Name: atomically defined templates for epitaxial growth of complex oxide thin films
Uploaded: 2014-12-04T15:00:00
Duration: 8 min 49 s
Description: Watch this Scientific Journal Video about Atomically Defined Templates for Epitaxial Growth of Complex Oxide Thin Films at JoVE.com

इस काम के लिए आर्थिक रूप से एक Vidi अनुदान के माध्यम से वैज्ञानिक अनुसंधान के लिए नीदरलैंड संगठन (NWO) द्वारा और शीर्ष और गूंज कार्यक्रमों के ढांचे में वैज्ञानिक अनुसंधान के लिए नीदरलैंड संगठन (NWO-सीडब्ल्यू) की रसायन विज्ञान डिवीजन द्वारा समर्थित है।

1. atomically चिकना, अकेले समाप्त सतहों <ol><li> सफाई SrTiO 3 और DyScO 3 substrates के <ol><li> एसीटोन (शुद्धता 99.5%) के साथ भरा बीकर में substrates के विसर्जित कर दिया और 10 मिनट के लिए एक अल्ट्रासोनिक स्नान (यूबी) में जगह है। बीच में सब्सट्रेट सुखाने के बिना, इथेनॉल (शुद्धता 99.8%) के साथ इस चरण को दोहराएँ। सतह से इथेनॉल बूंदों उड़ाने से नमूने सुखाने के लिए एक नाइट्रोजन बंदूक का प्रयोग करें। इस तरह, इथेनॉल में मौजूद हैं कि कणों सुखाने के बाद सतह पर नहीं रहेगी। </li><li> एक ऑप्टिकल माइक्रोस्कोप के साथ सतह की जाँच करें। इथेनॉल में भिगो है, जो एक लेंस ऊतक, पर धीरे सब्सट्रेट रगड़ से किसी भी बचे हुए कणों को दूर। हमेशा नमूना सुखाने के लिए एक नाइट्रोजन बंदूक का उपयोग करें। सतह तक दोहराएँ चरण 1.1.1 और 1.1.2 के कणों से मुक्त है। </li></ol></li><li> DyScO तीन उपचार - एनिलिंग <ol><li> एक क्वार्ट्ज नाव में साफ substrates के लोड और 1000 &amp; # पर एक साफ ट्यूब उन्हें ओवन में पानी रखना176, सी 4 घंटे के लिए ऑक्सीजन (150 मिलीलीटर / घंटा) बह में। </li><li> एक ऑप्टिकल माइक्रोस्कोप के साथ सतह की जाँच करें। गंदगी दिखाई दे रहा है, तो सतह को साफ करने के लिए कदम 1.1.2 में वर्णित प्रक्रिया का उपयोग करें। </li></ol></li><li> DyScO तीन उपचार - BHF से सतह roughening <ol><li> 40 एमएल विआयनीकृत (डीआई) पानी युक्त 100 मिलीलीटर बीकर में साफ substrates के विसर्जित कर दिया और 30 मिनट के लिए एक यूबी में जगह है। Substrates के ले जाने के लिए एक Teflon धारक का प्रयोग करें। </li><li> 40 एमएल डि पानी के साथ तीन HF के प्रतिरोधी 100 मिलीलीटर बीकर भरें। इथेनॉल के 40 मिलीलीटर के साथ एक 100 मिलीलीटर बीकर भरें। 40 एमएल 12.5% ​​बफर हाइड्रोजन फ्लोराइड के साथ एक HF के प्रतिरोधी बीकर भरें (: HF = 87.5: BHF, एनएच 4 एफ 12.5, पीएच = 5.5)। नोट: BHF एक बहुत ही खतरनाक एसिड है। उचित सावधानी से लिया जाना चाहिए। </li><li> BHF युक्त बीकर डि पानी के साथ बीकर से substrates के ले जाने Teflon धारक स्थानांतरण। 30 सेकंड के लिए यूबी में बीकर रखो। </li><li> एक HF प्रतिरोधी बीकर containi को Teflon धारक स्थानांतरणएनजी डि पानी और धीरे से ऊपर और नीचे धारक चलती है, 20 सेकंड के लिए विसर्जित कर दिया। पानी से भरे दो अन्य बीकर में इस दोहराएँ। बीकर युक्त इथेनॉल में नमूनों के साथ धारक छोड़ दें। </li><li> सभी BHF युक्त तरल के निपटान के। </li><li> एक नाइट्रोजन बंदूक का इस्तेमाल substrates के सूखी। एक ऑप्टिकल माइक्रोस्कोप के साथ सतह की जाँच करें। गंदगी दिखाई दे रहा है, तो चरण 1.1.2 दोहराएँ। </li></ol></li><li> DyScO तीन उपचार - NaOH के द्वारा चुनिंदा नक़्क़ाशी <ol><li> 40 एमएल 12 एम NaOH (AQ) के साथ एक 100 मिलीलीटर बीकर भरें। एक Teflon धारक का उपयोग कर नमूने को विसर्जित कर दिया और 30 मिनट के लिए एक यूबी में बीकर जगह है। </li><li> 40 एमएल 1 एम NaOH (AQ) युक्त एक 100 मिलीलीटर बीकर के लिए नमूने स्थानांतरण। 30 मिनट के लिए यूबी में डाल दिया। </li><li> डि पानी के साथ तीन beakers और इथेनॉल के साथ एक बीकर भरें। पानी के साथ और अंत में इथेनॉल के साथ बीकर में तीन बीकर में बाद में डुबो कर नमूने कुल्ला। एक नाइट्रोजन बंदूक का उपयोग कर नमूने सूखी। </li><li> एक ऑप्टिकल microsco के साथ सतह की जाँचकदम 1.1.2 में वर्णित प्रक्रिया का उपयोग कर, पीई और यदि आवश्यक हो तो साफ। DyScO 3 नमूने अकेले अब समाप्त कर रहे हैं। </li></ol></li><li> SrTiO तीन उपचार <ol><li> 1.3 चरण में वर्णित के रूप में BHF का उपयोग कर साफ substrates के खोदना। इस चरण में सिर्फ एक सतह roughening कदम के रूप में DyScO 3 के लिए प्रयोग किया जाता है, जबकि ध्यान दें कि, sro के चुनिंदा नक़्क़ाशी इस चरण में होता है। </li><li> 90 मिनट के लिए ऑक्सीजन (150 मिलीलीटर / घंटा) बह में 950 डिग्री सेल्सियस पर नमूने पानी रखना। SrTiO 3 नमूने अकेले अब समाप्त कर रहे हैं। कदम 1.1.2 में वर्णित प्रक्रिया का उपयोग कर, एक ऑप्टिकल माइक्रोस्कोप के साथ सतह की जाँच करें और यदि आवश्यक हो तो साफ। </li></ol></li></ol> मनमानी substrates पर 2. atomically परिभाषित टेम्पलेट्स <ol><li> सीए 2 की तैयारी नायब 3 ओ - 10 nanosheets <ol><li> 0.40 ग्राम / 100 एमएल के एक एकाग्रता के साथ डि पानी में HCA दो नायब 3 हे 10 पाउडर के फैलाव बनाओ और एक ऐडटेट्रा-Butyl अमोनियम हाइड्रॉक्साइड की equimolar राशि (TBAOH)। Ebina एट अल देखें। 