Name: scanning-probe single-electron capacitance spectroscopy
Uploaded: 2013-07-30T13:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Scanning-probe Single-electron Capacitance Spectroscopy at JoVE.com

המחקר שנדון כאן נתמכה על ידי המכון באוניברסיטת מדינת מישיגן למדעי קוונטים והקרן הלאומי למדע DMR-0305461, DMR-0906939, וDMR-0,605,801. KW מודה תמיכה ממחלקה לחינוך אחוות GAANN הבינתחומי הביו תכנית הכשרה בארה&quot;ב.

1. פרוטוקול <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> הגדרה ראשונית של מיקרוסקופ ואלקטרוניקה <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> תתחיל עם מיקרוסקופ סריקת בדיקה קריוגני שמסוגל להריץ עם אלקטרוניקה שליטה כרוכה בכך. המיקרוסקופים המשמשים למחקר המתו?...

<ol>
	<li>Gasseller, M., DeNinno, M., Loo, R., Harrison, J. F., Caymax, M., Rogge, S., Tessmer, S. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Single-Electron+Capacitance+Spectroscopy+of+Individual+Dopants+in+Silicon.">Single-Electron Capacitance Spectroscopy of Individual Dopants in Silicon.</a> Nano Lett. 11, 5208-5212 (2011).</li><li>Kuljanishvili, I., Kayis, C., Harrison, J. F., Piermarocchi, C., Kaplan, T. A., Tessmer, S. H., Pfeiffer, L. N., West, K. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Scanning-probe+spectroscopy+of+semiconductor+donor+molecules.">Scanning-probe spectroscopy of semiconductor donor molecules.</a> Nat. Phys. 4, 227-233 (2008).</li><li>Tessmer, S. H., Kuljanishvili, I., Kayis, C., Harrison, J. F., Piermarocchi, C., Kaplan, T. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nanometer-scale+capacitance+spectroscopy+of+semiconductor+donor+molecules.">Nanometer-scale capacitance spectroscopy of semiconductor donor molecules.</a> Physica B. 403, 3774-3780 (2008).</li><li>Yoo, M. J., Fulton, T. A., Hess, H. F., Willett, R. L., Dunkleberger, L. N., Chichester, R. J., Pfeiffer, L. N., West, K. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Scanning+Single-Electron+Transistor+Microscopy:+Imaging+Individual+Charges.">Scanning Single-Electron Transistor Microscopy: Imaging Individual Charges.</a> Science. 276, 579-582 (1997).</li><li>Urazhdin, S., Tessmer, S. H., Ashoori, R. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+simple+low-dissipation+amplifier+for+cryogenic+scanning+tunneling+microscopy.">A simple low-dissipation amplifier for cryogenic scanning tunneling microscopy.</a> Rev. Sci. Instrum. 73 (2), 310-312 (2002).</li><li>Williams, C. C., Hough, W. P., Rishton, S. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Scanning+capacitance+microscopy+on+a+25+nm+scale.">Scanning capacitance microscopy on a 25 nm scale.</a> Appl. Phys. Lett. 55 (2), 203-205 (1989).</li><li>Tessmer, S. H., Glicofridis, P. I., Ashoori, R. C., Levitov, L. S., Melloch, M. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Subsurface+charge+accumulation+imaging+of+a+quantum+Hall+liquid.">Subsurface charge accumulation imaging of a quantum Hall liquid.</a> Nature. 392, 51-54 (1998).</li><li>Tessmer, S. H., Kuljanishvili, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Modeling+single-+and+multiple-electron+resonances+for+electric-field-sensitive+scanning+probes.">Modeling single- and multiple-electron resonances for electric-field-sensitive scanning probes.</a> Nanotechnology. 19, 445503-445510 (2008).</li><li>Kuljanishvili, I., Chakraborty, S., Maasilta, I. J., Tessmer, S. H., Melloch, M. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Modeling+electric-field-sensitive+scanning+probe+measurements+for+a+tip+of+arbitrary+shape.">Modeling electric-field-sensitive scanning probe measurements for a tip of arbitrary shape.</a> Ultramicroscopy. 102, 7-12 (2004).</li><li>Martin, J., Akerman, N., Ulbricht, G., Lohmann, T., Smet, J. H., von Klitzing, K., Yacoby, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Observation+of+electron-hole+puddles+in+graphene+using+a+scanning+single-electron+transistor.">Observation of electron-hole puddles in graphene using a scanning single-electron transistor.</a> Nat. Phys. 4, 144-148 (2008).</li><li>Ashoori, R. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electrons+in+artificial+atoms.">Electrons in artificial atoms.</a> Nature. 379, 413-419 (1996).</li><li>Ashoori, R. C., Stormer, H. L., Weiner, J. S., Pfeiffer, L. N., Pearton, S. J., Baldwin, K. W., West, K. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Single-electron+capacitance+spectroscopy+of+a+few+electron+box.">Single-electron capacitance spectroscopy of a few electron box.</a> Physica B. 189, 117-124 (1993).</li><li>Frohn, J., Wolf, J. F., Besocke, K., Teske, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Coarse+tip+distance+adjustment+and+positioner+for+a+scanning+tunneling+microscope.">Coarse tip distance adjustment and positioner for a scanning tunneling microscope.</a> Rev. Sci. Instrum. 60 (6), 1200-1201 (1989).</li><li>Besocke, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=An+easily+operable+scanning+tunneling+microscope.">An easily operable scanning tunneling microscope.</a> Surf. Sci. 181, 145-153 (1987).</li><li>Urazhdin, S., Maasilta, I. J., Chakraborty, S., Moraru, I., Tessmer, S. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-scan-range+cryogenic+scanning+probe+microscope.">High-scan-range cryogenic scanning probe microscope.</a> Rev. Sci. Instrum. 71 (11), 4170-4173 (2000).</li><li>Ashoori, R. C., Stormer, H. L., Weiner, J. S., Pfeiffer, L. N., Pearton, S. J., Baldwin, K. W., West, K. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Single-electron+capacitance+spectroscopy+of+discrete+quantum+levels.">Single-electron capacitance spectroscopy of discrete quantum levels.</a> Phys. Rev. Lett. 68 (20), 3088-3091 (1992).</li></ol>

