تم تمويل هذا العمل من قبل NSF منح DMR-0605716 و DMR-1101189. كما تم استخدام مركز كورنيل للعلوم والتكنولوجيا النانوية لزراعة ونقش الأكاسيد. ونشكرهم على مساعدتهم. واحد منا FMG ممتن لدعم أستاذ موتي لال روستجي.

1. قبل الترابط، إعداد رقاقة
تتم هذه الخطوة باستثناء 1.8 في غرفة تنظيف مرفق كورنيل نانومتر.
<ol><li>تنمو أكاسيد في فرن الأكسدة الحرارية القياسية باستخدام عملية أكسيد الرطب لأكاسيد سميكة، وتحقيق أفضل مراقبة سمك، عملية أكسيد جاف لأكاسيد رقيقة جدا. تحقق من سمك التوحيد على رقاقة كاملة مع القطع الناقص.</li>
	<li>إنشاء قناع للهندسة التي ترغب في حفر.</li>
	<li>تدور الضوئي على رقائق يجري محفورا.</li>
	<li>فضح وتطوير وخبز رقاقة اختبار وفحص مع المجهر المناسب.</li>
	<li>إذا تم الكشف عن رقاقة الاختبار على النحو المطلوب، حفر رقاقة الاختبار. ستحدد نسبة سمك أكسيد إلى البعد الجانبي ميزة ما إذا كان النقش الرطب أو الجاف هو المناسب. منذ الحشرات الرطب هي متساوية الخواص أنها لن تنتج الجدران الرأسية في أكسيد. في كثير من الحالات هذا لا يهم. إذا كانت الجدران العمودية المطلوبة يمكن للمرء استخدام رد فعل أيون النقش. إذا كان النقش ناجحا ، فانتقل إلى الرقائق الأخرى. في كثير من الأحيان ، يمكن استخدام خصائص hydrophobic / hydrophilic من Si و SiO2 لمعرفة ما إذا كانت عملية النقش ناجحة.</li>
	<li>إزالة مزيل ضوئي من رقائق. بالنسبة لمعظم التصوير الضوئي ، يمكن القيام بذلك في البداية مع الكحول الأيزوبروبيل والأسيتون. ومع ذلك ، فإن بعض كمية صغيرة من المقاومة لا تزال على رقائق. هذه المقاومة تحتاج إلى إزالتها تماما من أجل تحقيق الترابط الجيد.</li>
	<li>استخدام قصيرة 20 دقيقة عملية إزالة الأكسجين في إيون رد الفعل الحفر. هذا سوف يزيل أي مزيل ضوئي يبقى على رقائق. ومع ذلك ، فإن هذا سيضيف أيضا بعض طبقات أكسيد إلى السيليكون المكشوفة. هذا هو عادة 1-4 نانومتر15.</li>
	<li>حفر ثقب التعبئة في رقاقة أعلى. ويمكن القيام بذلك مع الماس يميل حفر بت والتشحيم الذكية قطع (انظر المواد للحصول على تفاصيل الشركة المصنعة). شطف قبالة الذكية قطع مباشرة بعد الحفر مع الماء deionized. ويمكن أيضا أن يتم الحفر باستخدام عجينة الماس مع حصى 3-9 ميكرومتر لملء ثقوب أكبر من ~ 0.124 سم في القطر. يمكن استخدام القطع الذكي مرة أخرى للتشحيم. نستخدم مثقابا دقيقا صغيرا على 1000-2000 دورة في الدقيقة.</li>
</ol>2. إعداد الترابط
<ol><li>من أجل رقائق السندات، والنظافة أمر بالغ الأهمية. هناك بعض الخطوات التي ينبغي اتخاذها لتنظيف رقائق. أولا، نظيفة مع حمامات RCA.<ol>
<li>شطف رقائق في الماء deionized (DI).</li>
		<li>نظيفة في حمام حمض "RCA". حمام حمض RCA هو H2O:H2O2:HClبنسب 5:1:1. وضع رقائق في حمض RCA 80 درجة مئوية لمدة 15 دقيقة مع الجانبين منقوشة تواجه ما يصل. هذه الخطوة سوف تقضي على أي تلوث معدني.</li>
		<li>إزالة رقائق من حمض وشطف في حمام المياه DI لمدة 5 دقائق.</li>
		<li>تنظيف في قاعدة "RCA" المقبل. قاعدة RCA هي H2O:H2O2:NH4OH بنسب 10:2:1. وضع رقائق في قاعدة RCA 80 درجة مئوية لمدة 15 دقيقة مع الجانبين منقوشة تواجه ما يصل. هذه الخطوة سوف تقضي على أي تلوث عضوي.</li>
		<li>شطف رقائق في حمام المياه DI ل ~ 15 دقيقة.</li>
	</ol>
</li>
	<li>يجب إزالة الرقائق من حمام مياه DI وتبقى نظيفة من أجل حدوث الترابط المناسب. ويتم ذلك في خطوتين:<ol>
<li>أولا، ضع الرقائق مع الجانبين محفورة منقوشة تواجه بعضها البعض على تشاك تفلون في غرفة نوم نظيفة كما هو مبين في الشكل 3B. يتم فصلها عن طريق ~ 1 ملم علامات تفلون. رش الماء deionized بين رقائق بينما تدور ببطء (~ 10-60 دورة في الدقيقة) ل ~ 2 دقيقة من أجل إزالة أي تلوث الجسيمات. سيتم ترك فيلم من الماء بين رقائق في هذه المرحلة. وهذا يمنع تلوث الغبار قبل الخطوة التالية.</li>
		<li>تغطية رقائق مع غطاء الاكريليك واضحة وتدور رقائق الجافة ل ~ 30 دقيقة في 3000 دورة في الدقيقة. استخدم مصباح حرارة 250 واط تحت الحمراء للمساعدة في عملية التجفيف. والغزل السريع entrain أي ملوثات الجسيمات مع طرد فيلم الماء ، كما هو الحال في الشكل 3C.</li>