23 ठोस राज्य KCA दो नायब 3 हे 10 पाउडर के संश्लेषण और उसके protonation के लिए HCA दो नायब 3 हे 10। नोट: TBAOH संक्षारक है; सभी समय पर दस्ताने पहनते हैं और देखभाल के साथ संभाल। </li><li> धीरे हाथ से बोतल मिलाने और 14 दिनों के लिए 30 हर्ट्ज पर एक कमाल प्रकार के बरतन पर क्षैतिज जगह है। धीरे-धीरे बोतल रोलिंग द्वारा वर्षा इन 14 दिनों के दौरान पांच से छह गुना पुनः फैलाने के। </li><li> 0.40 ग्राम / एल फैलाव पतला और धीरे इसे फिर से हिला। यह बड़े समुच्चय फैलाव के निचले भाग को व्यवस्थित जाने के क्रम में उपयोग करने से पहले कम से कम 24 घंटे के लिए खड़े हैं। नोट: बैच आकार की प्रक्रिया को प्रभावित कर सकता है। यहाँ, 100 मिलीग्राम और 500 मिलीग्राम की पतला बैचों की प्रारंभिक बैचों दोनों polypropylene के बोतलों में, किए गए थे। </li></ol></li><li> सीए 2 के बयान नायब 3 हे 10 nanosheets नोट: उपकरण और सॉफ्टवेयर उपज विभिन्न परिचालन सेटिंग्स के विभिन्न संस्करणों। सभी विकल्पों के लिए सेटअप के मैनुअल को देखें। <ol><li> डि पानी के साथ rinsing और प्रत्येक पक्ष के लिए कम से कम 3 मिनट के लिए उच्च ऊर्जा में ऑक्सीजन प्लाज्मा के साथ सफाई से Wilhelmy थाली साफ करें। तुरंत बाद डि पानी में Wilhelmy थाली स्टोर। नोट: कई बयानों क्रमिक किया जाता है, तो Wilhelmy थाली ऑक्सीजन प्लाज्मा हर समय के साथ इलाज करने की आवश्यकता नहीं है। </li><li> Langmuir-Blodgett गर्त और फिर डि पानी के साथ rinsing और नाइट्रोजन गैस के साथ सुखाने, डि पानी के साथ rinsing इथेनॉल के साथ brushing द्वारा दो बाधाओं को साफ करें। सेटअप कंपन के खिलाफ की रक्षा के लिए एक विरोधी कंपन मेज पर रख दिया गया है, और हवा और धूल से बहने के खिलाफ की रक्षा करने के लिए बयान के दौरान बंद कर दिया जा सकता है कि एक बॉक्स में है सुनिश्चित करें। </li><li> एक सिरिंज के साथ एक ताजा nanosheet फैलाव के ऊपरी हिस्से से 50 मिलीलीटर ले लो और धीरे धीरे गर्त में डाल दिया। सुनिश्चित करें कि गर्त के किनारों औरबाधाओं बूंदों के लिए स्वतंत्र हैं। नोट: एक बयान के लिए आवश्यक राशि गर्त के आकार पर निर्भर करता है। पानी की सतह बाधाओं को ठीक तरह से सतह सेक कर सकते हैं कि सुनिश्चित करने के लिए, गर्त के किनारों की तुलना में थोड़ा अधिक होना चाहिए। </li><li> 15 मिनट के लिए फैलाव आराम करने दो। </li><li> जलीय समाधान के साथ संगत एक मनमाना सब्सट्रेट चुनें और इसे ठीक से साफ। लेग सेटअप के धारक को सब्सट्रेट देते हैं और यह नाइट्रोजन गैस के साथ एक अंतिम झटका दे। नोट: atomically फ्लैट फिल्मों atomically फ्लैट substrates पर विकसित किया जा करने के लिए है कि मन में रखो। इस रिपोर्ट में उदाहरण डेटा 5 मिनट के लिए उच्च ऊर्जा पर 30 सेकंड और ऑक्सीजन प्लाज्मा के लिए, इथेनॉल के साथ सुपर सीओ 2 के एक जेट साफ कर रहे थे जो सिलिकॉन substrates के साथ प्राप्त किया गया। </li><li> सेटअप करने के लिए सब्सट्रेट धारक संलग्न। , Wilhelmy थाली ले लो गर्त में डुबकी और ध्यान से वसंत को देते हैं। कागज के एक टुकड़े के साथ थाली के तार से बूंदों निकालें। &lt;/ ली&gt; <li> यह nanosheet फैलाव की सतह को छूता है, जब तक सब्सट्रेट लोअर शून्य करने के लिए सॉफ्टवेयर में ऊंचाई निर्धारित करने और वांछित गहराई तक आगे सब्सट्रेट कम है। सब्सट्रेट धारक nanosheet फैलाव स्पर्श नहीं करता है कि सुनिश्चित करें। </li><li> शून्य करने के लिए सॉफ्टवेयर में सतह दबाव सेट और 15 मिनट के लिए फैलाव आराम करते हैं। 15 मिनट के बाद सतह दबाव आम तौर पर 1 करोड़ से 2 / एम पहुँचता है। बड़े विचलन निम्नलिखित बयान की खराब गुणवत्ता का संकेत हो सकता। </li><li> फिर से शून्य और 3.0 मिमी धीरे धीरे सतह सेक करने के लिए / मिनट की दर के साथ बाधाओं को ले जाकर बयान के पहले चरण शुरू करने के लिए सॉफ्टवेयर में सतह दबाव निर्धारित करें। सॉफ्टवेयर में लक्ष्य के दबाव के मूल्य में अच्छी तरह से कदम 2.2.10 (यानी, 20 करोड़ / मी) में उम्मीद की अधिकतम मूल्य से ऊपर है कि सुनिश्चित करें। </li><li> सतह के दबाव और सतह क्षेत्र के विकास की निगरानी। दबाव की वृद्धि काफी धीमा और दबाव approache रुको जब तकइसकी अधिकतम है। बाधाओं Wilhelmy थाली तक कभी नहीं सुनिश्चित करें। अधिकतम दबाव आम तौर पर 15.0-18.0 करोड़ / मी पहुँचता है, लेकिन यह एक पूर्ण और न ही एक निरंतर मूल्य के न होने की है। </li><li> लक्ष्य के दबाव के रूप में पहुंच गया मान दर्ज वास्तविक मूल्य को सप्तऋषि ऊंचाई निर्धारित करने और 1.0 मिमी / मिनट की दर से फैलाव से सब्सट्रेट वापस लेने के द्वारा बयान के दूसरे चरण शुरू करते हैं। सतह प्रेशर मॉनीटर। </li><li> बयान समाप्त हो गया है, जब डि पानी से कुल्ला और फिर डि पानी में स्टोर Wilhelmy थाली निकालें। </li><li> यह पूरी तरह से सूख गया है के बाद सब्सट्रेट निकालें। </li><li> बहुपरत बयान के लिए, पिछले परत से जैविक अवशेषों घुलना। इस 30 मिनट के लिए या 30 मिनट के लिए पराबैंगनी विकिरण से एक माइक्रोवेव ओवन में 600 डिग्री सेल्सियस के लिए हीटिंग द्वारा उदाहरण के लिए किया जा सकता है। कदम 2.2.2 से प्रोटोकॉल दोहराएँ, लेकिन नाइट्रोजन गैस का एक झटका के साथ अन्य की तुलना में सब्सट्रेट साफ नहीं है। </li></ol></li></ol>

