Name: atom probe tomography studies on the cu(in,ga)se2 grain boundaries
Uploaded: 2013-04-22T12:00:00
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Diese Arbeit wird von der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG) (Contract CH 943/2-1) gegründet. Die Autoren bedanken sich bei Wolfgang Dittus und Stefan Paetel vom Zentrum für Sonnenenergie-und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg danke für die Herstellung der CIGS Absorberschicht für diese Arbeit.

Ein. CIGS Layer Deposition <ol><li> Sputter-Kaution von 500 nm Molybdän (Rückkontaktschicht) auf einer 3 mm dicken Kalk-Natron-Glas-Substrat (SLG). </li><li> Co-verdampfen 2 um der CIGS in einem mehrstufigen Inline CIGS-Prozess 24. Die erhaltenen CIGS-Schicht auf Mo Rückkontakt aufgebracht ist in Abbildung 1 dargestellt. </li><li> Messen Sie die integrale Zusammensetzung der CIGS-Schicht durch Röntgenfluoreszenz (RFA). Das erhaltene CIGS Zusammensetzung ist in Tabelle 1...

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	<li>Stanbery, B. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Copper+indium+selenides+and+related+materials+for+photovoltaic+devices.">Copper indium selenides and related materials for photovoltaic devices.</a> Crit. Rev. Solid State. 27, 73-117 (2002).</li><li>Kemell, M., Ritala, M., Leskel&#228;, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin+film+deposition+methods+for+CuInSe2+solar+cells.">Thin film deposition methods for CuInSe2 solar cells.</a> Crit. Rev. Solid State. 30, 1-31 (2005).</li><li>Kazmerski, L. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solar+photovoltaics+R&amp;D+at+the+tipping+point:+a+2005+technology+overview.">Solar photovoltaics R&amp;D at the tipping point: a 2005 technology overview.</a> J. Electron Spectrosc. 150 (2-3), 105-135 (2006).</li><li>Sadewasser, S., Glatzel, T., Schuler, S., Nishiwaki, S., Kaigawa, R., Lux-Steiner, M. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Kelvin+probe+force+microscopy+for+the+nano+scale+characterization+of+chalcopyrite+solar+cell+materials+and+devices.">Kelvin probe force microscopy for the nano scale characterization of chalcopyrite solar cell materials and devices.</a> Thin Solid Films. 431-432, 257-261 (2003).</li><li>Jiang, C. S., Noufi, R., AbuShama, J. A., Ramanathan, K., Moutinho, H. R., Pankow, J., Al-Jassim, M. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Local+built-in+potential+on+grain+boundary+of+Cu(In,Ga)Se2+thin-films.">Local built-in potential on grain boundary of Cu(In,Ga)Se2 thin-films.</a> Appl. Phys. Lett. 84, 3477-1-3477-3 (2004).</li><li>Abou-Ras, D., Koch, C. T., K&#252;stner, V., van Aken, P. A., Jahn, U., Contreras, M. A., Caballero, R., Kaufmann, C. A., Scheer, R., Unold, T., Schock, H. 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W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Grain+sizes+and+grain+boundaries+in+chalcopyrite-type+thin+films.">Grain sizes and grain boundaries in chalcopyrite-type thin films.</a> J. Appl. Cryst. 40, 841-848 (2007).</li><li>Niles, D. W., Al-Jassim, M., Ramanathan, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Direct+observation+of+Na+and+O+impurities+at+grain+surfaces+of+CuInSe2+thin+films.">Direct observation of Na and O impurities at grain surfaces of CuInSe2 thin films.</a> J. Vac. Sci. Technol. A. 17, 291-296 (1998).</li><li>Rockett, A., Granath, K., Asher, S., Al Jassim, M. M., Hasoon, F., Matson, R., Basol, B., Kapur, V., Britt, J. S., Gillespie, T., Marshall, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Na+incorporation+in+Mo+and+CuInSe2+from+production+processes.">Na incorporation in Mo and CuInSe2 from production processes.