用畸变校正扫描透射电镜进行单数字纳米电子束光刻

通过采用畸变校正扫描透射电镜作为曝光工具, 我们演示了用传统的抗性和模式传递过程对单位纳米尺寸进行电子束光刻的推广。在这里, 我们提出了两个广泛使用的电子束抵抗的单数字纳米模式的结果: 聚甲基丙烯酸甲酯和氢 silsesquioxane。该方法实现了聚甲基丙烯酸甲酯的 sub-5 纳米特征和 sub-10 在氢 silsesquioxane 中的纳米分辨率。这些模式的高保真转移到目标材料的选择可以使用金属升降, 等离子蚀刻, 并抵制渗透与 organometallics。