<ol>
	<li>Schlom, D. G., Chen, L. -. Q., Pan, X., Schmehl, A., Zurbuchen, M. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+Thin+Film+Approach+to+Engineering+Functionality+into+Oxides.">A Thin Film Approach to Engineering Functionality into Oxides.</a> J. Am. Ceram. Soc. 91 (8), 2429-2454 (2008).</li><li>Schlom, D. G., Chen, L. -. Q., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Elastic+strain+engineering+of+ferroic+oxides.">Elastic strain engineering of ferroic oxides.</a> MRS Bulletin. 39 (2), 118-130 (2014).</li><li>Rijnders, G., Blank, D. H. A., Choi, J., Eom, C. -. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Enhanced+surface+diffusion+through+termination+conversion+during+epitaxial+SrRuO3+growth.">Enhanced surface diffusion through termination conversion during epitaxial SrRuO3 growth.</a> Appl. Phys. Lett. 84 (4), 505 (2004).</li><li>Bachelet, R., Sa&#769;nchez, F., Santiso, J., Munuera, C., Ocal, C., Fontcuberta, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Self-Assembly+of+SrTiO3+(001)+Chemical-Terminations:+A+Route+for+Oxide-Nanostructure+Fabrication+by+Selective+Growth.">Self-Assembly of SrTiO3 (001) Chemical-Terminations: A Route for Oxide-Nanostructure Fabrication by Selective Growth.</a> Chem. Mater. 21 (12), 2494-2498 (2009).</li><li>Kuiper, B., Blok, J. L., Zandvliet, H. J. W., Blank, D. H. A., Rijnders, G., Koster, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Self-organization+of+SrRuO3+nanowires+on+ordered+oxide+surface+terminations.">Self-organization of SrRuO3 nanowires on ordered oxide surface terminations.</a> MRS Communications. 1 (1), (2011).</li><li>Ocal, C., Fontcuberta, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Tailored+surfaces+of+perovskite+oxide+substrates+for+conducted+growth+of+thin+films.">Tailored surfaces of perovskite oxide substrates for conducted growth of thin films.</a> Chem Soc Rev. 43 (7), 2272-2285 (2014).</li><li>Kawasaki, M., Takahashi, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atomic+Control+of+the+SrTiO3+Crystal+Surface.">Atomic Control of the SrTiO3 Crystal Surface.</a> Science. 266 (5190), 1540-1542 (1994).</li><li>Koster, G., Kropman, B. L., Rijnders, G. J. H. M., Blank, D. H. A., Rogalla, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Quasi-ideal+strontium+titanate+crystal+surfaces+through+formation+of+strontium+hydroxide.">Quasi-ideal strontium titanate crystal surfaces through formation of strontium hydroxide.</a> Appl. Phys. Lett. 73, 2920 (1998).</li><li>Kleibeuker, J. E., Koster, G., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atomically+Defined+Rare-Earth+Scandate+Crystal+Surfaces.">Atomically Defined Rare-Earth Scandate Crystal Surfaces.</a> Adv. Funct. Mater. 20 (20), 3490-3496 (2010).</li><li>Kleibeuker, J. E., Kuiper, B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Structure+of+singly+terminated+polar+DyScO3+(110)+surfaces.">Structure of singly terminated polar DyScO3 (110) surfaces.</a> Physical Review B. 85, 165413 (2012).</li><li>Ma, R., Sasaki, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nanosheets+of+oxides+and+hydroxides:+Ultimate+2D+charge-bearing+functional+crystallites.">Nanosheets of oxides and hydroxides: Ultimate 2D charge-bearing functional crystallites.</a> Adv Mater. 22 (45), 5082-5104 (2010).</li><li>Shibata, T., Ohnishi, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Well-Controlled+Crystal+Growth+of+Zinc+Oxide+Films+on+Plastics+at+Room+Temperature+Using+2D+Nanosheet+Seed+Layer.">Well-Controlled Crystal Growth of Zinc Oxide Films on Plastics at Room Temperature Using 2D Nanosheet Seed Layer.</a> J. Phys. Chem. C. 113 (44), 19096-19101 (2009).</li><li>Shibata, T., Fukuda, K., Ebina, Y., Kogure, T., Sasaki, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=One-Nanometer-Thick+Seed+Layer+of+Unilamellar+Nanosheets+Promotes+Oriented+Growth+of+Oxide+Crystal+Films.">One-Nanometer-Thick Seed Layer of Unilamellar Nanosheets Promotes Oriented Growth of Oxide Crystal Films.</a> Adv Mater. 20 (2), 231-235 (2008).</li><li>Kikuta, K., Noda, K., Okumura, S., Yamaguchi, T., Hirano, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Orientation+control+of+perovskite+thin+films+on+glass+substrates+by+the+application+of+a+seed+layer+prepared+from+oxide+nanosheets.">Orientation control of perovskite thin films on glass substrates by the application of a seed layer prepared from oxide nanosheets.</a> J. Sol-Gel Sci. Technol. 42 (3), 381-387 (2007).</li><li>Nijland, M., Kumar, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Local+control+over+nucleation+of+epitaxial+thin+films+by+seed+layers+of+inorganic+nanosheets.">Local control over nucleation of epitaxial thin films by seed layers of inorganic nanosheets.</a> ACS Appl Mater Interfaces. 6 (4), 2777-2785 (2014).</li><li>Li, B., Osada, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Engineered+Interfaces+of+Artificial+Perovskite+Oxide+Superlattices+via+Nanosheet+Deposition+Process.">Engineered Interfaces of Artificial Perovskite Oxide Superlattices via Nanosheet Deposition Process.</a> ACS Nano. 4 (11), 6673-6680 (2010).</li><li>Osada, M., Akatsuka, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Robust+high-K+response+in+molecularly+thin+perovskite+nanosheets.">Robust high-K response in molecularly thin perovskite nanosheets.</a> ACS Nano. 4 (9), 5225-5232 (2010).</li><li>Li, B. -. W., Osada, M., Akatsuka, K., Ebina, Y., Ozawa, T. C., Sasaki, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-Based+Fabrication+of+Perovskite+Multilayers+and+Superlattices+Using+Nanosheet+Process.">Solution-Based Fabrication of Perovskite Multilayers and Superlattices Using Nanosheet Process.</a> Jpn. J. Appl. Phys. 50 (9), (2011).</li><li>Osada, M., Sasaki, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Exfoliated+oxide+nanosheets:+new+solution+to+nanoelectronics.">Exfoliated oxide nanosheets: new solution to nanoelectronics.</a> J. Mater. Chem. 19, 2503 (2009).</li><li>Geim, A., Novoselov, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+rise+of+graphene.">The rise of graphene.</a> Nat Mater. 6, 183-191 (2007).</li><li>Zhang, H., Loh, K. P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Surface+modification+studies+of+edge-oriented+molybdenum+sulfide+nanosheets.">Surface modification studies of edge-oriented molybdenum sulfide nanosheets.</a> Langmuir. 20 (16), 6914-6920 (2004).</li><li>Manga, K. K., Zhou, Y., Yan, Y., Loh, K. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Multilayer+Hybrid+Films+Consisting+of+Alternating+Graphene+and+Titania+Nanosheets+with+Ultrafast+Electron+Transfer+and+Photoconversion+Properties.">Multilayer Hybrid Films Consisting of Alternating Graphene and Titania Nanosheets with Ultrafast Electron Transfer and Photoconversion Properties.</a> Adv. Funct. Mater. 19 (22), 3638-3643 (2009).</li><li>Ebina, Y., Sasaki, T., Watanabe, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Study+on+exfoliation+of+layered+perovskite-type+niobates.">Study on exfoliation of layered perovskite-type niobates.</a> Solid State Ionics. 151 (1-4), 177-182 (2002).</li><li>Koster, G., Rijnders, G., Blank, D. H. A., Rogalla, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Surface+morphology+determined+by+(001)+single-crystal+SrTiO3termination.">Surface morphology determined by (001) single-crystal SrTiO3termination.</a> Physica C: Superconductivity. 339 (4), 215-230 (2000).</li><li>Kuiper, B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Size effects in epitaxial oxide thin films [PhD thesis]. , (2014).</li><li>Boschker, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Perovskite oxide heteroepitaxy [PhD thesis]. , (2011).</li></ol>

