עבודה זו נתמכה על ידי ההנדסה בבריטניה ובמדעים הפיזיקליים מועצת מחקר תחת מספר מענק EP/G065640/1 ועל ידי הקרן הלאומית למדע בארה&quot;ב תחת מספר מענק DMR-0,908,767 [ML וLHL] ומספר מענק DMR-0,907,007 [ד&quot;ה].

בפרוטוקול זה, סרטים דקים של סגסוגת FeRh הורה נעשים עם המקרטעת dc-magnetron על MgO (001) מצעים. הדגימות גדלים בשדה מגנטי של כ -200 Oe המסופק על ידי מערך מגנט קבוע, המשמש להגדרת אנאיזוטרופיה מגנטי במטוס. קוטר היעד הוא 50 מ&quot;מ והמרחק בין היעד והמצעים הוא כ 10 סנטימטר. לגדול FeRh, משמש אקדח magnetron טורוס dc-מגנטי מתאים לחומרים מגנטיים. תנורי נורות ממוקמות 2 ס&quot;מ מעל מצעים ומוקפים בגליל מתכת כדי לשמור על הנפח המחומם קטנים. הטמפרטורה המקסימלית האפשרית במערכת זו היא ~ 1,050 ק מערכת זו היא מסוגלת להחזיק 24 מצעים שונים, עם זאת, אנחנו בדרך כלל לגדול פחות מ 10 בעת ביצוע דגימות epitaxial בשל אילוצי זמן. הפרטים שהוצגו כאן לדוגמא פרוטוקול הכנה זו ידועים לעבוד גם במערכת הוואקום שלנו. כמו שיש הרבה מערכות ואקום שווה ערך ששונה בפרטיהםים, את הדרישות לפרמטרים כמותיים כגון טמפרטורה, זמן, וכו &#39;. אולי גם לקחת ערכים אופטימליים שונים במערכות אחרות. עם זאת, התיאור שלהלן יוכיח מדריך שימושי לקורא. בפרוטוקול מפורט להלן, הנחה הוא שהקורא מכיר את העקרונות הבסיסיים של תרגול ואקום טוב, כגון שימוש בכפפות כדי לטפל בכל המרכיבים אשר ייכנסו לתא הוואקום [ראה, למשל, התייחסות 26]. 1. מצע ויעד הכנה סעיף זה מתאר את ההכנה של חדר גמגום בתצהיר ומצעי MgO הגביש היחיד. <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> יש לשטוף (001) מצעי MgO בisopropanol ולעגן אותן בבעלי המצע. טען האלה לתוך תא הוואקום. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> הר את יעד FeRh באקדח magnetron ולהרכיב מחדש את האקדח. לדוגמה עם הרכב equiatomic, מצאנו כי יעד עם פה 47Rh 53 הוא מתאים ביותר, מניב שלב מעבר magnetostructural הברור ביותר. בדוק שאין קצר בין magnetron והמגן שמסביב. בדומה לכך, להכין כל יעד (ים) שישמש למכסת שכבות. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> סגור את תא הוואקום ולשאוב אותו. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ברגע שהאבק הוא טוב יותר מאשר 1 x 10 -6 טור, לחמם את מצעים ל870 ק צג שיעור רמת הוואקום וחימום כדי לוודא שהלחץ לא עולה מעל רמה זו. להחזיק בטמפרטורה זו למשך לילה. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> שעה אחת לפני תחילת צמיחה, תתחיל לזרום חנקן נוזלי באמצעות מלכודת מייסנר. הוואקום צריך לשפר ליותר מ 4 x 10 -7 טור. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> הגדר את הזרימה ההמונית בקר ל65 SCCM של זרימת גז עובדת. גז גמגום הוא Ar עם מימן 4%, כדי למנוע חמצון מדגם במהלך צמיחה. פתח את זרימת גז השסתום. הלחץ בתא צריך לעלות לטווח mTorr הנמוך. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> לפני הצמיחה, טרום גמגום יעד FeRh עבור1,200 שניות ב30 W. </li></ol> 2. Epilayer הפקדת סעיף זה מתאר בתצהיר של שכבת FeRh ידי המקרטעת dc-magnetron. <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> התאם את נקודת הזרימה ההמונית בקר המוכן לתת לחץ בתא של 4 x 10 -3 טור. לאפשר את הלחץ להתיישב לערך יציב. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> בדוק שטמפרטורת המצע נשארה ב870 K והוא יציב. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> החל כוח magnetron להניב שיעור בתצהיר כולל של 0.4 Å / sec. בתאים מצוידים בצג גביש קוורץ, זה יכול להיעשות באמצעות צג שאם מכויל כראוי. אם קאמרי אין צג גביש קוורץ, מדידות עובי הודעה צמיחה יכולות להיות מועילות, כמו גם רמה גבוהה של שחזור בין ריצות. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> פתח את התריס ולהפקיד FeRh על המצע המחומם לאורכו של הזמן המתאים כדי לתת את העובי הרצוי. לדוגמא, בתצהיר שניות 500 יניבו מדגם ננומטר 20 עבה. &lt;/ Li&gt; <li style=";text-align:right;direction:rtl"> סגור את התריס. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> כבה את אספקת החשמל לmagnetron. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> סגור את ברז הגז. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> להעלות את טמפרטורת המדגם ל970 ק החזק את הדגימות בטמפרטורה זו למשך שעה אחת. הלחץ צריך להישאר טוב יותר מאשר 1 x 10 -6 טור לאורך כל דרך. ניתן למצוא את ההשפעות של משתנה טמפרטורה לחשל זה בדה פריס ואח&#39;. 20 </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> יכבה תנור ולקרר את הדגימות לטמפרטורת חדר. במערכת זו, זה לוקח לפחות שלוש שעות. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> להפקיד כל שכבת מכסת הנדרשת, תוך שימוש בצעדים דומים לצעדים 2.1-2.7. הפקדת שכבת מכסת בטמפרטורה מתחת ~ 370 K היא חיונית כדי למנוע interdiffusion לתוך שכבת FeRh 27. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> Vent קאמרי עם חנקן יבש, לפתוח אותו, ולהסיר את הדגימות. הם צריכים להופיע בהירים ומבריקים. </li></ol> 3. אפיון לאחר צמיחה שגרתית סעיף זה מספק סקירה של characterizati הבסיסיעל צעדים שבוצעו ברוב דגימות FeRh שלנו. כמו שיש הרבה שיטות שווה ערך אפשריות לביצוע מדידות אלה, אופי התיאורים כאן הם פחות מפורט וכללים, ובמקום להתרכז בתכונות חיוניות של כל מדידות כאלה. <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> לבצע סריקת רפלקטיביות Χ-ray זווית נמוכה כדי לקבוע את עובי המדגם. הר את המדגם בdiffractometer וליישר אותו בω עם זווית הגלאי 2 θ ≈ 1 °. אם זמין, צריך גם להיות מיושר χ. הפעל סטנדרטי θ-2θ סריקה עם θ פועל בין 0 ° עד שתגיע לרצפת הרעש של המכשיר, בדרך כלל פעם אחת θ ≥ 6 ° למדגם באיכות טוב. שוליים ברורים Kiessig (הפרעות סרט דק) צריכים להיות גלויים, שממנו ניתן לקבוע את עובי epilayer. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> לבצע סריקה עקיפה Χ-ray בזווית גבוהה כדי לקבוע את מידת הסדר כימי. זו יכולה להיות מכוניתRied עם המדגם עדיין רכוב בdiffractometer משלב 3.1. שיא מצע MgO צריך להימצא (ב2 θ = 42.9 ° אם נעשתה שימוש בקרינת α Cu K) והמדגם מיושר שוב בω. שוב, להפעיל θ θ -2, מכסה לפחות את הטווח 12.5 ° &lt;θ &lt;62.5 ° (בהנחה שוב קרינת α Cu K), כך ששני FeRh (001) ו( 002) פסגות, כמו גם את שיא המצע, הם כבשו. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> לבצע מדידה של התלות בטמפרטורה של ההתנגדות לדוגמה כדי לקבוע את טמפרטורת המעבר. הפוך מגעים חשמליים לדוגמא כך שמדידת 4 נקודות סטנדרטיות יכולה להיעשות כדי להימנע מבעיות בהתנגדות ליצירת קשר. במידה והשתמשה בשיטה dc, לבצע מדידות לקדימה לאחור כיוונים הנוכחיים וההתנגדויות בממוצע כדי null את כל EMF תרמי שנוצר בטמפרטורות גבוהות. לאחר מכן למקם את המדגם בהמשך טמפרטורהשלב חם התגלגל (בהגדרת השלב זה הוא בתא ואקום גבוה שאוב טורבו קטן כדי להיות בטוח להימנע מכל חמצון), ולמדוד את ההתנגדות כפונקציה של טמפרטורה על החימום וגם קירור מטאטא כך שhysteresis כל ב שלב מעבר magnetostructural הצו הראשון ניתן לקבוע. </li></ol>