הסבר מפורט של הבסיס התיאורטי לשיטה ניסיונית זו ניתן בהפניות 8 ו -9 ודן ביחס לתרחיש של dopants מתחת לפני הקרקע בעיון 2; הסקירה המובאת כאן על כן תהיה קצרה ורעיונית. הקצה הוא כאל צלחת אחת קבלים, ואת שכבת ניהול שבבסיס המדגם כולל את הצלחת האחרת. אם מתח DC מוחל כאלה שהאלקטרונים נמשכ...

צבירת הדמיה חיוב מתחת לפני הקרקע (SCA) היא שיטה בטמפרטורה נמוכה מסוגלות לפתור אירועי טעינה בודדות אלקטרונים. כאשר פנה למחקר של אטומים dopant במוליכים למחצה, השיטה יכולה לזהות אלקטרונים בודדים הנכנסים לאטומים תורמים או acceptor, המתיר אפיון של המבנה הקוונטי של מערכות הזעירות אלה. בלב שלה, SCA הדמיה היא מדידת קיבול מקומית 6 מתאימה היטב למבצע קריוגני. בגלל קיבול מבוסס על שדה חשמלי, זה השפעה לטווח ארוך שיכול לפתור טעינה מתחת בידוד משטחים 6. מבצע קריוגני מאפשר חקירה של ריווח רמה הקוונטית תנועה אחת אלקטרון וזה יהיה בלתי פתיר ב1,2 טמפרטורת החדר. הטכניקה יכולה להיות מיושמת על כל מערכת שבה תנועת אלקטרונים מתחת לפני השטח בידוד היא חשובה, ובכלל זה לחייב את הדינמיקה במערכות אלקטרונים דו ממדים בממשקים נקברו 7; לקיצור,<html> ההתמקדות כאן תהיה על לימודים של dopants מוליכים למחצה. ברמה סכמטית ביותר, טכניקה זו מטפלת בקצה סרוק כצלחת אחת של קבל לוחות מקבילים, אם כי ניתוח ריאליסטי דורש תיאור מפורט יותר כדי להסביר את העקמומיות של הקצה 8,9. הצלחת האחרת בדגם הזה היא אזור הננומטרי של שכבת ניהול הבסיסית, כפי שמוצג באיור 1. בעיקרו של דבר, כתשלום נכנס dopant בתגובה למתח עירור תקופתי, זה מתקרב לקצה; תנועה זו גורמת לתמונה יותר אחראית על הקצה, אשר זוהה עם מעגל החיישן 5. בדומה לכך, כפי שיוצא את החיוב dopant, תשלום על קצה התמונה הוא ירד. לפיכך אות הטעינה התקופתית בתגובה למתח העירור היא האות מזוהות - בעצם זה קיבול, ולכן מדידה זו היא המכונה לעתים קרובות קביעת מאפייני קורות החיים של המערכת. אוהל &quot;&gt; במהלך מדידת הקיבול, מנהור נטו היחיד הוא בין שכבת הבסיס ושכבת מוליך dopant -. תשלום לעולם מנהרות ישירות על קצה חוסר נהור או מהקצה ישיר במהלך המדידה הוא הבדל חשוב בין זה הטכניקה