	</ol>
</li>
	<li>قبل إزالة الغطاء فوق الرقائق، قم بإزالة علامات التبويب التي تفصل بين الرقائق عن طريق تدوير الغطاء. وهذا سوف يجلب رقائق في اتصال المحلية الخفيفة في حين لا يزال في غرفة microclean. الآن قد تتم إزالة رقائق بأمان من غرفة microclean على الناقل بهم. الفجوة الصغيرة جدا من حوالي 1 ميكرومتر بين رقائق سوف تقلل من تلوث الغبار خلال هذه الخطوة. أيضا، لا تلتقط رقائق مع ملاقط في هذه المرحلة لأن هذا من شأنه أن يبدأ الترابط غير المتماثلة. بدلا من ذلك، نقل رقائق مع استخدام الناقل القابلة للإزالة على الصحافة أربور.</li>
</ol>3. وافير الترابط
<ol><li>اضغط على اثنين من رقائق معا باستخدام الصحافة أربور وكرة جامدة وسلسة إلى حد ما (Nerf). يتم استخدام الكرة نيرف لتطبيق الضغط على رقائق من منتصف إلى الخارج. الضغط المطبق بهذه الطريقة يسمح للهواء المحاصرين أن يدفع بها كما ينتشر موجة الترابط من المركز. بدء الترابط في المركز يقلل من الضغوط التي يتم بناؤها كفاف رقائق لبعضها البعض. رقائق لديها تسطيح الدولة الحرة من حوالي 1 ميكرومتر، في حين أن الثغرات التي تحققت في الترابط موحدة داخل نانومتر قليلة. وهكذا، يجب أن تشوه الرقائق من حالتها الحرة من أجل تحقيق ذلك.<ol>
<li>تحقق من الترابط من خلال البحث عن هامش التداخل باستخدام مصدر ضوء الأشعة تحت الحمراء وكاشف مع مرشح تمرير عالية 1 ميكرومتر. تظهر صور العينة في الشكلين 4 و5. سوف تظهر هامش التدخل (حلقات نيوتن) إذا كان هناك ضعف الترابط. إذا كان الترابط جيدا ، فيمكن للمرء المضي قدما في الخطوة 3.3. إذا كان الترابط ضعيفا وكانت هناك حالات عدم الامتثال، فامضي على النحو التالي.</li>
		<li>ضع الخلية على شقة بصرية، وغطها بورق فلتر لحماية الرقاقة العلوية وخففتها، واضغط على الرقائق مع ملقط الرقاقة. دفع debonded "فقاعات" إما إلى الوسط (حيث يوجد ثقب ملء) أو إلى حواف. كن حذرا عند تطبيق القوة بالقرب من الحواف حيث قد تكون الرقائق مركز إزاحة قليلا إلى مركز. الضغط بالقرب من حواف وبالتالي قد يسبب رقاقة أعلى للقضاء إذا كان يتدلى رقاقة أسفل.</li>
		<li>إذا استمرت مخالفات الترابط أو كان جسيم الغبار واضحا ، فقسم الرقائق عن طريق شد شفرة حلاقة بينهما. كرر العملية من البداية (الخطوة 2.1.1). حتى هذه النقطة، الترابط قابل للعكس. يمكن إعادة ربط الرقائق في RT عدة مرات أثناء محاولة الحصول على ترابط مقبول.</li>
	</ol>
</li>
	<li>بعد الحصول على الترابط RT مقبولة، واحد يشرع في أنال رقائق. درجات الحرارة فوق 900 درجة مئوية تحتاج إلى الوصول إليها من أجل التأكد من التلين السليم5،6.<ol>
<li>المرحلة الخلية على تشاك فراغ الكوارتز بحيث يتمركز ثقب التعبئة على ثقب الضخ في تشاك. يتم توصيل تشاك إلى أنبوب ضخ الكوارتز الذي يستخدم لإخلاء الخلية قبل وأثناء عملية التلوين. يمتد هذا الأنبوب خارج الفرن. ويؤدي إخلاء الخلية إلى ضغط جو واحد لتطبيقه على الخلية. هذا سيساعد في الترابط. الضخ ضروري أيضا لمنع تراكم الضغط إذا تم تكثيف درجة حرارة الفرن بسرعة كبيرة جدا. الوقت الذي يستغرقه لخفض كبير في الضغط في الخلية سوف تعتمد على الهندسة داخل الخلية.</li>
		<li>لتجنب نمو أكسيد على السطح الخارجي للخلية، وتطهير غرفة الفرن مع غاز غير قابل للكسر، وعادة 4هو، بحيث لا يزرع أكسيد.</li>
		<li>للسماح للسلالات أن يكون الوقت للاسترخاء، من المهم أن تتصاعد درجات الحرارة من 250-1200 درجة مئوية على مدى ~ 4 ساعة. بعد البقاء عند 1200 درجة مئوية لمدة 4 ساعات على الأقل، قم بإيقاف تشغيل الفرن.</li>
		<li>السماح للنظام لتبرد إلى RT.</li>
	</ol>
</li>
	<li>تحليل الخلية مرة أخرى باستخدام مصدر الأشعة تحت الحمراء كاشف وكما هو مبين في الشكل 6. إذا كان التلهين سارت على ما يرام، فإن الخلية تبدو جيدة مثل، أو في كثير من الأحيان أفضل من، عندما وضعت في البداية في الفرن. وإذا كانت هناك ثغرات غير مقبولة تشير إلى ضعف الترابط، فيجب تكرار العملية برمتها منذ البداية؛ ومع ذلك، يجب أن يتم ذلك مع رقائق جديدة. مرة واحدة معل، والرابطة بين رقائق دائمة وليس هناك تقسيم ممكن.</li>
</ol>

