階層型のZnO / CdSSe等ヘテロNanotreesの合成

要約

ここでは、CdSSe等の枝が垂直配向のZnOナノワイヤ上で成長させた新たなツリー状の階層のZnO / CdSSe等のナノ構造を作製し、特徴づけます。得nanotreesは太陽エネルギー変換、および他の光電子デバイスのための潜在的な材料です。

要約

二段階化学蒸着手順はここで、ツリー状の階層のZnO / CdSSe等ヘテロナノ構造を作製するために使用されます。構造は、垂直に透明なサフ​​ァイア基板上に整列されたZnOナノワイヤの成長CdSSe等のブランチで構成されています。形態は、走査型電子顕微鏡により測定しました。結晶構造は、X線粉末回折分析により決定しました。 ZnO系幹とCdSSe等の枝の両方が主にウルツ鉱型の結晶構造を有しています。 CdSSe等の分岐におけるSおよびSeのモル比は、エネルギー分散型X線分光法により測定しました。 CdSSe等の枝は強い可視光吸収につながります。フォトルミネッセンス（PL）分光法は、幹や枝は、タイプIIのヘテロ接合を形成することが示されました。個々のZnOからの発光と比較した場合、PL寿命測定は、木からの発光の寿命の低下を示した茎やCdSSe等の支店およびCdSSe等とZnO間の高速電荷転送を示しています。 verti的に整列されたZnOを基板に直接電子輸送経路を提供し、可視光による光励起後の効率的な電荷分離を可能にする茎。上記の特性の組み合わせは、ZnO / CdSSe等は、太陽電池、光触媒、および光電子デバイスへの応用のための有望な候補をnanotreesなります。

概要

ZnOは3.3 eVのバンドギャップ（BG）、高電子移動度、大きな励起子結合エネルギー^1,2を特徴II-VI半導体です。これは、光デバイス、太陽電池、光触媒に存在し、将来のアプリケーションの過多と豊富な半導体材料です。しかし、ZnOは可視スペクトル範囲におけるその適用を制限する、透明です。したがって、このような狭ギャップ半導体^3、染料分子^4、及び感光性ポリマー⁵のように可視光を吸収する材料は、しばしば可視光吸収のZnOを感作するために使用されてきました。

CdS（BG 2.43 eV）でとのCdSe（BG 1.76 eVでは）一般的なII-VI狭ギャップ半導体であり、集中的に研究されてきました。 BG及び三元合金CdSSe等の格子定数は、VI成分^6,7のモル比を変えることによって調整することができます。酸化亜鉛/ CdSSe等のナノコンポジットは、効率的なphotovをもたらすことが報告されていますoltaicエネルギー変換^8,9。

CdSSe等の枝の改善された可視光吸収を持つ基板に向かって垂直に配向したZnOナノワイヤの効率的な電子輸送経路を組み合わせることで、幹や枝^9,10との間の効率的な電子移動につながりました。したがって、我々は、垂直配向のZnOナノワイヤはCdSSe等の枝が飾られて新しいツリー状のZnO / CdSSe等のナノ構造を、合成しました。この複合材料は、新規な太陽エネルギー変換装置のためのビルディングブロックとして作用することができます。

このプロトコルは、ZnOナノワイヤーアレイは、以前に¹¹公表されている手順に従い、ZnOとC粉末から一段階化学気相堆積（CVD）によって、サファイア基板上に成長させる方法を記載しています。 ZnOナノワイヤの成長に続いて、CVD法の第二段階は、ZnOナノワイヤのCdSSe等の分岐を成長するために使用されます。我々は、X線粉末回折（XRD）、走査型電子顕微鏡（SEM）を用い、そして結晶構造、形態、及びZnO / CdSSe等のnanotrees（のNT）の組成を測定するためにエネルギー分散型X線分析（EDS）。分岐とステムとの間の光学的特性及び電荷キャリア移動機構は、フォトルミネッセンス（PL）分光法および時間分解PL寿命測定により研究されてきました。

