Name: atom probe tomography studies on the cu(in,ga)se2 grain boundaries
Uploaded: 2013-04-22T12:00:00
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이 작품은 독일 연구 재단 (DFG) (계약 CH 943/2-1)에 의해 설립된다. 저자는이 작품에 대한 CIGS 흡수층를 준비 젠트 FÜR Sonnenenergie - 싶게 Wasserstoff-Forschung 바덴 뷔 르템 베르크에서 볼프강 Dittus, 그리고 스테판 Paetel에게 감사의 말씀을 전합니다.

1. CIGS 층 증착 <ol><li> 3 mm 두께의 소다 석회 유리 기판 (SLG) 위에 몰리브덴 스퍼터링 예금 500 나노 미터 (다시 접촉 층). </li><li> 인라인 다단 CIGS 공정 24 CIGS 2 μm의 공동 증발. 레이어 모 다시 접촉에 입금 얻은 CIGS는 그림 1에 표시됩니다. </li><li> X-선 형광 분석기 (XRF)에 의한 CIGS 층의 통합 구성을 측정합니다. 얻어진 CIGS의 조성은 표 1에 나타나있다. </li></ol><p class="...

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Lett. 98, 103504-1-103504-3 (2011).</li><li>Couzinie-Devy, F., Cadel, E., Barreau, N., Arzel, L., Pareige, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atom+probe+study+of+Cu-poor+to+Cu-rich+transition+during+Cu(In,Ga)Se2+growth.">Atom probe study of Cu-poor to Cu-rich transition during Cu(In,Ga)Se2 growth.</a> Appl. Phys. Lett. 99, 232108-1-232108-3 (2011).</li><li>Voorwinden, G., Jackson, P., Kniese, R., Powalla, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=In-line+Cu(In,Ga)Se2+co-evaporation+process+on+30+cm+x+30+cm+substrates+with+multiple+deposition+stages.">In-line Cu(In,Ga)Se2 co-evaporation process on 30 cm x 30 cm substrates with multiple deposition stages.</a> , 2115-2118 (2007).</li><li>Miller, M. K., Russell, K. F., Thompson, K., Alvis, R., Larson, D. 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현재 작업에서, 우리는 CIGS 태양 광 응용 프로그램에 사용되는 화합물 반도체 재료의 임의의 HAGB에 APT 결과를 발표했다. 또한, 우리는 또한 EBSD 및 TEM과 같은 보완 기술,와 함께 APT는 CIGS 태양 전지 구조 구성 속성 관계를 해명하는 강력한 도구입니다 것으로 나타났습니다. 첫째, EDX / 뱀장어는​​ 입자 경계에서 낮은 나와 O의 농도를 감지하고 둘째, EDX / EELS, 특히 모든 요소에 민감하지 않는 충분?...

<html> 흡수 물질로 황동광 구조의 화합물 반도체 구리 (, 조지아) 괜찮다 2 (CIGS)에 따라 박막 태양 전지 때문에 그들의 높은 효율, 방사선 경도, 장기 안정의 두 개 이상의 수십 년 동안 개발되었습니다 성능 및 낮은 생산 1-3 듭니다. 이러한 태양 전지 즉 CIGS 흡수층의 유리한 광학 특성, 직접 밴드 갭과 높은 흡수 계수 1,2로 인한에만 약간의 재료 소비량으로 제작 될 수 있습니다. 두께 몇 마이크로 미터의 흡수 필름​​은 높은 광전류를 생성하기에 충분합니다. 전극 photogenerated 전하 캐리어의 확산 경로가 상대적으로 짧은 있기 때문에, CIGS 흡수는 다결정 형태로 생성 할 수있다. 구리의 최대 효율 (조지아에서) 괜찮다 2까지 달성 (CIGS) 태양 전지는 모든 박막 태양 전지 중 가장 높은 값이 20.4 % 4입니다. ove_content &quot;&gt; 추가를 모두 생산 비용의 감소와 태양 전지 효율의 향상이 필수적이다. 후자는 CIGS 흡수층의 미세 화학 조성에 크게 의존한다. 내부 인터페이스, CIGS 박막 태양 광 기술을 확립하기 위해, 흡수기 내에서 특정 결정립 경계 (GB를), 그들은 photogenerated 전하 캐리어의 이동에 영향을 미칠 수 있으므로 중추적 인 역할을한다. CIGS 태양 전지와 관련된 주요 해결되지 않은 문제 중 하나는 CIGS GB를의 양성 본질, 즉 다결정 CIGS 흡수 필름 GB를하고 격자 결함 밀도에도 불구하고 뛰어난 전지 효율을 얻을 수 있습니다. 몇몇 저자들은 전기적 특성 5,6, 캐릭터와 misorientation 7-9뿐만 아니라 불순물 분리 10-13에 대하여 태양 급 CIGS 박막에서 GB를을 공부했다. 이 properti 사이 그러나 명확한 링크가 없습니다ES 지금까지 구축 할 수 있습니다. 특히, 지역의 화학 조성 및 GB를의 불순물 함량에 대한 정보의 상당한 부족이있다. 지난 20 년 동안, 아톰 프로브 단층 촬영 (APT) 유망 나노 분석 기술 14 ~ 17 중 하나로 떠오르고있다. 최근까지 태양 전지 APT 연구는 주로 샘플 준비 과정에서 어려움과 기존의 펄스 전압 원자 프로브를 사용하여 반도체 재료 분석의 제한된 기능에 의해 제한되었다. 이러한 제한은 대부분의 개발로 극복 한 &#39;리프트 아웃 방식&#39;에 초점을 맞춘 이온 빔 (FIB) 밀링 18, 16 APT 펄스 레이저의 도입에 따라. CIGS 태양 전지의 APT 특성에 대한 여러 논문을 강하게 자세한 조사를 위해 권장되는, 19-23 출판되었습니다. 본 논문에서는 나는 내부 연구 방법의 가이드 라인을 제공원자 탐침 단층 촬영 기술에 의한 CIGS의 nterfaces 박막 태양 전지.