ומיקרוסקופ מנהור הסורק המוכר יותר, אם כי הרבה יותר של החומרה למערכת זו היא בעצם זהה לזו של מיקרוסקופ מנהור סורק. כמו כן, חשוב לציין כי SCA ההדמיה היא לא ישירות רגישה למטענים סטטיים. לחקירות של מטען סטטי הפצות, מיקרוסקופיית קלווין בדיקה או מיקרוסקופית כוח אלקטרוסטטית מתאימה שיטות קירור נוספות לבחינת התנהגות אלקטרונית מקומית קיימות וגם להם רזולוציה מרחבית טובה ואלקטרונית;. למשל, מיקרוסקופיית אלקטרונים טרנזיסטור יחידה היא שיטה אחר סריקת חללית מסוגלת לאתר דקות טעינה השפעות 4,10. SCA הדמיה הייתה במקורפותח ב-MIT על ידי Tessmer, Glicofridis, אשורית, ועמיתים לעבודה 7 ומעבר לכך, בשיטה המתוארת כאן יכולה להיחשב כגרסת בדיקה סריקה של שיטת ספקטרוסקופיה קיבוליות חד אלקטרונים שפותחו על ידי אשורית ועמיתים לעבודה 11. אלמנט מרכזי של המדידה הוא מעגל אחראי לזיהוי רגיש להפליא 5,12 באמצעות טרנזיסטורים ניידות אלקטרונים גבוהים (HEMT), הוא יכול להשיג את רמת רעש נמוך ככל 0.01 אלקטרונים / הרץ ½ ב 0.3 K, טמפרטורת הבסיס של cryostat בהתייחסות 5. כגון רגישות גבוהה מאפשרת תצפית של טעינה בודדת אלקטרונים במערכות מתחת לפני הקרקע. שיטה זו מתאימה למחקר של אלקטרון או חור דינמיקה של קבוצות בודדות או קטנות של dopants במוליכים למחצה, עם צפיפויות אזוריות dopant טיפוסיים על סדר הגודל של 10 15 מ -2 בגיאומטריה של מישור 2. דוגמה לתצורת מדגם אופיינית לסוג זה של ניסוי זה מוצגת באיור 1 </strong&gt;. שכבת dopant ממוקמת בדרך כלל כמה עשרות ננומטרים מתחת לפני השטח, זה חשוב לדעת את המרחקים המדויקים בין שכבת ניהול הבסיסית ושכבת dopant ובין שכבת dopant ומדגם השטח. בניגוד לנהור, קיבול לא ליפול באופן אקספוננציאלי אלא בעצם פוחת ביחס הפוך למרחק. לפיכך, עומק dopant יכול בעיקרון להיות אפילו עמוק יותר מעשרות ננומטרים מתחת לפני השטח, כל עוד חלק סביר של אדמות שדה חשמליים שעל הקצה. לכל בדיקות המקומיות הקירור הנ&quot;ל של התנהגות אלקטרונית, כולל את הטכניקה שתוארה כאן, ברזולוציה מרחבית מוגבלת על ידי הגודל הגיאומטרי של הקצה ועל ידי המרחק בין התכונה מתחת לפני הקרקע של ריבית ובדיקת קצה הסריקה.

