansıma ve yakın çevresinde (224) yansıma, karşılıklı uzay Haritası (RSM) civarında sallanan eğrisi de dahil olmak üzere, GaP/Si için toplandı Yapı (Şekil 1). AFM MBE-yetiştirilen Gap yüzey morfolojisi karakterize etmek için kullanıldı ve XRD crystal kalite GaP tabakasının incelemek için kullan...

Watch this Scientific Journal Video about Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells at JoVE.com

Developing High Performance GaP/Si Heterojunction Solar Cells

Burada, yüksek performanslı GaP/Si heterojunction güneş hücreleri bir yüksek Si azınlık taşıyıcı ömür boyu ile geliştirmek için bir protokol mevcut.

Yüksek performanslı GaP/Si Heterojunction güneş hücreleri gelişmekte

To improve the efficiency of Si-based solar cells beyond their Shockley-Queisser limit, the optimal path is to integrate them with III-V-based solar ...

Bu yöntem söyleyebilirim, büyüme sırasında yüksek silikon toplu ömür boyu korumak hakkında katmanlı silikon entegre güneş pili imalatı anahtar sorulara cevap. Bu sürecin ana avantajları biz silikon galyum fosfat taşıyıcı selektif temas heterovalent büyüme sonra bile, uzun bir silikon toplu ömür elde edebilirsiniz. Bu bize diğer III-V yarı iletkenlerin bant boşlukları erişim sağlar.Silikon alt hücreli çok yönlü güneş pili gibi bir şey. Başlamak için, yüksek yoğunluklu polietilen asit ısıtma banyosunda bir piranha çözeltisi hazırlayın, 110 santigrat dereceye ısıtın ve sıcaklığın sabitolmasını bekleyin. Başka bir asit banyosunda, iyonik kontaminasyonu gidermek, 74 santigrat dereceye ısıtmak ve sıcaklığın sabitlenmesini beklemek için seyreltilmiş hidroklorik asit ve hidrojen peroksit çözeltisi hazırlayın.Temiz bir polipropilen dört inç gofret kaset dört inç çapında float zone uç tipi çift tarafı cilalı silikon gofret yerleştirin. 10 dakika piranha çözeltisi içinde gofret ıslatın. Daha sonra gofretleri 10 dakika deiyonize suyla durulayın ve temiz bir kasete koyun.Gofretleri iyonik temizleme solüsyonunda 10 dakika bekletin ve sonra 10 dakika deiyonize suyla durulayın. Daha sonra, oda sıcaklığında üç dakika hidroflorik asit için 10 ila bir amonyum florür bir tamponoksit etch çözeltisi içinde gofret ıslatın ve 10 dakika deiyonize su ile durulayın. Temiz gofretleri kuru nitrojen gazı akışı altında kurutun.Sonra, bir kuvars tekne temiz bir gofret yerleştirin ve akan azot gazı atmosferi ile 800 santigrat dereceye ısıtılan bir kuvars tüp fırın, yükleyin. 20 dakika boyunca fırını 820 dereceye kadar artırın. Daha sonra, 1.000 SCCM fosfor oksiklorür ile kabarcıklı azot taşıyıcı gaz geçiş.15 dakika sonra, taşıyıcı gaz akışını durdurun ve fırını 800 santigrat dereceye kadar artırın. Fırından gofret çıkarın ve soğumaya bırakın. Sonra, fosfor silikat cam kaldırmak için 10 dakika boyunca taze tamponlu oksit etch çözeltisi içinde bekletin.Deiyonize suda gofret 10 dakika durulayın ve azot gazı ile kurulayın. Silikon nitrür birikimihemen önce, yerli oksitleri kaldırmak için bir dakika boyunca bir tamponoksit etch çözeltisi içinde gofret ıslatın. 10 dakika deiyonize suda durulayın ve kuru azot gazı ile kurulayın.Gofret temiz bir monokristal silikon taşıyıcı yerleştirin ve bir PECVD alet içine yükleyin, silane ve amonya kaynakları ile donatılmış. 300 watt RF gücüyle oda basıncını 3,5 torr'a ayarlayın ve saniyede 3,9 nanometre de 150 nanometre silikon nitrür deyenit. Daha sonra, galyum, fosfor ve silikon efüzyon hücreleri ile donatılmış bir MBE alet içine gofret yükleyin.Giriş odasındaki gofretteni üç saat boyunca 180 santigrat derecede nisbeten boşaltın. Sonra gofretleri tampon odasına aktarın ve 240 derecede iki saat boyunca gazdan çıkar. Gofret'i büyüme odasına yükleyin ve 850 derecede 10 dakika pişirin.Bundan sonra, 580 santigrat derece gofret serin ve uygun akıları oluşturmak için efüzyon hücreleri hazırlamak. Galyum, fosfor ve silikon ürpertileri