Name: sputter growth and characterization of metamagnetic b2-ordered ferh epilayers
Uploaded: 2013-10-05T23:30:00
Duration: 12 min 20 s
Description: Watch this Scientific Journal Video about Sputter Growth and Characterization of Metamagnetic B2-ordered FeRh Epilayers at JoVE.com

이 작품은 허가 번호 EP/G065640/1에서 미국 국립 과학 재단 (National Science Foundation)에 의해 영국의 공학 및 물리 과학 연구위원회에 의해 지원되었다 허가 번호 DMR-0908767 아래 [ML과 LHL] 및 허가 번호 DMR-0907007 [DH].

이 프로토콜에서 주문 FeRh 합금 박막의 MgO (001) 기판에 DC 마그네트론 스퍼터링으로한다. 샘플은 면내 자기 이방성을 설정하는 데 사용되는 영구 자석 배열에 의해 제공 200 오에의 자계에 성장된다. 표적 직경은 50mm이며, 타겟과 기판 간의 거리는 약 10cm이다. FeRh 성장, 자성 재료에 적합한 DC-자기 토러스 마그네트론 총을 사용합니다. 히터는 2cm 기판 위에 작은 가열 된 볼륨을 유지하기 위해 금속 실린더에 의해 둘러싸인 위치에 전구입니다. 시간 제약으로 인해 에피 택셜 샘플을 만들 때, 그러나, 우리는 일반적으로 10 개 미만의 성장,이 시스템에서 가능한 최고 온도는 1,050 K.이 시스템은 24 가지 기판을 보유 할 수있다 ~입니다. 이 샘플 준비 프로토콜 여기에 제시된 정보는 우리의 진공 시스템에서 잘 작동하는 것으로 알려져 있습니다. 그 세부적인 내용에 차이가 많은 동등한 진공 시스템이 있습니다으로발, 등 등 온도, 시간 등 정량적 파라미터 요건. 또한 다른 시스템에서 다른 최적의 값을 가질 수 있습니다. 그럼에도 불구하고, 아래의 설명은 독자들에게 유용한 가이드를 입증 할 것이다. 아래의 자세한 프로토콜에서, 독자는 진공 챔버 [예를 들어, 볼 (26)을 참조]를 입력하는 모든 구성 요소를 처리 할 수​​있는 장갑의 사용과 같은 좋은 진공 실천의 기본 사항을 잘 알고 있다고 가정합니다. 1. 기판과 타겟 준비 이 섹션은 스퍼터 증착 챔버의 준비 및 단결정의 MgO 기판을 설명한다. <ol><li> 이소프로판올 (001)의 MgO 기판을 씻어 기판 홀더에서 그들을 탑재합니다. 진공 챔버에이를 넣습니다. </li><li> 마그네트론의 총에 FeRh 대상을 마운트하고 총을 조립. equiatomic 조성의 샘플은, 우리가 발견 한 그 철 (47) 대상RH (53)는 깨끗한 magnetostructural 상전이를 산출, 최적입니다. 마그네트론과 주변 실드 사이에 단락이없는 것을 테스트한다. 마찬가지로, 레이어 캐핑 위해 사용되는 임의의 타겟 (들)을 제조. </li><li> 진공 챔버를 닫고 펌프 다운. </li><li> 진공은 1 × 10-6 토르보다되면 압력이 레벨 이상으로 상승하지 않도록 870 K. 모니터 진공 레벨 및 가열 속도로 기판을 가열한다. 하룻밤이 온도에서 개최. </li><li> 한 시간의 성장을 시작하기 전에, 마이스너 트랩을 통해 액체 질소 흐름을 시작합니다. 진공은 더 이상 4 × 10-7 토르 개선해야한다. </li><li> 작동 가스 유량 65 SCCM에 유량 제어기를 설정한다. 스퍼터 가스는 성장 중에 샘플의 산화를 방지하기 위하여 4 %의 수소와 아르곤이다. 가스 흐름 밸브를 연다. 챔버 내의 압력은 낮은 mTorr의 범위로 상승한다. </li><li> 성장하기 전에의 FeRh 대상을 미리 스퍼터30 W. 1,200 초 </li></ol> 2. 에피 층을 증착 이 절에서는 DC 마그네트론 스퍼터링 FeRh 층의 증착을 설명합니다. <ol><li> 4 X 10-3 토르의 챔버 압력을주고 유량 제어기의 설정 점을 조정한다. 안정된 값으로 정착 압력을 허용합니다. </li><li> 기판 온도가 870 K에 남아 안정되어 있는지 확인합니다. </li><li> 0.4 A / 초의 전체적인 증​​착율을 수득 마그네트론에 전원을 공급. 석영 결정 모니터 탑재 실에서이 적절히 보정 된 경우, 해당 모니터를 사용하여 수행 할 수있다. 챔버는 석영 결정 모니터가없는 경우, 성장 후 두께 계측은 명이뿐만 아니라 실행 간의 재현성의 높은 수준 일 수있다. </li><li> 셔터를 열고 원하는 두께를 줄 적절한 시간의 길이에 가열 된 기판에 FeRh을 입금. 예를 들어, 500 초의 증착 두께 20 nm의 샘플을 수득한다. &lt;/ 리&gt; <li> 셔터를 닫습니다. </li><li> 마그네트론의 전원을 차단합니다. </li><li> 가스 밸브를 닫습니다. </li><li> 한 시간 동안이 온도에서 샘플 홀드 (970)에 K. 시료 온도를 증가시킨다. 압력에 걸쳐 1 × 10 -6 토르보다 더 유지해야한다. 이 어닐링 온도 변화의 영향은 드 브리스 외. 20에서 찾을 수있다 </li><li> 히터 전원을 차단하고 실내 온도에 샘플을 냉각. 이 시스템에서, 이것은 적어도 세 시간이 소요됩니다. </li><li> 단계 2.1-2.7 유사한 단계를 사용하여 필요한 덮개 층을 증착. ~ 370 K 이하의 온도에서 캡핑 층을 증착하는 FeRh 층 (27)에 상호 확산을 방지하기 위해 필수적이다. </li><li> 건조 질소로 챔버 환기, 열, 그리고 샘플을 제거합니다. 그들은 밝고 광택이 나타납니다. </li></ol> 3. 일상 후 성장 특성 이 절에서는 기본 characterizati에 대한 개요를 제공합니다우리 FeRh 샘플의 대부분상에서 수행 단계에서. 이러한 측정을위한 여러 가지 동등한 방법이 있기 때문에, 여기에 설명의 성격이 덜 상세하고 규정하고, 오히려 그러한 측정의 필수 기능에 집중한다. <ol><li> 샘플 두께를 결정하기 위해 낮은 각도 Χ-선 반사율 검사를 수행합니다. 회절에 샘플을 장착하고 검출기 각 2 θ ≈ 1 °와 ω에 맞 춥니 다. 가능하면, χ는 정렬되어야합니다. 실행 표준 θ-2θ 스캔과 θ 기기의 잡음 플로어는 일반적으로 한 번 좋은 품질의 샘플 ≥ 11 ° θ 도달 할 때까지 0 °에서 실행.에게 클리어 Kiessig (박막 간섭) 프린지는 에피 층의 두께가 결정될 수있는, 가시적이어야한다. </li><li> 화학 순서의 정도를 결정하기 위하여 높은 각도 Χ-선 회절 스캔을 수행. 이 차량이 될 수 있습니다여전히 3.1 단계에서 회절에 장착 된 샘플 함께가 우려. (구리 K의 α 방사선을 사용하는 경우 2 θ = 42.9 °에서) 산화 마그네슘 기판 피크가 발견되어야하고, 샘플 ω 다시 정렬. 또, 최소한의 범위 12.5 ° &lt;θ &lt;취재 θ -2 θ 실행 62.5 ° (다시 구리 K의 α 방사선을 가정)되도록 모두 FeRh (001) 및 (002) 피크뿐만 아니라 기판 피크, 캡처됩니다. </li><li> 전이 온도를 결정하기 위하여 샘플 저항율의 온도 의존성의 측정을 실시. 표준 4 점 측정은 접촉 저항에 문제가 발생하지 않도록 할 수 있도록 시료에 전기 접점을 만든다. DC 방식이 사용되는 경우에, 순방향 측정을 수행하고 전류 경로 및 승온에서 생성 된 열 기전력을 널로 위하여 평균화 저항을 역방향. 그런 다음 온도 (계속)에 샘플을 배치열간 압연 단계,과 난방에 온도의 함수로 저항을 측정 및 냉각 스윕 (세트 업 단계에있는 모든 산화를 방지하는 확인하기 위해 작은 터보 펌프 높은 진공 챔버에) 그 때문에 어떤 이력 일차 magnetostructural 상전이가 결정될 수있다. </li></ol>