<table border="1">
		<tbody>
		 <tr>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>Equipment</td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Besocke-design STM</td>
			<td>Custom</td>
			<td></td>
			<td>References 14 and 15</td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Control electronics for STM</td>
			<td>RHK Technology</td>
			<td>SPM 1000 Revision 7</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Lock-in amplifier</td>
			<td>Stanford Research Systems</td>
			<td>SR830</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Curve tracer</td>
			<td>Tektronix</td>
			<td>Type 576</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Oscilloscope</td>
			<td>Tektronix</td>
			<td>TDS360</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Multimeter</td>
			<td>Tektronix</td>
			<td>DMM912</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Wire bonder</td>
			<td>WEST&middot;BOND</td>
			<td>7476D</td>
			<td>with K~1200D temperature controller</td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Soldering iron</td>
			<td>MPJA</td>
			<td>301-A</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Cryostat</td>
			<td>Oxford Instruments</td>
			<td>Heliox</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>Material</td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Pt/Ir wire, 80:20</td>
			<td>nanoScience Instruments</td>
			<td>201100</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>GaAs wafer</td>
			<td>axt</td>
			<td>S-I</td>
			<td>For the mounting chip</td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>99.99% Au wire, 2 mil diameter</td>
			<td>SPM</td>
			<td></td>
			<td>For the mounting chip</td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>99.99% Au wire, 1 mil diameter</td>
			<td>K&amp;S</td>
			<td></td>
			<td>For wire bonding</td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Indium shot</td>
			<td>Alfa Aesar</td>
			<td>11026</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Silver epoxy</td>
			<td>Epo-Tek</td>
			<td>EJ2189-LV</td>
			<td>Any low-temperature-compatible conductive epoxy is acceptable</td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>HEMT</td>
			<td>Fujitsu</td>
			<td>Low Noise HEMT</td>
			<td></td>
		 </tr>
		</tbody>
 </table>

scanning-probe single-electron capacitance spectroscopy

שילוב של טכניקות סריקת בדיקה טמפרטורה נמוכה וספקטרוסקופיה הקיבול יחידה אלקטרונים מייצג כלי רב עוצמה כדי לחקור את המבנה האלקטרוני של קוונטי מערכות קטנות - כולל dopants האטומי הבודדים במוליכים למחצה. כאן אנו מציגים שיטה המבוססת על קיבול, המכונה חיוב צבירה (SCA) הדמיה מתחת לפני קרקע, שהוא מסוגל לפתור טעינה בודדות, תוך השגת אלקטרונים ברזולוציה מרחבית מספיקה כדי dopants האטומי הבודדים תמונה. השימוש בטכניקה מאפשרת תצפית קיבול של תכונות מתחת לפני הקרקע, כגון dopants קבור ננומטרים רבים מתחת לפני השטח של חומר מוליך למחצה 1,2,3. באופן עקרוני, בטכניקה זו יכולה להיות מיושמת על כל מערכת כדי לפתור את תנועת אלקטרונים מתחת לפני השטח מבודד. כמו בטכניקות סרוקה-בדיקה חשמלית תחום רגיש אחרות 4, ברזולוציה מרחבית לרוחב של המדידה תלויה בחלקה ברדיוס של curvaturדואר של הקצה החללית. בעזרת טיפים עם רדיוס קטן של עקמומיות יכולה לאפשר רזולוציה מרחבית של כמה עשרות ננומטרים. רזולוציה המרחבית בסדר זה ​​מאפשרת חקירות של מספרים קטנים (עד אחד) של 1,2 dopants מתחת לפני הקרקע. הרזולוציה תשלום תלויה במידה רבה ברגישות של מעגלי גילוי המטען; באמצעות טרנזיסטורים ניידות אלקטרונים גבוהים (HEMT) במעגלים כאלה בקירור מאפשר רגישות של כ 0.01 אלקטרונים / הרץ ½ ב 0.3 K 5.

המדד הראשי של מדידה מוצלחת הוא שחזור, כמה שיותר בשיטות בדיקה סריקה אחרות. מדידות חוזרות הן חשובים מאוד מסיבה זו. לספקטרוסקופיה קיבול הנקודה, במדידות רבות ברציפות באותו המקום עוזרת להגדיל את יחס אות לרעש ולזהות אותות מזויפים. ברגע...