The authors declare that they have no competing financial interests.

सभी perovskite ऑक्साइड सब्सट्रेट उपचार का सबसे महत्वपूर्ण पहलू काम की सफाई है। Annealing के दौरान अवांछित प्रतिक्रियाओं आसानी से सतह को नुकसान पहुंचा सकता है, जबकि भूतल संदूषण, सब्सट्रेट के क्षेत्रों की एचिंग रोका जा सके। विभिन्न चरणों के आदेश के रूप में अच्छी तरह से महत्वपूर्ण है। पोस्ट-annealing के सब्सट्रेट की सतह के लिए थोक से अवांछित उप प्रसार करने के लिए सुराग के बाद से DyScO 3 के उपचार में, annealing के कदम, नक़्क़ाशी कदम से पहले किया जाना चाहिए। 12 एम NaOH समाधान में नक़्क़ाशी के बाद, एक 1 एम समाधान हमेशा सब्सट्रेट सतह पर डिस्प्रोसियम हाइड्रोक्साइड परिसरों की तेज़ी को रोकने के क्रम में इस्तेमाल किया जाना चाहिए। पानी में भिगोने SRO hydroxylize के क्रम में SrTiO तीन उपचार के लिए आवश्यक है। इस तरह, छोटी एचिंग टाइम्स के कारण अनियंत्रित एचिंग के लिए सतह के हानिकारक रोकता है जो इस्तेमाल किया जा सकता है। पानी में डुबो DyScO के मामले में एक वैकल्पिक कदम है <sub&gt; 3 उपचार। यह कदम बस मानकीकृत SrTiO तीन उपचार प्रक्रिया से नकल की है और इलाज में किसी भी महत्व है की उम्मीद नहीं है। annealing के चरणों सतह के स्फटिकता में सुधार के लिए आवश्यक हैं। DyScO 3 और SrTiO तीन उपचार के लिए संकेत दिया annealing के बार औसत पर, अच्छी तरह से परिभाषित कदम ledges के लिए कि नेतृत्व, बार कर रहे हैं। लेकिन, कभी कभी annealing के समय व्यापक छतों के साथ, यानी, एक कम miscut कोण के साथ substrates के लिए वृद्धि की जरूरत है। एक बढ़ा प्रसार लंबाई तो इष्टतम साइटों को खोजने के लिए सतह परमाणुओं के लिए आवश्यक है। SrTiO 3 के मामले में, एक बहुत लंबा annealing के समय सतह के लिए थोक से सीनियर परमाणुओं के अवांछित प्रसार का कारण बन सकता है। प्रतिनिधि परिणामों पर खंड में वर्णित के रूप में यह दूसरा समाप्ति, सीधे कदम किनारों और वर्ग छेद की उपस्थिति से सतह आकृति विज्ञान में मनाया जा सकता है। उस मामले में, सतह के उपचार गएक दोहराया जाना है, लेकिन अंतिम annealing के कदम 30 मिनट 26 के लिए 920 डिग्री सेल्सियस पर प्रदर्शन किया जाना चाहिए। इस प्रोटोकॉल में वर्णित विधि (001) SrTiO 3 और दुर्लभ पृथ्वी scandates के लिए सबसे सफल तरीके हैं, लेकिन केवल इन substrates के लिए लागू कर रहे हैं। हालांकि, अन्य substrates के लिए तरीकों का सटीक सतह के रसायन शास्त्र के लिए समायोजित किया जाना चाहिए। अन्य झुकाव के साथ substrates इस्तेमाल किया जाता है जब यह भी आवश्यक है, या बजाय बी-साइट समाप्ति के एक साइट वांछित है। मौजूदा उपचार का अवलोकन सांचेज़ एट अल। 6 और Schlom एट अल में पाया जा सकता है। 2 Nanosheets के बीज परतों के बारे में, इस प्रक्रिया के नाजुक हिस्सों को उच्च गुणवत्ता nanosheet dispersions प्राप्त करने के लिए और बयान के दौरान प्रदूषण को रोकने के लिए कर रहे हैं। भारी जैविक आयनों के अलावा द्वारा unilamellar nanosheets में एक स्तरित माता पिता के परिसर के delamination आसानी से होता है, लेकिन nanosheets कुल करने के लिए करते हैंफैलाव और इस तरह के समुच्चय में सजातीय monolayers के बयान में बाधा होगी। इसलिए, यह फैलाव के निचले हिस्से का उपयोग करने के लिए उपयोग करने से पहले और नहीं तो कम से कम 24 घंटे के लिए आराम से कम एक हौसले से पतला फैलाव को छोड़ने के लिए बहुत महत्वपूर्ण है। इस बड़े समुच्चय व्यवस्थित करने के लिए और फैलाव के ऊपरी भाग अपेक्षाकृत शुद्ध हो जाएगा के लिए समय छोड़ देता है। चल रहे एकत्रीकरण लगातार फैलाव नीचा दिखाना होगा के बाद से कमजोर पड़ने की सिफारिश की है, के बाद एक सप्ताह के भीतर का उपयोग करें। फैलाव मात्रा भर nanosheet एकाग्रता में होने वाली ढाल शेयर फैलाव से लिया मात्रा में स्थानीय nanosheet एकाग्रता पर निर्भर करता है, पौंड बयान के दौरान सतह दबाव मूल्यों में कुछ बदलाव का कारण बनता है कि कृपया ध्यान दें। इसके अलावा, लेग बयान सतह सक्रिय अणुओं पर आधारित है और इस तरह संदूषण और आंदोलन करने के लिए बहुत ही संवेदनशील है। सेटअप और Wilhelmy थाली की सावधानी से सफाई और सुरक्षा के एजी (अधिमानतः सफाई उपकरणों के साथ इस स्थापना के लिए ही समर्पित)ainst हवा बह रही है और कंपन बहुत महत्वपूर्ण हैं। लेग बयान से मनमाना substrates पर nanosheets का एक बीज परत बनाने की अवधारणा पतली फिल्म विकास के क्षेत्र में एक महत्वपूर्ण उपकरण है। nanosheets की atomically सही सतह सिद्धांत रूप में की उच्च गुणवत्ता epitaxial फिल्मों, जाली मापदंडों से मेल खाते के साथ किसी भी फिल्म सामग्री पैदावार। Nanosheets लगभग किसी भी सामग्री सब्सट्रेट पर जमा किया जा सकता है और इस तरह अन्य सामग्री अपेक्षाकृत महंगा है और आकार सीमित एकल क्रिस्टलीय substrates के बदल सकते हैं। लेग विधि आम तौर पर बयान electrophoretic या flocculation जैसे अन्य परम्परागत तकनीकों के द्वारा प्राप्त नहीं किया जा सकता है कि एक उच्च controllability साथ monolayers में बयान nanosheet सक्षम बनाता है। 11 बहरहाल, टोंटी बीज परत की पूर्णता की डिग्री में है। बड़े क्षेत्रों पर उच्च फिल्म गुणों कार्यात्मक उपकरणों में और तिथि करने के लिए विश्वसनीय आवेदन के लिए आवश्यक हैं, यह लक्ष्य प्राप्त नहीं किया गया है। साथ nanosheets जमा करने के लिएउनके में विमान अभिविन्यास नियंत्रित करने के लिए एक सही कवरेज और बेहतर भी क्षेत्र में मुख्य चुनौतियां हैं। फिर भी, कला की वर्तमान स्थिति पहले से ही अनुसंधान के क्षेत्र में एक महत्वपूर्ण उपकरण साबित हो गया है।