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T., Suzuki, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Effect+of+Pt+doping+on+the+structure,+magnetic,+and+magneto-optical+properties+of+ordered+FeRh-Pt+thin+films.">Effect of Pt doping on the structure, magnetic, and magneto-optical properties of ordered FeRh-Pt thin films.</a> IEEE Transactions on Magnetics. 45 (6), 2716 (2009).</li><li>Kushwaha, P., Lakhani, A., Rawat, R., Chaddah, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low-temperature+study+of+field-induced+antiferromagnetic-ferromagnetic+transition+in+Pd-doped+FeRh.">Low-temperature study of field-induced antiferromagnetic-ferromagnetic transition in Pd-doped FeRh.</a> Phys Rev. B. 80, 174413 (2009).</li><li>Saerbeck, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Artificially+modulated+chemical+order+in+thin+films:+A+different+approach+to+create+ferro/antiferromagnetic+interfaces.">Artificially modulated chemical order in thin films: A different approach to create ferro/antiferromagnetic interfaces.</a> Phys. Rev. B. 82, 134409 (2010).</li></ol>

저자는 더 경쟁 재정적 이익이 없다는 것을 선언합니다.

여기에서 우리는이 방법이 좋은 결정 품질 및 B2 화학 발주 고차의 FeRh의 에피 층 샘플을 제조하는데 사용될 수 있다는 것을 증명하고있다. 방법 주문시 합금 등 금속 택셜 층의 다양한 제제로 적합하다. 화학 양론이 정확하고 화학 순서가있을 때 극적인 상전이와 같이 우리가 여기에서 예를 들어 B2-주문 FeRh 합금을 사용한 반면,이 방법은 다른 재료에 사용할 수 있습니다. 예를 들어, FePd 및 FePt 모두 아주 강한 일축 자기 이방성에 이르게, L1 0 단계가있다. 우리는 성공적으로 FePt 8에서 도메인 벽의 저항을 보여주는, 과거에이 자료를 재배하고있다 FePd 및 FePt (10) 모두에서 큰 변칙 홀 효과. 성장 온도와 속도 및 기판의 적합한 선택의 적절한 조정으로,이 방법은 DIF의 다양한 준비에 유용해야한다고화학의 순서를 표시하는 자성 및 비자 성 금속을 에피 층 ferent. 그럼에도 불구하고, 이러한 접근 방식의 한계는 에피 택시를 달성하는 단결정 기판에 대한 필요성이다. 이 문제는 거의 유비 쿼터스시와 같은 다른 기판 웨이퍼에 내장 된 기술로 이러한 계획 뷰 투과 전자 또는 X-선 현미경 또는 통합과 같은 실험을 수행에서 발생되는 것을 의미합니다. 이 문제를 해결하기 위해 가능한 수단은 FeRh 후 증착 될 수있는 얇은 산화 마그네슘 층을 성장하는 것입니다. 이는 각 산화 마그네슘 입자 (37)의 상부에 에피 택셜 성장 지역을 nucleates 면외 감촉을 얻을 수있다. 놀랍게도, 정상 기판 (38)에 45 °로 배향되어 총 어시스트 이온빔과 방법을 사용하여 (001), 텍스처 및 비정질 표면에 면내 결정 학적 배향을 겸비 박막 산화 마그네슘 층을 성장시킬 수있다. 이것은 예를 들어, 전자 또는 X-선 t에 B2-주문 FeRh의 성장을 허용 할 수우리의 프로토콜에서 요구되는 높은 성장 온도가 생존 할 수있는, 또는 실리콘 웨이퍼의 자연 산화막 층에있는 ransparent 3시 N 4 막. 방법에 대한 추가적인 수정은 초박형 때 FeRh 에피 층에서 B2-순서를 촉진하는 등의 NiAl 39 등의 B2-주문 하층의 사용, 또는 여러 화학적으로 정렬 된 레이어 (37)를 포함하는 헤테로 구조를 구축하는 그것의 사용을 포함한다. FeRh는, 창조 AU (40, 27 또는 팔라듐 (40), (43)를 사용하여 예) 다운 IR (40, 41 또는 편 (40), (42)을 사용하여 실시 예) 또는 전이 온도 T의 T 업을 조정할의 Rh 사이트에 도핑 될 수 있으므로 샘플이 가열 및 냉각으로 FeRh 층에 프로필을 도핑하면 설계에서 자기 프로필을 초래할 수 있습니다. 이 제어 방법 (44)에 에피 층의 순수 자기 층화를 생성하는 경로를 엽니 다.