</a> Sol. Energy. 59, 255-264 (1999).</li><li>Heske, C., Eich, D., Fink, R., Umbach, E., Kakar, S., van Buuren, T., Bostedt, C., Terminello, L. J., Grush, M. M., Callcott, T. A., Himpsel, F. J., Ederer, D. L., Perera, R. C. C., Riedl, W., Karg, F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Localization+of+Na+impurities+at+the+buried+CdS/Cu(In,+Ga)Se2+heterojunction.">Localization of Na impurities at the buried CdS/Cu(In, Ga)Se2 heterojunction.</a> Appl. Phys. Lett. 75, 2082-2084 (1999).</li><li>Braunger, D., Hariskos, D., Bilger, G., Rau, U., Schock, H. 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M., Deconihout, B., Menand, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=An+atom-probe+for+three+dimensional+tomography.">An atom-probe for three dimensional tomography.</a> Nature. 363, 432-435 (1993).</li><li>Gault, B., Vurpillot, F., Vella, A., Gilbert, M., Menand, A., Blavette, D., Deconihout, B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Design+of+a+femtosecond+laser+assisted+tomographic+atom+probe.">Design of a femtosecond laser assisted tomographic atom probe.</a> Rev. Sci. Instrum. 77, 043705-1-043705-8 (2006).</li><li>Kelly, T. F., Miller, M. K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atom+probe+tomography.">Atom probe tomography.</a> Rev. Sci. Instrum. 78, 031101-1-031101-20 (2007).</li><li>Thompson, K., Lawrence, D., Larson, D. J., Olson, J. D., Kelly, T. F., Gorman, B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=In+situ+site-specific+specimen+preparation+for+atom+probe+tomography.">In situ site-specific specimen preparation for atom probe tomography.</a> Ultramicroscopy. 107 (2-3), 131-139 (2007).</li><li>Cadel, E., Barreau, N., Kessler, J., Pareige, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atom+probe+study+of+sodium+distribution+in+polycristalline+Cu(In,Ga)Se2+thin+film.">Atom probe study of sodium distribution in polycristalline Cu(In,Ga)Se2 thin film.</a> Acta Material. 58, 2634-2637 (2010).</li><li>Schlesiger, R., Oberdorfer, C., W&#252;rz, R., Greiwe, G., Stender, P., Artmeier, M., Pelka, P., Spaleck, F., Schmitz, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Design+of+a+laser-assisted+tomographic+atom+probe+at+M&#252;nster+University.">Design of a laser-assisted tomographic atom probe at M&#252;nster University.</a> Rev. Sci. Instr. 81, 043703 (2010).</li><li>Cojocaru-Mir&#233;din, O., Choi, P., Abou-Ras, D., Schmidt, S. S., Caballero, R., Raabe, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Characterization+of+grain+boundaries+in+Cu(In,Ga)Se2+films+using+atom-probe+tomography.">Characterization of grain boundaries in Cu(In,Ga)Se2 films using atom-probe tomography.</a> IEEE J. Photovolt. 1 (2), 207-212 (2011).</li><li>Cojocaru-Mir&#233;din, O., Choi, P., Wuerz, R., Raabe, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atomic-scale+characterization+of+the+CdS/CuInSe2+interface+in+thin-film+solar+cells.">Atomic-scale characterization of the CdS/CuInSe2 interface in thin-film solar cells.</a> Appl. Phys. Lett. 98, 103504-1-103504-3 (2011).</li><li>Couzinie-Devy, F., Cadel, E., Barreau, N., Arzel, L., Pareige, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atom+probe+study+of+Cu-poor+to+Cu-rich+transition+during+Cu(In,Ga)Se2+growth.">Atom probe study of Cu-poor to Cu-rich transition during Cu(In,Ga)Se2 growth.</a> Appl. Phys. Lett. 99, 232108-1-232108-3 (2011).</li><li>Voorwinden, G., Jackson, P., Kniese, R., Powalla, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=In-line+Cu(In,Ga)Se2+co-evaporation+process+on+30+cm+x+30+cm+substrates+with+multiple+deposition+stages.">In-line Cu(In,Ga)Se2 co-evaporation process on 30 cm x 30 cm substrates with multiple deposition stages.