<ol>
	<li>Cho, A. Y., Arthur, J. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Molecular+beam+epitaxy.">Molecular beam epitaxy.</a> Progress in Solid State Chemistry. 10 (Part 3), 157 (1975).</li><li>Stringfellow, G. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice. , (1998).</li><li>Harp, G. R., Parkin, S. S. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+growth+of+metals+by+sputter+deposition.">Epitaxial growth of metals by sputter deposition.</a> Thin Solid Films. (1-2), 288-281 (1996).</li><li>Conover, M. J., Fullerton, E. E., Mattson, J. E., Sowers, C. H., Bader, S. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Giant+magetoresistance+in+epitaxial+sputtered+Fe/Cr(211)+superlattices+(abstract).">Giant magetoresistance in epitaxial sputtered Fe/Cr(211) superlattices (abstract).</a> Journal of Appied Physics. 75 (211), 7080-7080 (1994).</li><li>Kuch, W., Marley, A. C., Parkin, S. S. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Seeded+epitaxy+of+Co90Fe10/Cu+multilayers+on+MgO(001):+Influence+of+Fe+seed+layer+thickness.">Seeded epitaxy of Co90Fe10/Cu multilayers on MgO(001): Influence of Fe seed layer thickness.</a> Journal of Applied Physics. 83 (001), 4709-4713 (1998).</li><li>Hindmarch, A. T., Arena, D. A., Dempsey, K. J., Henini, M., Marrows, C. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Influence+of+deposition+field+on+the+magnetic+anisotropy+in+epitaxial+Co70Fe30+films+on+GaAs(001).">Influence of deposition field on the magnetic anisotropy in epitaxial Co70Fe30 films on GaAs(001).</a> Physical Review B. 81, 100407 (2010).</li><li>Weller, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High+Ku+materials+approach+to+100+Gbits/in2.">High Ku materials approach to 100 Gbits/in2.</a> IEEE Transactions on Magnetics. 36 (1), 1015 (2000).</li><li>Seemann, K. M., Baltz, V., MacKenzie, M., Chapman, J. N., Hickey, B. J., Marrows, C. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Diffusive+and+ballistic+current+spin+polarization+in+magnetron-sputtered+L10-ordered+epitaxial+FePt.">Diffusive and ballistic current spin polarization in magnetron-sputtered L10-ordered epitaxial FePt.</a> Physical Review B. 76, 174435 (2007).</li><li>Seemann, K. M., Hickey, M. C., Baltz, V., Hickey, B. J., Marrows, C. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Spin-dependent+scattering+and+the+spin+polarization+of+a+diffusive+current+in+partly+disordered+L10+epitaxial+FePd.">Spin-dependent scattering and the spin polarization of a diffusive current in partly disordered L10 epitaxial FePd.</a> New Journal of Physics. 12 (3), 033033 (2010).</li><li>Seemann, K. M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Spin-orbit+strength+driven+crossover+between+intrinsic+and+extrinsic+mechanisms+of+the+anomalous+hall+effect+in+the+epitaxial+L10-ordered+ferromagnets+FePd+and+FePt.">Spin-orbit strength driven crossover between intrinsic and extrinsic mechanisms of the anomalous hall effect in the epitaxial L10-ordered ferromagnets FePd and FePt.</a> Physical Review Letters. , 104-076402 (2010).</li><li>Marrows, C. H., Dalton, B. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Spin+mixing+and+spin-current+asymmetry+measured+by+domain+wall+magnetoresistance.">Spin mixing and spin-current asymmetry measured by domain wall magnetoresistance.</a> Physical Review Letters. 92, 097206 (2004).</li><li>Swartzendruber, L. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+Fe-Rh+(iron-rhodium)+system.">The Fe-Rh (iron-rhodium) system.</a> Bulletin of Alloy Phase Diagrams. 5, 456-462 (1984).</li><li>Fallot, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Les+alliages+du+fer+avec+les+m&#233;taux+de+la+famille+du+platine.">Les alliages du fer avec les m&#233;taux de la famille du platine.</a> Annals of Physics. 10, 291 (1938).</li><li>Kouvel, J. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Unusual+nature+of+the+abrupt+magnetic+transition+in+FeRh+and+its+pseudobinary+variants.">Unusual nature of the abrupt magnetic transition in FeRh and its pseudobinary variants.</a> Journal of Applied Physics. 37, 1257 (1966).</li><li>Maat, S., Thiele, J. -. U., Fullerton, E. E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Temperature+and+field+hysteresis+of+the+antiferromagnetic-to-ferromagnetic+phase+transition+in+epitaxial+FeRh+films.">Temperature and field hysteresis of the antiferromagnetic-to-ferromagnetic phase transition in epitaxial FeRh films.</a> Physical Review B. 72, 214432 (2005).</li><li>Shirane, G., Nathans, R., Chen, C. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Magnetic+moments+and+unpaired+spin+densities+in+the+Fe-Rh+alloys.">Magnetic moments and unpaired spin densities in the Fe-Rh alloys.</a> Physical Review. 134, A1547 (1964).</li><li>Muldawer, L., de Bergevin, F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Antiferromagnetic-ferromagnetic+transitio+in+FeRh.">Antiferromagnetic-ferromagnetic transitio in FeRh.</a> Journal of Chemical Physics. 35, 1904 (1904).</li><li>Zakharov, A. I., Kadomtseva, A. M., Levitin, R. Z., Ponyatovskii, e. g. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Magnetic+and+magnetoelastic+properties+of+a+metamagnetic+Fe-Rh+alloy.">Magnetic and magnetoelastic properties of a metamagnetic Fe-Rh alloy.</a> Journal of Experimental and Theoretical Physics (USSR). 46, 1348 (1964).</li><li>Annaorazov, M. P., Nikitin, S. A., Tyurin, A. L., Asatryan, K. A., Dovletov Kh, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Anomalously+high+entropy+change+in+FeRh+alloy.">Anomalously high entropy change in FeRh alloy.</a> Journal of Applied Physics. 79 (3), 1689 (1996).</li><li>de Vries, M. A., Loving, M., Mihai, A. P., Lewis, L. H., Heiman, D., Marrows, C. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hall+effect+characterisation+of+electronic+transition+behind+the+metamagnetic+transition+in+FeRh.">Hall effect characterisation of electronic transition behind the metamagnetic transition in FeRh.</a> New Journal of Physics. 15, 013008 (2013).</li><li>Bertaut, E. F., Delapalme, A., Forrat, F., Roult, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Magnetic+structure+work+at+the+nuclear+centre+in+Grenoble.">Magnetic structure work at the nuclear centre in Grenoble.</a> Journal of Applied Physics. 33 (3), 1123 (1962).</li><li>Stamm, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Antiferromagnetic-ferromagnetic+phase+transition+in+FeRh+probed+by+X-ray+magnetic+circular+dichroism.">Antiferromagnetic-ferromagnetic phase transition in FeRh probed by X-ray magnetic circular dichroism.</a> Physical Review B. 77, 184401 (2008).</li><li>Shirane, G., Chen, C. W., Flinn, P. A., Nathans, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=M&#246;ssbauer+study+of+hyperfine+fields+and+isomer+shifts+in+the+Fe-Rh+alloys.">M&#246;ssbauer study of hyperfine fields and isomer shifts in the Fe-Rh alloys.</a> Physical Review. 131, 183 (1963).</li><li>van Driel, J., Coehoorn, R., Strijkers, G. J., Bruck, E., de Boer, F. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Compositional+dependence+of+the+giant+magnetoresistance+in+FexRh1-x+thin+films.">Compositional dependence of the giant magnetoresistance in FexRh1-x thin films.</a> Journal of Applied Physics. 85, 1026 (1999).</li><li>Baranov, N. V., Barabanova, E. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electrical+resistivity+and+magnetic+phase+transitions+in+modified+FeRh+compounds.">Electrical resistivity and magnetic phase transitions in modified FeRh compounds.</a> Journal of Alloys and Compounds. 219, (1995).</li><li>Varian Associates. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Basic Vacuum Practice. , (1992).</li><li>Loving, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Tailoring+the+FeRh+magnetostructural+response+with+Au+diffusion.">Tailoring the FeRh magnetostructural response with Au diffusion.</a> Journal of Applied Physics. 112, 043512 (2012).</li><li>Ding, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Bulk+and+near-surface+magnetic+properties+of+FeRh+thin+films.">Bulk and near-surface magnetic properties of FeRh thin films.</a> Journal of Applied Physics. 103, 07B515 (2008).</li><li>Kim, J. W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Surface+influenced+magnetostructural+transition+in+FeRh+films.">Surface influenced magnetostructural transition in FeRh films.</a> Applied Physics Letters. 95, 222515 (2009).</li><li>Fan, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ferromagnetism+at+the+interfaces+of+antiferromagnetic+FeRh+epilayers.">Ferromagnetism at the interfaces of antiferromagnetic FeRh epilayers.</a> Physical Review B. 82, 184418 (2010).</li><li>Williams, D. B., Carter, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Transmission Electron Microscopy: A Textbook for Materials Science. , (2009).</li><li>Bj&#246;rck, M., Andersson, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=GenX:+an+extensible+X-ray+reflectivity+refinement+program+utilizing+differential+evolution.">GenX: an extensible X-ray reflectivity refinement program utilizing differential evolution.</a> Journal of Applied Crystallography. 40 (6), 1174-1178 (2007).</li><li>Warren, B. E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> X-Ray Diffraction. , (1969).</li><li>Miyanaga, T., Itoga, T., Okazaki, T., Nitta, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Local+structural+change+under+antiferro-+and+ferromagnetic+transition+in+FeRh+alloy.">Local structural change under antiferro- and ferromagnetic transition in FeRh alloy.</a> Journal of Physics: Conference. 190, 012097 (2009).</li><li>Kouvel, J. S., Hartelius, C. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Anomalous+magnetic+moments+and+transformations+in+the+ordered+alloy+FeRh.">Anomalous magnetic moments and transformations in the ordered alloy FeRh.</a> Journal of Applied Physics. 33, 1343 (1962).</li><li>Sharma, M., Aarbogh, H. M., Thiele, J. -. U., Maat, S., Fullerton, E. E., Leighton, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Magnetotransport+properties+of+epitaxial+MgO(001)/FeRh+films+across+the+antiferromagnet+to+ferromagnet+transition.">Magnetotransport properties of epitaxial MgO(001)/FeRh films across the antiferromagnet to ferromagnet transition.</a> Journal of Applied Physics. 109, 083913 (2011).</li><li>Thiele, J. -. U., Maat, S., Fullerton, E. E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=FeRh/FePt+exchange+spring+films+for+thermally+assisted+magnetic+recording+media.">FeRh/FePt exchange spring films for thermally assisted magnetic recording media.</a> Applied Physics Letters. 82, 2859 (2003).</li><li>Wang, C. P., Do, K. B., Beasley, M. R., Geballe, T. H., Hammond, R. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Deposition+of+in-plane+textured+MgO+on+amorphous+Si3N4substrates+by+ion-beam-assisted+deposition+and+comparisons+with+ion-beam-assisted+deposited+yttria-stabilized-zirconia.">Deposition of in-plane textured MgO on amorphous Si3N4substrates by ion-beam-assisted deposition and comparisons with ion-beam-assisted deposited yttria-stabilized-zirconia.</a> Applied Physics Letters. 71, 2955 (1997).</li><li>Kande, D., Pisana, S., Weller, D., Laughlin, D. E., Zhu, J. -. G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Enhanced+B2+ordering+of+FeRh+thin+films+using+B2+NiAl+underlayers.">Enhanced B2 ordering of FeRh thin films using B2 NiAl underlayers.</a> IEEE Transactions on Magnetics. 47 (10), 3296 (2011).</li><li>Walter, P. H. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Exchange+inversion+in+ternary+modifications+of+iron+rhodium.">Exchange inversion in ternary modifications of iron rhodium.</a> Journal of Applied Physics. 35 (3), 938 (1964).</li><li>Yuasa, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=First-order+magnetic+phase+transition+in+bcc+FeRh-Ir+alloy+under+high+pressures+up+to+6.2+GPa.">First-order magnetic phase transition in bcc FeRh-Ir alloy under high pressures up to 6.2 GPa.</a> Journal of the Physical Society of Japan. 63 (3), 855 (1994).</li><li>Lu, W., Nam, N. T., Suzuki, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Effect+of+Pt+doping+on+the+structure,+magnetic,+and+magneto-optical+properties+of+ordered+FeRh-Pt+thin+films.">Effect of Pt doping on the structure, magnetic, and magneto-optical properties of ordered FeRh-Pt thin films.</a> IEEE Transactions on Magnetics. 45 (6), 2716 (2009).</li><li>Kushwaha, P., Lakhani, A., Rawat, R., Chaddah, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low-temperature+study+of+field-induced+antiferromagnetic-ferromagnetic+transition+in+Pd-doped+FeRh.">Low-temperature study of field-induced antiferromagnetic-ferromagnetic transition in Pd-doped FeRh.</a> Phys Rev. B. 80, 174413 (2009).</li><li>Saerbeck, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Artificially+modulated+chemical+order+in+thin+films:+A+different+approach+to+create+ferro/antiferromagnetic+interfaces.">Artificially modulated chemical order in thin films: A different approach to create ferro/antiferromagnetic interfaces.</a> Phys. Rev. B. 82, 134409 (2010).</li></ol>

