著者は、プロジェクトPERO-BOOST（EFRE、プロジェクトコードNW-1-1-040a）を通じてノルトライン=ヴェストファーレン州の状態によって財政支援を感謝したいです。おかげで2段階の液の製造および特性評価と支援のためアザーJahanbakhshとイネス・シュミット（ケルンの両方の大学）に行って、処理ペロブスカイト層、ユルゲンSchelter MAI材料の合成のための（ケルン大学）、ならびに教授。XRD測定のための博士リードルとネダPourdavoud（ヴッパータールの両方の大学）。

1. ITO基板注：デバイスの短絡を回避するために接触させ、改善された試料について、ITO被覆されたガラス基板は、リソグラフィ及びエッチングを用いてパターン化されなければなりません。上部と下部電極の重なりが作製した太陽電池の活性領域を定義します。 <ol><li> 2.5センチ基板2.5センチ得ガラスカッターでインジウムスズ酸化物（ITO）でコーティングされたガラス板を切断します。 </li><li> ITOの中央に円形状のラベル（直径= 1.6センチ）接着剤は、基板をカバーしました。 </li><li> 10分間60℃で、塩酸、1MのFeCl 3溶液中に基板を配置することによって、ITOをエッチングします。 </li><li>クロロホルム、アセトンおよび超音波浴中の石鹸溶液（2％）を有する基板を順次清掃してください。 </li><li>蒸留水で1回以上すすぎ、N 2気流下で乾燥しました。 </li></ol> ITO基板の2オゾン処理注：有機不純物を除去するために、T彼は基板がオゾンする必要が伊藤。これは、酸化物表面を活性化し、その後の層の再現性の堆積のために重要である基板の濡れ性を向上させます。 <ol><li>マウントITOは、試料ホルダーに基板およびオゾン処理室に配置します。 </li><li>オゾンを発生させる紫外線ランプ（20 W）と（大気）酸素下で10分間点灯します。 </li></ol> PEDOTの3堆積：PSS正孔収集に連絡注：ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン） - ポリ（スチレンスルホン酸）（PEDOT：PSS）のフィルムは、周囲条件（25〜40％相対湿度）下での水性懸濁液からスピンコーティングによって堆積されます。この層は正孔収集接点として使用され、高い仕事関数を備え、ピンホールを低減し、デバイスの増加再現性がもたらされます。 <ol><li> throのフィルタリング後PSS基板上に注射器で水懸濁液（1.5％）で：PEDOTの150μLを配置0.45μmのフィルターぐふ。 </li><li> 25秒間2,500rpmでの回転速度を用いて、スピンコートは、直接回転数4000rpm / sは、それぞれの加速度で5秒間4000rpmで行いました。 PSSフィルム：この手順は、40〜45ナノメートルの厚さのPEDOTにつながります。 </li><li>熱空気中で10分間、150℃のホットプレート上で基板をアニールすることにより、フィルムから残留水を除去。 </li></ol>ペロブスカイト層の4沈着注意：ヨウ化鉛（PBI 2）は、ヒトに対して非常に有毒です。少量でも、神経、造血、腎臓、および肝臓のシステムのための非常に危険です。注意して解決策を含むリード扱います。 注：この論文を通じて調査したペロブスカイト膜は、前駆体材料としてPBI 2およびCH 3 NH 3 I（MAI）を使用して、5種類の方法により調製されます。分解15を回避するために、フィルムおよびデバイスの製造およびそれらの特徴付けは、bに有しますEは、N 2を充填したグローブボックス（溶液処理）又は真空下（蒸着）に不活性雰囲気、 例えば、下で行います。 <ol><li> 溶解処理 <ol><li>逐次堆積<ol><li>スピンコーターに置き、基板と、基板上にピペットで150 N、N-ジメチルホルムアミドに溶解μLPBI 2、DMF（400 mg / mlで）をドロップ。 </li><li> 30秒間3,000 rpmで直ちにスピンコート。 </li><li> MAIでディップPBI 2膜をイソプロパノールに溶解した40秒または乾燥したPBI 2膜の上にドロップMAIソリューションのための（10mg / mL）および40秒のためにそこに残します。 </li><li>基板オフ30秒間3,000rpmでMAI溶液を残りのスピンコート。 </li><li>ホットプレート上に基板を配置することにより、100℃で15分間加熱します。 </li></ol></li><li>共同ソリューション： <ol><li> 250ミリグラムの濃度の前駆体溶液を形成するために、DMF中：（1モル比理想的には1）所望の比率でのPBI 2およびMAIの両方を溶解します/ mLです。 </li><li>少なくとも5時間、50℃での前駆体溶液を攪拌します。 </li><li>予熱基板はPEDOTで被覆された：PSS 50℃でホットプレート上で5分間。 </li><li> 1デバイスシリーズ全体で増加した再現性を保証するために、スピンはペロブスカイト層をコーティングしながら、スピンコーターボウルの内側に溶剤（200μL）を少量滴下することによりトルエン雰囲気を作成します。 </li><li>基板上（4.1.2.1から）150μL前駆体溶液を置きます。 </li><li>この前駆体溶液から30秒のための3000 rpmでスピンコートペロブスカイト層。スピンコート基板あたりペロブスカイト材料の一つの層。 </li><li>ホットプレート上で110℃で30秒間、得られたペロブスカイト層を加熱します。 </li></ol></li><li>分子添加剤： <ol><li>より良好なフィルム形成を確実にするために、スピンコーティング溶液中のNH 4 Clで（18-20 mg / mlでの）（4.1​​.2.1に記載されるように）共溶解します。以前のように進みます。 注：これは、共同程度の添加に代わるものです4.1.2からリューション。 </li></ol></li></ol></li><li> 真空蒸着 <ol><li>基本手順<ol><li>真空システムに洗浄された基板をロードし、避難してください。 </li><li> 10 -7ミリバールの圧力が蒸発室に、転送サンプルに達し、シャッターと蒸発源からそれをオフにシールドされた後。 </li><li> PBI 2のために約330℃に前駆物質を含有し、MAIのための140°C 2のソースを加熱します。チャンバ内の圧力がMAIの揮発性の性質のために、約10 -4ミリバールまで上昇することに注意してください。 </li><li>他の一つは、サンプル位置で、一方の水晶モニタ（QCM）を使用して2つの材料の蒸発速度を較正クローズソースに配置されます。蒸発温度に材料を加熱し、同時に両方QCMSに示したそれぞれの厚さを書き留めます。比ツーリング係数を算出します2つの値の。厚さ計算に使用6.16および1.23グラム/ cm -3でそれぞれPBI 2とMAI、ため。 </li></ol></li><li>共蒸着<ol><li>化学量論的に正しいペロブスカイトフィルムを達成するために、情報源の温度を上昇または低下させることによって2：約1にMAIにPBI 2の速度を調整します。 </li><li>堆積を開始するには、サンプルの前でシャッターを開きます。意図された厚さに達した後、ソースの加熱のシャッターやターンを閉じます。 </li><li>揮発性化合物は、完全な膜形成を除去するために真空チャンバ内に70℃で1時間、膜を加熱します。 </li></ol></li><li>順次蒸着<ol><li>蒸発（約100℃）でのポイントの下に再びMAI源の温度を低下させ、蒸発が開始されるまでPBI 2ソースを温めます。純粋なPBI 2の預金50nmです。 </li><li>その後、PBI 2を冷却ソースと同様に、MAIの50ナノメートルを蒸発させます。より大きな厚さのためにステップ4.2.3.1と4.2.3.2交互に繰り返します。 </li><li>揮発性化合物は、完全な膜形成を除去するために真空チャンバ内に70℃で1時間、膜を加熱します。 </li></ol></li></ol></li></ol> 5。太陽電池の作製<ol><li> 20mg / mLの濃度でクロロベンゼンにアクセプタフェニル-C 60 -酪酸メチルエステル（PC 60 BM）を溶解し、50℃のホットプレート上で少なくとも1日撹拌します。 </li><li>前に示したように（4.1.3を参照してください。）ペロブスカイト層（添加剤との共溶液プロセス）を準備します。 </li><li>室温に金属板上に30秒間加熱したペロブスカイト層をクールダウン。 </li><li>基板上にPC 60 BM溶液150μLを配置</li><li> 50nmの厚い層が得られるペロブスカイト膜の上に30秒間2000rpmでスピンコートPC 60 BM。 </li><li>完全にコーティングされた基材を配置サンプルホルダー中の活性層の上にコンタクトを蒸発させるために、シャドウマスクでカバーしています。 </li><li> ITO陽極に接触を確立するために、メスとの接触の1を傷つけます。 </li><li>カソードの上部接点の堆積のために真空チャンバに移します。 </li><li>水晶モニターによって測定される0.5Å/秒の速度で、P = 3×10 -6ミリバールの最大圧力での堆積物10 nmのアルミニウム。最初の10nmの後に速度を100nmの膜厚に到達するまで、2.5Å/ sまで増加させることができます。 </li><li> -0.5 V 1.5（ステップ= 0.02 V）の電圧範囲内のソース測定ユニットを使用して、太陽電池の電圧（J-V）測定値対電流密度を行います。ヒステリシスは、JV特性に現れるされていないことを確認するために、1.5からだけでなく、-0.5Vにバイアスを掃引することによって、同様に逆走査方向を測定します。ソーラーシミュレータ（100ミリワットのcm 2の）認定のシリコンフォトダイオードを使用して較正を使用してください。 </li></oL&gt;