<ol>
	<li>Gasparini, F. M., Kimball, M. O., Mooney, K. P., Diaz-Avila, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Finite-size+scaling+of+He-4+at+the+superfluid+transition.">Finite-size scaling of He-4 at the superfluid transition.</a> Rev. Mod. Phys. 80, 1009-1059 (2008).</li><li>Mehta, S., Kimball, M. O., Gasparini, F. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Superfluid+transition+of+He-4+for+two-dimensional+crossover,+heat+capacity,+and+finite-size+scaling.">Superfluid transition of He-4 for two-dimensional crossover, heat capacity, and finite-size scaling.</a> J. Low Temp. Phys. 114, 467-521 (1999).</li><li>Reppy, J. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Superfluid-Helium+in+Porous-Media.">Superfluid-Helium in Porous-Media.</a> J. Low Temp. Phys. 87, 205-245 (1992).</li><li>Mehta, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+wafers+at+sub-mu+m+separation+for+confined+He-4+experiments.">Silicon wafers at sub-mu m separation for confined He-4 experiments.</a> Czech. J. Phys. 46, 133-134 (1996).</li><li>Tong, Q. Y., Cha, G. H., Gafiteanu, R., Gosele, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Low-Temperature Wafer Direct Bonding. J. Microelectromech. S. 3, 29-35 (1994).</li><li>Tong, Q. Y., Gosele, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Semiconductor+Wafer+Bonding+-+Recent+Developments.">Semiconductor Wafer Bonding - Recent Developments.</a> Mater. Chem. Phys. 37, 101-127 (1994).</li><li>Gosele, U., Tong, Q. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Semiconductor+wafer+bonding.">Semiconductor wafer bonding.</a> Annu. Rev. Mater. Sci. 28, 215-241 (1998).</li><li>Rhee, I., Petrou, A., Bishop, D. J., Gasparini, F. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Bonding+Si-Wafers+at+Uniform+Separation.">Bonding Si-Wafers at Uniform Separation.</a> Physica B. 165, 123-124 (1990).</li><li>Rhee, I., Gasparini, F. M., Petrou, A., Bishop, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Si+Wafers+Uniformly+Spaced+-+Bonding+and+Diagnostics.">Si Wafers Uniformly Spaced - Bonding and Diagnostics.</a> Rev. Sci. Instrum. 61, 1528-1536 (1990).</li><li>Perron, J. K., Kimball, M. O., Mooney, K. P., Gasparini, F. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Critical+behavior+of+coupled+4He+regions+near+the+superfluid+transition.">Critical behavior of coupled 4He regions near the superfluid transition.</a> Phys. Rev. B. 87, (2013).</li><li>Perron, J., Gasparini, F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Specific+Heat+and+Superfluid+Density+of+4He+near+T+&#955;+of+a+33.6+nm+Film+Formed+Between+Si.">Specific Heat and Superfluid Density of 4He near T &#955; of a 33.6 nm Film Formed Between Si.</a> , 1-10 (2012).</li><li>Perron, J. K., Gasparini, F. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Critical+Point+Coupling+and+Proximity+Effects+in+He-4+at+the+Superfluid+Transition.+.">Critical Point Coupling and Proximity Effects in He-4 at the Superfluid Transition. .</a> Phys. Rev. Lett.. 109, (2012).</li><li>Gasparini, F. M., Kimball, M. O., Mehta, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Adiabatic+fountain+resonance+for+He-4+and+He-3-He-4+mixtures.">Adiabatic fountain resonance for He-4 and He-3-He-4 mixtures.</a> J. Low Temp. Phys. 125, 215-238 (2001).</li><li>Corruccini, R. J., Gniewek, J. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thermal+expansion+of+technical+solids+at+low+temperatures;+a+compilation+from+the+literature.">Thermal expansion of technical solids at low temperatures; a compilation from the literature.</a> U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards. , (1961).</li><li>Kahn, H., Deeb, C., Chasiotis, I., Heuer, A. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Anodic+oxidation+during+MEMS+processing+of+silicon+and+polysilicon:+Native+oxides+can+be+thicker+than+you+think.">Anodic oxidation during MEMS processing of silicon and polysilicon: Native oxides can be thicker than you think.</a> J. Microelectromech. S. 14, 914-923 (2005).</li><li>Tong, Q. Y., Gosele, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thickness+Considerations+in+Direct+Silicon-Wafer+Bonding.">Thickness Considerations in Direct Silicon-Wafer Bonding.</a> J. Electrochem. Soc. 142, 3975-3979 (1995).</li><li>Corbino, O. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Azioni+Elettromagnetiche+Doyute+Agli+Ioni+dei+Metalli+Deviati+Dalla+Traiettoria+Normale+per+Effetto+di+un+Campo.">Azioni Elettromagnetiche Doyute Agli Ioni dei Metalli Deviati Dalla Traiettoria Normale per Effetto di un Campo.</a> Nuovo Cim. 1, 397-420 (1911).</li><li>Diaz-Avila, M., Kimball, M. O., Gasparini, F. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Behavior+of+He-4+near+T-lambda+in+films+of+infinite+and+finite+lateral+extent.">Behavior of He-4 near T-lambda in films of infinite and finite lateral extent.</a> J. Low Temp. Phys. 134, 613-618 (2004).</li><li>Dimov, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Anodically+bonded+submicron+microfluidic+chambers.">Anodically bonded submicron microfluidic chambers.</a> Rev. Sci. Instrum. 81, (2010).</li><li>Duh, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Microfluidic+and+Nanofluidic+Cavities+for+Quantum+Fluids+Experiments.">Microfluidic and Nanofluidic Cavities for Quantum Fluids Experiments.</a> J. Low Temp. Phys. 168, 31-39 (2012).</li></ol>