החוקרים מצהירים כי אין להם אינטרסים כלכליים מתחרים.

כאן יש לנו הראינו כי בשיטה זו ניתן להשתמש כדי להכין את דגימות epilayer של FeRh של איכות קריסטלוגרפיים טובה ורמה גבוהה של סדר כימי B2. השיטה מתאימה להכנת מגוון רחב של שכבות מתכתיות epitaxial, כוללים סגסוגות הורו. בעוד יש לנו להשתמש סגסוגת FeRh הורה B2 כדוגמא כאן, כפי שהוא מראה שלב מעבר דרמטי כאשר stoichiometry נכון והזמנה כימית קיימת, שיטה זו יכולה לשמש גם לחומרים אחרים. למשל, יש לי שתי FePd וFePt L1 0 שלבים, מה שמוביל לאנאיזוטרופיה magnetocrystalline uniaxial חזק מאוד. יש לנו גדלו בהצלחה את החומר הזה בעבר, מראה קיר תחום התנגדות בFePt 8, ואפקטי הול חריגים גדולים בשני FePd וFePt 10. עם התאמה נאותה של טמפרטורות צמיחה ושיעורים ובחירה מתאימה של מצע, בשיטה זו צריכה להיות שימושי להכנת מגוון רחב של different epilayers מתכת מגנטית ולא המגנטי בו מוצגות סדר כימי. עם זאת, הגבלה של גישה זו היא הצורך במצע גביש יחיד להשיג epitaxy. משמעות דבר היא קשיים יהיו נתקלו בביצוע ניסויים כגון אלקטרון הולכה תכנית השקפה או במיקרוסקופ רנטגן או השתלבות בטכנולוגיה הבנויה על רקיק מצע אחר כגון סי כמעט בכל מקום. אמצעים אפשריים כדי לעקוף בעיה זו הוא לגדול בשכבה דקה על MgO אשר לאחר מכן ניתן להפקיד FeRh. זה יכול להניב מרקם מחוץ למטוס שnucleates צמיחת epitaxial מקומי בחלק העליון של כל גרגר MgO 37. למרבה הפלא, זה אפשרי לגדל שכבה דקה MgO שיש לו גם מרקם (001) ויישור קריסטלוגרפיים במטוס על משטח אמורפי באמצעות שיטה עם יון קורה לסייע אקדח שמכוון על 45 מעלות למצע הרגיל 38. זה יכול לאפשר צמיחה של FeRh הורה B2 בלמשל אלקטרון או לא רנטגן4 ממברנות ransparent Si 3 N, שהם מסוגלים לשרוד בטמפרטורות צמיחה גבוהות הנדרשות בפרוטוקול שלנו, או על שכבת תחמוצת יליד פרוסות סיליקון Si. חידודים נוספים של השיטה כוללים שימוש בunderlayers הורה B2, כגון NiAl 39, כדי לקדם B2 הזמנה נוסף, בepilayer FeRh כאשר הוא דק במיוחד, או את השימוש בו כדי לבנות heterostructures מעורב שכבות כימי הורה מרובה 37. מאז FeRh יכול להיות מסומם באתר Rh להתאים את טמפרטורת T עד מעבר T (למשל באמצעות 40 עיר, 41 או 40 Pt, 42) או למטה (למשל באמצעות 40 Au, 27 או 40 פ&quot;ד, 43), יצירת סימום פרופילים בשכבות FeRh יכול להוביל לפרופילים מגנטיים מעוצבים כבמדגם מחומם ומקורר. זה מפותח את דרך ליצירת ריבוד טהור מגנטי של epilayer בדרך לשליטה 44.

