Name: atom probe tomography studies on the cu(in,ga)se2 grain boundaries
Uploaded: 2013-04-22T12:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries at JoVE.com

Questo lavoro è fondata dal tedesco Research Foundation (DFG) (Contratto CH 943/2-1). Gli autori desiderano ringraziare Wolfgang Dittus, e Stefan Paetel dal Zentrum für Sonnenenergie-und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg per la preparazione dello strato di assorbitore CIGS per questo lavoro.

1. CIGS Layer Deposition <ol><li> Polverizzazione catodica-deposito 500 nm di molibdeno (back strato di contatto) su una soda lime substrato di vetro di spessore di 3 mm (SLG). </li><li> Co-evaporare 2 micron di CIGS in CIGS inline processo multistadio 24. Le CIGS ottenuti strato depositato sul Mo contatto retro è mostrato in Figura 1. </li><li> Misurare la composizione integrale di strato CIGS per fluorescenza a raggi X spettrometria (XRF). La composizione CIGS ottenuto è mostrato in <st...

<ol>
	<li>Stanbery, B. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Copper+indium+selenides+and+related+materials+for+photovoltaic+devices.">Copper indium selenides and related materials for photovoltaic devices.</a> Crit. Rev. Solid State. 27, 73-117 (2002).</li><li>Kemell, M., Ritala, M., Leskel&#228;, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin+film+deposition+methods+for+CuInSe2+solar+cells.">Thin film deposition methods for CuInSe2 solar cells.</a> Crit. Rev. Solid State. 30, 1-31 (2005).</li><li>Kazmerski, L. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solar+photovoltaics+R&amp;D+at+the+tipping+point:+a+2005+technology+overview.">Solar photovoltaics R&amp;D at the tipping point: a 2005 technology overview.</a> J. Electron Spectrosc. 150 (2-3), 105-135 (2006).</li><li>Sadewasser, S., Glatzel, T., Schuler, S., Nishiwaki, S., Kaigawa, R., Lux-Steiner, M. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Kelvin+probe+force+microscopy+for+the+nano+scale+characterization+of+chalcopyrite+solar+cell+materials+and+devices.">Kelvin probe force microscopy for the nano scale characterization of chalcopyrite solar cell materials and devices.</a> Thin Solid Films. 431-432, 257-261 (2003).</li><li>Jiang, C. S., Noufi, R., AbuShama, J. A., Ramanathan, K., Moutinho, H. R., Pankow, J., Al-Jassim, M. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Local+built-in+potential+on+grain+boundary+of+Cu(In,Ga)Se2+thin-films.">Local built-in potential on grain boundary of Cu(In,Ga)Se2 thin-films.</a> Appl. Phys. Lett. 84, 3477-1-3477-3 (2004).</li><li>Abou-Ras, D., Koch, C. T., K&#252;stner, V., van Aken, P. A., Jahn, U., Contreras, M. A., Caballero, R., Kaufmann, C. A., Scheer, R., Unold, T., Schock, H. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Grain-boundary+types+in+chalcopyrite-type+thin+films+and+their+correlations+with+film+texture+and+electrical+properties.">Grain-boundary types in chalcopyrite-type thin films and their correlations with film texture and electrical properties.</a> Thin Solid Films. 517, 2545-2549 (2009).</li><li>Nichterwitz, M., Abou-Ras, D., Sakurai, K., Bundesmann, J., Unold, T., Scheer, R., Schock, H. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Influence+of+grain+boundaries+on+current+collection+in+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Influence of grain boundaries on current collection in Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Thin Solid Films. 517, 2554-2557 (2009).</li><li>Abou-Ras, D., Schorr, S., Schock, H. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Grain+sizes+and+grain+boundaries+in+chalcopyrite-type+thin+films.">Grain sizes and grain boundaries in chalcopyrite-type thin films.</a> J. Appl. Cryst. 40, 841-848 (2007).</li><li>Niles, D. W., Al-Jassim, M., Ramanathan, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Direct+observation+of+Na+and+O+impurities+at+grain+surfaces+of+CuInSe2+thin+films.">Direct observation of Na and O impurities at grain surfaces of CuInSe2 thin films.</a> J. Vac. Sci. Technol. A. 17, 291-296 (1998).