ليس لدينا ما نكشفه

وقد سمح لنا تطوير الطباعة الحجرية السيليكون مناسبة في تركيبة مع الترابط رقاقة مباشرة لجعل فراغ حاويات ضيقة مع أبعاد صغيرة موحدة للغاية على جميع المساحة الكاملة من رقاقة السيليكون قطرها 5 سم. وقد سمحت لنا هذه المرفقات لدراسة سلوك السائل 4انه في حي من مرحلة التحولات من السائل العادي إل...

عندما يتم جلب رقائق السيليكون النظيفة في اتصال حميم في RT ، تنجذب إلى بعضها البعض عبر قوات فان دير وال وتشكل روابط محلية ضعيفة. ويمكن جعل هذا الترابط أقوى بكثير عن طريق التلين في درجات حرارة أعلى5,6. الترابط يمكن أن يتم بنجاح مع السطوح إما SiO2 إلى Si أو SiO2 إلى SiO2. الترابط من رقائق سي هي الأكثر شيوعا للسيليكون على الأجهزة العازلة، وأجهزة الاستشعار القائمة على السيليكون والمحركات، والأجهزة البصرية7. العمل الموصوف هنا يأخذ الرقاقة الترابط المباشر في اتجاه مختلف باستخدامه لتحقيق مرفقات محددة بشكل جيد متباعدة بشكل موحد على كامل منطقة رقاقة8،9. وجود هندسة محددة جيدا حيث يمكن إدخال السوائل يسمح بإجراء القياسات من أجل تحديد تأثير الحبس على خصائص السائل. ويمكن دراسة التدفقات الهيدروديناميكية حيث يمكن التحكم في البعد الصغير من عشرات النانومترات إلى عدة ميكرومترات.
يمكنزراعة SiO 2 على رقائق Si باستخدام عملية أكسيد حراري رطب أو جاف في الفرن. يمكن بعد ذلك نقش SiO2 وحفره على النحو المطلوب باستخدام التقنيات الحجرية. وتشمل الأنماط التي استخدمت في عملنا نمطا من وظائف الدعم متباعدة على نطاق واسع مما يؤدي إلى الترابط في هندسة مستو أو فيلم (انظر الشكل 1). لدينا أيضا قنوات منقوشة لخصائص أحادية الأبعاد، وصفائف من صناديق، إما من (1 ميكرومتر)3 أو (2 ميكرومتر)3 البعد1 (انظر الشكل 2). عند تصميم الحبس مع صناديق، وعادة 10-60 مليون على رقاقة، يجب أن يكون هناك طريقة لملء جميع الصناديق الفردية. نمط منفصل من رقاقة أعلى مع التصميم الذي يقف قبالة رقائق اثنين من قبل 30 نانومتر أو أكثر يسمح لهذا. أو، على نحو مماثل، يمكن تصميم القنوات الضحلة على رقاقة أعلى بحيث يتم ربط جميع المربعات. سمك أكسيد نمت على رقاقة أعلى يختلف عن ذلك على رقاقة أسفل. وهذا يضيف درجة أخرى من المرونة والتعقيد إلى التصميم. القدرة على نمط كل من رقائق يسمح لمجموعة أكبر من هندسات الحبس أن تتحقق.
يمكن أن يختلف حجم الميزات الهندسية في هذه الرقائق المستعبدة ، أو الخلايا. وقد بذلت خلايا مع الأفلام بلانار صغيرة مثل 30 نانومتر بنجاح10,11. في سمك تحت هذا، يمكن أن يحدث overbonding حيث رقائق ينحني حول وظائف الدعم وبالتالي "ختم" الخلية. مؤخرا، سلسلة من القياسات على السائل 4وقد تم تنفيذ مع مجموعة من (2 ميكرومتر)3 صناديق مع اختلاف مسافة الفصل بينهما10،12. ميزات أكبر بكثير في العمق من 2 ميكرومتر ليست عملية جدا نظرا لطول الوقت اللازم لزراعة أكسيد. ومع ذلك، تم إجراء قياسات مع أكسيد سميكة مثل 3.9 ميكرومتر9. وتنشأ الحدود على صغر البعد الجانبي من حدود قدرات الطباعة الحجرية. يتم تحديد الحد الأقصى لضخامة البعد الجانبي من خلال حجم الرقاقة. لقد أنشأنا بنجاح خلايا مستو حيث امتد البعد الجانبي تقريبا قطر رقاقة كامل، ولكن يمكن للمرء أن يتصور بسهولة نقش عدة هياكل أصغر على ترتيب عشرات نانومتر في العرض. غير أن هذه الهياكل تتطلب الطباعة الحجرية للشعاع الإلكتروني. لم نفعل ذلك في هذا الوقت.
في كل من عملنا شكلت رقائق المستعبدين فراغ الضميمة ضيق. ويتحقق ذلك عن طريق الاحتفاظ في أكسيد منقوشة حلقة صلبة من SiO2 من 3-4 مم في العرض في محيط رقاقة، انظر الشكل 1. هذا، على الترابط، يشكل ختم ضيق. ويمكن تعديل هذا التصميم بسهولة إذا كان المرء مهتما بدراسات الهيدروديناميكية التي تتطلب مدخلات ومخرجات.
كما تم اختبار الضغط المتفجر للخلايا المستعبدة. وجدنا أنه مع رقائق سميكة 375 ميكرومتر، يمكن تطبيق الضغط تصل إلى ما يقرب من تسعة أجواء. ومع ذلك، لم ندرس كيف يمكن تحسين ذلك من خلال الترابط على مناطق أكسيد أكبر أو، ربما، لألرقائق سمكا.
يتم إعطاء إجراء ربط خلايا السيليكون إلى خط تعبئة وتقنيات قياس خصائص الهيليوم المحصور في درجة حرارة منخفضة في ميهتا وآخرون. 2 وغاسباريني وآخرون. 13 نلاحظ أن التغيرات في البعد الخطي للسيليكون ليست سوى 0.02٪ عند تبريد الخلايا14. هذا لا يكاد يذكر بالنسبة للأنماط التي تشكلت في RT.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="1111">
	<colgroup>
		<col />
		<col />
		<col />
		<col />
	</colgroup>
	<tbody>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;width:215px;">SmartCut</td>
			<td style="width:192px;">North American Tool</td>
			<td style="width:104px;">FL 130</td>
			<td style="width:600px;">Not much is needed per cell. Smaller sizes are available.</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Silicon Wafers</td>
			<td>Semiconductor Processing Co</td>
			<td></td>
			<td>There are many suppliers. Pay attention to thickness and thickness variation when ordering.</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Deionized Water</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Peroxide</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Hydrochloric Acid</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Ammonium Hydroxide</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Nitrogen Gas</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Helium Gas</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Diamond Paste</td>
			<td>Beuler Metadi II</td>
			<td>e.g. 406533032</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Diamond Drills</td>
			<td>Starlite</td>
			<td>e.g. 115010</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Pyrex Dishes</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Filter Paper</td>
			<td>Whatman</td>
			<td>1001-110</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Acetone</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Methanol</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Quartz tubes for flushing furnace</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Rubber vacuum hose</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of uniform nanoscale cavities via silicon direct wafer bonding

