Name: fabrication of uniform nanoscale cavities via silicon direct wafer bonding
Uploaded: 2014-01-09T14:15:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding at JoVE.com

Bu çalışma NSF tarafından DMR-0605716 ve DMR-1101189 hibeleri tarafından finanse edildi. Ayrıca, Cornell Nano Ölçekli Bilim ve Teknoloji Merkezi oksitleri büyütmek ve desenlamak için kullanıldı. Yardımları için teşekkür ederiz. Bizden biri FMG, Moti Lal Rustgi Profesörlüğü'nün desteği için minnettar.

1. Yapıştırmadan Önce, Gofret Hazırlama
1.8 hariç bu adım Cornell Nano ölçekli tesis temiz odasında yapılır.
<ol><li>Kalın oksitler için ıslak bir oksit işlemi ve daha iyi kalınlık kontrolü elde etmek için çok ince oksitler için kuru bir oksit işlemi kullanarak oksitleri standart bir termal oksidasyon fırınında yetiştirin. Elipsometry ile tam gofret üzerinde homojenlik için kalınlığı kontrol edin.</li>
	<li>Kazımak istediğiniz geometri için bir maske oluştur...

<ol>
	<li>Gasparini, F. M., Kimball, M. O., Mooney, K. P., Diaz-Avila, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Finite-size+scaling+of+He-4+at+the+superfluid+transition.">Finite-size scaling of He-4 at the superfluid transition.</a> Rev. Mod. Phys. 80, 1009-1059 (2008).</li><li>Mehta, S., Kimball, M. O., Gasparini, F. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Superfluid+transition+of+He-4+for+two-dimensional+crossover,+heat+capacity,+and+finite-size+scaling.">Superfluid transition of He-4 for two-dimensional crossover, heat capacity, and finite-size scaling.</a> J. Low Temp. Phys. 114, 467-521 (1999).</li><li>Reppy, J. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Superfluid-Helium+in+Porous-Media.">Superfluid-Helium in Porous-Media.</a> J. Low Temp. Phys. 87, 205-245 (1992).</li><li>Mehta, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+wafers+at+sub-mu+m+separation+for+confined+He-4+experiments.">Silicon wafers at sub-mu m separation for confined He-4 experiments.</a> Czech. J. Phys. 46, 133-134 (1996).</li><li>Tong, Q. Y., Cha, G. H., Gafiteanu, R., Gosele, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Low-Temperature Wafer Direct Bonding. J. Microelectromech. S. 3, 29-35 (1994).</li><li>Tong, Q. Y., Gosele, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Semiconductor+Wafer+Bonding+-+Recent+Developments.">Semiconductor Wafer Bonding - Recent Developments.</a> Mater. Chem. Phys. 37, 101-127 (1994).</li><li>Gosele, U., Tong, Q. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Semiconductor+wafer+bonding.">Semiconductor wafer bonding.</a> Annu. Rev. Mater. Sci. 28, 215-241 (1998).</li><li>Rhee, I., Petrou, A., Bishop, D. J., Gasparini, F. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Bonding+Si-Wafers+at+Uniform+Separation.">Bonding Si-Wafers at Uniform Separation.</a> Physica B. 165, 123-124 (1990).</li><li>Rhee, I., Gasparini, F. M., Petrou, A., Bishop, D. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Si+Wafers+Uniformly+Spaced+-+Bonding+and+Diagnostics.">Si Wafers Uniformly Spaced - Bonding and Diagnostics.</a> Rev. Sci. Instrum. 61, 1528-1536 (1990).</li><li>Perron, J. K., Kimball, M. O., Mooney, K. P., Gasparini, F. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Critical+behavior+of+coupled+4He+regions+near+the+superfluid+transition.">Critical behavior of coupled 4He regions near the superfluid transition.</a> Phys. Rev. B. 87, (2013).