הפרדיגמה של תעשיית המיקרואלקטרוניקה המרכזית היא השיטה של ​​עיבוד מישורי: בתצהיר ודפוסים של סרטים דקים על פני השטח של רקיק של חומר מצע הרציף. לעתים קרובות מאוד, המצע הוא גביש יחיד, והסרטים צריכים להיות epitaxial, כלומר במרשם קריסטל עם המצע הבסיסי. עם חומרים מוליכים למחצה, זה הוא גם השיג בדרך כלל באמצעות epitaxy המולקולרי קורה (MBE) במעבדה ההגדרה 1 או שלב epitaxy אדי metalorganic (MOVPE) בייצור 2. בעוד צמיחת epitaxial של מתכות על ידי MBE אפשרית, הם הופקדו בקלות על ידי מקרטעות, ואת זה הוא השיטה הנפוצה ביותר לתצהיר של סרטים מגנטיים דקים בשני הגדרות תעשייתיות מחקר ו. בעוד ששיטה זו היא נפוצה הקשורים לצמיחה של סרטי polycrystalline, צמיחת epitaxial על מצע גביש יחיד אפשרי בתנאים מסוימים <sעד&gt; 3. אלה כוללות בדרך כלל טמפרטורה גידלה מצע (לפחות לשכבות הראשוניות), שיעור בתצהיר איטי, ולחץ בסיס תא ואקום נמוך. גישה זו כבר משמשת להכנת חומרים ענק רב שכבתי magnetoresistance 4, 5, למשל. במעבדה שלנו, יש לנו בשימוש המקרטעת epitaxial להכין מגוון רחב של חומרים מגנטיים על מצעי גביש יחיד. זה כבר אפשרי לגדול epilayers סגסוגת CoFe על GaAs (001), למשל, על ידי בחירת הרכב Co 70 פה 30 בהתאמה הסריג 6. חומר זה הוא פתרון מלא, שבו אטומי Co ו פה באופן אקראי לאכלס את אתרי סריג עותק מוסתר. אנחנו גם גדלנו הורה כימי סגסוגות מגנטיות, שבו המינים אטומיים השונים נדרשים לקחת את אתרי סריג מסוימים. פרוטוקול הצמיחה נתאר כאן פותח בתחילה לצמיחה של סגסוגות L1 0 מסודרים FePd וFePt, יש בם עניין שלאינס ברשותם אנאיזוטרופיה magnetocrystalline גבוה מאוד 7. יש לנו חקרנו את הקשר בין תחבורה בליסטית וdiffusive ספין מקוטב 8, 9 ואת ההשפעה החריגה הול 10 בחומרים אלה, שהם באיכות דומה לשכבות גדלו ב11 MBE. כאן אנו להדגים שיטת גידול epitaxial שלנו באמצעות הדוגמא של epilayers FeRh הורה B2. פה וRh יהוו סגסוגות בכל הרכב, לעומת זאת מתחם הורה B2 הוא מצב שיווי המשקל לstoichiometries בטווח הקרוב equiatomic 49-53% 12 פה אטומיים. α זה מה שנקרא &quot;- השלב הוא antiferromagnet (AF) שמפגין בשלב מעבר מסדר ראשון על חימום, הופך α ferromagnet &#39;שלב (FM) סביב T T = 350 → 400K 13, 14, 15. מעבר metamagnetic זה בין שתי המדינות השונות, אבל שניהם הזמינו באופן מלא מגנטיות (סוג II AF 16 וFM)מלווה ב1% הרחבת נפח איזוטרופיים בסריג B2 17, 18, ​​האנטרופיה גדולה לשחרר 19, ירידה גדולה בהתנגדות 14, ועלייה גדולה בריכוז המוביל 20. השתברות ניטרונים 21, 16 ולאחרונה XMCD מדידות 22 לציין כי חלק מ3.3 μ המומנט המגנטי B התרכז פה בשלב AF מועבר לRh בשלב FM, עם μ פה ~ 2.2 μ B ו-μ Rh ~ 0.6 μ B. טמפרטורת קירי עבור FM α &#39;שלב הוא ~ 670 K 14, דומה לטמפרטורת קירי של סגסוגות עם x&gt; 0.53 23. טמפרטורת מעבר metamagnetic T T היא רגישה מאוד להרכב × בפה × Rh 1 - × 23, 24, ומדוכא על ידי ~ 8 K / T של בדיוני מגנטי שימושי25 ישנות, 15. מגוון עשיר זה של התנהגות פיזית תלוי באופן קריטי בהשגת מבנה הורה B2 הראוי וכך מאפשר מגוון רחב של טכניקות מדידה להתפרס לאיתור הזמנה כימית תקינה בדגימה, מה שהופך את דוגמא נוחה להדגים שיטה של ​​גידול גבוה איכות הורה epilayers סגסוגת.

<table border="1">
	<tbody>
		<tr>
			<td>Name of Reagent/Material</td>
			<td>Company</td>
			<td>Catalog Number</td>
			<td>Comments</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sputter Deposition System</td>
			<td>Kurt J. Lesker Company</td>
			<td>Bespoke</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>MgO Single Crystal Substrate</td>
			<td>Pi-Kem</td>
			<td>Single-sided epi-polished</td>
			<td>(001) orientation</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>FeRh sputtering target</td>
			<td>Pi-Kem</td>
			<td>Bespoke</td>
			<td>50 mm diameter</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Transmission Electron Microscope</td>
			<td>FEI</td>
			<td>Tecnai TF20</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>X-ray Diffractometer</td>
			<td>Br&#252;ker</td>
			<td>D8 Discover</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>SQUID Magnetometer</td>
			<td>Quantum Design</td>
			<td>MPMS-XL 5</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

sputter growth and characterization of metamagnetic b2-ordered ferh epilayers

סגסוגות הורה כימי שימושיות במגוון רחב של ננוטכנולוגיה המגנטית. הם מוכנים ביותר בנוחות בקנה מידה תעשייתית באמצעות טכניקות המקרטעת. כאן אנו מתארים שיטה להכנת סרטים דקים epitaxial של FeRh הורה B2 ידי גמגום בתצהיר על גבי מצעי MgO הגביש יחיד. בתצהיר בקצב איטי על גבי מצע מחומם מאפשר זמן לadatoms לשניהם להתיישב לתוך סריג עם יחסי epitaxial מוגדרים היטב עם המצע וגם למצוא מקומות ראויים להם בsublattices פה וRh של מבנה B2. את המבנה מאופיין בנוחות עם reflectometry רנטגן ועקיף וניתן דמיינו ישירות באמצעות חתכי מיקרוסקופ אלקטרונים הילוכים. FeRh הורה B2 מציג שלב מעבר metamagnetic יוצא דופן: מצב היסוד הוא אנטי פרומגנטי אבל סגסוגת הופכת ferromagnet על חימום עם טמפרטורת מעבר אופיינית של כ 380 ק זה מלווה על ידי 1%הרחבת נפח של התא היחידה: איזוטרופיים בכמויות גדולות, אבל הידק רוחבי בepilayer. הנוכחות של מצב היסוד אנטי פרומגנטי ושלב המעבר מהסדר הראשון הקשורים היא רגישה מאוד לstoichiometry equiatomic הנכון והזמנת B2 ראויה, וכך גם אמצעי נוח כדי להדגים את האיכות של השכבות שניתן להפקיד בגישה זו. אנחנו גם נותנים כמה דוגמאות של הטכניקות השונות שבו השינוי בשלב ניתן לאתר.