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著者らは、開示することは何もありません。

我々は、加工条件は、フィルム形態および膜被覆に大きな影響を与えることを示しました。これは、研究グループの多くは、同じペロブスカイト材料のための太陽電池性能とイオン化ポテンシャルについて異なる結果を公開する理由です。 再現性を確保するためには、湿気による分解を避けるために、不活性雰囲気（または真空）下で実行されるすべての処理ステップおよび特徴付けの方法のために重要です。また、遊離体の純度およびベンダーが（本明細書中で検討されていない）重要な役割を果たしています。真空蒸着しペロブスカイト層は高結晶性薄膜を備えていることは明らかです。しかしながら、比較において、溶液処理されたフィルムは、より高いスループットで製造することができます。 我々の研究では、スピンコーターボウルに前駆体溶液中に添加し、トルエン雰囲気としてNH 4 Clで使用が最も再現性と滑らかperovskitを提供しましたEフィルム。一方、ディップコーティングプロセスをドロップむしろ粗い表面につながり、さらにデバイスアプリケーションのために考慮されませんでした。最後に、真空処理された層は、全体的に小さい結晶サイズ（〜100 nm）を備えていますが、全体の膜を介してカバレッジの高度かつ滑らかな表面を持ちます。前駆体の比率を変化させたサンプルの系列から、我々は、組成物が同様に、成膜に大きな影響を与えることを知りました。 （ 図2）を XRDでこれらの層を調査するときただし、すべてのフィルムは、高度の結晶性および（110）及び（220）面を表す14.11°、28.14°での反射によって示される同様の正方晶の結晶構造を示すいくつかの一方層は、弱いの外観（002）および（004）反射によって見ることができる、やや無秩序に見えました。しかし、XRD回折ピークの有意な拡大が観察されません。興味深いことに、12.63°でPBI 2の分離相の兆候はありません<html>でも組み込まれPBI 2の大過剰量のために、発見しました。これは、PBI 2がないXRDによってそれが検出不能になり、別個の相またはナノ結晶の島が、などの希インタースティシャルとして組み込まれていることを示しています。このように、XRDの使用が制限されています。 一方、XPSは、（製造方法に応じて）PBI 2またはMAIの付加的な量は、窒素比リードの変化から明らかなように、膜中に存在していることを確認します。前述のように順番にこれらの格子間は、フィルムの電子構造に大きな影響を持っています。さて、UPSによって明らかにされたイオン化エネルギーの違いの観察とXPSの結果を組み合わせることにより、これら二つの現象を相関させることを可能にしています。 図6は、測定された IEの値が、対応する膜の組成（窒素比鉛）の関数としてプロットされている組み合わせのプロットを示します。 図6「SRC = &quot;/ファイル/ ftp_upload / 55084 / 55084fig6.jpg&quot; /&gt; 図6：40ペロブスカイトしたフィルムの完全なデータセットのために抽出された測定点。 （XPSにより測定）窒素含有量の鉛の元素比率R EXPのイオン化エネルギーの依存性。実線は、データへの線形のfiトンであり、破線は±0.12 eVでの標準偏差をマーク。下部には、Fiのtの残差が示されています。参照16からの許可を得て転載。著作権2015年ワイリー-VCH。 <a href="http://ecsource.jove.com/files/ftp_upload/55084/55084fig6large.jpg" target="_blank">この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。</a> 我々は、これら2つの値の間に明確な線形相関を見つけます。 PBI 2リッチ層は、IEを増加させながら、我々の結果は、したがって、過剰にMAIとペロブスカイト膜が低いIEを示すことを示しています。私たちは、6.05±0.10 eVでのIEを見つけます5.4 eVでの頻繁に公表IEよりもかなり大きいのR EXP = 1の最適なモル比のために。我々は異なる準備ペロブスカイト膜の様々なこの値を見つけるように、この不一致は、による処理条件になる可能性がありません。それにより状態の傾きの線密度は、より高い読み出し値を生じるここで使用されるデータ評価の違いではなくなります。この問題の広範な議論は、参照17で見つけることができます。変化比IEのシフトが、活性化エネルギーだけではないことを意味し、我々はこれらのフィルムの光学的バンドギャップ（E gの= 1.60±0.02 eVで、データは示していない）の変化を見つけないことに注意することが重要です（EA）を同時にシフトします。 最大太陽電池の効率は、文献14若干の知見を確認する9.6％の電力変換効率と1.02のモル比R（MAIのPBI 2）について見出されましたPBI 2リッチ膜は、結晶粒界にPBI 2のペロブスカイト膜の不動態化することによって改善されたキャリアの挙動を備えています。 PBI 2含量の増加200 meVでによって開回路電圧の低下が見られます。ペロブスカイト材料のバンドギャップの変化は、V OCの減少は、ペロブスカイトおよびPCBMの界面で太陽光発電ギャップの同時減少によってではなく、不十分なホールブロッキングによって説明することはできません発生するので（IE PCBM = 6.2 eV）でのためにペロブスカイトIEの増加。同時に、0.8から0.7へのR&gt; 1.05減少のためのFFは、これらの知見をサポートします。 結論として、我々は、製造の様々な方法によって作られたペロブスカイト膜の大規模な研究を発表し、強力な変動は、成膜、電子構造およびデバイス性能を生じることを見出しました。特に興味深いのは、MAI oの意図的な取り込みによりペロブスカイトのIEを調整する可能性がありますR PBI新規なデバイス構造における界面の最適化のために使用することができる2格子間は今後の研究では、より大きなデバイス領域に向かって目指して、より高度な製造技術を見ていきます。これらは、ドクターブレード法、スプレー技術、および現在COPT.centre（有機生産技術のCOPT =中央）で私たちの施設に設置されている大規模な印刷などの方法が挙げられます。

