12.17 : MOSFET: Geliştirme Modu

Geliştirme modlu MOSFET'ler, yüksek verimli anahtarlar olarak görev yapma kapasiteleriyle öne çıkan, elektronikteki önemli bileşenlerdir. Bunlar, metal oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistörlerin (MOSFET'ler) daha geniş ailesinin bir parçasıdır. İki tipte mevcutturlar: p-kanalı ve n-kanalı, her biri belirli polarite işlemlerine göre uyarlanmıştır.

Temel formlarında, geliştirme modlu MOSFET'ler, geçit kaynağı voltajı (V_gs) sıfır olduğunda tipik olarak iletken değildir. Bu varsayılan 'kapalı' durum, pozitif bir V_gs uygulanmadığı sürece drenaj ve kaynak terminalleri arasında akım akışı olmadığı anlamına gelir. Bu voltaj uygulandığında, elektronları (n-kanalı için) veya delikleri (p-kanalı için) oksit katmanına doğru çeken bir elektrik alanı oluşturur ve etkili bir şekilde ters çevirme katmanı olarak bilinen şeyi oluşturur. Bu katman, kaynak ve drenaj arasında iletken bir kanal oluşturarak akımın akmasını sağlar.

Geliştirme modlu MOSFET'lerin benzersiz özelliği, V_gs'yi ayarlayarak drenaj akımının (i_d) büyüklüğünü kontrol edebilme yetenekleridir. V_gs'nin arttırılması kanalın iletkenliğini arttırır, böylece daha fazla akımın geçmesine izin verir. V_gs ve i_d arasındaki bu ilişki, bu cihazları, LED ışıkların parlaklığını bir dimmer anahtarı aracılığıyla ayarlamak gibi hassas kontrol uygulamaları için mükemmel kılar. Burada dimmer düğmesinin döndürülmesi V_gs'yi değiştirir; sıfır voltajda LED'ler kapalıdır ve voltajın arttırılması LED'leri giderek aydınlatır.

Ayrıca, geliştirme modlu MOSFET'ler, yüksek giriş ve düşük AÇIK dirençleri nedeniyle güç anahtarlama devreleri ve entegre devrelerde CMOS tipi mantık kapıları oluşturmak için idealdir. Bu özellikler, minimum güç kaybıyla verimli, yüksek hızlı anahtarlamayı mümkün kılar ve geliştirme modlu MOSFET'leri modern elektronik tasarımda vazgeçilmez kılar.