הכנו דגימות FeRh רבות בהתאם לפרוטוקול זה. בסעיף זה אנו מציגים תוצאות טיפוסיות שהושגו באמצעות נהלי אפיון הנפוצים ביותר לבחירה של מדגמים מייצגים. תוצאות כגון אלו צפויות לדגימות בננומטר 20-50 טווח עובי. שיטות אחרות ששמשנו לאפיון החומר שלנו יותר לעומק כוללות dichroism רנטגן המגנטי מעגלי 28, מרעה רנטגן שכיחות פיזור 29, וreflectometry ניטרונים המקוטב 30. יש לנו גם חקרו את ההשפעות של שימוש בסמי סגסוגת עם 27 Au. ניתן למצוא נתונים נוספים על התכונות שניתן לצפות מחומר זה בדיווחים אלה, והאזכור כלול בו. המבנה של אחד מepilayers שלנו מוצג בפירוט בmicrographs האלקטרונים הילוכים מוצגים באיור 1. מדגם החתך הוכן על ידי המנקדים קונבנציונליים וליטוש יון טקnique-שיטת הכנת דגימה סטנדרטית (ראה, למשל וויליאמס וקרטר ביום 31) - ונצפה באמצעות קרן אלקטרונים 200 KV. שכבת המבנה הכולל שניתן לראות באיור 1 (א). במקרה זה, סרט FeRh 30 ננומטר היה גדל epitaxially על גבי מצע MgO, ואחריו שכבת Cr ~ 4 ננומטר ו ~ 1 שכבת אל ננומטר עבה. (שכבת Cr נכללה כאן לניסוי מסוים ואין צורך באופן כללי). החספוס של ממשקי FeRh / MgO וFeRh / Cr הוא 0.6 ננומטר ו2.8 ננומטר, בהתאמה, כפי שנמדד מהתמונה. באיור 1 (ב) מיקרוסקופ ברזולוציה גבוהה של ממשק MgO / FeRh מוצג. יחסי epitaxial כפי שאושרו מעקיפת האזור שנבחרה הוא FeRh [100] (001) | | MgO [110] (001). התאמת הסריג פני הממשק ממחישה את האיכות הגבוהה של צמיחת epitaxial. אנחנו לא מראים את הנתונים כאן, אבל השתמשנו ספקטרוסקופיה רנטגן נפיצה האנרגיה בTEM כדי לבדוק את הרכב על מבחר של דגימות:זה תמיד היה equiatomic לבתוך אי הוודאות של המדידה. נתוני reflectometry Χ-ray מוצגים באיור 2 ל25 FeRh העבה ננומטר נומינלי epilayer הכתיר בשכבה של אל דק, polycrystalline. המדידה בוצעה בdiffractometer שני מעגל סטנדרטי בגיאומטריה בראג-רנטאנו, באמצעות קרינת α Cu K (λ = .1541 ננומטר), עם מסנן Ni כדי להחליש את קרינת α K. השוליים בולטים Kiessig, שנובעים מההתערבות של קורות רנטגן המשקפים מהממשקים השונים בשכבת המחסנית, מצביעים על כך שממשקים אלו הם חלקים ומתואמים היטב. הקו האדום המוצק מציג את הנתונים שבוצע באמצעות תוכנת GenX 32 כושר. הפרמטרים בכושר הטובים ביותר עבור המבנה רב שכבתי מוצגים בטבלה 1. העובדה שחלק מהשכבה אל יהיה חמצון ופסיבציה עצמי פעם אחת המדגם חשוף to אוויר מטופלת במודל. נתונים עקיפה Χ-ray עבור המדגם זהה מוצגים באיור 3, שנאספו על אותו המכשיר. (002) ההשתקפות של מצע MgO היא חזקה וחדה מספיק כדי לפתור את Cu K α 1and K α 2 קווים. שכבות FeRh מראה גם (001) ו( 002) השתקפויות. יש קצת הרחבה בשל העובי הסופי של הדרגות epilayer ומתח. (002) שיא B2 FeRh מרוכז ב2 θ = 61.3 ° ± 0.02, מניב בממוצע מחוץ למטוס קבוע סריג של 3.02 ± 0.05 א. אפשר לקבוע את S פרמטר סדר הכימי של מבנה B2 FeRh מהעוצמות משולבות היחסית של שתי פסגות אלה. כמות זו מוגדרת כS = R פה + R -1 Rh, שבו חלק קטן מאתרים פה (Rh) שנכבשו על ידי Fe (Rh) הוא אטום 33. בדיקה קצרה של הנוסחה מציגה tכובע כאשר r = r פה Rh = 1 והמבנה הוא מושלם, S = 1, ואילו כאשר r = פה r = Rh 0.5, כך שכל אתרי הסריג עסוקים באופן אקראי, S = 0. הסיבה לכך היא שכאשר S = 0 מבנה ממוצע האתר הוא עותק מוסתר, שעבורו גורם המבנה אוסר על ההשתקפות (001), ואילו כאשר S = 1 המבנה הוא פרימיטיווי מעוקבים, שעבורו את ההשתקפות (001) מותרת. משמעות דבר היא כי במונחים מעשיים, <img alt="משוואת 1" fo:content-width="2.5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603eq1.jpg" width="230px" /> , שבו <img alt="משוואה 2" fo:content-width=".2in" src="/files/ftp_upload/50603/50603eq2.jpg" width="20px" /> ו - <img alt="משוואה 3" fo:content-width=".2in" src="/files/ftp_upload/50603/50603eq3.jpg" width="20px" /> הם עוצמות הניסיוניות ותיאורטיות של ההשתקפות (00 I) בראג, בהתאמה 33. לCalculation של העוצמות התיאורטיות גורמי דביי-ולר ממדידות EXAFS על FeRh שימש 34. במקרה זה, S = 0.855 ± 0.001, אופייניים לסרט דק גמגם של חומר זה. שלב מעבר metamagnetic ניתן לאתרם בכמה דרכים. נוכחותה מצביעה stoichiometry equiatomic הנכון וB2-הזמנה של הסריג. התרחבות הסריג המלווה את מעבר metamagnetic עשוי להיות מזוהה על ידי השינוי בעמדתו של ראג ​​פסגות 27, עם זאת, זה דורש diffractometer עם שלב חימום. אולי השיטה הברורה ביותר היא לזהות את המראה של הרגע פרומגנטי כמדגם מחומם באמצעות T T. ניתן לעשות זאת באמצעות כל מגנטומטר תלוי טמפרטורה ברגישות מספקת, למשל באמצעות האפקט קר מגנטו אופטי או מגנטומטר מדגם רוטט. באיור 4 מציגים אתתלות בטמפרטורה של M המגנטיזציה, נמדדה באמצעות מכשיר קוונטיים הפרעה מוליכי מגנטומטר (SQUID). מדידות נעשו בטמפרטורה בטווח של 275-400 K עם שיעור לטאטא טמפרטורה של 2 K / דקה. העקומה מוצגת מציגה את המעבר הצפוי AF → FM (חימום) והמעבר FM → AF (קירור) עם hysteresis תרמית 15 K. מדידה זו נעשתה בתחום גבוה (50 קואי) והניבה טמפרטורת מעבר 365 ק טמפרטורת מעבר T T ≈ היא שדה תלוי, כמו שדה מגנטי גבוהה יותר מקטין את האנרגיה