薄膜太陽技術は、フレキシブル基板上のそれらの低い材料消費と適用による太陽電池用途の研究に大きな注目を集めています。最も顕著なのは、無機/有機ハロゲン化物、ペロブスカイト材料は、高い効率をもたらす、太陽電池装置で実行可能な活性層であることが証明されています。ペロブスカイトは、このような高い吸収係数1、高い電荷キャリア移動度2、およびエネルギー3を結合低励起子として有利な特性を備えています。ペロブスカイト層は、種々の溶液又はヨウ化鉛（PBI 2）、メチルアイオダイド（MAI）のような低コストの前駆体材料を用いた気相ベースの製造方法により製造することができます。この方法は、市販のシリコン太陽電池に比べて低い加工温度を用いて、高結晶性のフィルムを容易に製造することが可能になります。 それがshoされていますそのいくつかのパラメータWNが励起子拡散長および電荷キャリア移動度に影響を与えるように、ペロブスカイト型太陽電池、最も特に膜の形態の性能に強い影響を与えます。 NIE ら。 5、カバレッジ及び平均結晶サイズに関しては、ペロブスカイト膜の形態を改良することにより、太陽電池の性能は、4を増加させることが示されました。形態（ 例えば酢酸鉛6を使用する）、（ii）は、分子添加剤7、溶媒の（iii）の選択、（NH 4 Cl のような）（iv）の熱前駆体（I）の選択によって影響を受けることが示されています（トルエン、クロロベンゼン8など）溶剤雰囲気下でのアニーリング、および調製法9の特に（v）を選択。 17％4を超える効率を有する太陽電池における一段階または二段階スピンコーティング結果のような溶液ベースのプロセス&lt;/ SUP&gt;、真空蒸着ペロブスカイト型太陽電池ながら10、11、12が 15.4％13の効率をもたらします。 ペロブスカイト層における過剰なPBI 2による粒界14でPBI 2のペロブスカイト膜の不動態化することによって改善されたキャリアバランスに太陽電池の性能にとって有利であることが示されています。しかし、ほとんどの研究は、ペロブスカイトフィルム材料上に化学量論の効果の役割を理解するために行われています。 本稿では、異なる幅広いに関する広範な研究を提示ペロブスカイト薄膜を作製し、調製方法および前駆体の化学量論は、状態の形態、結晶性、密度、膜組成、および太陽電池の性能にどのように影響するかを示しています。総合的な概要はcharacteriフィルムに製作に至るまで、提示されていますデバイス性能への化のすべての方法。

<table><tbody><tr><td>ITO</td><td>Rose</td><td></td><td>&amp;lt; 15 &amp;Omega;/sq</td></tr><tr><td>PEDOT:PSS</td><td>Heraeus Clevios</td><td>P VP .Al&amp;nbsp; 4083</td><td></td></tr><tr><td>MAI</td><td></td><td></td><td>Synthesized as found in literature</td></tr><tr><td>PbI&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;</td><td>Alfa Aesar</td><td>44314</td><td>99.999% trace metals basis, -10 mesh beads</td></tr><tr><td>NH&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt;Cl</td><td>Suprapure</td><td>101143</td><td>99.995%</td></tr><tr><td>PCBM</td><td>Nano C</td><td></td><td>99.9%</td></tr><tr><td>Chlorobenzene</td><td>Sigma Aldrich</td><td>270644</td><td>Chromasolv for HPLC (99.9%)</td></tr><tr><td>&lt;em&gt;N,N&lt;/em&gt;-Dimethylformamide</td><td>Acros Chemicals</td><td>&amp;nbsp;348430010</td><td>Extra dry, stored over molecular sieves (99.8%)</td></tr><tr><td>Toluene</td><td>Sigma Aldrich</td><td>244511</td><td>anhydrous</td></tr></tbody></table>

influence of hybrid perovskite fabrication methods on film formation, electronic structure, and solar cell performance