</li><li>Rockett, A., Granath, K., Asher, S., Al Jassim, M. M., Hasoon, F., Matson, R., Basol, B., Kapur, V., Britt, J. S., Gillespie, T., Marshall, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Na+incorporation+in+Mo+and+CuInSe2+from+production+processes.">Na incorporation in Mo and CuInSe2 from production processes.</a> Sol. Energy. 59, 255-264 (1999).</li><li>Heske, C., Eich, D., Fink, R., Umbach, E., Kakar, S., van Buuren, T., Bostedt, C., Terminello, L. J., Grush, M. M., Callcott, T. A., Himpsel, F. J., Ederer, D. L., Perera, R. C. C., Riedl, W., Karg, F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Localization+of+Na+impurities+at+the+buried+CdS/Cu(In,+Ga)Se2+heterojunction.">Localization of Na impurities at the buried CdS/Cu(In, Ga)Se2 heterojunction.</a> Appl. Phys. Lett. 75, 2082-2084 (1999).</li><li>Braunger, D., Hariskos, D., Bilger, G., Rau, U., Schock, H. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Influence+of+Na+on+the+growth+of+polycrystalline+Cu(In,Ga)Se2+thin+films.">Influence of Na on the growth of polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 thin films.</a> Thin Solid Films. 361, 161-166 (2000).</li><li>Cerezo, A., Godfrey, T. J., Sijbrandij, S. J., Smith, G. D. W., Warren, P. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Performance+of+an+energy-compensated+three-dimensional+atom+probe.">Performance of an energy-compensated three-dimensional atom probe.</a> Rev. Sci. Instrum. 69, 49-58 .</li><li>Blavette, D., Bostel, A., Sarrau, J. M., Deconihout, B., Menand, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=An+atom-probe+for+three+dimensional+tomography.">An atom-probe for three dimensional tomography.</a> Nature. 363, 432-435 (1993).</li><li>Gault, B., Vurpillot, F., Vella, A., Gilbert, M., Menand, A., Blavette, D., Deconihout, B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Design+of+a+femtosecond+laser+assisted+tomographic+atom+probe.">Design of a femtosecond laser assisted tomographic atom probe.</a> Rev. Sci. Instrum. 77, 043705-1-043705-8 (2006).</li><li>Kelly, T. F., Miller, M. K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atom+probe+tomography.">Atom probe tomography.</a> Rev. Sci. Instrum. 78, 031101-1-031101-20 (2007).</li><li>Thompson, K., Lawrence, D., Larson, D. J., Olson, J. D., Kelly, T. F., Gorman, B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=In+situ+site-specific+specimen+preparation+for+atom+probe+tomography.">In situ site-specific specimen preparation for atom probe tomography.</a> Ultramicroscopy. 107 (2-3), 131-139 (2007).</li><li>Cadel, E., Barreau, N., Kessler, J., Pareige, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atom+probe+study+of+sodium+distribution+in+polycristalline+Cu(In,Ga)Se2+thin+film.">Atom probe study of sodium distribution in polycristalline Cu(In,Ga)Se2 thin film.</a> Acta Material. 58, 2634-2637 (2010).</li><li>Schlesiger, R., Oberdorfer, C., W&#252;rz, R., Greiwe, G., Stender, P., Artmeier, M., Pelka, P., Spaleck, F., Schmitz, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Design+of+a+laser-assisted+tomographic+atom+probe+at+M&#252;nster+University.">Design of a laser-assisted tomographic atom probe at M&#252;nster University.</a> Rev. Sci. Instr. 81, 043703 (2010).</li><li>Cojocaru-Mir&#233;din, O., Choi, P., Abou-Ras, D., Schmidt, S. S., Caballero, R., Raabe, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Characterization+of+grain+boundaries+in+Cu(In,Ga)Se2+films+using+atom-probe+tomography.">Characterization of grain boundaries in Cu(In,Ga)Se2 films using atom-probe tomography.</a> IEEE J. Photovolt. 1 (2), 207-212 (2011).</li><li>Cojocaru-Mir&#233;din, O., Choi, P., Wuerz, R., Raabe, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atomic-scale+characterization+of+the+CdS/CuInSe2+interface+in+thin-film+solar+cells.">Atomic-scale characterization of the CdS/CuInSe2 interface in thin-film solar cells.</a> Appl. Phys. Lett. 98, 103504-1-103504-3 (2011).