अनुसंधान के बहुत सारे epitaxial पतली फिल्मों और सामग्री की संरचना और संरचना ट्यूनिंग द्वारा प्राप्त किया जा सकता है कि क्योंकि कार्यात्मक संपत्तियों की व्यापक रेंज के जटिल आक्साइड के heterostructures पर किया जाता है। कारण कई विकास तकनीकों के विकास के लिए, आजकल यह रचनाओं और थोक में नहीं पहुँचा जा सकता है कि क्रिस्टलीय गुणों के साथ फिल्मों की एक बड़ी रेंज बनाने के लिए संभव है। एक साथ मिलकर इन सामग्रियों के गुण अत्यधिक anisotropic कर रहे हैं कि इस तथ्य के साथ, यह है कि बनाता है epitaxial में फिल्मों घटना और functionalities थोक में प्राप्त नहीं कर रहे हैं कि मनाया जाता है। इसके अलावा, epitaxial के तनाव और heterostructures के सृजन के नए या बढ़ाया गुण प्राप्त करने के लिए इस्तेमाल किया जा सकता है। 2 वांछित गुणों के साथ epitaxial फिल्मों और heterostructures विकसित करने के लिए आदेश में, अच्छी तरह से परिभाषित सतहों के साथ substrates के लिए आवश्यक हैं। सतह के रसायन शास्त्र या आकृति विज्ञान में स्थानीय मतभेद inhomogeneous एन का कारणफिल्म में अवांछित दोषों और अनाज की सीमाओं को जन्म देता है जो ucleation और विकास,। इसके अलावा, फिल्म और सब्सट्रेट के बीच इंटरफेस है, क्योंकि फिल्म की सीमित मोटाई के गुणों का निर्धारण करने में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। इस substrates के परमाणु स्तर पर चिकनी और सजातीय हैं कि आवश्यक हैं कि इसका मतलब है। इस कसौटी substrates के लिए स्वाभाविक रूप से जैसे अच्छी तरह से परिभाषित सतहों, अन्य जटिल आक्साइड की जरूरत नहीं है कि इस्तेमाल किया जाता है जब तक पहुंचने के लिए कठिन है। इस दृष्टिकोण से, perovskite आक्साइड सबसे अधिक अध्ययन सब्सट्रेट सामग्री में से एक हैं। Perovskite आक्साइड ए और बी धातु आयनों के लिए खड़े जिसमें सामान्य सूत्र एबीओ 3, द्वारा प्रतिनिधित्व किया जा सकता है। लगभग सभी धातुओं यह संभव विभिन्न substrates की एक विस्तृत श्रृंखला के निर्माण के लिए बनाता है, जो एक या बी साइट में शामिल किया जा सकता है। सब्सट्रेट सामग्री की चंचलता एप्लाइड epitaxial के तनाव एक ट्यूनिंग द्वारा यह धुन के शीर्ष पर हो फिल्म के गुणों के लिए एक की अनुमति देता हैइंटरफेस में संरचना होगी। हालांकि, इन substrates पर विकास की वजह से (001) उन्मुख substrates के में विशेष रूप से दिखाई देता है, जो perovskite सतह के अस्पष्ट प्रकृति के लिए सीधा नहीं है। (001) दिशा में, perovskites एओ और बो दो की परतों बारी के रूप में देखा जा सकता है। एक (001) उन्मुख सब्सट्रेट एक बड़ा क्रिस्टल से cleaving द्वारा किया जाता है, जब दोनों आक्साइड सतह पर मौजूद हैं। क्रिस्टल पूरी तरह से (001) विमान के साथ cleaved कभी नहीं है, अत: यह घटना। चित्रा 1 में दिखाया गया है, इकाई सेल ऊंचाई मतभेदों के साथ छतों से मिलकर एक सतह रूपों। हालांकि, आधे से एक इकाई सेल की ऊंचाई मतभेद सतह समाप्ति के दोनों प्रकार की उपस्थिति जो इंगित करता है, साथ ही मौजूद हैं। Perovskite ऑक्साइड फिल्मों के विकास के लिए विशेष रूप से दिखाया गया है, क्योंकि यह सजातीय गुणों के साथ एक सतत फिल्म बढ़ने के क्रम में ही समाप्त कर perovskite substrates के लिए महत्वपूर्ण है। समाप्ति विकास कश्मीर में एक बड़ा अंतर पैदा कर सकता हैinetics, गैर निरंतर फिल्मों के विकास के लिए 3 प्रमुख -। ए ओ-B&#39;O इंटरफेस बो-A&#39;O इंटरफेस से पूरी तरह से अलग गुण हो सकता है के बाद से 5 इसके अलावा, स्टैकिंग आदेश, पूरा फिल्म सब्सट्रेट इंटरफेस के पार समान होना चाहिए। 6 एक भी समाप्त कर perovskite ऑक्साइड सतह प्राप्त करने के लिए पहली सफल विधि SrTiO 3 (001) उन्मुख substrates के लिए विकसित किया गया था। कावासाकी एट अल। 7 बाद में Koster एट अल द्वारा ameliorated किया गया था जो एक गीला नक़्क़ाशी विधि, की शुरुआत की। 8 विधि बफर हाइड्रोजन फ्लोराइड में एक छोटी खोदना द्वारा पीछा किया, पानी में इस ऑक्साइड hydroxylating द्वारा अम्लीय नक़्क़ाशी की ओर SRO की संवेदनशीलता में वृद्धि के होते हैं (BHF)। स्फटिकता बढ़ाने के लिए इसके बाद annealing के एक atomically चिकनी सतह 2 मौजूद है केवल TiO थे पैदावार। बाद में, एकल समाप्त कर दुर्लभ पृथ्वी scandates प्राप्त करने के लिए एक विधि के द्वारा विकसित किया गया थाबुनियादी समाधान में scandates की तुलना में दुर्लभ पृथ्वी आक्साइड के उच्च घुलनशीलता इस्तेमाल करते हैं। इस विधि को विशेष रूप से DyScO तीन उन्मुख orthorhombic (110) के लिए वर्णित किया गया था, और यह पूरी तरह से scandate समाप्त कर सतहों प्राप्त करने के लिए संभव है कि दिखाया गया था। 