ハイブリッド無機/有機ハロゲン化物ペロブスカイト最近他の薄膜デバイス技術を超えるデバイス効率を達成する可能性と、太陽電池用途の分野で大きな関心の話題となっています。まだ、デバイス効率および基本的な物理的特性の大きな変化が報告されています。これは、十分に、これまで検討されていないフィルム加工、中に意図しない変動に起因しています。したがって、我々は、我々が表示CH 3 NH 3 PBI 3ペロブスカイトの多数の形態及び電子構造の広範な研究を行っ方法調製方法と同様に遊離体のメチル、ヨウ化鉛（II）、ヨウ化衝撃特性などの混合比膜形成、結晶構造、状態密度、エネルギーレベル、および最終的に太陽電池の性能。

ペロブスカイト膜のための異なる製造方法に比べて全体的なビューを得るためには、構造的、電子的、およびデバイス特性を組み合わせることが重要です。走査型電子顕微鏡（SEM）の形態の良好な印象を与えます。したがって、別の製造方法によって生成されたすべてのフィルムを調べました。ペロブスカイト薄膜の代表的なサブセットは、フィルム形態の調製方法の有意な影響を視覚化する、 図1に示されています。 理想的には、滑らかで、ピンホールのないフィルムはデバイスのために望まれています。図から分かるように、これは、浸漬コーティングされたもの（D、E）、および添加NH 4 Clおよびトルエン雰囲気との共溶液から調製されたフィルムを蒸着フィルム（F、G）の場合である（A1 1.4から0.6のMAIにPBI 2の様々な比RとA5）へ。これとは対照的に、フィルムwitho<html> UT添加剤（H）、並びに浸漬被覆（D、E）と、ドロップコーティングしたもの（b、c）は大きなボイド、構造針状、または大きな表面粗さを示し、従って、デバイス用途のために有用ではありません。 <img alt="図1" src="/files/ftp_upload/55084/55084fig1.jpg" /> 図1：異なる処理方法によって調製ペロブスカイト膜のSEM像。 （A1 - A5）MAI（R）へのPBI 2の異なる比で添加し、トルエンの大気との共同ソリューション、（b）はドロップコーティング40秒のロード時間で、（c）にドロップコーティングし、120秒のロード時間で、（ d）にディップコーティング（10秒ロード時間）、（e）は 、ディップコーティング（3600秒ローディング時間）、（f）は、共蒸着、（g）を順次蒸着、（h）の共同ソリューション添加剤を含みません。スケールバーは、1μmの長さを示します。tp_upload / 55084 / 55084fig1large.jpg &quot;ターゲット=&quot; _空白 &quot;&gt;この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。 最後に、 図添加剤およびトルエン雰囲気との共同溶液製剤を使用して、0.6から1.4にMAIにPBI 2の比Rを混合で1 A1-A5変形例を示します。ここでも異なるフィルム形態が現れる表面被覆率と結晶サイズのショーの変化。 SEMは、薄膜の形態とカバレッジを視覚化するために、フィルムの粗さの印象を得るために良いツールですが、しかし構造的情報が与えられていません。 したがって、さらなるペロブスカイト膜を特徴付けるために、X線回折（XRD）を使用しました。この技術は10の間の2θの範囲でCuのKαアノード（λ= 1.54056オングストローム）の結晶相を用いました<html> 6; 40°（0.00836°のステップサイズ）を監視し、特徴付けました。多くの刊行物にXRDは、ペロブスカイト膜の品質を決定するために使用されます。 図2は、MAIにPBI 2の6の異なる混合比を有するサンプルのサブセットのXRD測定結果を示し、従って、 図1A1-A5でSEM画像に対応します。また、純粋なPBI 2のスペクトルが示されています。このことから、ペロブスカイト層の品質に前駆体溶液中の化学量論の影響は、異なる相の出現などといった、PBI 2およびMAIの追加の相の組み込み、すなわち 、検討されています。スペクトルは、正方晶の結晶構造を示し、反射はそれらに対応する結晶面で索引付けされています。驚くべきことに、MAIまたはPBI 2の追加の相は、オフ化学量論的な映画では観察されませんでした。 NT &quot;&gt; <img alt="図2" src="/files/ftp_upload/55084/55084fig2.jpg" /> 図2：XRDの純粋なPBI 2のパターンだけでなく、前駆体（右の数字で与えられる比率）の種々のモル比を用いて、（NH 4 Clおよびトルエン雰囲気の）共同溶液法により調製ペロブスカイトサンプル。比較のために、曲線は、14.11°にピークに正規化し、垂直方向にシフトしています。参照16からの許可を得て転載。著作権2015年ワイリー-VCH。 <a href="http://ecsource.jove.com/files/ftp_upload/55084/55084fig2large.jpg" target="_blank">この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。</a> XRDは、膜の組成に関する情報を提供しなかったように、X線光電子分光法（XPS）を直接フィルムの化学量論を測定することである、使用されています。この測定のためのMg Kα励起源（hνを= 1252.6 eVの）10電子ボルト（エネルギー分解能= 800 meVで）のパスエネルギーとが用いられます。相対感度係数（RSF）は、各個別に測定要素について考慮しなければなりません。このように、我々の測定システムのRSFS（マグネシウムのKα源 、X線源とアナライザ50.0°の角度）を較正することが重要です。我々は、トリス- （4- iodphenyl） -アミン（C 18 H 12 I 3 N）を用いてヨウ素ピークを較正する小分子の数を使用し、PBI 2を介して鉛較正しました。炭素はRSF（C1sの）= 1のような基準として使用され、従って、個々の要素のRSF因子です。 RSF（はN1s）= 1.8、RSF（I3D 5/2）= 32.8、およびRSF（Pb4f 7/2）= 16.5。 図3は、上側のサブ図に示す特性コアレベルのピークを有する蒸着膜の代表XPSスペクトルを示しています。下の副図I3D 5/2（619.6 eV）で、はN1s（40で2.7 eV）では、C1s（286.6eV）、およびPb4f 7/2（138.6 eV）でのピークが示されています。すべての信号は、のみしかしシェイク・アップピークであるため、実際の付加的な結合状態とは関係のない、より高い結合エネルギーの小さな機能が一般的に観察されたヨウ素の場合には、単一混合ガウス/ローレンツピークによって装着することができます。我々は、シグナル強度にわたって積分すると、それぞれのRSF 16によってそれを正規化することにより、すべての調製ペロブスカイト層の相対的な膜組成を抽出することができます。 N：鉛：1：1：1のI映画のいくつかでは、大きな偏差は、理想的な膜の化学量論Cから発見された3。 例えば 0.4 D 1.5の間で変化させ窒素比をリード。これは、共蒸着を制御し、再現することは困難である蒸着フィルム、特に当てはまるました。決定されたソリューション処理されたサンプルについては、一方で、実際とは、前駆体の混合比は、最終的な膜組成と非常によく一致した意図しましたXPSから。 <img alt="図3" src="/files/ftp_upload/55084/55084fig3.jpg" /> 図3：代表XPSスペクトル。統合されたピークのクローズアップXPS測定が示されているの下に完全なXPSスキャンの上、示されています。 <a href="http://ecsource.jove.com/files/ftp_upload/55084/55084fig3large.jpg" target="_blank">この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。</a> フィルム組成物中のこれらの変動は、状態の密度に影響を与えるかを調べるために、我々は、UV光電子分光法（UPS）になりました。ヘリウム放電ランプUPS測定を実行する（21.22 eVでのHe Iを、サンプルバイアス-8 V）2 eVのパスエネルギーを使用し、及び（フェルミエッジ幅から決定される）110のMEVエネルギー分解能。れますすべてのサンプルについて、完全なスペクトルはまず、信号対雑音比を増大させるために、より高い分析アパーチャを用いて、測定された、より高い解像度スキャンを詳述します<html> VB領域を行いました。 UPSスペクトル、特にVB領域のスキャンにおいて、多色彼I放射から生じるサテライトピークは、データ解析時に数値について補正しました。 図4は、同時および順次蒸着（光赤）ならびに異なる溶液処理（暗赤色）メソッドの両方をカバーし、調べたすべてのサンプルの完全なデータセットのUPS曲線を示します。私たちは、イオン化エネルギー（IE）の大幅な変動は、図4の左側のプロットにおける高結合エネルギーカットオフ位置の変動から顕著に観察されていることを強調したいです。これらの変更は、処理およびフィルムの組成の変化によってもたらさと5.67と6.4 eVの間でIEの同調性につながるされています。詳細な説明については、16を参照するために参照してください。 JPG &quot;/&gt; 図4：調査したサンプルの代表的なサブセットのUPSをスキャンします。右辺は蒸着（光赤線）と溶液処理（暗赤色のためのVBの発症のクローズアップ高解像度を示しながら、左のパネルは、高結合エネルギーカットオフ（HBEC）と価電子帯の地域を表示しますライン）ペロブスカイト型フィルム。全ての曲線は、約3 eVのでフィーチャに整列させるために、x軸に沿ってシフトされています。参照16からの許可を得て転載。著作権2015年ワイリー-VCH。 <a href="http://ecsource.jove.com/files/ftp_upload/55084/55084fig4large.jpg" target="_blank">この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。</a> 我々は混合比の異なる前駆体から調製されたフィルムをペロブスカイト我々の以前の実験から学んだように膜の結晶構造を破壊することなく、電子構造の変化につながる、我々が望んでいました太陽電池の性能の前駆体比の効果を調査します。したがって、ITO / PEDOT：PSS /ペロブスカイト/ PC 60 BM / Alの太陽電池は、0.7から1.2のMAIにPBI 2の比を用いて（添加剤およびトルエン雰囲気）共溶液処理ペロブスカイト層を使用して調製しました。 図5は、太陽電池特性の電力変換効率の膜の化学量論（意図された比R）の影響（PCE）、短絡電流（J SC）、開放電圧（V OC）を示し、曲線因子（FF）。 9.6％の最高効率は1.02の意図モル比、 すなわち理想的なペロブスカイト組成に近いために発見されました。 <img alt="図5" src="/files/ftp_upload/55084/55084fig5.jpg" /> 図5：PCE、J SCを、VのOC、およびFFの特性値。これらの値は、太陽電池デバイスのアーキテクチャ非の測定値から抽出されましたMAIのPBI 2の意図された混合比R intのendent膜調製のために使用しました。参照16からの許可を得て転載。著作権2015年ワイリー-VCH。 <a href="http://ecsource.jove.com/files/ftp_upload/55084/55084fig5large.jpg" target="_blank">この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。</a>

