Nanoskiving द्वारा nanogaps Fabricating

विद्युत पता, उच्च पहलू अनुपात (> 1000:1) के निर्माण के रूप में टेम्पलेट्स बलि एल्यूमीनियम और चांदी की परत या आत्म इकट्ठे monolayers उपयोग कर या तो एक नैनोमीटर के अंतराल के द्वारा अलग धातु nanowires वर्णित है. ये nanogap संरचनाओं nanoskiving के रूप में जाना बढ़त लिथोग्राफी का एक रूप से एक साफ कमरे या किसी भी तस्वीर या इलेक्ट्रॉन बीम lithographic प्रक्रियाओं के बिना गढ़े हैं.