3 और DyScO 3 substrates के इस में वर्णित हैं इन एकल समाप्त कर SrTiO प्राप्त करने के लिए 9,10 विधियों प्रोटोकॉल। एकल क्रिस्टलीय perovskite substrates के मूल्य है, वैकल्पिक रूप से, उपयुक्त क्रिस्टल संरचनाओं के बिना मनमाने ढंग से substrates के रूप में अच्छी तरह से epitaxial फिल्म विकास के लिए स्पष्ट किया जा सकता है। स्वयं द्वारा epitaxial फिल्म विकास के लिए अनुपयुक्त हैं कि substrates nanosheets की एक परत के साथ उन्हें कवर द्वारा उपयुक्त टेम्पलेट्स में बनाया जा सकता है। Nanosheets इस प्रकार वीं के epitaxial विकास को निर्देशित करने की क्षमता के अधिकारी कुछ नैनोमीटर की मोटाई और माइक्रोमीटर सीमा 11 में एक पार्श्व आकार के साथ, अनिवार्य रूप से दो-आयामी एकल क्रिस्टल होते हैं, औरफिल्मों में। एक मनमाना सब्सट्रेट पर nanosheets की एक परत जमा करके, एक बीज परत जाली मापदंडों से मेल खाते के साथ किसी भी फिल्म सामग्री के उन्मुख विकास के लिए बनाया जाता है। इस दृष्टिकोण का उन्मुख विकास के लिए सफल बताया गया है, उदाहरण के लिए जेडएनओ, 2 Tio, SrTiO 3, LaNiO 3, पंजाब (ZR, तिवारी) ओ 3 और SrRuO 3 12 - nanosheets, अपेक्षाकृत ऊंची कीमतों और आकार सीमाओं का उपयोग करके 15। नियमित एकल क्रिस्टलीय substrates के बचा जा सकता है और nanosheets लगभग किसी भी सामग्री सब्सट्रेट पर जमा किया जा सकता है। Nanosheets आम तौर पर माता पिता के परिसर के क्रिस्टल संरचना द्वारा निर्धारित उनके विशिष्ट मोटाई के साथ, अपने असतत परतों में एक स्तरित माता पिता के परिसर के delamination द्वारा प्राप्त कर रहे हैं। 11 Delamination जलीय वातावरण में प्राप्त किया जा सकता है भारी के साथ माता पिता के परिसर में interlayer के धातु आयनों का आदान प्रदान से संरचना का कारण बनता है जो जैविक आयनों,फूल और अंततः unilamellar nanosheets में delaminate करने के लिए। इस काउंटर का आरोप लगाया जैविक आयनों से घिरे रहे हैं आरोप लगाया है कि nanosheets की एक कोलाइडयन फैलाव में यह परिणाम है। Delamination प्रक्रिया का एक योजनाबद्ध प्रतिनिधित्व चित्रा 2 में दिखाया गया है कि वर्तमान प्रोटोकॉल में, सीए दो नायब 3 ओ - 10। Nanosheets एक मॉडल प्रणाली के रूप में इस्तेमाल किया गया है और इन perovskite माता पिता के परिसर HCA दो नायब 3 हे 10 से प्राप्त किया जा सकता है। CA दो नायब 3 ओ - 10 nanosheets SrTiO 3 के उन लोगों के लिए लगभग बराबर में विमान जाली पैरामीटर है और एक atomically चिकनी, एकल समाप्त कर सतह प्रदर्शित करते हैं। इसलिए, उच्च गुणवत्ता फिल्मों व्यक्ति nanosheets पर उगाया जा सकता है। Nanosheets की एक जलीय फैलाव प्राप्त हो जाने के बाद, वे Langmuir-Blodgett (पौंड) बयान से एक मनमाना सब्सट्रेट पर जमा किया जा सकता है। इस पद्धति का एक उच्च controllability साथ monolayers में nanosheet बयान में सक्षम बनाता है कि जीenerally electrophoretic बयान या flocculation जैसे अन्य पारंपरिक तकनीक से हासिल नहीं किया जा सकता है। nanosheets आसपास के 11 जैविक आयनों सतह सक्रिय अणु होते हैं और फैलाव की सतह के लिए फैलाना के लिए करते हैं, अस्थायी nanosheets की एक monolayer बनाने। इस monolayer के घने पैकिंग में संकुचित और एक मनमाना सब्सट्रेट पर जमा किया जा सकता है। बयान प्रक्रिया का एक योजनाबद्ध प्रतिनिधित्व 3 चित्र में दिखाया जाता है; 95% से अधिक की सतह कवरेज आम तौर पर 15 प्राप्त है - 18 और यह मुख्य रूप से nanosheets की stacking या किनारों अतिव्यापी बिना होता है। Multilayers दोहराया बयान के द्वारा प्राप्त किया जा सकता है। वर्तमान प्रोटोकॉल सीए दो नायब 3 हे 10 में - nanosheets एक मॉडल प्रणाली के रूप में इस्तेमाल किया गया, लेकिन epitaxial फिल्म विकास के लिए एक बीज परत के रूप में nanosheets का उपयोग करने के सिद्धांत और अधिक व्यापक रूप से लागू होता है। ऑक्साइड nanosheets अधिक प्राप्त हालांकिसाहित्य में बीज परतों के रूप में ध्यान, अवधारणा के रूप में अच्छी तरह से इस तरह के बी एन, GaAs, तीस दो, ZnS और MGB 2 के रूप में गैर-ऑक्साइड nanosheets के लिए बढ़ाया जा सकता है। Nanosheets उनके माता पिता के परिसर की संरचना के वारिस के बाद इसके अलावा, विभिन्न functionalities माता पिता संरचना के उचित डिजाइन द्वारा डाला जा सकता है। उन्मुख फिल्म के विकास के लिए बीज परत के रूप में उनके उपयोग के अलावा, nanosheets की एक विस्तृत विविधता मौलिक सामग्री के गुणों का अध्ययन कर रहा है और नई कार्यात्मक संरचनाओं इंजीनियरिंग में एक मूल्यवान उपकरण बॉक्स साबित हो गया है 11,19 -। 22 इस प्रोटोकॉल epitaxial विकास ऑक्साइड पतली फिल्मों के लिए टेम्पलेट्स के विभिन्न प्रकार प्राप्त करने के लिए प्रयोगात्मक प्रक्रियाओं को दर्शाता है। arbitrar पर nanosheet परतें - पूरी प्रक्रिया नायब सीए दो निर्माण करने के लिए 3 हे 10 अच्छी तरह से परिभाषित एकल समाप्त हुई तीन और DyScO 3 substrates के वर्णित हैं SrTiO, साथ ही प्रक्रिया प्राप्त करने के लिएsubstrates के वाई।