</li><li>Couzinie-Devy, F., Cadel, E., Barreau, N., Arzel, L., Pareige, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atom+probe+study+of+Cu-poor+to+Cu-rich+transition+during+Cu(In,Ga)Se2+growth.">Atom probe study of Cu-poor to Cu-rich transition during Cu(In,Ga)Se2 growth.</a> Appl. Phys. Lett. 99, 232108-1-232108-3 (2011).</li><li>Voorwinden, G., Jackson, P., Kniese, R., Powalla, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=In-line+Cu(In,Ga)Se2+co-evaporation+process+on+30+cm+x+30+cm+substrates+with+multiple+deposition+stages.">In-line Cu(In,Ga)Se2 co-evaporation process on 30 cm x 30 cm substrates with multiple deposition stages.</a> , 2115-2118 (2007).</li><li>Miller, M. K., Russell, K. F., Thompson, K., Alvis, R., Larson, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Review+of+atom+probe+FIB-based+specimen+preparation+methods.">Review of atom probe FIB-based specimen preparation methods.</a> Microscopy Microanal. 13 (6), 428-436 (2007).</li><li>J, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Modeling+image+distortions+in+3DAP.">Modeling image distortions in 3DAP.</a> Microscopy and Microanalysis. 10 (3), 384-390 (2008).</li><li>Kellog, G. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determining+the+field+emitter+temperature+during+laser+irradiation+in+the+pulsed+laser+atom+probe.">Determining the field emitter temperature during laser irradiation in the pulsed laser atom probe.</a> J. Appl. Phys. 52, 5320 (1981).</li><li>. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> IVASTM 3.6.2 User Guide 2012. , (2012).</li><li>Persson, C., Zunger, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Compositionally+induced+valence-band+offset+at+the+grain+boundary+of+polycrystalline+chalcopyrites+creates+a+hole+barrier.">Compositionally induced valence-band offset at the grain boundary of polycrystalline chalcopyrites creates a hole barrier.</a> Appl. Phys. Lett. 87, 211904-1-211904-3 (2005).</li><li>Zhang, S. B., Wei, S. -. H., Zunger, A., Katayama-Yoshida, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Defect+physics+of+the+CuInSe2+chalcopyrite+semiconductor.">Defect physics of the CuInSe2 chalcopyrite semiconductor.</a> Phys. Rev. B. 57, 9642-9656 (1998).</li><li>Cahn, J. W., Johnson, W. C., Blakely, J. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Interfacial Segregation. , 3-23 (1979).</li><li>Miller, M. K., Jayaram, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Some+factors+affecting+analysis+in+atom+probe.">Some factors affecting analysis in atom probe.</a> Surf. Sci. 266, 458-462 (1992).</li><li>Wuerz, R., Eicke, A., Kessler, F., Paetel, S., Efimenko, S., Schlegel, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=CIGS+thin-film+solar+cells+and+modules+on+enamelled+steel+substrates.">CIGS thin-film solar cells and modules on enamelled steel substrates.</a> Sol. Energy. 100, 132-137 (2012).</li><li>De Geuser, F., Lefebvre, W., Danoix, F., Vurpillot, F., Forbord, B., Blavette, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=An+improved+reconstruction+procedure+for+the+correction+of+local+magnification+effects+in+three-dimensional+atom-probe.">An improved reconstruction procedure for the correction of local magnification effects in three-dimensional atom-probe.</a> Surf. Interf. Anal. 39, 268-272 (2007).</li><li>Kingham, D. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+post-ionization+of+field+evaporated+ions:+A+theoretical+explanation+of+multiple+charge+states.">The post-ionization of field evaporated ions: A theoretical explanation of multiple charge states.</a> Surf. Sci. 116, 273-301 (1982).</li><li>Letellier, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Etude des joints de grains et interphases dans les superalliages Astroloy par microscopie electronique et tomographie atomique [dissertation]. , (1994).</li><li>Hoummada, I., Mangelinck, K., Chow, D., Lee, J., Bernardini, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Original+methods+for+diffusion+measurements+in+polycrystalline+thin-films.">Original methods for diffusion measurements in polycrystalline thin-films.</a> Defect and Diffusion Forum. 322, 129-150 (2012).</li></ol>