قياسات القدرة الحرارية وكسر فائقة من 4محصورة وقد أجريت بالقرب من الانتقال لامبدا باستخدام رقائق السيليكون منقوشة حجريا والمرابط. على عكس الحبس في المواد المسامية التي غالبا ما تستخدم لهذه الأنواع من التجارب3، توفر الرقائق المستعبدة مساحات موحدة مصممة مسبقا للحبس. هندسة كل خلية معروفة جيدا، مما يزيل مصدرا كبيرا من الغموض في تفسير البيانات.
شقة بشكل استثنائي، 5 سم القطر، 375 ميكرومتر سميكة سي رقائق مع اختلاف حوالي 1 ميكرومتر على رقاقة كامل يمكن الحصول عليها تجاريا (من شركة معالجة أشباه الموصلات، على سبيل المثال). ويزرع أكسيد الحرارية على رقائق لتحديد البعد الحبس في الاتجاه z. ثم يتم حفر نمط في أكسيد باستخدام التقنيات الحجرية وذلك لخلق الضميمة المطلوبة على الترابط. حفر حفرة في واحدة من رقائق (أعلى) للسماح لإدخال السائل ليتم قياسها. يتم تنظيف رقائق2 في حلول RCA ومن ثم وضعها في غرفة microclean حيث يتم شطفها بالماء deionized4. يتم المستعبدين رقائق في RT ومن ثم طلال في ~ 1100 درجة مئوية. وهذا يشكل رابطة قوية ودائمة. ويمكن استخدام هذه العملية لجعل حاويات موحدة لقياس الخصائص الحرارية والديناميكية المائية من السوائل المحصورة من نانومتر إلى مقياس ميكرومتر.

لن يكون للرقاقات المستعبدة بشكل صحيح أي مناطق غير مبوندة. محاولة تقسيم رقائق بعد التلين سوف يسبب الخلية لاقتحام القطع بسبب قوة السندات. تظهر صور الأشعة تحت الحمراء من رقاقة المستعبدين بشكل صحيح في الشكلين 5 و 6. في كثير من الأحيان يحسن التلين توحيد الخلية ، خاصة إذا كانت ا?...

Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding at JoVE.com

Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

ويرد وصف طريقة للترابط بشكل دائم اثنين من رقائق السيليكون وذلك لتحقيق الضميمة موحدة. وهذا يشمل إعداد رقاقة، والتنظيف، والترابط RT، وعمليات التلوين. الرقاقات المستعبدين الناتجة (الخلايا) لديها توحيد الضميمة ~ 1٪1،2. تسمح الهندسة الناتجة عن ذلك بقياسات السوائل والغازات المحصورة.

تصنيع تجاويف نانوية موحدة عبر الترابط رقاقة السيليكون المباشر

Measurements of the heat capacity and superfluid fraction of confined 4He have been performed near the lambda transition using lithographically patterned ...

fabrication-uniform-nanoscale-cavities-via-silicon-direct-wafer

Research

JoVE Journal

Engineering

7.2K Views.  The State University of New York at Buffalo. ويرد وصف طريقة للترابط بشكل دائم اثنين من رقائق السيليكون وذلك لتحقيق الضميمة موحدة. وهذا يشمل إعداد رقاقة، والتنظيف، والترابط RT، وعمليات التلوين. الرقاقات المستعبدين الناتجة (الخلايا) لديها توحيد الضميمة ~ 1٪1،2. تسمح الهندسة الناتجة عن ذلك بقياسات السوائ...