החופשית של שלב FM ביחס לשלב AF. בדרך כלל dT T / ≈ dH 0.8 ח&quot;כ / Oe 14,15, 27. שים לב שהמומנט המגנטי בשלב AF הוא לא בדיוק אפס, אבל הוא כמה עשרות האיחוד המוניטרי האירופי / 3 סנטימטר, כאשר בממוצע לכל הנפח של המדגם כולו. רגע זה שוכן באזורים הקרוב לממשק של epilayer FeRh, אשר נותרו ferromagnetic (אם כי עם המגנטיזציה מופחתת), כאשר חלק הארי של המדגם הופך את שלב AF 28, 30. דרך לזהות את המעבר שמשתמש בציוד פשוט יותר ומשמש לעתים קרובות במעבדה שלנו היא להפוך את מדידת הובלת אלקטרונים. המדידה הפשוטה ביותר היא של ρ התנגדותו של הסרט, שכן ρ בשלב FM הוא הרבה פחות מאשר בשלב AF 35, 36, 20. התלות בטמפרטורה של ρ עבור אותו epilayer FeRh ננומטר 25 לגביו יש נתון רנטגן הוצגו היא להתוות בתרשים 5, נמדד תוך שימוש בשיטת בדיקה ארבע נקודות סטנדרטית:, סיכות מצופה זהב קפיץ נלחצו על המדגם פני השטח כדי ליצור קשר לדוגמא, שהיה רכוב על שלב חימום בתא ואקום מותאם אישית קטן כדי למנוע חמצון מדגם כאשר חם. ליניארי, ρ המתכתי תלות (T) היא לראות בשני AF ושלבי FM, אבל יש ירידה ניכר בresistivity בין שתיים. Hysteresis לראות באיור 5 היא טביעת אצבע ברורה של מקום המעבר לוקח שלב magnetostructural והיא שיטה נוחה כדי למדוד את טמפרטורת המעבר, אשר ניתנת על ידי נקודת המינימום בdρ / dT (שמוצגת בהבלעה של איור 5). נכס אחר שנמדד בקלות תחבורה, אפקט הול, יכול לשמש גם כדי לאשר את קיומו של המעבר, כפי שיש הבדל גדול במקדם האולם בין שני השלבים 20. <img alt="איור 1" fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig1highres.jpg" width="600" /> איור 1. micrographs אלקטרון הולכה של epilayer FeRh על מצע MgO. (א) תמונה הממחישה את המבנה של השכבה. FeRh הוא 30 ננומטר עבה עם ננומטר שכבה נוספת ~ 4 Cr ו ~ כובע אל 1 ננומטר שהופקדה על העליונה. אזור אמורפי בחלק העליון של i<html> קוסם הוא שרף אפוקסי שימוש במהלך הכנת מדגם חתך. (ב) תמונה ברזולוציה גבוהה של ממשק MgO FeRh. [100] (001) התאמת epitaxial על פני הממשק נראית כאן, ואת מערכת היחסים הקשורים, כפי שאושר מעקיפת האזור שנבחרה, היא FeRh | | MgO [110] (001). <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50603/50603fig1highres.jpg" target="_blank">דמות גדולה יותר לחץ כאן לצפייה</a> <img alt="איור 2" fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig2.jpg" width="600" /> איור 2. ספקטרום reflectometry רנטגן מFeRh עבה ננומטר 25 epilayer כתרים עם polycrystalline אל. הקו המוצק הוא כפי שמתואר בטקסט, שימוש בפרמטרים נתון בטבלה 1 לנכון. הבלעה מראה את פרופיל צפיפות אורך פיזור קשור עם סט של פרמטרים מתאימים.&quot;Target =&quot; g2highres.jpg _blank &quot;&gt; לחץ כאן כדי להציג דמות גדולה <img alt="איור 3" fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig3.jpg" width="500" /> איור 3. ספקטרום רנטגן עקיפה מFeRh העבה ננומטר 25 epilayer כתרים עם polycrystalline אל. הנוכחות (001) שיא FeRh מציינת כי הזמנת B2 התרחשה. פרמטר הסדר הכימי הוא S = .855 ± 0.001, כפי שנקבע באמצעות השיטה המתוארת בטקסט. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50603/50603fig3highres.jpg" target="_blank">לחץ כאן כדי להציג דמות גדולה</a> <img alt="איור 4" fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig4.jpg" width="500" /> איור 4. תלות בטמפרטורה של M המגנטיזציה של epilayer 50 ננומטר העבה FeRh כתרים עם polycrystalהשורה אל. נתונים אלה נלקחו עם שדה קואי 50 יושם במטוס הסרט. T T טמפרטורת המעבר נתפסת להיות ~ 365 K עם רוחב hysteresis של -15 ק <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50603/50603fig4highres.jpg" target="_blank">לחץ כאן כדי להציג דמות גדולה</a> <img alt="איור 5" fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig5.jpg" width="500" /> איור 5. תלות בטמפרטורה של ρ ההתנגדות של 25 שכבה עבה FeRh ננומטר כתרים עם אל. הבלעה היא הנגזרת של ρ ביחס לטמפרטורת T. T T טמפרטורת המעבר נתפסת להיות 447 K על ההתחממות לשלב FM ו375 K על הקירור לשלב AF. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50603/50603fig5highres.jpg" target="_blank">לחץ כאן כדי להציג דמות גדולה</a> <table border="1" style=";text-align:right;direction:rtl"><tbody><tr><td> שכבה </td><td> צפיפות (אטומים / ננומטר 3) </td><td> עובי (ננומטר) </td><td> חספוס (ננומטר) </td></tr><tr><td> Al 2 O 3 שכבת פסיבציה </td><td> 25.5 ± 0.9 </td><td> 2.18 ± 0.08 </td><td> 1.0 ± 0.1 </td></tr><tr><td> כובע אל </td><td> 60.6 ± 0.6 </td><td> 0.91 ± 0.02 </td><td> 0.6 ± 0.2 </td></tr><tr><td> FeRh epilayer </td><td> 38.7 ± 0.3 </td><td> 25.09 ± 0.06 </td><td> 0.400 ± 0.002 </td></tr><tr><td> מצע MgO </td><td> 53.4 ± 1.3 </td><td> ∞ </td><td> 0.1761 ± 0.0003 </td></tr></tbody></table> טבלה 1. פרמטרים מתאימים לספקטרום רפלקטיביות רנטגן שמוצג באיור 2, מה שמוביל לפרופיל צפיפות אורך פיזור מוצג בהבלעה של איור ש.

