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U2O5 película preparación vía UO2 deposición por Sputtering de corriente directa y sucesiva oxidación y reducción con oxígeno atómico y el hidrógeno atómico

DOI :

10.3791/59017-v

12:05 min

February 21st, 2019

February 21st, 2019

7,622 Views

1European Commission, Joint Research Centre, Directorate for Nuclear Safety and Security

Este protocolo presenta la preparación de U2O5 películas delgadas obtenidas en situ en ultra alto vacío. El proceso implica la oxidación y la reducción de las películas de2 UO con oxígeno atómico y el hidrógeno atómico, respectivamente.

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Qu mica

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