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Modèles atomique définies pour croissance épitaxiale d'oxyde complexe couches minces

DOI :

10.3791/52209-v

8:49 min

December 4th, 2014

December 4th, 2014

13,857 Views

1MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente

Différentes procédures sont décrites pour préparer modèles atomique définis pour la croissance épitaxiale de couches minces d'oxyde complexe. Les traitements chimiques de simple SrTiO cristalline 3 (001) et DYSCO 3 (110) substrats ont été effectuées pour obtenir des surfaces atomiquement lisses, simples terminés. Ca 2 Nb 3 O 10 - nanofeuillets ont été utilisés pour créer des modèles atomique définies sur des substrats arbitraires.

Tags

Chimie

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