순차적 인 증착 및 기판 재료의 웨이퍼의 표면에 박막을 패터닝 : 마이크로 전자 산업의 중심 패러다임은 평면 가공 방법이다. 아주 종종, 기판은 단결정이며, 필름은 에피 할 필요, 즉 하부 기판과 수정 레지스터에 말하는 것이다. 반도체 재료와, 통상,이 제조 한 또는 유기 금속 기상 성장 (MOVPE)를 설정 실험실에서 분자 빔 에피 택시 (MBE)를 사용하여도 달성된다. MBE에 의한 금속의 에피 택셜 성장이 가능한 반면, 그들은 쉽게 스퍼터링에 의해 퇴적하고,이 연구 및 산업 환경 모두에서 자성 박막 필름의 증착을위한 가장 일반적인 방법이다된다. 이 방법은 일반적으로 단결정 기판 위에 다결정 필름, 에피 택셜 성장의 성장에 연결된 동안 특정 조건 하에서 가능 <s업&gt; 3. 이들은 일반적으로 (적어도 초기 층들에 대한) 상승 기판 온도, 느린 증착 속도 및 낮은 진공 챔버베이스 압력을 포함한다. 이러한 접근 방식은 예를 들어, 거대 자기 다층 재료 4,5을 제조하는데 사용되었다. 우리 자신의 실험실에서, 우리는 단결정 기판에 자성 재료의 다양한 준비하는 에피 택셜 스퍼터링을 사용했습니다. 이 격자 정합 공동 70 철 30 조성물 10를 선택하여, 예를 들면, 갈륨 비소 (001)에 대한 것 인 CoFe 합금 에피 층을 성장시킬 수 있었다. 이 자료는 공동 및 철 원자는 무작위로 숨은 격자 사이트를 채우는 고체 솔루션입니다. 우리는 또한 화학적으로 서로 다른 원자 종을 특정 격자 사이트를 취할 필요가 자기 합금을 주문 성장해 왔습니다. 우리가 여기서 서술해야한다 성장 프로토콜은 처음이자의의이다 L1 0 주문한 FePd 및 FePt 합금의 성장을 위해 개발 된인스 그들은 매우 높은 자기 이방성 (7)을 갖는다. 우리는 탄도 및 확산 스핀 분극 전송 8, 9, MBE (11)에 의해 성장 층에 필적하는 품질의 변칙 홀 효과 이러한 자료에서 10 일 사이의 관계를 연구 하였다. 여기에서 우리는 B2-주문 FeRh 에피 층의 예를 사용하여 우리의 에피 택셜 성장 법을 설명 할 것이다. Fe 및 상대 습도 그러나 B2 주문한 화합물이 거의 equiatomic 범위 49~53% 원자 철 (12) 화학 양론의 평형 상태이며, 어떤 구성에 합금을 형성 할 것이다. 이 소위 α &quot;- 단계 → 400K 13, 14, 15 = 350 T T 주위 α &#39;상 강자성체 (FM)이되고, 가열에 제 차 상전이을 나타내는 반 강자성체 (AF)입니다. 두 개의 서로 다른하지만 ​​모두 완벽하게 정렬 된 자기 주 (유형 II AF 16 FM) 사이 metamagnetic 전환B2 격자 (17, 18)의 등방성 1 %의 체적 팽창을 수반되어, 큰 엔트로피, 저항율 14에서 굵은 및 캐리어 농도 20에서 큰 증가를 릴리즈 19. 중성자 회절 (21), (16)과 더 최근 XMCD 잼 22 μ 철과, FM 단계에서의 Rh로 전송 AF 단계에서 철을 중심으로 3.3 μ B 자기 모멘트의 일부를 나타낼 ~ 2.2 μ B와 μ의 Rh ~ 0.6 μ B. FM에 대한 퀴리 온도는 α &#39;상을 X&gt; 0.53 23과 합금의 퀴리 온도 670 K 14 ~ 대등하다. metamagnetic 전이 온도 T T는 × 조성에 매우 민감 철 × 상대 습도 1 - × 23, 24, 및 응용 자기 Fi를 ~ 8 K / T에 의해 억제된다ELD 25, 15. 물리적 거동이 풍부한 배열 적절한 B2 오더링 된 구조를 달성하기에 매우 의존하며 그래서 성장시키는 방법을 설명하기 위해 그것을 편리한 예를 만들고, 시험편에 적절한 화학 발주를 검출하도록 배치되는 측정 기술의 광범위한 허용 높은 품질 합금 에피 층을 주문했다.