</li><li>Perron, J., Gasparini, F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Specific+Heat+and+Superfluid+Density+of+4He+near+T+&#955;+of+a+33.6+nm+Film+Formed+Between+Si.">Specific Heat and Superfluid Density of 4He near T &#955; of a 33.6 nm Film Formed Between Si.</a> , 1-10 (2012).</li><li>Perron, J. K., Gasparini, F. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Critical+Point+Coupling+and+Proximity+Effects+in+He-4+at+the+Superfluid+Transition.+.">Critical Point Coupling and Proximity Effects in He-4 at the Superfluid Transition. .</a> Phys. Rev. Lett.. 109, (2012).</li><li>Gasparini, F. M., Kimball, M. O., Mehta, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Adiabatic+fountain+resonance+for+He-4+and+He-3-He-4+mixtures.">Adiabatic fountain resonance for He-4 and He-3-He-4 mixtures.</a> J. Low Temp. Phys. 125, 215-238 (2001).</li><li>Corruccini, R. J., Gniewek, J. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thermal+expansion+of+technical+solids+at+low+temperatures;+a+compilation+from+the+literature.">Thermal expansion of technical solids at low temperatures; a compilation from the literature.</a> U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards. , (1961).</li><li>Kahn, H., Deeb, C., Chasiotis, I., Heuer, A. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Anodic+oxidation+during+MEMS+processing+of+silicon+and+polysilicon:+Native+oxides+can+be+thicker+than+you+think.">Anodic oxidation during MEMS processing of silicon and polysilicon: Native oxides can be thicker than you think.</a> J. Microelectromech. S. 14, 914-923 (2005).</li><li>Tong, Q. Y., Gosele, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thickness+Considerations+in+Direct+Silicon-Wafer+Bonding.">Thickness Considerations in Direct Silicon-Wafer Bonding.</a> J. Electrochem. Soc. 142, 3975-3979 (1995).</li><li>Corbino, O. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Azioni+Elettromagnetiche+Doyute+Agli+Ioni+dei+Metalli+Deviati+Dalla+Traiettoria+Normale+per+Effetto+di+un+Campo.">Azioni Elettromagnetiche Doyute Agli Ioni dei Metalli Deviati Dalla Traiettoria Normale per Effetto di un Campo.</a> Nuovo Cim. 1, 397-420 (1911).</li><li>Diaz-Avila, M., Kimball, M. O., Gasparini, F. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Behavior+of+He-4+near+T-lambda+in+films+of+infinite+and+finite+lateral+extent.">Behavior of He-4 near T-lambda in films of infinite and finite lateral extent.</a> J. Low Temp. Phys. 134, 613-618 (2004).</li><li>Dimov, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Anodically+bonded+submicron+microfluidic+chambers.">Anodically bonded submicron microfluidic chambers.</a> Rev. Sci. Instrum. 81, (2010).</li><li>Duh, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Microfluidic+and+Nanofluidic+Cavities+for+Quantum+Fluids+Experiments.">Microfluidic and Nanofluidic Cavities for Quantum Fluids Experiments.</a> J. Low Temp. Phys. 168, 31-39 (2012).</li></ol>

Doğrudan gofret yapıştırma ile birlikte uygun silikon litografinin geliştirilmesi, 5 cm çapındaki silikon gofretlerin tüm alanı boyunca son derece düzgün küçük boyutlara sahip vakum sıkı muhafazalar yapmamızı sağladı. Bu muhafazalar, normal bir sıvıdan bir süper sıvıya geçişlerinin mahallesinde sıvı 4He'nin davranışını incelememize izin sağladı. Bu çalışmalar, sınırlı boyutlu ölçeklendirme tahminlerini doğrulamış ve keşfedilmeye devam eden başarısızlıklara iş...