プロトコル

1の合成ツリー状のZnO / CdSSe等ナノ構造

1. サファイア基板の前処理および金コーティング
   注：金膜は、酸化亜鉛ナノワイヤの成長の触媒として作用します。
   1. 超音波処理を5分間で99.5％エタノールで清浄なサファイアスライド（a面、10×10×1mmの）金スパッタリング用基板を作製しました。
   2. スパッタコーター及び金ターゲットとサファイアスライド上に10-nmの（±2 nm）の金の-thick膜を堆積。
2. 酸化亜鉛ナノワイヤの合成
   注：均質なZnOと炭素亜鉛（ZnO / C）混合物中の超音波処理ステップ1.2.2結果。混合後、混合物は灰色に変わります。圧縮ステップ1.2.3には空気が混合物中に存在しないとZnOと炭素が緊密に接触していることが保証されます。 CVD後、酸化亜鉛ナノワイヤの白色フィルムを基板上に堆積されるべきである、側ボートに向かって下向き。
   1. ZnOナノ粉末とACTIVの1グラムを混ぜますated炭素（50:50の質量分率）10ミリリットル99.5％のエタノール中、スパチュラでよくかき混ぜます。
   2. 30分間、20ºCの水浴中の混合物を超音波処理し、その後、80ºCで〜5時間、オーブンで乾燥します。
   3. アルミナボートでのZnO / Cの混合物を配置し、スパチュラでよく、それをコンパクト。
   4. 金でコーティングされた側を下に向けて、アルミナボートの上に金コーティングサファイアスライドを置きます。水平管炉内の石英管の中央にアルミナボートを置きます。
   5. 室温（RT）で40sccmの流量でArで1時間石英管をパージします。 80ºC/分の速度で室温から900ºCに温度が上昇し、アルゴン流量を一定に保ちます。
   6. 2時間900ºCの温度を保持します。ゴム栓のガス入口を除去することにより、両端に石英管を開き、空気が反応のために酸素を提供するために、チューブを入力してみましょう。
   7. RUで3時間、900ºCでの反応温度を保ちますBBERストッパーを除去しました。 10ºC/ minの速度で室温まで冷却します。
   8. ボートや炉の外にスライドしてください。
3. 酸化亜鉛ナノワイヤ上CdSSe等の枝の堆積
   注：のCdSのアルミナボート/ SEが中心石英管に表示されていました。用意したZnOナノワイヤを上向きにし、ボートから10cm下流でした。この第二のCVD後、酸化亜鉛/ CdSSe等のナノ構造体である黄色/オレンジ色のフィルムは、スライド上に堆積されるべきです。
   1. CDとのCdSe（CDS / SE）の粉末ウェル（50:50の質量分率）の0.5グラムを混合し、アルミナボートに混合物を配置します。よく混合物を圧縮。
   2. CdS / Se及び石英管中で先に調製したZnOナノワイヤサンプルのアルミナボートを置きます。
   3. 1時間室温で40sccmの流量でArでチューブをパージ。 80ºC/分の速度で820ºCに反応温度を上げます。 30分間820ºCの温度を保持します。
   4. で室温まで冷却10ºC/ minの速度。ボートや炉の外にスライドしてください。
4. 対照試料の合成：ZnO及びCdSSe等ナノワイヤ
   1. 同じ実験条件の下でセクション1.2のように酸化亜鉛ナノワイヤを合成します。
   2. CDやCdSeの組成物の同じ量で、同じ実験条件下では、1.3節のようにCdSSe等のナノワイヤを合成し、その代わりに、ZnOの堆積スライドの基板としてクリーン、金コーティングサファイアスライドを持ちます。