<table border="1">
	<tbody>
		<tr>
			<td>Name of Reagent/Material</td>
			<td>Company</td>
			<td>Catalog Number</td>
			<td>Comments</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sputter Deposition System</td>
			<td>Kurt J. Lesker Company</td>
			<td>Bespoke</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>MgO Single Crystal Substrate</td>
			<td>Pi-Kem</td>
			<td>Single-sided epi-polished</td>
			<td>(001) orientation</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>FeRh sputtering target</td>
			<td>Pi-Kem</td>
			<td>Bespoke</td>
			<td>50 mm diameter</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Transmission Electron Microscope</td>
			<td>FEI</td>
			<td>Tecnai TF20</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>X-ray Diffractometer</td>
			<td>Br&#252;ker</td>
			<td>D8 Discover</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>SQUID Magnetometer</td>
			<td>Quantum Design</td>
			<td>MPMS-XL 5</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

sputter growth and characterization of metamagnetic b2-ordered ferh epilayers

화학적으로 주문 합금 자성 나노 기술의 다양한 유용합니다. 이들은 가장 편리 스퍼터링 기술을 이용하여 공업 적 규모로 제조된다. 여기에서 우리는의 MgO 단결정 기판 상에 스퍼터 증착 B2 오더링 FeRh의 에피 택셜 박막을 제조하는 방법을 설명한다. 가열 된 기판 상에 느린 속도로 증착 모두에 흡착 원자 시간은 B2 구조의 Fe 및 상대 습도 sublattices에서 자신의 적절한 장소를 찾을 수 또한 기판과 잘 정의 된 에피 택셜 관계를 격자에 정착하고 있습니다. 구조는 편리하게 X 선 반사율 측정과 함께 특징적인 회절 및 투과형 전자 현미경 단면을 사용하여 직접적으로 가시화 될 수있다. B2 오더링 FeRh는 특이 metamagnetic 위상 천이를 나타낸다 : 기저 상태는 반 강자성이지만 합금이 1 %가 수반 약 380 K.의 전형적인 전이 온도와 가열에 자성체로 변형단위 세포의 부피 팽창 : 대량 등방성하지만, 횡 방향으로 에피 층에 채워. 반 강자성 바닥 상태와 연관된 일차 상전이의 존재는 올바른 equiatomic 화학량 적절한 B2 발주에 매우 민감하고, 따라서이 방식으로 증착 될 수있는 층의 품질을 증명하는 편리한 수단이다. 또한 위상의 변화를 검출 할 수있는 다양한 기술의 몇 가지 예를 준다.