</a> , 2115-2118 (2007).</li><li>Miller, M. K., Russell, K. F., Thompson, K., Alvis, R., Larson, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Review+of+atom+probe+FIB-based+specimen+preparation+methods.">Review of atom probe FIB-based specimen preparation methods.</a> Microscopy Microanal. 13 (6), 428-436 (2007).</li><li>J, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Modeling+image+distortions+in+3DAP.">Modeling image distortions in 3DAP.</a> Microscopy and Microanalysis. 10 (3), 384-390 (2008).</li><li>Kellog, G. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determining+the+field+emitter+temperature+during+laser+irradiation+in+the+pulsed+laser+atom+probe.">Determining the field emitter temperature during laser irradiation in the pulsed laser atom probe.</a> J. Appl. Phys. 52, 5320 (1981).</li><li>. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> IVASTM 3.6.2 User Guide 2012. , (2012).</li><li>Persson, C., Zunger, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Compositionally+induced+valence-band+offset+at+the+grain+boundary+of+polycrystalline+chalcopyrites+creates+a+hole+barrier.">Compositionally induced valence-band offset at the grain boundary of polycrystalline chalcopyrites creates a hole barrier.</a> Appl. Phys. Lett. 87, 211904-1-211904-3 (2005).</li><li>Zhang, S. B., Wei, S. -. H., Zunger, A., Katayama-Yoshida, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Defect+physics+of+the+CuInSe2+chalcopyrite+semiconductor.">Defect physics of the CuInSe2 chalcopyrite semiconductor.</a> Phys. Rev. B. 57, 9642-9656 (1998).</li><li>Cahn, J. W., Johnson, W. C., Blakely, J. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Interfacial Segregation. , 3-23 (1979).</li><li>Miller, M. K., Jayaram, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Some+factors+affecting+analysis+in+atom+probe.">Some factors affecting analysis in atom probe.</a> Surf. Sci. 266, 458-462 (1992).</li><li>Wuerz, R., Eicke, A., Kessler, F., Paetel, S., Efimenko, S., Schlegel, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=CIGS+thin-film+solar+cells+and+modules+on+enamelled+steel+substrates.">CIGS thin-film solar cells and modules on enamelled steel substrates.</a> Sol. Energy. 100, 132-137 (2012).</li><li>De Geuser, F., Lefebvre, W., Danoix, F., Vurpillot, F., Forbord, B., Blavette, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=An+improved+reconstruction+procedure+for+the+correction+of+local+magnification+effects+in+three-dimensional+atom-probe.">An improved reconstruction procedure for the correction of local magnification effects in three-dimensional atom-probe.</a> Surf. Interf. Anal. 39, 268-272 (2007).</li><li>Kingham, D. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+post-ionization+of+field+evaporated+ions:+A+theoretical+explanation+of+multiple+charge+states.">The post-ionization of field evaporated ions: A theoretical explanation of multiple charge states.</a> Surf. Sci. 116, 273-301 (1982).</li><li>Letellier, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Etude des joints de grains et interphases dans les superalliages Astroloy par microscopie electronique et tomographie atomique [dissertation]. , (1994).</li><li>Hoummada, I., Mangelinck, K., Chow, D., Lee, J., Bernardini, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Original+methods+for+diffusion+measurements+in+polycrystalline+thin-films.">Original methods for diffusion measurements in polycrystalline thin-films.</a> Defect and Diffusion Forum. 322, 129-150 (2012).</li></ol>