Watch this Scientific Journal Video about Scanning-probe Single-electron Capacitance Spectroscopy at JoVE.com

Scanning-probe Single-electron Capacitance Spectroscopy

ספקטרוסקופיה הקיבול יחידה אלקטרונים סורקות-בדיקה מאפשרת חקר תנועת אלקטרון בודד מתחת לפני הקרקע באזורים מקומיים. מעגל אחראי לזיהוי רגיש הוא שולב מיקרוסקופ סריקת בדיקה קריוגני לחקור מערכות קטנות של אטומים dopant מתחת לפני השטח של דגימות מוליכים למחצה.

ספקטרוסקופיה קיבוליות חד אלקטרונים סורקות-בדיקה

The integration of low-temperature scanning-probe techniques and single-electron capacitance spectroscopy represents a powerful tool to study the ...

Research

Education

JoVE Core

JoVE Journal

Electrical Engineering

Engineering

Unit 1

Energy Storage Elements

SCIENTISTS IN ACTION

Angle-resolved Photoemission Spectroscopy At Ultra-low Temperatures

Angle-resolved ספקטרוסקופיה Photoemission בטמפרטורות נמוכות במיוחד

The physical properties of a material are defined by its  electronic structure. Electrons in solids are characterized by energy (&omega;)  and momentum ...

Quantum State Engineering of Light with Continuous-wave Optical Parametric Oscillators

הנדסה הקוונטית מדינה של אור עם גל רציף מתנדים אופטיים פרמטרים

Engineering non-classical states of the electromagnetic field is a central quest for quantum optics1,2. Beyond their fundamental significance, such states ...

Investigating Single Molecule Adhesion by Atomic Force Spectroscopy

חוקר מולקולה בודדת הדבקה על ידי הכוח האטומי ספקטרוסקופיה

Atomic force spectroscopy is an ideal tool to study molecules at surfaces and interfaces. An experimental protocol to couple a large variety of single ...

Surface Enhanced Raman Spectroscopy Detection of Biomolecules Using EBL Fabricated Nanostructured Substrates

משטח משופר ראמאן ספקטרוסקופיה איתור של מולקולות ביולוגיות באמצעות EBL מצעי Nanostructured המפוברק

Fabrication and characterization of conjugate nano-biological systems interfacing metallic nanostructures on solid supports with immobilized biomolecules ...

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

סיליקון מתכת-תחמוצת-מוליכים למחצה קוונטי נקודות לשאיבת חד אלקטרון

As mass-produced silicon transistors have reached the nano-scale, their behavior and performances are increasingly affected, and often deteriorated, by ...

Resonance Raman Spectroscopy of Extreme Nanowires and Other 1D Systems

תהודה ראמאן ספקטרוסקופיה של Nanowires אקסטרים מערכות 1D אחרים

This paper briefly describes how nanowires with diameters corresponding to 1 to 5 atoms can be produced by melting a range of inorganic solids in the ...

High Resolution Phonon-assisted Quasi-resonance Fluorescence Spectroscopy

ספקטרוסקופיה פלואורסצנטי Quasi-תהודה רזולוציה גבוהה בסיוע Phonon

High resolution optical spectroscopy methods are demanding in terms of either technology, equipment, complexity, time or a combination of these. Here we ...

Free-form Light Actuators &#8212; Fabrication and Control of Actuation in Microscopic Scale

Free-form Light Actuators ÃƒÂ¢Ã¢â€šÂ¬Ã¢â‚¬Â Fabrication and Control of Actuation in Microscopic Scale

מתנעים אור בצורה חופשית - ייצור ובקרה של Actuation ב בקנה מידה מיקרוסקופי

Liquid crystalline elastomers (LCEs) are smart materials capable of reversible shape-change in response to external stimuli, and have attracted ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

גשוש C<sub&gt; 84</sub&gt; -embedded Si המצע באמצעות סריקת בדיקה מיקרוסקופית דינאמיקה מולקולארית

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

Applying X-ray Imaging Crystal Spectroscopy for Use as a High Temperature Plasma Diagnostic

החלת רנטגן הדמיה קריסטל ספקטרוסקופיה לשימוש כמו טמפרטורה גבוהה אבחון פלזמה

X-ray spectra provide a wealth of information on high temperature plasmas; for example electron temperature and density can be inferred from line ...