Nel presente lavoro, abbiamo presentato i risultati APT su un HAGB casuale in CIGS, un materiale semiconduttore composto utilizzato per applicazioni fotovoltaiche. Inoltre, abbiamo anche dimostrato che l&#39;APT in combinazione con tecniche complementari, come EBSD e TEM, è un potente strumento per chiarire le proprietà di struttura-composizione relazione per le celle solari CIGS. Purtroppo, la correlazione tra APT e EDX / EELS in TEM non era possibile perché in primo luogo, EDX / EELS non ha una risoluzione sufficie...

<html> Celle solari a film sottile basati sulla calcopirite strutturato semiconduttori composti di Cu (In, Ga) Se 2 (CIGS) come il materiale assorbitore sono in fase di sviluppo per più di due decenni a causa della loro elevata efficienza, resistenza alla radiazione, stabile a lungo termine prestazioni e bassi costi di produzione 1-3. Queste celle solari possono essere fabbricate con solo poco consumo di materiale a causa delle proprietà favorevoli ottiche dello strato assorbitore CIGS, ovvero un bandgap diretto e un elevato coefficiente di assorbimento 1,2. Film assorbitore di pochi micrometri di spessore sono sufficienti a generare un elevato fotocorrente. Poiché i percorsi di diffusione dei portatori di carica fotogenerati agli elettrodi sono relativamente brevi, assorbitori CIGS possono essere prodotti in forma policristallina. L&#39;efficienza massima di un Cu (In, Ga) Se 2 (CIGS) cella solare realizzato finora è 20,4% 4, che è il valore più alto tra tutte le celle solari a film sottile. ove_content &quot;&gt; Per stabilire ulteriormente la tecnologia fotovoltaica a film sottile CIGS, sia la riduzione dei costi di produzione e il miglioramento dell&#39;efficienza delle celle solari sono essenziali. Quest&#39;ultimo è fortemente dipendente dalla microstruttura e la composizione chimica dello strato di assorbitore CIGS. Interfacce interne, in particolare i bordi di grano (GBS) entro l&#39;assorbitore, gioca un ruolo fondamentale, in quanto possono influenzare il trasporto di portatori di carica fotogenerati. Uno dei principali problemi irrisolti per quanto riguarda le celle solari CIGS è la natura benigna di CIGS GB, cioè policristallino CIGS film assorbitore producono efficienze delle celle in sospeso, nonostante una elevata densità di GBS e reticolo difetti. Diversi autori hanno studiato GB in CIGS film solar-grade rispetto alle loro proprietà elettriche 5,6, carattere e misorientation 7-9 così come impurità segregazione 10-13. Tuttavia, un chiaro legame tra questi Propertieses potrebbe essere stabilito fino ad ora. In particolare, vi è una sostanziale mancanza di informazioni circa la composizione chimica locale e contenuto di impurità del GB. Negli ultimi due decenni, Atom Probe Tomography (APT) è emerso come uno dei più promettenti tecniche di nano-analitiche 14-17. Fino a tempi recenti studi APT di celle solari sono state in gran parte limitato da difficoltà nel processo di preparazione del campione e la limitata capacità di analizzare materiali semiconduttori che utilizzano sonde atomo pulsata tensione convenzionali. Queste restrizioni sono state in gran parte superato dallo sviluppo del &#39;metodo lift-out&#39; sulla base di un fascio ionico (FIB) fresatura mirata 18 e l&#39;introduzione del laser pulsato APT 16. Diversi articoli sulla caratterizzazione APT di celle solari CIGS sono state pubblicate 19-23, che sono fortemente incoraggiante per ulteriori indagini. Questo documento fornisce una linea guida su come studiare interna interfaces in CIGS a film sottile celle solari da parte della sonda tecnica di tomografia atomo.

atom probe tomography studies on the cu(in,ga)se2 grain boundaries

Rispetto alle tecniche esistenti, atomo sonda tomografia è una tecnica unica in grado di caratterizzare chimicamente le interfacce interne alla nanoscala e in tre dimensioni. Anzi, APT possiede elevata sensibilità (dell&#39;ordine di ppm) e ad alta risoluzione spaziale (sub nm). Notevoli sforzi sono stati fatti qui per preparare una punta APT che contiene il bordo di grano desiderato con una struttura nota. Infatti, site-specific di preparazione del campione utilizzando in combinazione concentrata di litio-beam, electron backscatter diffrazione, e microscopia elettronica a trasmissione viene presentato in questo lavoro. Questo metodo permette di bordi di grano selezionate con una struttura nota e la posizione in Cu (In, Ga) Se due film sottili per essere studiati da tomografia atomo sonda. Infine, discuteremo i vantaggi e gli svantaggi di usare la sonda tecnica di tomografia atomo di studiare i bordi di grano in Cu (In, Ga) Se 2 celle solari a film sottile.

