Lithographie de faisceau d’électrons à un seul chiffre nanomètre avec une correction de l’Aberration Transmission Microscope électronique à balayage

Nous démontrons résiste à l’extension de faisceau d’électrons Lithographie l’utilisation conventionnelle et transfert de motif traite aux dimensions nanométriques à un seul chiffre en utilisant un correction de l’aberration transmission microscope électronique à balayage comme l’outil d’exposition. Nous présentons ici les résultats de structuration nanomètre à un chiffre de deux faisceaux d’électrons largement utilisé résiste : poly (méthacrylate de méthyle) et hydrogène SILSESQUIOXANES. La méthode réalise le nanomètre sup-5 caractéristiques en poly (méthacrylate de méthyle) et résolution sub-10 nanomètre en hydrogène SILSESQUIOXANES. Transfert de haute fidélité de ces modèles en matériaux cible de choix peut être effectuée à l’aide de métal déjaugeage, plasma etch et résister à l’infiltration d’organométalliques.