Video: Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

Fabrication And Characterization Of Photonic Crystal Slow Light Waveguides And Cavities

Slow light has been one of the hot topics in the photonics community in the past decade, generating great interest both from a fundamental point of view and for its considerable potential for practical applications. Slow light photonic crystal waveguides, in particular, have played a major part and have been successfully employed for delaying optical signals1-4 and the enhancement of both linear5-7 and nonlinear devices.8-11
Photonic crystal cavities achieve similar effects to that of slow light waveguides, but over a reduced band-width. These cavities offer high Q-factor/volume ratio, for the realization of optically12 and electrically13 pumped ultra-low threshold lasers and the enhancement of nonlinear effects.14-16 Furthermore, passive filters17 and modulators18-19 have been demonstrated, exhibiting ultra-narrow line-width, high free-spectral range and record values of low energy consumption.
To attain these exciting results, a robust repeatable fabrication protocol must be developed. In this paper we take an in-depth look at our fabrication protocol which employs electron-beam lithography for the definition of photonic crystal patterns and uses wet and dry etching techniques. Our optimised fabrication recipe results in photonic crystals that do not suffer from vertical asymmetry and exhibit very good edge-wall roughness. We discuss the results of varying the etching parameters and the detrimental effects that they can have on a device, leading to a diagnostic route that can be taken to identify and eliminate similar issues.
The key to evaluating slow light waveguides is the passive characterization of transmission and group index spectra. Various methods have been reported, most notably resolving the Fabry-Perot fringes of the transmission spectrum20-21 and interferometric techniques.22-25 Here, we describe a direct, broadband measurement technique combining spectral interferometry with Fourier transform analysis.26 Our method stands out for its simplicity and power, as we can characterise a bare photonic crystal with access waveguides, without need for on-chip interference components, and the setup only consists of a Mach-Zehnder interferometer, with no need for moving parts and delay scans.
When characterising photonic crystal cavities, techniques involving internal sources21 or external waveguides directly coupled to the cavity27 impact on the performance of the cavity itself, thereby distorting the measurement. Here, we describe a novel and non-intrusive technique that makes use of a cross-polarised probe beam and is known as resonant scattering (RS), where the probe is coupled out-of plane into the cavity through an objective. The technique was first demonstrated by McCutcheon et al.28 and further developed by Galli et al.29

Use of photonic crystal slow light waveguides and cavities has been widely adopted by the photonics community in many differing applications. Therefore fabrication and characterization of these devices are of great interest. This paper outlines our fabrication technique and two optical characterization methods, namely: interferometric (waveguides) and resonant scattering (cavities).

تصنيع وتوصيف الدليل الموجي الكريستال الضوئية الخفيفة بطيئة وتجاويف

Slow light has been one of the hot topics in the photonics community in the past decade, generating great interest both from a fundamental point of view ...

Concurrent Quantitative Conductivity and Mechanical Properties Measurements of Organic Photovoltaic Materials using AFM

Organic photovoltaic (OPV) materials are inherently inhomogeneous at the nanometer scale. Nanoscale inhomogeneity of OPV materials affects performance of photovoltaic devices. Thus, understanding of spatial variations in composition as well as electrical properties of OPV materials is of paramount importance for moving PV technology forward.1,2 In this paper, we describe a protocol for quantitative measurements of electrical and mechanical properties of OPV materials with sub-100 nm resolution. Currently, materials properties measurements performed using commercially available AFM-based techniques (PeakForce, conductive AFM) generally provide only qualitative information. The values for resistance as well as Young's modulus measured using our method on the prototypical ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PC61BM system correspond well with literature data. The P3HT:PC61BM blend separates onto PC61BM-rich and P3HT-rich domains. Mechanical properties of PC61BM-rich and P3HT-rich domains are different, which allows for domain attribution on the surface of the film. Importantly, combining mechanical and electrical data allows for correlation of the domain structure on the surface of the film with electrical properties variation measured through the thickness of the film.

Organic photovoltaic (OPV) materials are inherently inhomogeneous at the nanometer scale. Nanoscale inhomogeneity of OPV materials affects performance of photovoltaic devices. In this paper, we describe a protocol for quantitative measurements of electrical and mechanical properties of OPV materials with sub-100 nm resolution.

الكمية التوصيل المتزامن والخصائص الميكانيكية للمواد القياسات الضوئية العضوية باستخدام AFM

Organic photovoltaic  (OPV) materials are inherently inhomogeneous at the nanometer scale. Nanoscale  inhomogeneity of OPV materials affects performance ...

Patterning via Optical Saturable Transitions - Fabrication and Characterization

This protocol describes the fabrication and characterization of nanostructures using a novel nanolithographic technique called Patterning via Optical Saturable Transitions (POST). In this technique the chemical properties of organic photochromic molecules that undergo single-photon reactions are exploited, enabling rapid top-down nanopatterning over large areas at low light intensities, thereby, allowing for the circumvention of the far-field diffraction barrier.4 Simple, cost-effective, high throughput and resolution alternatives to nanopatterning are being explored, such as, two-photon polymerization5,6, beam pen lithography (BPL)7, scanning electron beam lithography (SEBL), and focused ion beam (FIB) patterning. However, multi-photon approaches require high light intensities, which limit their potential for high throughput and offer low image contrast. Although, electron and ion beam lithographic processes offer increased resolution, the serial nature of the process is limited to slow writing speeds, which also prevents patterning of features over large areas. Beam-pen lithography is an approach towards parallel near-field optical lithography. However, the gap between the source of the beam and the surface of the photoresist needs to be controlled extremely precisely for good pattern uniformity and this is very challenging to accomplish for large arrays of beams. Patterning via Optical Saturable Transitions (POST) is an alternative optical nanopatterning technique for patterning sub-wavelength features1-3. Since this technique uses single photons instead of electrons, it is extremely fast and does not require high light intensities1-3, opening the door to massive parallelization.

