12.4 : Características do TJB

O Transistor de Junção Bipolar TJB (Bipolar Junction Transistor, BJT, em inglês), especificamente em uma configuração de emissor comum, exibe características distintas de corrente-tensão cruciais para a compreensão de seu comportamento em circuitos eletrônicos.

Estas características são estabelecidas através de medições experimentais das relações entre tensão e corrente.

Para características de entrada, a tensão base-emissor é variada, mantendo uma tensão coletor-emissor constante. Esta configuração revela uma dependência do tipo Shockley da corrente do coletor em relação à tensão base-emissor. À medida que a tensão base-emissor aumenta, também aumenta a corrente do coletor, mas sob uma condição controlada de tensão coletor-emissor constante.

As características de saída são então observadas traçando a corrente do coletor em relação à tensão coletor-emissor, mantendo a corrente de base fixa. Essa relação destaca diversas regiões operacionais do TJB. Na região de saturação, a tensão coletor-emissor é baixa, fazendo com que a corrente do coletor se aproxime de zero, indicando resistência mínima entre os terminais coletor e emissor.

À medida que a tensão coletor-emissor aumenta, o transistor faz a transição para a região ativa, exibindo uma resistência coletor-emissor infinitamente alta. A corrente do coletor permanece relativamente estável independentemente das mudanças na tensão coletor-emissor. Porém, pode-se observar um ligeiro aumento na corrente do coletor, o que pode ser atribuído ao efeito inicial. Este fenômeno envolve um alargamento da região de depleção e uma redução na largura da base, aumentando a corrente de saturação e introduzindo assim uma resistência de saída finita.

Essas características definem as condições de operação e desempenho dos TJBs em diversas aplicações, tornando-os componentes fundamentais para o projeto e análise de circuitos eletrônicos.