2.形態学的および結晶学的特性評価

1. クランプでSEMステージ上にサンプルをマウントし、SEM装置の真空チャンバ内の試料を配置します。 3キロボルトの電圧で12.0ミリメートルの作動距離と3,000Xと10,000倍^11,12間の倍率で高解像度モードでのSEM像を取ります。
2. 同じ作動距離でX線検出器を使用して同じサンプルとEDSデータを取ります12.0ミリメートル。分析モードに楽器を設定し、20から^40μA13の現在の結果、20 kVのに電圧を調整します。
3. フィルタリングCuKα線（λ= ^{1.5418Å）11,12を}用いたX線粉末回折計でXRDスペクトルを収集します。

3. PL発光分光と時間分解PL寿命測定

注：PLは、RTでのスペクトルおよび時間相関単一光子計数（TCSPC）測定は、増幅のTiを用いて行った：第二高調波発生（SHG）後のサファイア発振器、400 nmの波長を中心とする50フェムト秒パルスの列を生成し1.76 mWの¹⁴の出力パワーを持ちます。

1. レーザーおよび検出器へのサンプル顔アップを配置する試料ホルダーに試料を固定してください。サンプルに焦点を当てるレーザーを合わせます。ファイバ分光計を用いて900 nmの波長の500 nmでのサンプルのPL発光スペクトルを測定します。
2. （AVA単一光子検出器を使用色ガラスフィルタおよび500-または650 nmの干渉バンドパスフィルタを用いて時間分解PL寿命を測定するlancheフォトダイオードや光電管）。
3. 挿入ZnOは、CdSSe等、やZnO / CdSSe等は、試料ホルダーにスライド。 650 nmのバンドパスフィルターを用いて500 nmのバンドパスフィルタおよびCdSSe等やZnO / CdSSe等サンプルと純粋な酸化亜鉛ナノワイヤを測定します。
4. 時間分解蛍光減衰寿命を測定するための時間相関単一光子計数器または高速オシロスコープを使用してください。

結果

図1は、ZnO / CdSSe等のNTの成長メカニズムを示しています。手順は、非接触気固体（VS）成長に続いて、触媒気相 - 液相 - 固相（VLS）処理を含みました。最初のVLS工程では、ZnOとCは、金属亜鉛及び酸化炭素を生じ、Ar雰囲気中で反応させます。亜鉛は、その後、サファイア基板上に金の前駆体中に溶解します。 ZnOナノワイヤは、溶解Znおよび残留酸素から成...

ディスカッション

酸化亜鉛ナノワイヤ（茎）の垂直方向の配置は、基板上にエピタキシャル成長に基づいています。 ZnOナノワイヤは、サファイア¹²のa面の周期と一致する<0001>方向に沿って優先的に成長します。したがって、型及び基板の品質は非常に重要です。基板上の金コーティングの異なる厚さは、20ナノメートルから5ナノメートルから、試験したZnOナノワイヤの成長に有意な差を示されて?...

資料

Name	Company	Catalog Number	Comments
ZnO	Sigma Aldrich	1314-13-2
Activated Carbon	Alfa	231-153-3
CdSe	Sigma Aldrich	1306-24-7
CdS	Sigma Aldrich	1306-23-6
Sapphire	MTI	2SP	a-plane, 10 × 10 × 1 mm
Furnace	Lindberg Blue M	SSP
Scanning electron microscope	Hitachi	S5700	assembled with an Oxford Inca X-act detector
X-ray powder diffractometer	Rigaku	MiniFlex	filtered Cu Kα radiation (λ=1.5418 Å)
Amplified Ti:sapphire oscillator	Coherent Mantis	Coherent Legend-Elite
Single photon detection module	ID Quantique	ID-100
Sputter coater	Cressington	308	assembled with gold target
Fiber probe spectrometer	Photon Control	SPM-002
Colored Glass Filter	Thorlabs	FGB37-A - Ø25 mm BG40	AR Coated: 350 - 700 nm
Compressed argon gas	Keen	7440-37-1