We report that the diffraction limit of conventional optical lithography can be overcome by exploiting the transitions of organic photochromic derivatives induced by their photoisomerization at low light intensities.1-3 This paper outlines our fabrication technique and two locking mechanisms, namely: dissolution of one photoisomer and electrochemical oxidation.

الزخرفة عبر البصرية تشبع انتقالات - تصنيع وتوصيف

This protocol describes the fabrication and characterization of nanostructures using a novel nanolithographic technique called Patterning via Optical ...

Thermal Measurement Techniques in Analytical Microfluidic Devices

Thermal measurement techniques have been used for many applications such as thermal characterization of materials and chemical reaction detection. Micromachining techniques allow reduction of the thermal mass of fabricated structures and introduce the possibility to perform high sensitivity thermal measurements in the micro-scale and nano-scale devices. Combining thermal measurement techniques with microfluidic devices allows performing different analytical measurements with low sample consumption and reduced measurement time by integrating the miniaturized system on a single chip. The procedures of thermal measurement techniques for particle detection, material characterization, and chemical detection are introduced in this paper.

Here, we present three protocols for thermal measurements in microfluidic devices.

تقنيات القياس الحرارية في تحليلي الأجهزة ميكروفلويديك

Thermal measurement techniques have been used for many applications such as thermal characterization of materials and chemical reaction detection. ...

Prescribed 3-D Direct Writing of Suspended Micron/Sub-micron Scale Fiber Structures via a Robotic Dispensing System

A 3-axis dispensing system is utilized to control the initiating and terminating fiber positions and trajectory via the dispensing software. The polymer fiber length and orientation is defined by the spatial positioning of the dispensing system 3-axis stages. The fiber diameter is defined by the prescribed dispense time of the dispensing system valve, the feed rate (the speed at which the stage traverses from an initiating to a terminating position), the gauge diameter of the dispensing tip, the viscosity and surface tension of the polymer solution, and the programmed drawing length. The stage feed rate affects the polymer solution&#8217;s evaporation rate and capillary breakup of the filaments. The dispensing system consists of a pneumatic valve controller, a droplet-dispensing valve and a dispensing tip. Characterization of the direct write process to determine the optimum combination of factors leads to repeatedly acquiring the desired range of fiber diameters. The advantage of this robotic dispensing system is the ease of obtaining a precise range of micron/sub-micron fibers onto a desired, programmed location via automated process control. Here, the discussed self-assembled micron/sub-micron scale 3D structures have been employed to fabricate suspended structures to create micron/sub-micron fluidic devices and bioengineered scaffolds.

Here, we present a protocol to fabricate freely-suspended, micron/sub-micron scale polymer fibers and &#8220;web-like&#8221; structures generated via automated direct writing procedure by means of a 3-axis dispensing system.

المنصوص عليها 3-D المباشر الكتابة من معلق ميكرون / ميكرون الفرعي الهياكل مقياس الألياف عن طريق نظام التركيب الروبوتية

A 3-axis dispensing system is utilized to control the initiating and terminating fiber positions and trajectory via the dispensing software. The polymer ...

Solvent Bonding for Fabrication of PMMA and COP Microfluidic Devices

Thermoplastic microfluidic devices offer many advantages over those made from silicone elastomers, but bonding procedures must be developed for each thermoplastic of interest. Solvent bonding is a simple and versatile method that can be used to fabricate devices from a variety of plastics. An appropriate solvent is added between two device layers to be bonded, and heat and pressure are applied to the device to facilitate the bonding. By using an appropriate combination of solvent, plastic, heat, and pressure, the device can be sealed with a high quality bond, characterized as having high bond coverage, bond strength, optical clarity, durability over time, and low deformation or damage to microfeature geometry. We describe the procedure for bonding devices made from two popular thermoplastics, poly(methyl-methacrylate) (PMMA), and cyclo-olefin polymer (COP), as well as a variety of methods to characterize the quality of the resulting bonds, and strategies to troubleshoot low quality bonds. These methods can be used to develop new solvent bonding protocols for other plastic-solvent systems.

Solvent bonding is a simple and versatile method for fabricating thermoplastic microfluidic devices with high quality bonds. We describe a protocol to achieve strong, optically clear bonds in PMMA and COP microfluidic devices that preserve microfeature details, by a judicious combination of pressure, temperature, an appropriate solvent, and device geometry.

الرابطة المذيبات لتصنيع PMMA وCOP أجهزة ميكروفلويديك

Thermoplastic microfluidic devices offer many advantages over those made from silicone elastomers, but bonding procedures must be developed for each ...