Temiz silikon gofretler RT'de yakın temasa geçirildiğinde, van der Waals kuvvetleri aracılığıyla birbirlerine çekilirler ve zayıf yerel bağlar oluştururlar. Bu yapıştırma, daha yüksek sıcaklıklarda tavlama ile çok daha güçlü hale getirilebilir5,6. Yapıştırma, SiO 2'den Si'ye veya SiO2'den SiO2'ye yüzeylerle başarıyla yapılabilir. Si gofretlerin bağlanması en yaygın olarak izolatör cihazlarında, silikon tabanlı sensörlerde ve aktüatörlerde ve optik cihazlarda silikon için kullanılır7. Burada açıklanan çalışma, tüm gofret alanı8,9üzerinde iyi tanımlanmış düzgün aralıklı muhafazalar elde etmek için kullanarak farklı bir yönde doğrudan bağlanmayı alır. Sıvının sokulabileceği iyi tanımlanmış bir geometriye sahip olmak, hapsinin sıvının özellikleri üzerindeki etkisini belirlemek için ölçümlerin yapılmasına izin verir. Hidrodinamik akışlar, küçük boyutun onlarca nanometreden birkaç mikrometreye kadar kontrol edilebildiği yerlerde incelenebilir.
SiO2, bir fırında ıslak veya kuru bir termal oksit işlemi kullanılarak Si gofretlerinde yetiştirilebilir. SiO2 daha sonra litografik teknikler kullanılarak islenildiği gibi desenlenebilir ve kazınabilir. Çalışmamızda kullanılan desenler, düzlem veya film geometrisinde yapıştırma ile sonuçlanan geniş aralıklı destek direklerinin bir desenini içerir (bkz. Şekil 1). Ayrıca tek boyutlu özellikler için kanallar ve (1 μm) 3 veya (2 μm) 3 boyut1 (bkz. Şekil 2)kutu dizileri için desenli kanallarımız vardır. Kutularla bir sınırlama tasarlarken, genellikle bir gofret üzerinde 10-60 milyon, tüm tek tek kutuları doldurmanın bir yolu olmalıdır. İki gofretten 30 nm veya daha fazla uzak duran bir tasarıma sahip üst gofretin ayrı bir deseni buna izin verir. Veya eşdeğer olarak, sığ kanallar üst gofret üzerinde tasarlanabilir, böylece tüm kutular bağlanır. Üst gofrette yetişen oksitin kalınlığı alt gofrettekinden farklıdır. Bu, tasarıma başka bir esneklik ve karmaşıklık derecesi ekler. Her iki gofreti de desenleyebilmek, daha çeşitli sınırlama geometrilerinin gerçekleşmesini sağlar.
Bu bağlı gofretlerdeki veya hücrelerdeki geometrik unsurların boyutu değişebilir. 30 nm kadar küçük düzlem filmleri olan hücreler başarıylayapılmıştır 10,11. Bunun altındaki kalınlıklarda, aşırı kemikleme, gofretlerin destek direklerinin etrafında bükülmesi ve böylece hücrenin "sızdırmazlık" altına alınmasıyla meydana gelebilir. Son zamanlarda, sıvı 4üzerinde bir dizi ölçüm Yapıldı Aralarında değişen ayırma mesafesi10,12olan bir dizi(2 μm) 3 kutu ile gerçekleştirildi. 2 μm'den çok daha derin özellikler, oksit yetiştirmek için gereken sürenin artması nedeniyle çok pratik değildir. Bununla birlikte, ölçümler 3.9 μm 9 kadar kalın bir oksit ileyapılmıştır. Yanal boyutun küçüklüğündeki sınırlar litografi yeteneklerinin sınırlarından kaynaklanmaktadır. Yanal boyutun büyüklüğü için sınır gofret boyutuna göre belirlenir. Yanal boyutun neredeyse tüm gofret çapına yayıldığı düzlemsel hücreleri başarıyla oluşturduk, ancak birkaç küçük yapının genişlikte onlarca nanometre sırasına göre desenlendiğini kolayca hayal edebiliriz. Ancak bu tür yapılar e-ışın litografisi gerektirecektir. Şu anda bunu yapmadık.
Tüm çalışmalarımızda bağlı gofretler vakumlu sıkı bir muhafaza oluşturdu. Bu, desenli oksitte gofretin çevresinde3-4 mm genişliğinde 3-4 mm'lik SiO 2'nin katı bir halkasının tutulmasıyla elde edilir, bkz. Bu, yapıştırma üzerine sıkı bir mühür oluşturur. Bu tasarım, bir giriş ve çıkış gerektiren hidrodinamik çalışmalarla ilgileniyorsa kolayca değiştirilebilir.
Bağlı hücrelerin patlayan basıncı da test edilmiştir. 375 μm kalınlığında gofretlerle yaklaşık dokuz atmosfere kadar basınç uygulanabileceğini gördük. Bununla birlikte, bunun daha büyük oksit alanları üzerinde veya belki de daha kalın gofretler için yapıştırılarak nasıl iyileştirilebileceğini incelemedik.
Silikon hücrelerini bir dolum hattına ayırma prosedürü ve kapalı helyumun özelliklerini düşük sıcaklıkta ölçme teknikleri Mehta ve ark. 2 ve Gasparini ve diğerleri. 13 Silikon için doğrusal boyuttaki değişikliklerin hücrelerin soğutulduğunda sadece% 0.02 olduğunu not ediyoruz14. Bu, RT'de oluşturulan desenler için ihmal edilebilir.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="1111">
	<colgroup>
		<col />
		<col />
		<col />
		<col />
	</colgroup>
	<tbody>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;width:215px;">SmartCut</td>
			<td style="width:192px;">North American Tool</td>
			<td style="width:104px;">FL 130</td>
			<td style="width:600px;">Not much is needed per cell. Smaller sizes are available.</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Silicon Wafers</td>
			<td>Semiconductor Processing Co</td>
			<td></td>
			<td>There are many suppliers. Pay attention to thickness and thickness variation when ordering.</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Deionized Water</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Peroxide</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Hydrochloric Acid</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Ammonium Hydroxide</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Nitrogen Gas</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Helium Gas</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Diamond Paste</td>
			<td>Beuler Metadi II</td>
			<td>e.g. 406533032</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Diamond Drills</td>
			<td>Starlite</td>
			<td>e.g. 115010</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Pyrex Dishes</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Filter Paper</td>
			<td>Whatman</td>
			<td>1001-110</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Acetone</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Methanol</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Quartz tubes for flushing furnace</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Rubber vacuum hose</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>General Availability</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of uniform nanoscale cavities via silicon direct wafer bonding