Watch this Scientific Journal Video about Sputter Growth and Characterization of Metamagnetic B2-ordered FeRh Epilayers at JoVE.com

Sputter Growth and Characterization of Metamagnetic B2-ordered FeRh Epilayers

שיטה להכנת שכבות epitaxial של סגסוגות הורתה ידי המקרטעת מתוארת. מתחם FeRh הורה B2 משמש כדוגמא, כפי שהוא מציג מעבר metamagnetic שתלוי ברגישות במידת הסדר כימי והרכב הסגסוגת המדויק.

גמגום צמיחה ואפיון של epilayers FeRh הורה B2 Metamagnetic

Chemically ordered alloys are useful in a variety of magnetic nanotechnologies. They are most conveniently prepared at an industrial scale using ...

sputter-growth-characterization-metamagnetic-b2-ordered-ferh

Research

JoVE Journal

Engineering

14.5K Views.  University of Leeds.  שיטה להכנת שכבות epitaxial של סגסוגות הורתה ידי המקרטעת מתוארת. מתחם FeRh הורה B2 משמש כדוגמא, כפי שהוא מציג מעבר metamagnetic שתלוי ברגישות במידת הסדר כימי והרכב הסגסוגת המדויק. 

Video: Sputter Growth and Characterization of Metamagnetic B2-ordered FeRh Epilayers

Simulation, Fabrication and Characterization of THz Metamaterial Absorbers

Metamaterials (MM), artificial materials engineered to have properties that may not be found in nature, have been widely explored since the first theoretical1 and experimental demonstration2 of their unique properties. MMs can provide a highly controllable electromagnetic response, and to date have been demonstrated in every technologically relevant spectral range including the optical3, near IR4, mid IR5 , THz6 , mm-wave7 , microwave8 and radio9 bands. Applications include perfect lenses10, sensors11, telecommunications12, invisibility cloaks13 and filters14,15. We have recently developed single band16, dual band17 and broadband18 THz metamaterial absorber devices capable of greater than 80% absorption at the resonance peak. The concept of a MM absorber is especially important at THz frequencies where it is difficult to find strong frequency selective THz absorbers19. In our MM absorber the THz radiation is absorbed in a thickness of ~ &lambda;/20, overcoming the thickness limitation of traditional quarter wavelength absorbers. MM absorbers naturally lend themselves to THz detection applications, such as thermal sensors, and if integrated with suitable THz sources (e.g. QCLs), could lead to compact, highly sensitive, low cost, real time THz imaging systems.

This protocol outlines the simulation, fabrication and characterization of THz metamaterial absorbers. Such absorbers, when coupled with an appropriate sensor, have applications in THz imaging and spectroscopy.

סימולציה, ייצור ואפיון של בולמי metamaterial THz

Metamaterials (MM),  artificial materials engineered to have properties that may not be found in  nature, have been widely explored since the first ...

Fabrication And Characterization Of Photonic Crystal Slow Light Waveguides And Cavities

Slow light has been one of the hot topics in the photonics community in the past decade, generating great interest both from a fundamental point of view and for its considerable potential for practical applications. Slow light photonic crystal waveguides, in particular, have played a major part and have been successfully employed for delaying optical signals1-4 and the enhancement of both linear5-7 and nonlinear devices.8-11
Photonic crystal cavities achieve similar effects to that of slow light waveguides, but over a reduced band-width. These cavities offer high Q-factor/volume ratio, for the realization of optically12 and electrically13 pumped ultra-low threshold lasers and the enhancement of nonlinear effects.14-16 Furthermore, passive filters17 and modulators18-19 have been demonstrated, exhibiting ultra-narrow line-width, high free-spectral range and record values of low energy consumption.
To attain these exciting results, a robust repeatable fabrication protocol must be developed. In this paper we take an in-depth look at our fabrication protocol which employs electron-beam lithography for the definition of photonic crystal patterns and uses wet and dry etching techniques. Our optimised fabrication recipe results in photonic crystals that do not suffer from vertical asymmetry and exhibit very good edge-wall roughness. We discuss the results of varying the etching parameters and the detrimental effects that they can have on a device, leading to a diagnostic route that can be taken to identify and eliminate similar issues.
The key to evaluating slow light waveguides is the passive characterization of transmission and group index spectra. Various methods have been reported, most notably resolving the Fabry-Perot fringes of the transmission spectrum20-21 and interferometric techniques.22-25 Here, we describe a direct, broadband measurement technique combining spectral interferometry with Fourier transform analysis.26 Our method stands out for its simplicity and power, as we can characterise a bare photonic crystal with access waveguides, without need for on-chip interference components, and the setup only consists of a Mach-Zehnder interferometer, with no need for moving parts and delay scans.
When characterising photonic crystal cavities, techniques involving internal sources21 or external waveguides directly coupled to the cavity27 impact on the performance of the cavity itself, thereby distorting the measurement. Here, we describe a novel and non-intrusive technique that makes use of a cross-polarised probe beam and is known as resonant scattering (RS), where the probe is coupled out-of plane into the cavity through an objective. The technique was first demonstrated by McCutcheon et al.28 and further developed by Galli et al.29

Use of photonic crystal slow light waveguides and cavities has been widely adopted by the photonics community in many differing applications. Therefore fabrication and characterization of these devices are of great interest. This paper outlines our fabrication technique and two optical characterization methods, namely: interferometric (waveguides) and resonant scattering (cavities).

ייצור ואפיון של מנחי גלים פוטוניים Crystal להאט את האור וחללים

Slow light has been one of the hot topics in the photonics community in the past decade, generating great interest both from a fundamental point of view ...

Design, Fabrication, and Experimental Characterization of Plasmonic Photoconductive Terahertz Emitters

In this video article we present a detailed demonstration of a highly efficient method for generating terahertz waves. Our technique is based on photoconduction, which has been one of the most commonly used techniques for terahertz generation 1-8. Terahertz generation in a photoconductive emitter is achieved by pumping an ultrafast photoconductor with a pulsed or heterodyned laser illumination. The induced photocurrent, which follows the envelope of the pump laser, is routed to a terahertz radiating antenna connected to the photoconductor contact electrodes to generate terahertz radiation. Although the quantum efficiency of a photoconductive emitter can theoretically reach 100%, the relatively long transport path lengths of photo-generated carriers to the contact electrodes of conventional photoconductors have severely limited their quantum efficiency. Additionally, the carrier screening effect and thermal breakdown strictly limit the maximum output power of conventional photoconductive terahertz sources. To address the quantum efficiency limitations of conventional photoconductive terahertz emitters, we have developed a new photoconductive emitter concept which incorporates a plasmonic contact electrode configuration to offer high quantum-efficiency and ultrafast operation simultaneously. By using nano-scale plasmonic contact electrodes, we significantly reduce the average photo-generated carrier transport path to photoconductor contact electrodes compared to conventional photoconductors 9. Our method also allows increasing photoconductor active area without a considerable increase in the capacitive loading to the antenna, boosting the maximum terahertz radiation power by preventing the carrier screening effect and thermal breakdown at high optical pump powers. By incorporating plasmonic contact electrodes, we demonstrate enhancing the optical-to-terahertz power conversion efficiency of a conventional photoconductive terahertz emitter by a factor of 50 10.

We describe methods for the design, fabrication, and experimental characterization of plasmonic photoconductive emitters, which offer two orders of magnitude higher terahertz power levels compared to conventional photoconductive emitters.

עיצוב, ייצור, וניסויית אפיון של פולטי Terahertz פוטו Plasmonic

In this video article we present a detailed demonstration of a highly efficient method for generating terahertz waves. Our technique is based on ...

Writing and Low-Temperature Characterization of Oxide Nanostructures

Oxide nanoelectronics is a rapidly growing field which seeks to develop novel materials with multifunctional behavior at nanoscale dimensions. Oxide interfaces exhibit a wide range of properties that can be controlled include conduction, piezoelectric behavior, ferromagnetism, superconductivity and nonlinear optical properties. Recently, methods for controlling these properties at extreme nanoscale dimensions have been discovered and developed. Here are described explicit step-by-step procedures for creating LaAlO3/SrTiO3 nanostructures using a reversible conductive atomic force microscopy technique. The processing steps for creating electrical contacts to the LaAlO3/SrTiO3 interface are first described. Conductive nanostructures are created by applying voltages to a conductive atomic force microscope tip and locally switching the LaAlO3/SrTiO3 interface to a conductive state. A versatile nanolithography toolkit has been developed expressly for the purpose of controlling the atomic force microscope (AFM) tip path and voltage. Then, these nanostructures are placed in a cryostat and transport measurements are performed. The procedures described here should be useful to others wishing to conduct research in oxide nanoelectronics.

Oxide nanostructures provide new opportunities for science and technology. The interfacial conductivity between LaAlO3 and SrTiO3 can be controlled with near-atomic precision using a conductive atomic force microscopy technique. The protocol for creating and measuring conductive nanostructures at LaAlO3/SrTiO3 interfaces is demonstrated.

כתיבה ואפיון טמפרטורה הנמוכה של ננו Oxide

Oxide nanoelectronics is a rapidly growing field which seeks to develop novel materials with multifunctional behavior at nanoscale dimensions.  Oxide ...