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Influence of Hybrid Perovskite Fabrication Methods on Film Formation, Electronic Structure, and Solar Cell Performance

我々は、結晶構造、状態密度、エネルギーレベル、および最終的に太陽電池の性能を比較することにより、有機/無機ペロブスカイト薄膜の別の製造方法の効果について鋭意研究を提示します。

製膜上のハイブリッドペロブスカイト製造方法、電子構造、および太陽電池の性能に及ぼす影響

Hybrid organic/inorganic halide perovskites have lately been a topic of great interest in the field of solar cell applications, with the potential to ...

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Research

JoVE Journal

Chemistry

18.4K ビュー.  University of Cologne. 我々は、結晶構造、状態密度、エネルギーレベル、および最終的に太陽電池の性能を比較することにより、有機/無機ペロブスカイト薄膜の別の製造方法の効果について鋭意研究を提示します。 

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Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Polymer-based materials hold promise as low-cost, flexible efficient photovoltaic devices. Most laboratory efforts to achieve high performance devices have used devices prepared by spin coating, a process that is not amenable to large-scale fabrication. This mismatch in device fabrication makes it difficult to translate quantitative results obtained in the laboratory to the commercial level, making optimization difficult. Using a mini-slot die coater, this mismatch can be resolved by translating the commercial process to the laboratory and characterizing the structure formation in the active layer of the device in real time and in situ as films are coated onto a substrate. The evolution of the morphology was characterized under different conditions, allowing us to propose a mechanism by which the structures form and grow. This mini-slot die coater offers a simple, convenient, material efficient route by which the morphology in the active layer can be optimized under industrially relevant conditions. The goal of this protocol is to show experimental details of how a solar cell device is fabricated using a mini-slot die coater and technical details of running in situ structure characterization using the mini-slot die coater.