우리는이 프로토콜에 따라 많은 FeRh 샘플을 준비했습니다. 이 섹션에서는 대표적인 샘플의 선택에 대한 가장 일반적인 특성 절차를 사용하여 얻은 전형적인 결과를 보여줍니다. 이와 같은 결과는 두께 범위 20 ~ 50 nm의에서 샘플에 대한 예상된다. 우리는 더 깊이 우리의 물자의 특성을 사용한 다른 방법은 X-선 자기 원형 이색 성 (28, 29)를 산란 방목 입사 X-선, 편광 중성자 반사율 (30)이 (가) 있습니다. 또한 오 (27)와 함께 합금을 도핑의 효과를 연구 하였다. 이 자료에서 예상 될 수있는 속성에 새로운 데이터도 그 보고서에서 발견 될 수 있고, 참조는 그 안에 함유. 우리 에피 층 중 하나의 구조는도 1에 나타낸 투과형 전자 현미경 사진에 상세히 도시되어있다. 샘플 단면은 종래의 딤플 형성 및 이온 폴리싱 기술에 의해 제조했다신적인 기술 - 표준 시료 제조 방법 (예 윌리엄스 카터 (31)을 참조) - 및 200 kV의 전자선을 이용하여 관찰했다. 전체적인 층 구조가도 1에서 볼 수있다 (a). 이 경우, 30 nm의 FeRh 막을 에피 택셜 ~ 4 nm의 크롬 층 ~ 1 nm 두께의 Al 층 다음에, 산화 마그네슘 기판 상에 성장시킨다. (크롬 층은 특정 실험을 위해 여기에 포함되었으며, 일반적으로 필요하지 않습니다). 화상으로부터 측정 FeRh / 산화 마그네슘 및 FeRh / 크롬 인터페이스의 거칠기는 각각 0.6 ㎚, 2.8 나노 미터이다. 도 1 (b)의 MgO / FeRh 인터페이스의 고해상도 현미경 사진이 도시되어있다. 선택 영역 회절로부터 확인 된 에피 텍셜 관계 FeRh이다 [100] (001) | |의 MgO [110] (001). 인터페이스를 통해 격자 매칭은 에피 택셜 성장의 높은 품질을 보여줍니다. 우리는 여기에 데이터를 표시하지 않지만 샘플의 선택에 조성물을 확인 TEM에서의 에너지 분산 형 X-선 분광법을 사용했다 :항상 측정 불확실성 내에서 행 equiatomic왔다. Χ-선 반사율 측정 데이터는 에피 층의 Al 박막, 다결정 층으로 캡핑 명목상 25 nm 두께 FeRh 위해도 2에 나타낸다. 측정은 K의 α 방사선을 감쇠 니켈 필터로, 구리 K의 α 방사선 (λ = 0.1541 NM)를 사용하여, 브래그-Brentano 기하학 표준 2 서클 회절 분석기에서 수행 하였다. 레이어 스택의 다양한 인터페이스에서 반사 X 선 빔의 간섭에서 발생하는 발음 Kiessig 줄무늬는, 그 인터페이스가 부드럽고 잘 상관 관계가 있음을 나타냅니다. 빨간 실선은 GENX 소프트웨어 (32)를 사용하여 수행 된 데이터에 적합을 보여줍니다. 다층 구조체를위한 최적의 파라미터를 표 1에 나타낸다. Al 층의 산화 된 부분과 샘플 t 노출되면 자기 비활성화 한 것이라는 사실O 공기은 모델의 회계. 동일한 샘플 Χ-선 회절 데이터는 동일한 기기에 포집,도 3에 나타낸다. 산화 마그네슘 기판 (002) 반사은 천이됨을 K α 2 라인 α 구리 K를 해결하기 위해 강력하고 충분히 날카로운. FeRh 층은 모두 (001)를 보여줍니다 (002) 반사. 때문에 에피 층 및 변형 구배의 유한 한 두께에 약간의 폭이 넓어 있습니다. (002) FeRh의 B2 피크는 2 θ에서 중심으로 = 평균을 산출 61.3 ° ± 0.02, 면외의 3.02 ± 0.05 Å의 격자 상수. 이들 두 개의 피크의 상대 강도에서 통합 FeRh의 B2 구조의 화학 오더 파라미터 S를 결정하는 것이 가능하다. 이 양이 S로 정의 = R 철 +는 철 (RH)가 차지하는 철 (RH) 사이트의 비율이 33 원자가 상대 습도 -1, r에. 화학식 간단한 검사 t를 도시모자 때 R 철 = R 상대 습도 = 1 및 구조는, S = 1 확실 모든 격자 사이트가 임의로 점유되도록 R 페가 = RH 일 = 0.5의 R 때 반면, S = 0. 이유는 구조 인자는 (001) 반사를 금지, S = 1 구조 (001) 반사가 허용되는, 입방 프리미티브 때 반면.