A Novel Method for In Situ Electromechanical Characterization of Nanoscale Specimens

Electrically assisted deformation (EAD) is increasingly being used to improve the formability of metals during processes such as sheet metal rolling and forging. Adoption of this technique is proceeding despite disagreement concerning the underlying mechanism responsible for EAD. The experimental procedure described herein enables a more explicit study compared to previous EAD research by removing thermal effects, which are responsible for disagreement in interpreting previous EAD results. Furthermore, as the procedure described here enables EAD observation in situ and in real time in a transmission electron microscope (TEM), it is superior to existing post-mortem methods that observe EAD effects post-test. Test samples consist of a single crystal copper (SCC) foil having a free-standing tensile test section of nanoscale thickness, fabricated using a combination of laser and ion beam milling. The SCC is mounted to an etched silicon base that provides mechanical support and electrical isolation while serving as a heat sink. Using this geometry, even at high current density (~3,500 A/mm2), the test section experiences a negligible temperature increase (&#60;0.02 &#176;C), thus eliminating Joule heating effects. Monitoring material deformation and identifying the corresponding changes to microstructures, e.g. dislocations, are accomplished by acquiring and analyzing a series of TEM images. Our sample preparation and in situ experiment procedures are robust and versatile as they can be readily utilized to test materials with different microstructures, e.g., single and polycrystalline copper.

A Novel Method for In Situ Electromechanical Characterization of Nanoscale Specimens

Isolating electrical and thermal effects on electrically assisted deformation (EAD) is very difficult using macroscopic samples. Metallic sample micro- and nanostructures together with a custom test procedure have been developed to evaluate the impact of applied current on the formation without joule heating and evolution of dislocations on these samples.

طريقة جديدة ل<em&gt; في الموقع</em&gt; الكهروميكانيكية توصيف عينات النانو

Electrically assisted deformation (EAD) is increasingly being used to improve the formability of metals during processes such as sheet metal rolling and ...

Fabrication of Magnetic Nanostructures on Silicon Nitride Membranes for Magnetic Vortex Studies Using Transmission Microscopy Techniques

Electron and x-ray magnetic microscopies allow for high-resolution magnetic imaging down to tens of nanometers. However, the samples need to be prepared on transparent membranes which are very fragile and difficult to manipulate. We present processes for the fabrication of samples with magnetic micro- and nanostructures with spin configurations forming magnetic vortices suitable for Lorentz transmission electron microscopy and magnetic transmission x-ray microscopy studies. The samples are prepared on silicon nitride membranes and the fabrication consists of a spin coating, UV and electron-beam lithography, the chemical development of the resist, and the evaporation of the magnetic material followed by a lift-off process forming the final magnetic structures. The samples for the Lorentz transmission electron microscopy consist of magnetic nanodiscs prepared in a single lithography step. The samples for the magnetic x-ray transmission microscopy are used for time-resolved magnetization dynamic experiments, and magnetic nanodiscs are placed on a waveguide which is used for the generation of repeatable magnetic field pulses by passing an electric current through the waveguide. The waveguide is created in an extra lithography step.

A protocol for the fabrication of magnetic micro- and nanostructures with spin configurations forming magnetic vortices suitable for transmission electron microscopy (TEM) and magnetic transmission x-ray microscopy (MTXM) studies is presented.

تصنيع النانو المغناطيسية في أغشية نيتريد السيليكون لدراسات دوامة مغناطيسية باستخدام تقنيات الفحص المجهري الإرسال

Electron and x-ray magnetic microscopies allow for high-resolution magnetic imaging down to tens of nanometers. However, the samples need to be prepared ...

Fabrication of Three-Dimensional Graphene-Based Polyhedrons via Origami-Like Self-Folding

The assembly of two-dimensional (2D) graphene into three-dimensional (3D) polyhedral structures while preserving the graphene's excellent inherent properties has been of great interest for the development of novel device applications. Here, fabrication of 3D, microscale, hollow polyhedrons (cubes) consisting of a few layers of 2D graphene or graphene oxide sheets via an origami-like self-folding process is described. This method involves the use of polymer frames and hinges, and aluminum oxide/chromium protection layers that reduce tensile, spatial, and surface tension stresses on the graphene-based membranes when the 2D nets are transformed into 3D cubes. The process offers control of the size and shape of the structures as well as parallel production. In addition, this approach allows the creation of surface modifications by metal patterning on each face of the 3D cubes. Raman spectroscopy studies show the method allows the preservation of the intrinsic properties of the graphene-based membranes, demonstrating the robustness of our method.

Fabrication of Three-Dimensional Graphene-Based Polyhedrons via Origami-Like Self-Folding

Here, we present a protocol for fabrication of 3D graphene-based polyhedrons via origami-like self-folding.

تصنيع بوليهيدرونس الجرافين-على أساس ثلاثي الأبعاد عبر أوريغامي--مثل ذاتية قابلة للطي

The assembly of two-dimensional (2D) graphene into three-dimensional (3D) polyhedral structures while preserving the graphene's excellent inherent ...

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes normally result in very poor cell performance. Embedding or sandwiching silver nanowires using moderately conductive transparent materials, such as indium tin oxide or zinc oxide, can improve cell performance. However, the solution-processed matrix layers can cause a significant number of interfacial defects between transparent electrodes and the CdS buffer, which can eventually result in low cell performance. This manuscript describes how to fabricate robust electrical contact between a silver nanowire electrode and the underlying CdS buffer layer in a Cu(In,Ga)Se2 solar cell, enabling high cell performance using matrix-free silver nanowire transparent electrodes. The matrix-free silver nanowire electrode fabricated by our method proves that the charge-carrier collection capability of silver nanowire electrode-based cells is as good as that of standard cells with sputtered ZnO:Al/i-ZnO as long as the silver nanowires and CdS have high-quality electrical contact. The high-quality electrical contact was achieved by depositing an additional CdS layer as thin as 10 nm onto the silver nanowire surface.

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

In this protocol, we describe the detailed experimental procedure for the fabrication of a robust nanoscale contact between a silver nanowire network and CdS buffer layer in a CIGS thin-film solar cell.