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Here, we present a protocol to fabricate organic thin film solar cells using a mini-slot die coater and related in-line structure characterizations using synchrotron scattering techniques.

バルクヘテロ接合太陽電池の印刷作製と<em&gt;その場で</em&gt;形態キャラクタリゼーション

Polymer-based materials hold promise as low-cost, flexible efficient photovoltaic devices. Most laboratory efforts to achieve high performance devices ...

工学

Fabrication of Fully Solution Processed Inorganic Nanocrystal Photovoltaic Devices

We demonstrate a method for the preparation of fully solution processed inorganic solar cells from a spin and spray coating deposition of nanocrystal inks. For the photoactive absorber layer, colloidal CdTe and CdSe nanocrystals (3-5 nm) are synthesized using an inert hot injection technique and cleaned with precipitations to remove excess starting reagents. Similarly, gold nanocrystals (3-5 nm) are synthesized under ambient conditions and dissolved in organic solvents. In addition, precursor solutions for transparent conductive indium tin oxide (ITO) films are prepared from solutions of indium and tin salts paired with a reactive oxidizer. Layer-by-layer, these solutions are deposited onto a glass substrate following annealing (200-400 &#176;C) to build the nanocrystal solar cell (glass/ITO/CdSe/CdTe/Au). Pre-annealing ligand exchange is required for CdSe and CdTe nanocrystals where films are dipped in NH4Cl:methanol to replace long-chain native ligands with small inorganic Cl- anions. NH4Cl(s) was found to act as a catalyst for the sintering reaction (as a non-toxic alternative to the conventional CdCl2(s) treatment) leading to grain growth (136&#177;39 nm) during heating. The thickness and roughness of the prepared films are characterized with SEM and optical profilometry. FTIR is used to determine the degree of ligand exchange prior to sintering, and XRD is used to verify the crystallinity and phase of each material. UV/Vis spectra show high visible light transmission through the ITO layer and a red shift in the absorbance of the cadmium chalcogenide nanocrystals after thermal annealing. Current-voltage curves of completed devices are measured under simulated one sun illumination. Small differences in deposition techniques and reagents employed during ligand exchange have been shown to have a profound influence on the device properties. Here, we examine the effects of chemical (sintering and ligand exchange agents) and physical treatments (solution concentration, spray-pressure, annealing time and annealing temperature) on photovoltaic device performance.

This protocol describes the synthesis and solution deposition of inorganic nanocrystals layer by layer to produce thin film electronics on non-conductive surfaces. Solvent-stabilized inks can produce complete photovoltaic devices on glass substrates via spin and spray coating following post-deposition ligand exchange and sintering.

完全に解決策が処理無機ナノ結晶太陽電池素子の作製

We demonstrate a method for the preparation of fully solution processed inorganic solar cells from a spin and spray coating deposition of nanocrystal ...

Morphology Control for Fully Printable Organic&#8211;Inorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

The photoactive layer of a typical organic thin-film bulk-heterojunction (BHJ) solar cell commonly uses fullerene derivatives as the electron-accepting material. However, fullerene derivatives are air-sensitive; therefore, air-stable material is needed as an alternative. In the present study, we propose and describe the properties of Ti-alkoxide as an alternative electron-accepting material to fullerene derivatives to create highly air-stable BHJ solar cells. It is well-known that controlling the morphology in the photoactive layer, which is constructed with fullerene derivatives as the electron acceptor, is important for obtaining a high overall efficiency through the solvent method. The conventional solvent method is useful for high-solubility materials, such as fullerene derivatives. However, for Ti-alkoxides, the conventional solvent method is insufficient, because they only dissolve in specific solvents. Here, we demonstrate a new approach to morphology control that uses the molecular bulkiness of Ti-alkoxides without the conventional solvent method. That is, this method is one approach to obtain highly efficient, air-stable, organic-inorganic bulk-heterojunction solar cells.

A method for fully printable, fullerene-free, highly air-stable, bulk-heterojunction solar cells based on Ti alkoxides as the electron acceptor and the electron-donating polymer fabrication is described here. Moreover, a method for controlling the morphology of the photoactive layer through the molecular bulkiness of the Ti-alkoxide units is reported.

チタンアルコキシドおよび半導体ポリマーに基づいて、完全に印刷可能な有機 - 無機バルクヘテロ接合太陽電池用形態制御

The photoactive layer of a typical organic thin-film bulk-heterojunction (BHJ) solar cell commonly uses fullerene derivatives as the electron-accepting ...

Low Pressure Vapor-assisted Solution Process for Tunable Band Gap Pinhole-free Methylammonium Lead Halide Perovskite Films

Organo-lead halide perovskites have recently attracted great interest for potential applications in thin-film photovoltaics and optoelectronics. Herein, we present a protocol for the fabrication of this material via the low-pressure vapor assisted solution process (LP-VASP) method, which yields ~19% power conversion efficiency in planar heterojunction perovskite solar cells. First, we report the synthesis of methylammonium iodide (CH3NH3I) and methylammonium bromide (CH3NH3Br) from methylamine and the corresponding halide acid (HI or HBr). Then, we describe the fabrication of pinhole-free, continuous methylammonium-lead halide perovskite (CH3NH3PbX3 with X = I, Br, Cl and their mixture) films with the LP-VASP. This process is based on two steps: i) spin-coating of a homogenous layer of lead halide precursor onto a substrate, and ii) conversion of this layer to CH3NH3PbI3-xBrx by exposing the substrate to vapors of a mixture of CH3NH3I and CH3NH3Br at reduced pressure and 120 &#176;C. Through slow diffusion of the methylammonium halide vapor into the lead halide precursor, we achieve slow and controlled growth of a continuous, pinhole-free perovskite film. The LP-VASP allows synthetic access to the full halide composition space in CH3NH3PbI3-xBrx with 0&#160;&#8804; x&#160;&#8804; 3. Depending on the composition of the vapor phase, the bandgap can be tuned between 1.6 eV&#160;&#8804; Eg&#160;&#8804; 2.3 eV. In addition, by varying the composition of the halide precursor and of the vapor phase, we can also obtain CH3NH3PbI3-xClx. Films obtained from the LP-VASP are reproducible, phase pure as confirmed by X-ray diffraction measurements, and show high photoluminescence quantum yield. The process does not require the use of a glovebox.