하는 경우 = 0 S 사이트 평균화 구조, BCC 있다는 즉, 실용적 관점에서, <img alt="식 (1)" fo:content-width="2.5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603eq1.jpg" width="230px" /> 여기서 <img alt="식 2" fo:content-width=".2in" src="/files/ftp_upload/50603/50603eq2.jpg" width="20px" /> 과 <img alt="식 3" fo:content-width=".2in" src="/files/ftp_upload/50603/50603eq3.jpg" width="20px" /> 각각 (00 I) 브래그 반사 (33)의 이론 및 실험 강도입니다. 계산과에 대한FeRh에 EXAFS 측정의 이론적 강도 데바이 - 월러 요인 lation (34)를 사용 하였다. 이 경우, S =이 물질의 스퍼터링 박막 전형적인 0.855 ± 0.001,. metamagnetic 상전이는 여러 가지 방법으로 검출 할 수있다. 그것의 존재는 올바른 equiatomic 화학 양론과 격자의 B2-순서를 나타냅니다. metamagnetic 천이가 브래그의 위치 변화에 의해 검출 될 수있다 수반 격자 확장은 27 봉우리 있지만, 이것은 히터 스테이지 회절 장치를 필요로한다. 아마도 가장 확실한 방법은 샘플이 T T를 통해 가열로 강자성 모멘트의 외관을 검출하는 것이다. 이것은 광 자기 커 효과 (Kerr effect) 또는 진동 샘플 자력계를 사용하여 예를 들어, 충분한 감도로 임의 온도 의존성 자력계를 사용하여 수행 할 수있다. 그림 4에서 우리는 보여자화 M의 온도 의존성은, 초전도 양자 간섭 장치 (SQUID) 자력계를 사용하여 측정. 측정은 2 K / 분의 온도 스위프 율 275-400 K의 온도 범위에서 이루어졌다. 커브가 표시에게 15 K 열 이력과 예상 AF → FM 전환 (난방) 및 FM → AF 전환 (냉각)을 표시. 이 측정은 하이 필드 (50 kOe로)에서 제로보다 높은 자계가 AF의 위상에 대하여 FM상의 자유 에너지를 감소시키기 때문에 T T ≈ 365 K. 전이 온도는, 필드 의존 전이 온도를 산출 하였다. 일반적으로 DT는 T / dH보다 ≈ 0.8 mK의 / 오 14, 15, 27. AF 단계에서 자기 모멘트가 상당히 제로 아니지만, 전체 샘플의 부피에 걸쳐 평균하면 에뮤 / cm 3의 수십임을 유의. 이 순간 ferroma 남아 FeRh 에피 층의 가까운 인터페이스 영역에있는gnetic 샘플의 부피는 AF 단계 (28, 30)로 변환 할 때 (감소 자화이기는하지만). 단순한 장비를 사용하며 종종 실험실에서 사용되는 천이를 검출하는 방법은 전자 수송 측정을 수행하는 것이다. FM 단계에서 ρ는 AF 단계 35, 36, 20에 비해 매우 작으므로 간단한 측정, 막의 비저항 ρ이다. X-선 데이터는 도시 된 위해 동일한 25 nm의 FeRh 에피 층에 대한 ρ의 온도 의존성은도 5에 그려지고, 표준 4 - 포인트 프로브 방법을 사용하여 측정 : 스프링 장착 금 도금 핀은 샘플에 누를했다 뜨거운 모든 샘플의 산화를 방지하기 위해 작은 정의 진공 챔버에서 가열 스테이지 상에 탑재 된 시료에 접촉하도록 표면. 선형은 금속 ρ (T) 의존도는 AF 및 FM 단계 모두에서 볼 수 있습니다 만, resistivi에 표시된 드롭이 있습니다둘 사이 타이. 그림 5에서 볼 이력은 magnetostructural 상전이 촬영 장소의 명확한 지문이다 (그림 5의 삽입 참조) dρ / DT는의 최소 점으로 주어진다 전이 온도를 측정 할 수있는 편리한 방법입니다. 이 단계 (20) 사이의 홀 계수의 큰 차이가 쉽게 측정과 같은 다른 수송 특성, 홀 효과, 또한, 전이의 존재를 확인하는데 사용될 수있다. <img alt="그림 1" fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig1highres.jpg" width="600" /> 그림 1. 산화 마그네슘 기판 상 FeRh 에피 층의 투과형 전자 현미경 사진. (a) 층의 구조를 보여주는 사진. FeRh 정상에 증착 추가 ~ 4 nm의 크롬 층 ~ 1 nm의 알루미늄 캡 두께 30 ㎚이다. 내가 상단의 비정질 지역<html> 마법사는 횡단면 샘플 준비 동안 사용 에폭시 수지이다.의 MgO FeRh 인터페이스의 (b)의 높은 해상도 이미지. 