Patterning via Optical Saturable Transitions - Fabrication and Characterization

This protocol describes the fabrication and characterization of nanostructures using a novel nanolithographic technique called Patterning via Optical Saturable Transitions (POST). In this technique the chemical properties of organic photochromic molecules that undergo single-photon reactions are exploited, enabling rapid top-down nanopatterning over large areas at low light intensities, thereby, allowing for the circumvention of the far-field diffraction barrier.4 Simple, cost-effective, high throughput and resolution alternatives to nanopatterning are being explored, such as, two-photon polymerization5,6, beam pen lithography (BPL)7, scanning electron beam lithography (SEBL), and focused ion beam (FIB) patterning. However, multi-photon approaches require high light intensities, which limit their potential for high throughput and offer low image contrast. Although, electron and ion beam lithographic processes offer increased resolution, the serial nature of the process is limited to slow writing speeds, which also prevents patterning of features over large areas. Beam-pen lithography is an approach towards parallel near-field optical lithography. However, the gap between the source of the beam and the surface of the photoresist needs to be controlled extremely precisely for good pattern uniformity and this is very challenging to accomplish for large arrays of beams. Patterning via Optical Saturable Transitions (POST) is an alternative optical nanopatterning technique for patterning sub-wavelength features1-3. Since this technique uses single photons instead of electrons, it is extremely fast and does not require high light intensities1-3, opening the door to massive parallelization.

We report that the diffraction limit of conventional optical lithography can be overcome by exploiting the transitions of organic photochromic derivatives induced by their photoisomerization at low light intensities.1-3 This paper outlines our fabrication technique and two locking mechanisms, namely: dissolution of one photoisomer and electrochemical oxidation.

דפוסים באמצעות מעברי Saturable אופטיים - ייצור ואפיון

This protocol describes the fabrication and characterization of nanostructures using a novel nanolithographic technique called Patterning via Optical ...

Protocol of Electrochemical Test and Characterization of Aprotic Li-O2 Battery

We demonstrate a method for electrochemical testing of an aprotic Li-O2 battery. An aprotic Li-O2 battery is made of a Li-metal anode, an aprotic electrolyte, and an O2-breathing cathode. The aprotic electrolyte is a solution of lithium salt with aprotic solvent; and porous carbon is commonly used as the cathode substrate. To improve the performance, an electrocatalyst is deposited onto the porous carbon substrate by certain deposition methods, such as atomic layer deposition (ALD) and wet-chemistry reaction. The as-prepared cathode materials are characterized by scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), and X-ray absorption near edge structure (XANES). A Swagelok-type cell, sealed in a glass chamber filled with pure O2, is used for the electrochemical test on a battery test system. The cells are tested under either capacity-controlled mode or voltage controlled mode. The reaction products are investigated by electron microscopy, X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), attenuated total reflection Fourier transform infrared (ATR-FTIR) spectroscopy, and Raman spectroscopy to study the possible pathway of oxygen reduction reaction (ORR) and oxygen evolution reaction (OER). This protocol demonstrates a systematic and efficient arrangement of routine tests of the aprotic Li-O2 battery, including the electrochemical test and characterization of battery materials.

Protocol of Electrochemical Test and Characterization of Aprotic Li-O2 Battery

A protocol for the electrochemical testing of an aprotic Li-O2 battery with the preparation of electrodes and electrolytes and an introduction of the frequently used methods of characterization is presented here.

פרוטוקול של מבחן אלקטרוכימי אפיון Aprotic Li-O<sub&gt; 2</sub&gt; סוללה

We demonstrate a method for electrochemical testing of an aprotic Li-O2 battery. An aprotic Li-O2 battery is made of a Li-metal anode, an aprotic ...

Fabrication and Characterization of Superconducting Resonators

Superconducting microwave resonators are of interest for a wide range of applications, including for their use as microwave kinetic inductance detectors (MKIDs) for the detection of faint astrophysical signatures, as well as for quantum computing applications and materials characterization. In this paper, procedures are presented for the fabrication and characterization of thin-film superconducting microwave resonators. The fabrication methodology allows for the realization of superconducting transmission-line resonators with features on both sides of an atomically smooth single-crystal silicon dielectric. This work describes the procedure for the installation of resonator devices into a cryogenic microwave testbed and for cool-down below the superconducting transition temperature. The set-up of the cryogenic microwave testbed allows one to do careful measurements of the complex microwave transmission of these resonator devices, enabling the extraction of the properties of the superconducting lines and dielectric substrate (e.g., internal quality factors, loss and kinetic inductance fractions), which are important for device design and performance.

Superconducting microwave resonators are of interest for detection of light, quantum computing applications and materials characterization. This work presents a detailed procedure for fabrication and characterization of superconducting microwave resonator scattering parameters.

ייצור ואפיון של מהודי מוליכים

Superconducting microwave resonators are of interest for a wide range of applications, including for their use as microwave kinetic inductance detectors ...

Production and Characterization of Vacuum Deposited Organic Light Emitting Diodes

A method for producing simple and efficient thermally-activated delayed fluorescence organic light-emitting diodes (OLEDs) based on guest-host or exciplex donor-acceptor emitters is presented. With a step-by-step procedure, readers will be able to repeat and produce OLED devices based on simple organic emitters. A patterning procedure allowing the creation of personalized indium tin oxide (ITO) shape is shown. This is followed by the evaporation of all layers, encapsulation and characterization of each individual device. The end goal is to present a procedure that will give the opportunity to repeat the information presented in cited publication but also using different compounds and structures in order to prepare efficient OLEDs.

A protocol for the production of simple structured organic light-emitting diodes (OLEDs) is presented.

ייצור ואפיון של ואקום שהופקדו דיודות פולטות אור אורגני

A method for producing simple and efficient thermally-activated delayed fluorescence organic light-emitting diodes (OLEDs) based on guest-host or exciplex ...

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

The quasi 2D electron system (q2DES) that forms at the interface between LaAlO3 (LAO) and SrTiO3 (STO) has attracted much attention from the oxide electronics community. One of its hallmark features is the existence of a critical LAO thickness of 4 unit-cells (uc) for interfacial conductivity to emerge. Although electrostatic mechanisms have been proposed in the past to describe the existence of this critical thickness, the importance of chemical defects has been recently accentuated. Here, we describe the growth of metal/LAO/STO heterostructures in an ultra-high vacuum (UHV) cluster system combining pulsed laser deposition (to grow the LAO), magnetron sputtering (to grow the metal) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). We study step by step the formation and evolution of the q2DES and the chemical interactions that occur between the metal and the LAO/STO. Additionally, magnetotransport experiments elucidate on the transport and electronic properties of the q2DES. This systematic work not only demonstrates a way to study the electrostatic and chemical interplay between the q2DES and its environment, but also unlocks the possibility to couple multifunctional capping layers with the rich physics observed in two-dimensional electron systems, allowing the fabrication of new types of devices.

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

We fabricate metal/LaAlO3/SrTiO3 heterostructures using a combination of pulsed laser deposition and in situ magnetron sputtering. Through magnetotransport and in situ X-ray photoelectron spectroscopy experiments, we investigate the interplay between electrostatic and chemical phenomena of the quasi two-dimensional electron gas formed in this system.

צמיחה ו Electrostatic/כימי מאפיינים של מתכת/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

The quasi 2D electron system (q2DES) that forms at the interface between LaAlO3 (LAO) and SrTiO3 (STO) has attracted much attention from the oxide ...

Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films

This article describes a procedure for growing Mg3N2 and Zn3N2 films by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE). The films are grown on 100 oriented MgO substrates with N2 gas as the nitrogen source. The method for preparing the substrates and the MBE growth process are described. The orientation and crystalline order of the substrate and film surface are monitored by the reflection high energy electron diffraction (RHEED) before and during growth. The specular reflectivity of the sample surface is measured during growth with an Ar-ion laser with a wavelength of 488 nm. By fitting the time dependence of the reflectivity to a mathematical model, the refractive index, optical extinction coefficient, and growth rate of the film are determined. The metal fluxes are measured independently as a function of the effusion cell temperatures using a quartz crystal monitor. Typical growth rates are 0.028 nm/s at growth temperatures of 150 &#176;C and 330 &#176;C for Mg3N2 and Zn3N2 films, respectively.

Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films

This article describes the growth of epitaxial films of Mg3N2 and Zn3N2 on MgO substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy with N2 gas as the nitrogen source and optical growth monitoring.

מולקולרית בסיוע מולקולרי הקרן הצמיחה הגידול של Mg3n2 ו Zn3n2 סרטים דקים

This article describes a procedure for growing Mg3N2 and Zn3N2 films by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE). The films are grown on 100 oriented ...