Here, we present a protocol for the synthesis of CH3NH3I and CH3NH3Br precursors and the subsequent formation of pinhole-free, continuous CH3NH3PbI3-xBrx thin films for the application in high efficiency solar cells and other optoelectronic devices.

可変バンド ギャップ ピンホール フリー メチル鉛ハライド ペロブスカイト薄膜の低圧蒸気支援ソリューション プロセス

Organo-lead halide perovskites have recently attracted great interest for potential applications in thin-film photovoltaics and optoelectronics. Herein, ...

化学

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Here, we demonstrate the incorporation of monovalent cation additives into CH3NH3PbI3 perovskite in order to adjust the optical, excitonic, and electrical properties. The possibility of doping was investigated by adding monovalent cation halides with similar ionic radii to Pb2+, including Cu+, Na+, and Ag+. A shift in the Fermi level and a remarkable decrease of sub-bandgap optical absorption, along with a lower energetic disorder in the perovskite, was achieved. An order-of-magnitude enhancement in the bulk hole mobility and a significant reduction of transport activation energy within an additive-based perovskite device was attained. The confluence of the aforementioned improved properties in the presence of these cations led to an enhancement in the photovoltaic parameters of the perovskite solar cell. An increase of 70 mV in open circuit voltage for AgI and a 2 mA/cm2 improvement in photocurrent density for NaI- and CuBr-based solar cells were achieved compared to the pristine device. Our work paves the way for further improvements in the optoelectronic quality of CH3NH3PbI3 perovskite and subsequent devices. It highlights a new avenue for investigations on the role of dopant impurities in crystallization and controls the electronic defect density in perovskite structures.

Monovalent Cation Doping of CH3NH3PbI3 for Efficient Perovskite Solar Cells

Here, we present a protocol to adjust the properties of solution-processed CH3NH3PbI3 through the incorporation of monovalent cation additives in order to achieve highly efficient perovskite solar cells.

CHの一価の陽イオンドーピング<sub&gt; 3</sub&gt; NH<sub&gt; 3</sub&gt; PBI<sub&gt; 3</sub&gt;効率的なペロブスカイト太陽電池用

Here, we demonstrate the incorporation of monovalent cation additives into CH3NH3PbI3 perovskite in order to adjust the optical, excitonic, and electrical ...

Flash Infrared Annealing for Perovskite Solar Cell Processing

Organic&#8211;inorganic perovskites have an impressive potential for the design of next generation solar cells and are currently considered for upscaling and commercialization. Currently, perovskite solar cells rely on spin-coating which is neither practical for large areas nor environmentally friendly. Indeed, one of the conventional and most effective lab-scale methods to induce perovskite crystallization, the antisolvent method, requires an amount of toxic solvent that is difficult to apply on larger surfaces. To solve this problem, an antisolvent-free and rapid thermal annealing process called flash infrared annealing (FIRA) can be used to produce highly crystalline perovskite films. The FIRA oven is composed of an array of near-infrared halogen lamps with an illumination power of 3,000 kW/m2. A hollow aluminum body enables an effective water-cooling system. The FIRA method allows the synthesis of perovskite films in less than 2 s, achieving efficiencies &#62;20%. FIRA has a unique potential for the industry because it can be adapted to continuous processing, is antisolvent-free, and does not require lengthy, hour-long annealing steps.

We describe a flash infrared annealing method used for the synthesis of perovskite and mesoscopic-TiO2 films. Annealing parameters are varied and optimized for processing on fluorine-doped tin oxide (FTO) glass and indium tin oxide-coated polyethylene terephthalate (ITO PET), subsequently giving devices power conversion efficiencies &#62;20%.

ペロブスカイト太陽電池処理用フラッシュ赤外線アニール

Organic&#8211;inorganic perovskites have an impressive potential for the design of next generation solar cells and are currently considered for upscaling ...

環境学

Key Factors Affecting the Performance of Sb2S3-sensitized Solar Cells During an Sb2S3 Deposition via SbCl3-thiourea Complex Solution-processing

Sb2S3 is considered as one of the emerging light absorbers that can be applied to next-generation solar cells because of its unique optical and electrical properties. Recently, we demonstrated its potential as next-generation solar cells by achieving a high photovoltaic efficiency of &#62; 6% in Sb2S3-sensitized solar cells using a simple thiourea (TU)-based complex solution method. Here, we describe the key experimental procedures for the deposition of Sb2S3 on a mesoporous TiO2 (mp-TiO2) layer using a SbCl3-TU complex solution in the fabrication of solar cells. First, the SbCl3-TU solution is synthesized by dissolving SbCl3 and TU in N,N-dimethylformamide at different molar ratios of SbCl3:TU. Then, the solution is deposited on as-prepared substrates consisting of mp-TiO2/TiO2-blocking layer/F-doped SnO2 glass by spin coating. Finally, to form crystalline Sb2S3, the samples are annealed in an N2-filled glove box at 300 &#176;C. The effects of the experimental parameters on the photovoltaic device performance are also discussed.

Key Factors Affecting the Performance of Sb2S3-sensitized Solar Cells During an Sb2S3 Deposition via SbCl3-thiourea Complex Solution-processing

This work provides a detailed experimental procedure for the deposition of Sb2S3 on a mesoporous TiO2 layer using a SbCl3-thiourea complex solution for applications in Sb2S3-sensitized solar cells. This article also determines key factors governing the deposition process.

主要な Sb2S3の性能に影響を与える要因-太陽電池を増感の間に、Sb2S3成膜を介してSbCl3-チオ尿素複合ソリューション処理

Sb2S3 is considered as one of the emerging light absorbers that can be applied to next-generation solar cells because of its unique optical and electrical ...