인터페이스를 통해 에피 일치가 여기에서 보이는, 그리고 관련된 관계, 선택 영역의 회절에서 확인 된, FeRh입니다 [100] (001) | |. 산화 마그네슘 [110] (001) <a href="http://www.jove.com/files/ftp_upload/50603/50603fig1highres.jpg" target="_blank">보려면 여기를 클릭 큰 그림</a> <img alt="그림 2" fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig2.jpg" width="600" /> 그림 2. 25 ㎚ 두께 FeRh에서 X-선 반사율 스펙트럼은 에피 층 다결정 알루미늄으로 캡핑. 실선은 표 1에 주어진 파라미터를 이용하여, 텍스트에서 설명 적합하다. 삽입물은 적당한 파라미터의 세트와 연관​​된 산란 길이 밀도 프로파일을 도시한다.g2highres.jpg &quot;대상 =&quot;_blank &quot;&gt; 큰 그림을 보려면 여기를 클릭하십시오 <img alt="그림 3" fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig3.jpg" width="500" /> 그림 3. 25 nm 두께의 FeRh에서 X-선 회절 스펙트럼은 에피 층 다결정 알에 출장. (001) FeRh 피크의 존재는 B2의 순서가 자리를 차지했음을 나타냅니다. 화학 주문 매개 변수는 S입니다 = 0.855 ± 0.001, 텍스트에 기술 된 방법을 사용하여 결정. <a href="http://www.jove.com/files/ftp_upload/50603/50603fig3highres.jpg" target="_blank">큰 그림을 보려면 여기를 클릭하십시오</a> <img alt="그림 4" fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig4.jpg" width="500" /> 그림 4. 다결정으로 캡핑 50 ㎚ 두께 FeRh 에피 층의 자화 M의 온도 의존성줄 알. 이러한 데이터는 필름면에 적용된 50 kOe로 필드로 촬영 하였다. 전이 온도 T (T)는 약 15 K의 히스테리시스 폭 ~ 365 K로 볼 수 <a href="http://www.jove.com/files/ftp_upload/50603/50603fig4highres.jpg" target="_blank">큰 그림을 보려면 여기를 클릭하십시오</a> <img alt="그림 5" fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig5.jpg" width="500" /> 그림 5. 알 캡핑 25 ㎚ 두께 FeRh 층의 저항률 ρ의 온도 의존성. 삽입 된 온도 T에 대한 ρ의 유도체이다. 전이 온도 T (T)는 AF 단계로 냉각의 FM 위상과 375 K로 온난화에 447 K로 볼 수 있습니다. <a href="http://www.jove.com/files/ftp_upload/50603/50603fig5highres.jpg" target="_blank">큰 그림을 보려면 여기를 클릭하십시오</a> <table border="1"><tbody><tr><td> 층 </td><td> 밀도 (원자 / 나노 3) </td><td> 두께 (nm의) </td><td> 조도 (NM) </td></tr><tr><td> 알 2 O 3 패시베이션 층 </td><td> 25.5 ± 0.9 </td><td> 2.18 ± 0.08 </td><td> 1.0 ± 0.1 </td></tr><tr><td> 알루미늄 캡 </td><td> 60.6 ± 0.6 </td><td> 0.91 ± 0.02 </td><td> 0.6 ± 0.2 </td></tr><tr><td> FeRh 에피 층 </td><td> 38.7 ± 0.3 </td><td> 25.09 ± 0.06 </td><td> 0.400 ± 0.002 </td></tr><tr><td> 산화 마그네슘 기판 </td><td> 53.4 ± 1.3 </td><td> ∞ </td><td> 0.1761 ± 0.0003 </td></tr></tbody></table> 표 1. 그 수치의 삽입물에 도시 산란 길이 밀도 프로파일 선도,도 2에 도시 된 X-선 반사율 스펙트럼에 대한 피팅 파라미터.

