Gap-Mode Surface-Enhanced Raman Scattering (SERS) Substrate Preparation

כדי להתחיל, יש להפקיד נחושת וכסף על פתקי הכיסוי המנוקים באמצעות מערכת שיקוע הסרט הדק של קרן אלקטרונים בהתאם לנהלים סטנדרטיים כפי שהומלץ על ידי היצרן. עבור שקיעת נחושת, הגדל את זרם הפליטה בהדרגה ב -10 מיליאמפר לדקה עד שהחיישן קורא קצב שיקוע קרוב ל -10 אנגסטרומים לשנייה. לאחר השגת קצב התצהיר הרצוי, סגור את התריס והגדר את מיקום הפלטה לאפס מעלות.

פתח את התריס כדי להתחיל בתהליך התצהיר ועקוב אחר העובי בתצוגה של חיישן התצהיר. סגור את התריס כאשר מגיעים לעובי הרצוי לנחושת. לאחר מכן סובב את מחזיק כור ההיתוך באמצעות הידית כדי לכוון את הקרן לעבר כור ההיתוך המכיל כדורי כסף, ובצע שיקוע כפי שהודגם .

לאחר מכן, הוסף 500 מיקרוליטר של תמיסת כחול נילוס 50 מיקרומולרית על פני השטח של הסרט הדק הכסוף. לאחר 15 דקות, שטפו היטב את הסרט הכסוף הדק במים טהורים במיוחד כדי להסיר מולקולות כחול נילוס שנספגו חלש. לבסוף, יבש את הסרט כסף דק עם גז חנקן.

הפילו 500 מיקרוליטר של דילול פי 100 של קולואיד ננו-חלקיקי הכסף על אותו אזור של יריעת הטיפה הכסופה הדקה יצוקה עם תמיסת כחול הנילוס. לאחר 20 דקות, שטפו את מצע הרמאן המשופר על פני השטח במצב רווח, או מצע SERS, במים טהורים במיוחד. לאחר מכן יבש את המצע באמצעות גז חנקן.

הספקטרום האולטרה סגול הנראה לעין של הסרט הדק הכסוף הטוב מדגים כי הסרט שקוף חלקית עבור החלק הנראה של הספקטרום האלקטרומגנטי. תמונת AFM מייצגת של המצע הטוב מוצגת כאן. השונות בגובה מצע הסרט הדק כסוף מיוצגת על ידי פרופיל הקו, ומדגימה את האחידות והחלקות של הסרט.

תמונת SEM של ננו-חלקיקי כסף יצוקים ואוויר מיובשים על פרוסת סיליקון הראתה קוטר ממוצע של כ-79.2 ננומטר.