atom probe tomography studies on the cu(in,ga)se2 grain boundaries

존재하지 않는 기술과 비교, 원자 탐침 단층 촬영 화학적 나노에서 세 차원의 내부 인터페이스를 특징 할 수 독특한 기술입니다. 사실, APT 높은 감도 (PPM의 순서대로)과 높은 공간 해상도 (이하 NM)를 보유하고있다. 상당한 노력이 알려진 구조를 원하는 입자 경계를 포함하는 APT 팁을 준비하기 위해 여기를 수행 하였다. 실제로, 사이트 별 샘플 준비하여 초점을 맞 춥니 이온 빔, 전자 후방 산란 회절 및 투과 전자 현미경 결합 된이 작품에 제시되어있다. 이 방법은 구리의 알려진 구조와 위치 (, 조지아) 괜찮다 원자 탐침 단층 촬영 연구 할 2 박막와 선택 입계 수 있습니다. 마지막으로, 우리는 구리의 그레인 경계 (조지아에서) 괜찮다 2 박막 태양 전지를 연구하는 원자 탐침 단층 촬영 기술을 사용의 장점과 단점에 대해 설명합니다.

그림 3은 사이드 뷰 (XZ 조각) 임의의 높은 각도 GB (HAGB) 28.5 원소지도를 보여줍니다 ° - &lt;511&gt; 새끼 사이트 별 준비 방법으로 그림 2에서 선택. CIGS HAGB에 나, K, 및 O의 공동 분리는 주로 APT 사용하여 매핑된다. 이러한 불순물은 대부분 ~ 600 ° C.에 CIGS 층의 증착시 흡수층으로 SLG 기판에서 확산 그림 4A 그림 3에 표시된 GB에 걸쳐있?...

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Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries

이 작품에서 우리는 CIGS 태양 전지의 광 흡수층의 곡물 경계를 공부 원자 탐침 단층 촬영 기술의 사용을 설명합니다. 알려진 구조로 원하는 입자 경계를 포함하는 원자 프로브 팁을 준비하는 새로운 접근 방식도 여기에 표시됩니다.

구리의 원자 조사 단층 촬영 연구 (, 조지아) 괜찮다<sub&gt; 2</sub&gt; 곡물 경계

Compared with the existent techniques, atom probe tomography is a unique technique able to chemically characterize the internal interfaces at the ...

Research

JoVE Journal

Engineering

Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

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The integration of low-temperature scanning-probe techniques and single-electron capacitance spectroscopy represents a powerful tool to study the ...

연구

공학

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The levelized cost of electricity (LCOE) of photovoltaic (PV) systems is determined by, among other factors, the PV module reliability. Better prediction ...

Fabrication of Magnetic Nanostructures on Silicon Nitride Membranes for Magnetic Vortex Studies Using Transmission Microscopy Techniques

자기 소용돌이 연구 전송 현미경 검사 법 기술을 사용 하 여 실리콘 질 화 막에 자석 Nanostructures의 제조

Electron and x-ray magnetic microscopies allow for high-resolution magnetic imaging down to tens of nanometers. However, the samples need to be prepared ...

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

Cu(In,Ga)Se2 박막 태양전지의 실버 나노와이어 전극과 CdS 버퍼 층 간의 견고한 나노스케일 접촉 제조

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...