açın ve 25 nanometre galyum fosfat ı kesintisiz büyüme yöntemiyle büyütün ve ardından 121 saniye kesintisiz büyüme yapın. Daha sonra numuneyi 200 santigrat dereceye kadar soğutun ve aletten boşaltın.Daha sonra galyum fosfat yüzeyini aside dayanıklı bir doğrama bandı ile kapatın. Silikon nitrür tabakasıkaldırmak için beş dakika boyunca% 49 hidroflorik asit yaklaşık 300 mililitre gofret ıslatın. Bandı çıkarın, gofretini 10 dakika deiyonize suyla durulayın ve azot gazı akışı altında kurutun.Sonra, taze doğrama bandı ile galyum fosfat yüzeyi kapağı. Plastik bir kabın içinde, hidroflorik asit, nitrik asit ve asetik asit karışımı 500 mililitre hazırlamak. Dikkatle HNA çözeltisi içinde gofret yerleştirin ve üç dakika oda sıcaklığında bekletin.Bandı çıkarın, gofretini deiyonize suyla durulayın ve azotla kurulayın. Dört çeyrek halinde hazırlanan gofret dilim için bir elmas kalem kullanın. Parçaları bir sepete yerleştirin, iyice deiyonize su tankında temizleyin ve azot gazı ile kurulayın.Daha sonra, 30 saniye boyunca bir tamponoksit etch çözeltisi parçaları ıslatın ve durulayın ve deiyonize su ve azot gazı ile kurulayın. Daha sonra, bir numuneye 50 nanometre amorf silikon yatırın ve silikon ömrünü kontrol edin. Daha sonra, bir içsel amorf silikon dokuz nanometre mevduat, ve p-tipi amorf silikon 16 nanometre, bir bor dopant ile, ikinci bir örnek çıplak silikon tarafında.Üçüncü bir örnekte, bir mobiden trioksit kaynağından, oda sıcaklığında, saniyede 0,5 angstroms çıplak silikon tarafında mobibdenum oksit dokuz nanometre yatırmak için termal buharlaşma kullanın. Daha sonra, amorf silikon ve mobibdenum oksit kaplı numuneleri bir RF püskürtme aletine yerleştirin ve galyum fosfat tarafı yukarı bakacak şekilde. 2.2 SCCM oksijen akış hızı ile indiyum 10 oksit 75 nanometre mevduat.Daha sonra, örnekleri boşaltın ve ters çevirin. Her numunenin üzerine bir mesa gölge maskesi yerleştirin. Onları alete geri yükleyin ve 75 nanometre daha ITO biriktirin.Örnekleri boşaltın, maskeyi parmak gölge maskesi ile değiştirin ve ITO mesasına bir kilowatt ve sekiz torr'da 200 nanometre gümüş yatırın. Örnekleri ters çevirin ve İTO galyum fosfat tarafına 200 nanometre daha gümüş yatırın. Son olarak, 220 santigrat derece ve atmosferbasıncı bir fırında örnekleri anneal.Atomik kuvvet mikroskopisi galyum fosfat tabakasının yaklaşık 0,52 nanometre lik bir kök ortalama kare pürüzlülüğe sahip olduğunu ve düşük iplikçi çıkık yoğunluğuna sahip yüksek kristal kalitesini gösterdiğini göstermiştir. Pendellosung saçaklar silikon ve galyum fosfat 004 yansımaları çift kristal omega iki teta sallanan eğrisi gözlenen pürüzsüz arayüzleri ile tutarlı idi. 224 defraksiyon noktalarının karşılıklı uzay haritası tutarlı galyum fosfat ve silikon zirveleri gösterir, galyum fosfat iyi kristal kalitesi ile silikon substrat tamamen gergin olduğunu gösteren.Galyum fosfat tabakasıeklemeden önce fosfor difüzyonu ile N artı tabakası oluşturan silikon toplu ömür milisaniye seviyelerine kadar muhafaza. Galyum fosfat silikon ömrü yaklaşık 100 mikrosaniye idi. Cihazlar ya amorf silikon bir tabaka, ya da mobibden oksit tabakası kullanılarak inşa edilmiştir.Mobibdenum oksit cihazının iç kuantum verimliliği, amorf silikon bir cihaza göre daha düşük dalga boylarında yüksek kaldı, ama aynı zamanda daha düşük dalga boylarında daha yüksek bir yansımaya sahipti. Her iki cihaz için de güneş pili performansı umut verici olarak gözlendi. Amorf silikon ve mobibdenum oksit cihazları karşılaştırılabilir verimlilik, açık devre voltajları ve dolgu faktörleri vardı.Genel olarak, mobibdenum oksit tabakası amorf silikon tabakası daha bir bütün seçici temas olarak daha iyi performans yaptı. Bu işlemi denerken, özellikle silikon nitrür yatırırken, MBE haznesine yüklemeden önce ikinci gofretin ivediliğini mümkün olduğunca temiz tutmayı unutmayın.