In der aktuellen Arbeit haben wir APT Ergebnisse auf einer zufälligen HAGB in CIGS, eine Verbindung Halbleitermaterial für Photovoltaik-Anwendung vorgestellt. Darüber hinaus haben wir auch gezeigt, dass APT in Verbindung mit komplementären Techniken, wie EBSD und TEM, ein leistungsfähiges Werkzeug, um die Struktur-Zusammensetzung Eigenschaften Beziehung für die CIGS-Solarzellen aufzuklären ist. Leider war die Korrelation zwischen APT und EDX / EELS in TEM nicht möglich, weil erstens hat EDX / EELS nicht ausreich...

<html> Dünnschicht-Solarzellen auf der Chalkopyrit-strukturierten Verbindungshalbleiter Cu (In, Ga) Se 2 (CIGS) als Absorbermaterial Basis haben in der Entwicklung für mehr als zwei Jahrzehnten wegen ihrer hohen Effizienz, Strahlungshärte, langfristig stabile gewesen Leistung und niedrigen Produktionskosten 1-3. Diese Solarzellen mit nur wenig Materialverbrauch aufgrund der guten optischen Eigenschaften des CIGS Absorberschicht, nämlich eine direkte Bandlücke und einen hohen Absorptionskoeffizienten 1,2 hergestellt werden. Absorber Filme von nur wenigen Mikrometern Dicke ausreichend sind, um eine hohe Photostrom zu erzeugen. Da die Diffusionswege photogenerierter Ladungsträger zu den Elektroden relativ kurz sind, kann CIGS-Absorber in polykristalliner Form hergestellt werden. Der maximale Wirkungsgrad einer Cu (In, Ga) Se 2 (CIGS) Solarzellen bisher erreichten 20,4% 4, das der höchste Wert unter allen Dünnschicht-Solarzellen. ove_content &quot;&gt; weiter zu etablieren die CIGS-Dünnschicht-Photovoltaik-Technologie, sowohl die Senkung der Produktionskosten und die Steigerung der Wirkungsgrad der Solarzellen sind unerlässlich. Letzteres ist stark abhängig von der Mikrostruktur und die chemische Zusammensetzung der CIGS-Absorberschicht. Interne Schnittstellen, insbesondere Korngrenzen (GBS) im Absorber, spielen eine zentrale Rolle, da sie den Transport von Ladungsträgern durch Licht beeinflusst. Eine der wichtigsten offenen Fragen in Bezug auf CIGS-Solarzellen ist die gutartige Natur des CIGS GB, Ausbeute dh polykristallinen CIGS-Absorber Filme herausragende Wirkungsgrade trotz einer hohen Dichte von GB und Gitterfehler. Mehrere Autoren untersuchten GBs in solar-grade CIGS Filme hinsichtlich ihrer elektrischen Eigenschaften 5,6, Charakter und Fehlorientierung 7-9 sowie 10-13 Verunreinigung Segregation. Jedoch keine klare Verbindung zwischen diesen properties könnte so weit aufgebaut werden. Insbesondere gibt es einen erheblichen Mangel an Informationen über die lokalen chemischen Zusammensetzung und Gehalt an Verunreinigungen der GB. In den vergangenen zwei Jahrzehnten hat Atomsondentomographie (APT) als einer der vielversprechenden nano-analytischen Techniken 14-17 entstanden. Bis vor kurzem APT Studien von Solarzellen wurden weitgehend durch Schwierigkeiten bei der Probenvorbereitung und der begrenzten Fähigkeit zur Analyse von Halbleitermaterialien mit konventionellen gepulsten Spannung Atom Sonden beschränkt. Diese Beschränkungen wurden weitgehend von der Entwicklung der Überwindung der &quot;lift-out-Verfahren&quot; auf der Grundlage fokussierten Ionenstrahl (FIB) Fräsen 18 und die Einführung der gepulsten Laser APT 16. Mehrere Zeitungen über APT Charakterisierung von CIGS-Solarzellen wurden 19-23 veröffentlicht, welche stark ermutigend für weitere Untersuchungen. Dieser Beitrag gibt einen Leitfaden, wie man studieren internen iCHNITTSTELLEN in CIGS-Dünnschicht-Solarzellen durch die Atomsondentomographie Technik.

atom probe tomography studies on the cu(in,ga)se2 grain boundaries

Im Vergleich zu den existierenden Techniken ist Atomsondentomographie eine einzigartige Technik in der Lage, chemisch zu charakterisieren die internen Schnittstellen im Nanobereich und in drei Dimensionen. Tatsächlich besitzt APT hohe Empfindlichkeit (in der Größenordnung von ppm) und hohe räumliche Auflösung (sub nm). Erhebliche Anstrengungen wurden hier, um eine APT Spitze, die das gewünschte Korngrenzen mit einer bekannten Struktur enthält vorzubereiten getan. Tatsächlich ortsspezifische Probenvorbereitung mit kombinierten konzentriert-Ionen-, Elektronen Backscatter Beugung und Transmissions-Elektronenmikroskopie wird in dieser Arbeit vorgestellt. Diese Methode ermöglicht es ausgewählt Korngrenzen mit einer bekannten Struktur und Lage in Cu (In, Ga) Se 2-Dünnschichten durch Atomsondentomographie untersucht werden. Schließlich diskutieren wir die Vor-und Nachteile der Verwendung des Atomsondentomographie Technik, um die Korngrenzen in Cu (In, Ga) Se 2-Dünnschicht-Solarzellen zu studieren.

