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DOI :
10.3791/50581-v
November 1st, 2013
Chapters
0:05
Title
1:21
Etching of the Mesa
5:53
Fabrication of the Ohmic Contacts
8:38
Fabrication of the Titanium/Gold Schottky Leads
10:45
Fabrication of the Aluminum Gates
11:08
Fabrication of the Bonding Pads
11:54
Dicing of the Sample
12:50
Bonding
15:14
Conclusion
13:07
Results: Confirming Gate Integrity
本論文では、ガリウム砒素ヘテロ構造上のゲート定義の半導体量子ドットの横の詳細な製造プロトコルを提示します。これらのナノスケールのデバイスは、量子情報処理やコヒーレントコンダクタンス測定などの他のメゾ実験のための量子ビットとして使用するためのいくつかの電子をトラップするために使用される。
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