Sınırlı 4'ünısı kapasitesinin ve süper sıvı fraksiyonunun ölçümleri Litografik desenli ve bağlı silikon gofretler kullanılarak lambda geçişinin yakınında gerçekleştirildi. Genellikle bu tür deneyler için kullanılan gözenekli malzemelerdeki sınırlamaların aksine3, bağlı gofretler hapsetme için önceden tasarlanmış tekdüze alanlar sağlar. Her hücrenin geometrisi iyi bilinmektedir, bu da verilerin yorumlanmasında büyük bir belirsizlik kaynağını ortadan kaldırır.
Son derece düz, 5 cm çapında, 375 μm kalınlığında, tüm gofretin üzerinde yaklaşık 1 μm varyasyona sahip Si gofretler ticari olarak elde edilebilir (örneğin Yarı İletken İşleme Şirketi'nden). Termal oksit, z yönünde hapsetme boyutunu tanımlamak için gofretlerde yetiştirilir. Daha sonra, yapıştırma üzerine istenen bir muhafaza oluşturmak için litografik teknikler kullanılarak oksite bir desen kazınmıştır. Sıvının tanıtılmasının ölçülebilmesi için gofretlerden birinde (üstte) bir delik açılır. Gofretler RCA çözeltilerinde2 temizlenir ve daha sonra deiyonize su ile durulandıkları bir mikroklem odasına konur4. Gofretler RT'de bağlanır ve daha sonra ~1,100 °C'de tavlanır. Bu güçlü ve kalıcı bir bağ oluşturur. Bu işlem, nanometreden mikrometre ölçeğine kadar sınırlı sıvıların termal ve hidrodinamik özelliklerini ölçmek için tek tip muhafazalar yapmak için kullanılabilir.