La figura 3 mostra una vista laterale (xz slice) mappa elementare del casuale ad alto angolo GB (HAGB) 28.5 ° - &lt;511&gt; cucciolo selezionato nella figura 2 con il metodo di preparazione del sito-specifica. Co-segregazione di Na, K e O in una CIGS HAGB viene mappato direttamente usando APT. Queste impurità più probabile diffusi del substrato SLG nello strato assorbitore durante la deposizione dello strato di CIGS a ~ 600 ° C. La Fig...

Watch this Scientific Journal Video about Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries at JoVE.com

Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries

In questo lavoro, si descrive l&#39;uso della tecnica tomografia atomo-sonda per studiare i bordi grano dello strato assorbitore in una cella solare CIGS. Un nuovo approccio per preparare le punte della sonda atomo contenenti il ​​bordo di grano desiderata con una struttura nota è anche presentato qui.

Atom Probe Studi tomografia sul Cu (In, Ga) se<sub&gt; 2</sub&gt; Bordi di grano

Compared with the existent techniques, atom probe tomography is a unique technique able to chemically characterize the internal interfaces at the ...

Research

JoVE Journal

Engineering

Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

Scanning-probe Single-electron Capacitance Spectroscopy

Scansione-sonda a singolo elettrone Capacità Spettroscopia

The integration of low-temperature scanning-probe techniques and single-electron capacitance spectroscopy represents a powerful tool to study the ...

Ricerca

Ingegneria

Casting Protocols for the Production of Open Cell Aluminum Foams by the Replication Technique and the Effect on Porosity

Casting protocolli per la produzione di cellule aperte alluminio Schiume dalla tecnica di replica e l&#39;effetto sulla porosità

Metal foams are interesting materials from both a fundamental understanding and practical applications point of view. Uses have been proposed, and in many ...

Energy Dispersive X-ray Tomography for 3D Elemental Mapping of Individual Nanoparticles

Tomografia a dispersione di energia dei raggi X per il 3D Elemental mappatura delle nanoparticelle individuali

Energy dispersive X-ray spectroscopy within the scanning transmission electron microscope (STEM) provides accurate elemental analysis with high spatial ...

Experiments on Ultrasonic Lubrication Using a Piezoelectrically-assisted Tribometer and Optical Profilometer

Esperimenti su ultrasuoni lubrificazione Utilizzando un tribometro piezoelettrico-assistita e Profilometro ottico

Friction and wear are detrimental to engineered systems. Ultrasonic lubrication is achieved when the interface between two sliding surfaces is vibrated at ...

The Measurement of Unsteady Surface Pressure Using a Remote Microphone Probe

La misurazione della pressione instabile superficie utilizzando una sonda microfono remoto

Microphones are widely applied to measure pressure fluctuations at the walls of solid bodies immersed in turbulent flows. Turbulent motions with various ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

probing C<sub&gt; 84</sub&gt; -Embedded Si sottofondo mediante scansione di sonda e microscopia dinamica molecolare

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

Microfluidic Imaging Flow Cytometry by Asymmetric-detection Time-stretch Optical Microscopy (ATOM)

Microfluidic Imaging Flow Cytometry by Asymmetric-detection Time-stretch Optical Microscopy ATOM

Citometria del flusso microfluidico di imaging mediante rilevazione asimmetrica Microscopia ottica di stretching (ATOM)

Scaling the number of measurable parameters, which allows for multidimensional data analysis and thus higher-confidence statistical results, has been the ...

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for CuIn,GaSe2 Solar Cells

In Situ Monitoraggio del degrado prestazioni accelerate di celle e moduli solari: un caso di studio per le celle solari di Cu (In, Ga) Se2

The levelized cost of electricity (LCOE) of photovoltaic (PV) systems is determined by, among other factors, the PV module reliability. Better prediction ...

Fabrication of Magnetic Nanostructures on Silicon Nitride Membranes for Magnetic Vortex Studies Using Transmission Microscopy Techniques

Fabbricazione di nanostrutture magnetiche sulle membrane di nitruro di silicio per studi di vortice magnetico utilizzando tecniche di microscopia di trasmissione

Electron and x-ray magnetic microscopies allow for high-resolution magnetic imaging down to tens of nanometers. However, the samples need to be prepared ...

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

Fabbricazione di robusto contatto nanoscala tra un'elettroda Nanowire d'argento e CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 thin-film Solar Cells

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...