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="1701">
	<tbody>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:216px;">Name of Material/ Equipment</td>
			<td style="width:127px;">Company</td>
			<td style="width:119px;">Catalog Number</td>
			<td style="width:1239px;">Comments/Description</td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:216px;">tetra-n-butyl ammonium hydroxide (40 wt% aq)</td>
			<td style="width:127px;">Alfa Aesar</td>
			<td>L02809</td>
			<td>corrosive</td>
		</tr>
		<tr height="63">
			<td height="63" style="height:63px;width:216px;">Langmuir Blodgett setup (incl trough, barriers, Wilhelmy plate, frame etc)</td>
			<td style="width:127px;">KSV NIMA</td>
			<td>see catalogue behind link for multiple options</td>
			<td>http://www.ksvnima.com/file/brochures-2/ksvnimallbaccessoryandmodules 
			23-8-2013.pdf</td>
		</tr>
		<tr height="46">
			<td height="46" style="height:46px;width:216px;">Buffered hydrogen fluoride (NH4F:HF = 87.5:12.5)</td>
			<td style="width:127px;">Sigma Aldrich</td>
			<td align="right">40207</td>
			<td>Hazard statements: H301-H310-H314-H330, precautionary statements: P260-P280-P284-P301 + P310-P302 + P350-P305 + P351 + P338</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">NaOH (reagent grade)</td>
			<td style="width:127px;">Sigma Aldrich</td>
			<td>S5881&#160;</td>
			<td>Hazard statements: H290-H314, precautionary statements:&#160; P280-P305 + P351 + P338-P310 , product purchased as pellets, the 12 and 1 M solutions should be made from these pellets.</td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:216px;">Tube furnace (Barnstead 21100)</td>
			<td style="width:127px;">Sigma Aldrich</td>
			<td>Z229725</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:216px;">STO and DSO substrates</td>
			<td style="width:127px;">CrysTec GmbH, Germany</td>
			<td style="width:119px;">-</td>
			<td>www.crystec.de, size used 5 x 5 x 0.5 mm3</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