Düzgün bağlanmış gofretlerin kemiksiz bölgeleri olmayacaktır. Tavlamadan sonra gofretleri bölmeye çalışmak, bağın gücü nedeniyle hücrenin parçalara ayrılmasına neden olacaktır. Düzgün bağlanmış gofret kızılötesi görüntüleri Şekil 5 ve 6'da gösterilmiştir. Genellikle tavlama, özellikle yerel kemiksiz bölgeler gofretlerdeki düzlük eksikliğinden kaynaklanıyorsa, hücrenin homojenliğini artırır. Şekil 5'te ışık noktaları ve ke...

Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding at JoVE.com

Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

Düzgün bir muhafazayı gerçekleştirmek için iki silikon gofretleri kalıcı olarak yapıştırmak için bir yöntem açıklanmıştır. Buna gofret hazırlama, temizleme, RT yapıştırma ve tavlama işlemleri dahildir. Elde edilen bağlı gofretler (hücreler) kasanın homojenliğine sahiptir ~%11,2. Elde edilen geometri, sınırlı sıvıların ve gazların ölçülerine izin verir.

Silikon Doğrudan Gofret Yapıştırma ile Tek tip Nano ölçekli Boşlukların İmalatı

Measurements of the heat capacity and superfluid fraction of confined 4He have been performed near the lambda transition using lithographically patterned ...

Research

JoVE Journal

Engineering

Fabrication And Characterization Of Photonic Crystal Slow Light Waveguides And Cavities

Fotonik Kristal Yavaş Işık Dalga Kılavuzları Ve Çürükler Üretimi ve Karakterizasyonu

Slow light has been one of the hot topics in the photonics community in the past decade, generating great interest both from a fundamental point of view ...

Concurrent Quantitative Conductivity and Mechanical Properties Measurements of Organic Photovoltaic Materials using AFM

Eşzamanlı Sayısal İletkenlik ve AFM kullanarak Organik Fotovoltaik Malzemeler Mekanik Özellikleri Ölçümleri

Organic photovoltaic  (OPV) materials are inherently inhomogeneous at the nanometer scale. Nanoscale  inhomogeneity of OPV materials affects performance ...

Patterning via Optical Saturable Transitions - Fabrication and Characterization

Optik Doyurulabilen Geçişler aracılığıyla Desenlendirme - İmalat ve Karakterizasyonu

This protocol describes the fabrication and characterization of nanostructures using a novel nanolithographic technique called Patterning via Optical ...

Thermal Measurement Techniques in Analytical Microfluidic Devices

Analitik mikroakışkan Cihazlar Termal Ölçme Teknikleri

Thermal measurement techniques have been used for many applications such as thermal characterization of materials and chemical reaction detection. ...

Prescribed 3-D Direct Writing of Suspended Micron/Sub-micron Scale Fiber Structures via a Robotic Dispensing System

Asma Micron / Sub-mikron Ölçeği Fiber Yapıların 3-D Doğrudan Yazma Robotik Dağıtım Sistemi aracılığıyla Prescribed

A 3-axis dispensing system is utilized to control the initiating and terminating fiber positions and trajectory via the dispensing software. The polymer ...

Solvent Bonding for Fabrication of PMMA and COP Microfluidic Devices

PMMA İmalat ve COP mikroakışkan Cihazlar için çözücü Bağlar

Thermoplastic microfluidic devices offer many advantages over those made from silicone elastomers, but bonding procedures must be developed for each ...

A Novel Method for In Situ Electromechanical Characterization of Nanoscale Specimens

A Novel Method for In Situ Electromechanical Characterization of Nanoscale Specimens

Için yeni bir yöntem<em&gt; Yerinde</emNanoscale Örneklerinin Elektromekanik Karakterizasyonu

Electrically assisted deformation (EAD) is increasingly being used to improve the formability of metals during processes such as sheet metal rolling and ...

Fabrication of Magnetic Nanostructures on Silicon Nitride Membranes for Magnetic Vortex Studies Using Transmission Microscopy Techniques

Silikon nitrür membranlar üzerinde manyetik nanoyapıları imalatı transmisyon mikroskopisi teknikleri kullanarak manyetik girdap etütler

Electron and x-ray magnetic microscopies allow for high-resolution magnetic imaging down to tens of nanometers. However, the samples need to be prepared ...