Solution-Processed "Silver-Bismuth-Iodine" Ternary Thin Films for Lead-Free Photovoltaic Absorbers

Bismuth-based hybrid perovskites are regarded as promising photo-active semiconductors for environment-friendly and air-stable solar cell applications. However, poor surface morphologies and relatively high bandgap energies have limited their potential. Silver-bismuth-iodine (Ag-Bi-I) is a promising semiconductor for optoelectronic devices. Therefore, we demonstrate the fabrication of Ag-Bi-I ternary thin films using material solution processing. The resulting thin films exhibit controlled surface morphologies and optical bandgaps according to their thermal annealing temperatures. In addition, it has been reported that Ag-Bi-I ternary systems crystallize to AgBi2I7, Ag2BiI5, etc. according to the ratio of the precursor chemicals. The solution-processed AgBi2I7 thin films exhibit a cubic-phase crystal structure, dense, pinhole-free surface morphologies with grains ranging in size from 200 to 800 nm, and an indirect bandgap of 1.87 eV. The resultant AgBi2I7 thin films show good air stability and energy band diagrams, as well as surface morphologies and optical bandgaps suitable for lead-free and air-stable single-junction solar cells. Very recently, a solar cell with 4.3% power conversion efficiency was obtained by optimizing the Ag-Bi-I crystal compositions and solar cell device architectures.

Herein, we present detailed protocols for solution-processed silver-bismuth-iodine (Ag-Bi-I) ternary semiconductor thin films fabricated on TiO2-coated transparent electrodes and their potential application as air-stable and lead-free optoelectronic devices.

ソリューション処理「銀ビスマス ヨード」三項薄膜鉛フリー太陽光吸収体の

Bismuth-based hybrid perovskites are regarded as promising photo-active semiconductors for environment-friendly and air-stable solar cell applications. ...

Inkjet Printing All Inorganic Halide Perovskite Inks for Photovoltaic Applications

A method for synthesizing photoactive inorganic&#160;perovskite quantum dot inks and an inkjet printer deposition method, using the synthesized inks, are demonstrated. The ink synthesis is based on a simple wet chemical reaction and the inkjet printing protocol is a facile step by step method. The inkjet printed thin films have been characterized by X-ray diffraction, optical absorption spectroscopy, photoluminescent spectroscopy, and electronic transport measurements. X-ray diffraction of the printed quantum dot films indicates a crystal structure consistent with an orthorhombic room temperature phase with (001) orientation. In conjunction with other characterization methods, the X-ray diffraction&#160;measurements show high quality films can be obtained through the inkjet printing method.

A protocol for synthesizing inorganic-lead-halide hybrid perovskite quantum dot inks for inkjet printing and the protocol for preparing and printing the quantum dot inks in an inkjet printer with post characterization techniques are presented.

太陽光発電のアプリケーションのすべての無機塩ペロブスカイト型インキを印刷インク ジェット

A method for synthesizing photoactive inorganic&#160;perovskite quantum dot inks and an inkjet printer deposition method, using the synthesized inks, are ...

Facile Synthesis of Colloidal Lead Halide Perovskite Nanoplatelets via Ligand-Assisted Reprecipitation

In this work, we demonstrate a facile method for colloidal lead halide perovskite nanoplatelet synthesis (Chemical formula: L2[ABX3]n-1BX4, L: butylammonium and octylammonium, A: methylammonium or formamidinium, B: lead, X: bromide and iodide, n: number of [BX6]4- octahedral layers in the direction of nanoplatelet thickness) via ligand-assisted reprecipitation. Individual perovskite precursor solutions are prepared by dissolving each nanoplatelet constituent salt in N,N-dimethylformamide (DMF), which is a polar organic solvent, and then mixing in specific ratios for targeted nanoplatelet thickness and composition. Once the mixed precursor solution is dropped into nonpolar toluene, the abrupt change in the solubility induces the instantaneous crystallization of nanoplatelets with surface-bound alkylammonium halide ligands providing colloidal stability. Photoluminescence and absorption spectra reveal emissive and strongly quantum-confined features. X-ray diffraction and transmission electron microscopy confirm the two-dimensional structure of the nanoplatelets. Furthermore, we demonstrate that the band gap of perovskite nanoplatelets can be continuously tuned in the visible range by varying the stoichiometry of the halide ion(s). Lastly, we demonstrate the flexibility of the ligand-assisted reprecipitation method by introducing multiple species as surface-capping ligands. This methodology represents a simple procedure for preparing dispersions of emissive 2D colloidal semiconductors.

This work demonstrates facile room-temperature synthesis of colloidal quantum-confined lead halide perovskite nanoplatelets by ligand-assisted reprecipitation method. Synthesized nanoplatelets show spectrally narrow optical features and continuous spectral tunability throughout the visible range by varying the composition and thicknesses.

製膜上のハイブリッドペロブスカイト製造方法、電子構造、および太陽電池の性能に及ぼす影響

要約

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バルクヘテロ接合太陽電池の印刷作製と

完全に解決策が処理無機ナノ結晶太陽電池素子の作製

チタンアルコキシドおよび半導体ポリマーに基づいて、完全に印刷可能な有機 - 無機バルクヘテロ接合太陽電池用形態制御

可変バンドギャップピンホールフリーメチル鉛ハライドペロブスカイト薄膜の低圧蒸気支援ソリューションプロセス

CHの一価の陽イオンドーピング

ペロブスカイト太陽電池処理用フラッシュ赤外線アニール

主要な Sb₂S₃の性能に影響を与える要因-太陽電池を増感の間に、Sb₂S₃成膜を介してSbCl₃-チオ尿素複合ソリューション処理

ソリューション処理「銀ビスマスヨード」三項薄膜鉛フリー太陽光吸収体の

太陽光発電のアプリケーションのすべての無機塩ペロブスカイト型インキを印刷インクジェット

リガンド支援再沈殿によるコロイド鉛ハライドペロブスカイトナノ血小板のフェイシャル合成

製膜上のハイブリッドペロブスカイト製造方法、電子構造、および太陽電池の性能に及ぼす影響

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CHの一価の陽イオンドーピング

ペロブスカイト太陽電池処理用フラッシュ赤外線アニール

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ソリューション処理「銀ビスマス ヨード」三項薄膜鉛フリー太陽光吸収体の

太陽光発電のアプリケーションのすべての無機塩ペロブスカイト型インキを印刷インク ジェット

リガンド支援再沈殿によるコロイド鉛ハライドペロブスカイトナノ血小板のフェイシャル合成

可変バンドギャップピンホールフリーメチル鉛ハライドペロブスカイト薄膜の低圧蒸気支援ソリューションプロセス

主要な Sb₂S₃の性能に影響を与える要因-太陽電池を増感の間に、Sb₂S₃成膜を介してSbCl₃-チオ尿素複合ソリューション処理

ソリューション処理「銀ビスマスヨード」三項薄膜鉛フリー太陽光吸収体の

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