atomically defined templates for epitaxial growth of complex oxide thin films

Atomically परिभाषित सब्सट्रेट सतहों जटिल ऑक्साइड पतली फिल्मों का epitaxial विकास के लिए शर्त है। इस प्रोटोकॉल में, दो दृष्टिकोण इस तरह की सतहों में वर्णित हैं प्राप्त करने के लिए। पहले दृष्टिकोण ही समाप्त कर perovskite SrTiO 3 (001) और DyScO 3 (110) substrates की तैयारी है। एक annealing कदम सतह के चिकनाई बढ़ाने के लिए इस्तेमाल किया गया था, जबकि गीला नक़्क़ाशी, चुनिंदा दो संभव सतह समाप्ति के एक दूर करने के लिए इस्तेमाल किया गया था। जिसके परिणामस्वरूप ही समाप्त कर सतहों उच्च क्रिस्टलीय गुणवत्ता और सब्सट्रेट और फिल्म के बीच अच्छी तरह से परिभाषित इंटरफेस के साथ perovskite ऑक्साइड पतली फिल्मों की heteroepitaxial विकास के लिए अनुमति देते हैं। दूसरा दृष्टिकोण में, मनमाने ढंग से substrates पर epitaxial फिल्म विकास के लिए बीज परतों Langmuir-Blodgett (पौंड) nanosheets के बयान के द्वारा बनाया गया था। मॉडल प्रणाली सीए दो नायब रूप में 3 ओ - 10 nanosheets उनके स्तरित माता पिता के परिसर के delamination द्वारा तैयार इस्तेमाल किया गया,HCA दो नायब 3 हे 10। Nanosheets साथ बीज परत बनाने की एक प्रमुख लाभ अपेक्षाकृत महंगा है और आकार सीमित एकल क्रिस्टलीय substrates के लगभग किसी भी सब्सट्रेट सामग्री द्वारा प्रतिस्थापित किया जा सकता है।

Watch this Scientific Journal Video about Atomically Defined Templates for Epitaxial Growth of Complex Oxide Thin Films at JoVE.com

Atomically Defined Templates for Epitaxial Growth of Complex Oxide Thin Films

विभिन्न प्रक्रियाओं जटिल ऑक्साइड पतली फिल्मों का epitaxial विकास के लिए atomically परिभाषित टेम्पलेट्स तैयार करने के लिए रेखांकित कर रहे हैं। एकल क्रिस्टलीय SrTiO 3 (001) और DyScO 3 का रासायनिक उपचार (110) substrates के atomically चिकनी, एकल समाप्त कर सतहों प्राप्त करने के लिए प्रदर्शन किया गया। CA दो नायब 3 ओ - 10 nanosheets मनमाना substrates पर atomically परिभाषित टेम्पलेट्स बनाने के लिए इस्तेमाल किया गया।

परिसर ऑक्साइड फिल्मों की पतली epitaxial विकास के लिए atomically परिभाषित टेम्पलेट्स

Atomically defined substrate surfaces are prerequisite for the epitaxial growth of complex oxide thin films. In this protocol, two approaches to obtain ...

Research

JoVE Journal

Chemistry

Towards Biomimicking Wood: Fabricated Free-standing Films of Nanocellulose, Lignin, and a Synthetic Polycation

Nanocellulose, lignin की गढ़े मुक्त खड़े फिल्मों, और एक सिंथेटिक Polycation: Biomimicking लकड़ी की ओर

Woody materials are comprised of plant cell walls that contain a layered secondary cell wall composed of structural polymers of polysaccharides and ...

Reductive Electropolymerization of a Vinyl-containing Poly-pyridyl Complex on Glassy Carbon and Fluorine-doped Tin Oxide Electrodes

बेजान कार्बन और फ्लोरीन-डाल दिया गया टिन ऑक्साइड इलेक्ट्रोड पर एक विनील युक्त पाली pyridyl परिसर की reductive Electropolymerization

Controllable electrode surface modification is important in a number of fields, especially those with solar fuels applications. Electropolymerization is ...

Cooling Rate Dependent Ellipsometry Measurements to Determine the Dynamics of Thin Glassy Films

दर निर्भर ellipsometry माप शीतलक पतला ग्लासी फिल्म्स की गतिशीलता निर्धारित करने के लिए

This report aims to fully describe the experimental technique of using ellipsometry for cooling rate dependent Tg (CR-Tg) experiments. These measurements ...

Preparation of Macroporous Epitaxial Quartz Films on Silicon by Chemical Solution Deposition

रासायनिक समाधान बयान से सिलिकॉन पर Macroporous Epitaxial क्वार्ट्ज फिल्म्स की तैयारी

This work describes the detailed protocol for preparing piezoelectric macroporous epitaxial quartz films on silicon(100) substrates. This is a three-step ...

Photochemical Oxidative Growth of Iridium Oxide Nanoparticles on CdSe@CdS Nanorods

पर सीडीएसई @ सीडीएस Nanorods इरिडियम आक्साइड नैनोकणों के प्रकाश रासायनिक ऑक्सीडेटिव विकास

We demonstrate a procedure for the photochemical oxidative growth of iridium oxide catalysts on the surface of seeded cadmium selenide-cadmium sulfide ...

Epitaxial Growth of Perovskite Strontium Titanate on Germanium via Atomic Layer Deposition

जर्मेनियम पर perovskite स्ट्रोंटियम titanate की epitaxial विकास परमाणु परत बयान के माध्यम से

Atomic layer deposition (ALD) is a commercially utilized deposition method for electronic materials. ALD growth of thin films offers thickness control and ...

Synthesis of a Water-soluble Metal&#8211;Organic Complex Array

Synthesis of a Water-soluble MetalÃƒÆ’Ã‚Â¢ÃƒÂ¢Ã¢â‚¬Å¡Ã‚Â¬ÃƒÂ¢Ã¢â€šÂ¬Ã…â€œOrganic Complex Array

एक पानी में घुलनशील धातु कार्बनिक जटिल सरणी के संश्लेषण

We demonstrate a method for the synthesis of a water-soluble multimetallic peptidic array containing a predetermined sequence of metal centers such as ...

Capillary Electrophoresis to Monitor Peptide Grafting onto Chitosan Films in Real Time

केशिका वैद्युतकणसंचलन रीयल टाइम में chitosan फिल्में पर पेप्टाइड ग्राफ्टिंग नजर रखने के लिए

Free-solution capillary electrophoresis (CE) separates analytes, generally charged compounds in solution through the application of an electric field. ...

Solution-Processed "Silver-Bismuth-Iodine" Ternary Thin Films for Lead-Free Photovoltaic Absorbers

समाधान-प्रसंस्कृत "सिल्वर-विस्मुट-आयोडीन" सीसा-मुक्त फोटोवोल्टिक अवशोषक के लिए त्रिगुट पतली फिल्मों

Bismuth-based hybrid perovskites are regarded as promising photo-active semiconductors for environment-friendly and air-stable solar cell applications. ...

Molten-Salt Synthesis of Complex Metal Oxide Nanoparticles

पिघला हुआ-जटिल धातु ऑक्साइड नैनोकणों के नमक संश्लेषण

The development of feasible synthesis methods is critical for the successful exploration of novel properties and potential applications of nanomaterials. ...