Abbildung 3 zeigt eine Seitenansicht (xz Scheibe) elementarem Karte der zufälligen high-angle GB (HAGB) 28,5 ° - &lt;511&gt; Cub in Abbildung 2 durch ortsspezifische Herstellungsverfahren ausgewählt. Co-Segregation von Na, K und O bei einer CIGS HAGB direkt abgebildet mit APT. Diese Verunreinigungen wahrscheinlich aus dem SLG Substrat in die Absorberschicht eindiffundiert während der Abscheidung der CIGS-Schicht bei ~ 600 ° C 4A</stro...

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Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries

In dieser Arbeit beschreiben wir die Verwendung der Atom-Sonde Tomographie Technik für die Untersuchung der Korngrenzen der Absorberschicht in einer CIGS-Solarzelle. Ein neuartiger Ansatz, um die Atomsonde Tipps, die das gewünschte Korngrenzen mit einer bekannten Struktur vorzubereiten ist auch hier vorgestellt.

Atomsondentomographie Studien über die Cu (In, Ga) Se<sub&gt; 2</sub&gt; Grain Boundaries

Compared with the existent techniques, atom probe tomography is a unique technique able to chemically characterize the internal interfaces at the ...

Research

JoVE Journal

Engineering

Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

Scanning-probe Single-electron Capacitance Spectroscopy

Scanning-Probe-Einzel-Elektronen-Spektroskopie Kapazität

The integration of low-temperature scanning-probe techniques and single-electron capacitance spectroscopy represents a powerful tool to study the ...

Forschung

Ingenieurwesen

Casting Protocols for the Production of Open Cell Aluminum Foams by the Replication Technique and the Effect on Porosity

Casting Protokolle für die Herstellung von Aluminium-Schäume Offenzellige vom Replikations Technik und der Auswirkungen auf die Porosität

Metal foams are interesting materials from both a fundamental understanding and practical applications point of view. Uses have been proposed, and in many ...

Energy Dispersive X-ray Tomography for 3D Elemental Mapping of Individual Nanoparticles

Energieröntgentomografie für 3D-Elementar Zuordnung einzelner Nanopartikel

Energy dispersive X-ray spectroscopy within the scanning transmission electron microscope (STEM) provides accurate elemental analysis with high spatial ...

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Experimente an Ultraschall-Schmierung Verwenden eines piezoelektrisch unterstützten Tribometer und optische Profilometer

Friction and wear are detrimental to engineered systems. Ultrasonic lubrication is achieved when the interface between two sliding surfaces is vibrated at ...

The Measurement of Unsteady Surface Pressure Using a Remote Microphone Probe

Die Messung der Unsteady Flächenpressung eines Remote-Mikrofon-Sonde

Microphones are widely applied to measure pressure fluctuations at the walls of solid bodies immersed in turbulent flows. Turbulent motions with various ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

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Probing C<sub&gt; 84</sub&gt; -embedded Si-Substrat mit Hilfe der Rastersondenmikroskopie und Molecular Dynamics

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

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Mikrofluidische Imaging-Durchflusszytometrie durch asymmetrische Detektion Zeitstreck-Optische Mikroskopie (ATOM)

Scaling the number of measurable parameters, which allows for multidimensional data analysis and thus higher-confidence statistical results, has been the ...

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In Situ Überwachung von der beschleunigten Leistungsabfall von Solarzellen und Modulen: eine Fallstudie für Cu (In, Ga) Se2 Solarzellen

The levelized cost of electricity (LCOE) of photovoltaic (PV) systems is determined by, among other factors, the PV module reliability. Better prediction ...

Fabrication of Magnetic Nanostructures on Silicon Nitride Membranes for Magnetic Vortex Studies Using Transmission Microscopy Techniques

Herstellung von magnetische Nanostrukturen auf Silizium-Nitrid Membranen für magnetische Wirbel Studien mit Übertragungstechniken Mikroskopie

Electron and x-ray magnetic microscopies allow for high-resolution magnetic imaging down to tens of nanometers. However, the samples need to be prepared ...

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

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Herstellung eines robusten Nano-Kontakts zwischen einer Silber-Nanodrahtelektrode und einer CdS-Pufferschicht in Cu(In,Ga)Se2 Dünnschicht-Solarzellen

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