Research

JoVE Journal

Engineering

Research and Development of High-performance Explosives

Yüksek performanslı Patlayıcılar Araştırma ve Geliştirme

Developmental testing of high explosives for military applications involves small-scale formulation, safety testing, and finally detonation performance ...

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Toplu Heterojonksiyonlar Solar Hücre Baskı İmalatı ve<em&gt; In Situ</em&gt; Morfoloji Karakterizasyonu

Polymer-based materials hold promise as low-cost, flexible efficient photovoltaic devices. Most laboratory efforts to achieve high performance devices ...

Digital Printing of Titanium Dioxide for Dye Sensitized Solar Cells

Boya duyarlı güneş pilleri için Titanyum Dioksit Dijital Baskı

Silicon solar cell manufacturing is an expensive and high energy consuming process. In contrast, dye sensitized solar cell production is less ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

C problama<sub&gt; 84</sub&gt; Taramalı Uç Mikroskobu ve Molecular Dynamics Kullanarak Si Maddesini Gömülü

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

A High Performance Impedance-based Platform for Evaporation Rate Detection

Buharlaşma Hızı Algılama için bir Yüksek Performanslı Empedans tabanlı Platformu

This paper describes the method of a novel impedance-based platform for the detection of the evaporation rate. The model compound hyaluronic acid was ...

Morphology Control for Fully Printable Organic&#8211;Inorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Morphology Control for Fully Printable OrganicÃƒÆ’Ã‚Â¢ÃƒÂ¢Ã¢â‚¬Å¡Ã‚Â¬ÃƒÂ¢Ã¢â€šÂ¬Ã…â€œInorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

Ti-alkoksit ve Yarıiletken Polimer dayanarak Tamamen Yazdırılabilir Organik-İnorganik Toplu heteroeklem Güneş Pilleri için Morfoloji Kontrolü

The photoactive layer of a typical organic thin-film bulk-heterojunction (BHJ) solar cell commonly uses fullerene derivatives as the electron-accepting ...

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

CH tek değerlikli katyon doping<sub&gt; 3</sub&gt; NH<sub&gt; 3</sub&gt; PBI<sub&gt; 3</sub&gt; Verimli Perovskit Güneş Pilleri için

Here, we demonstrate the incorporation of monovalent cation additives into CH3NH3PbI3 perovskite in order to adjust the optical, excitonic, and electrical ...

Electrospinning of Photocatalytic Electrodes for Dye-sensitized Solar Cells

Boya Duyarlılaştırılmış Güneş Pilleri için Fotokatalitik Elektrotların Elektrospinning

This work demonstrates a protocol to fabricate a fiber-based photoanode for dye-sensitized solar cells, consisting of a light-scattering layer made of ...

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for CuIn,GaSe2 Solar Cells

Situ Güneş hücreleri ve modüllerin hızlandırılmış performans düşüşü izleme: Cu (In, Ga) Se2 güneş hücreleri için bir örnek çalışma

The levelized cost of electricity (LCOE) of photovoltaic (PV) systems is determined by, among other factors, the PV module reliability. Better prediction ...

Detecting the Water-soluble Chloride Distribution of Cement Paste in a High-precision Way

Çimento hamuru suda çözünebilir klorür dağılımı bir yüksek-tamlık şekilde tespit

To improve the accuracy of the chloride distribution along the depth of cement paste under cyclic wet-dry conditions, a new method is proposed to obtain a ...