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Sputter Growth and Characterization of Metamagnetic B2-ordered FeRh Epilayers

스퍼터링에 의해 정렬 된 합금의 에피 택 셜층을 준비하는 방법이 설명된다. 그것은 화학 순서 및 합금의 정확한 조성의 정도에 민감하게 의존 metamagnetic 천이를 디스플레이 등 B2 오더링 FeRh 화합물, 예로서 사용된다.

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Plasmonic의 광전 테라 헤르츠 터의 설계, 제작 및 실험 특성

In this video article we present a detailed demonstration of a highly efficient method for generating terahertz waves. Our technique is based on ...

Writing and Low-Temperature Characterization of Oxide Nanostructures

작성 및 산화물 나노 구조의 저온 특성

Oxide nanoelectronics is a rapidly growing field which seeks to develop novel materials with multifunctional behavior at nanoscale dimensions.  Oxide ...

Patterning via Optical Saturable Transitions - Fabrication and Characterization

광학 가포 전환을 통해 패터닝 - 제조 및 특성

This protocol describes the fabrication and characterization of nanostructures using a novel nanolithographic technique called Patterning via Optical ...

Protocol of Electrochemical Test and Characterization of Aprotic Li-O2 Battery

Protocol of Electrochemical Test and Characterization of Aprotic Li-O2 Battery

비 양성 자성 리튬 O의 전기 시험 프로토콜 및 특성<sub&gt; 2</sub&gt; 배터리

We demonstrate a method for electrochemical testing of an aprotic Li-O2 battery. An aprotic Li-O2 battery is made of a Li-metal anode, an aprotic ...

Fabrication and Characterization of Superconducting Resonators

Superconducting microwave resonators are of interest for a wide range of applications, including for their use as microwave kinetic inductance detectors ...

Production and Characterization of Vacuum Deposited Organic Light Emitting Diodes

생산 및 진공의 입금 유기 발광 다이오드

A method for producing simple and efficient thermally-activated delayed fluorescence organic light-emitting diodes (OLEDs) based on guest-host or exciplex ...

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

성장 및 정전기/화학 속성의 금속/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

The quasi 2D electron system (q2DES) that forms at the interface between LaAlO3 (LAO) and SrTiO3 (STO) has attracted much attention from the oxide ...

Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films

Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films

Mg3N2 및 Zn 3 N2 박막의 플라즈마 보조 분자 빔 에피택시 성장

This article describes a procedure for growing Mg3N2 and Zn3N2 films by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE). The films are grown on 100 oriented ...