Name: synthesis and characterization of high c-axis zno thin film by plasma enhanced chemical vapor deposition system and its uv photodetector application
Uploaded: 2015-10-03T14:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Synthesis and Characterization of High c-axis ZnO Thin Film by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System and its UV Photodetector Application at JoVE.c

Questo lavoro è stato sostenuto finanziariamente della dal Ministero della Scienza e della Tecnologia e il National Science Council di Repubblica di Cina (nn contratto. NSC 101-2221-E-027-042 e 101-2622 NSC-E-027-003-CC2). DH Wei grazie alla nazionale di Taipei University of Technology (TAIPEI TECH) per il Dr. Shechtman Premio Award.

1. Preparazione del supporto e pulizia <ol><li> Tagliare 10 mm x 10 mm substrati di silicio da Si (100) wafer. </li><li> Tagliare 10 mm x 10 mm substrati di vetro. </li><li> Utilizzare ultrasuoni per pulire i substrati di silicio e vetro con acetone per 10 min, alcool per 10 minuti, e poi isopropanolo per 15 min. </li><li> Sciacquare i substrati con acqua deionizzata (DI) tre volte. </li><li> Blow-asciugare i supporti con una pistola di azoto. </li></ol> 2. DEZn preparazione e conservazione <...

<ol>
	<li>Choppali, U., Kougianos, E., Mohanty, S. P., Gorman, B. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Influence+of+annealing+on+polymeric+derived+ZnO+thin+films+on+sapphire.">Influence of annealing on polymeric derived ZnO thin films on sapphire.</a> Thin Solid Films. 545, 466-470 (2013).</li><li>Bedia, F. Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Effect+of+tin+doping+on+optical+properties+of+nanostructured+ZnO+thin+films+grown+by+spray+pyrolysis+technique.">Effect of tin doping on optical properties of nanostructured ZnO thin films grown by spray pyrolysis technique.</a> J. Alloy. Compd. 616, 312-318 (2014).</li><li>Liu, W. S., Wu, S. Y., Hung, C. Y., Tseng, C. H., Chang, Y. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improving+the+optoelectronic+properties+of+gallium+ZnO+transparent+conductive+thin+films+through+titanium+doping.">Improving the optoelectronic properties of gallium ZnO transparent conductive thin films through titanium doping.</a> J. Alloy. Compd. 616, 268-274 (2014).</li><li>Baik, K. H., Kim, H., Kim, J., Jung, S., Jang, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nonpolar+light+emitting+diode+with+sharp+near-ultraviolet+emissions+using+hydrothermally+grown+ZnO+on+p-GaN.">Nonpolar light emitting diode with sharp near-ultraviolet emissions using hydrothermally grown ZnO on p-GaN.</a> Appl. Phys. Lett. 103, 091107 (2013).</li><li>Han, S. J., Huang, W., Shi, W., Yu, J. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Performance+improvement+of+organic+field-effect+transistor+ammonia+gas+sensor+using+ZnO/PMMA+hybrid+as+dielectric+layer.">Performance improvement of organic field-effect transistor ammonia gas sensor using ZnO/PMMA hybrid as dielectric layer.</a> Sens Actuator B-Chem. 203, 9-16 (2014).</li><li>Chizhov, A. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Visible+light+activated+room+temperature+gas+sensors+based+on+nanocrystalline+ZnO+sensitized+with+CdSe+quantum+dots.">Visible light activated room temperature gas sensors based on nanocrystalline ZnO sensitized with CdSe quantum dots.</a> Sens Actuator B-Chem. 205, 305-312 (2014).</li><li>Li, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Effects+of+substrate+on+the+structural,+electric+and+optical+properties+of+Al-doped+ZnO+films+prepared+by+radio+frequency+magnetron+sputtering.">Effects of substrate on the structural, electric and optical properties of Al-doped ZnO films prepared by radio frequency magnetron sputtering.</a> Thin Solid Films. 517, 3265-3268 (2009).</li><li>Ellmer, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Resistivity+of+polycrystalline+zinc+oxide+films:+current+status+and+physical+limit.">Resistivity of polycrystalline zinc oxide films: current status and physical limit.</a> J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 3097 (2001).</li><li>Wang, F. G., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=optical+and+electrical+properties+of+Hf-doped+ZnO+transparent+conducting+films+prepared+by+sol-gel+method.">optical and electrical properties of Hf-doped ZnO transparent conducting films prepared by sol-gel method.</a> J. Alloy. Compd. 623, 290-297 (2015).</li><li>Senay, V., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=ZnO+thin+film+synthesis+by+reactive+radio+frequency+magnetron+sputtering.">ZnO thin film synthesis by reactive radio frequency magnetron sputtering.</a> Appl. Surf. Sci. 318, 2-5 (2014).</li><li>Chi, P. W., Su, C. W., Jhuo, B. H., Wei, D. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Photoirradiation+caused+controllable+wettability+switching+of+sputtered+highly+aligned+c-axis-oriented+zinc+oxide+columnar+films.">Photoirradiation caused controllable wettability switching of sputtered highly aligned c-axis-oriented zinc oxide columnar films.</a> Int. J. Photoenergy. 2014, 765209 (2014).</li><li>Jamal, R. K., Hameed, M. A., Adem, K. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optical+properties+of+nanostructured+ZnO+prepared+by+a+pulsed+laser+deposition+technique.">Optical properties of nanostructured ZnO prepared by a pulsed laser deposition technique.</a> Mater. Lett. 132, 31-33 (2014).</li><li>Kobayashi, T., Nakada, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Effects+of+post-deposition+on+transparent+conductingZnO:B+thin+films+grown+by+MOCVD.">Effects of post-deposition on transparent conductingZnO:B thin films grown by MOCVD.</a> Jpn. J. Appl. Phys. 53, 05FA03 (2014).</li><li>Chao, C. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Postannealing+effect+at+various+gas+ambients+on+ohmic+contacts+of+Pt/ZnO+nanobilayers+toward+ultraviolet+photodetectors.">Postannealing effect at various gas ambients on ohmic contacts of Pt/ZnO nanobilayers toward ultraviolet photodetectors.</a> Int. J. Photoenergy. 2013, 372869-1155 (2013).</li><li>Barankin, M. D., Gonzalez II, E., Ladwig, A. M., Hicks, R. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Plasma-enhanced+chemical+vapor+deposition+of+zinc+oxide+at+atmospheric+pressure+and+low+temperature.">Plasma-enhanced chemical vapor deposition of zinc oxide at atmospheric pressure and low temperature.</a> 91, 924-930 (2007).</li><li>Fons, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Uniaxial+locked+epitaxy+of+ZnO+on+the+&#945;+face+of+sapphire.">Uniaxial locked epitaxy of ZnO on the &#945; face of sapphire.</a> Appl. Phys. Lett. 77, 1801 (2000).</li><li>Ko, H. J., Chen, Y., Hong, S. K., Yao, T. a. k. a. f. u. m. i. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=MBE+growth+of+high-quality+ZnO+films+on+epi-GaN.">MBE growth of high-quality ZnO films on epi-GaN.</a> J. Cryst. Growth. 209, 816-821 (2000).</li><li>Park, D. J., Lee, J. Y., Park, T. E., Kim, Y. Y., Cho, H. K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improved+microstructural+properties+of+a+ZnO+thin+film+using+a+buffer+layer+in-situ+annealed+in+argon+ambient.">Improved microstructural properties of a ZnO thin film using a buffer layer in-situ annealed in argon ambient.</a> Thin Solid Films. 515, 6721-6725 (2000).</li><li>Kim, M. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nitrogen-passivation+effects+of+Si+substrates+on+the+properties+of+ZnO+epitaxial+layers+grown+by+using+plasma-assisted+molecular+beam+epitaxy.">Nitrogen-passivation effects of Si substrates on the properties of ZnO epitaxial layers grown by using plasma-assisted molecular beam epitaxy.</a> J. Korean Phys. Soc. 56, 827-831 (2010).</li><li>Li, G. M., Zhang, J. W., Hou, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Temperature+dependence+of+performance+of+ZnO-based+metal-semiconductor-metal+ultraviolet+photodetectors.">Temperature dependence of performance of ZnO-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors.</a> Sens. Actuator A-Phys. 209, 149-153 (2014).</li><li>Wang, X. F., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=superhigh+gain+visible-blind+UV+detector+and+optical+logic+gates+based+on+nonpolar+a-axial+GaN+nanowire.">superhigh gain visible-blind UV detector and optical logic gates based on nonpolar a-axial GaN nanowire.</a> Nanoscale. 6, 12009-12017 (2014).</li><li>Inamdar, S. I., Rajpure, K. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-performance+metal-semiconductor-metal+UV+photodetector+based+on+spray+deposited+ZnO+thin+films.">High-performance metal-semiconductor-metal UV photodetector based on spray deposited ZnO thin films.</a> J. Alloy. Compd. 595, 55-59 (2014).</li><li>Tian, C. G., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Effects+of+continuous+annealing+on+the+performance+of+ZnO+based+metal-semiconductor-metal+ultraviolet+photodetectors.">Effects of continuous annealing on the performance of ZnO based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors.</a> Mater. Sci. Eng. B-Adv. Funct.Solid-State Mater. 184, 67-71 (2014).</li><li>Chen, H. Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Realization+of+a+self-powered+ZnO+MSM+UV+photodetector+with+high+responsivity+using+an+asymmetric+pair+of+Au+electrodes.">Realization of a self-powered ZnO MSM UV photodetector with high responsivity using an asymmetric pair of Au electrodes.</a> J. Mater. Chem. C. 2, 9689-9694 (2014).</li><li>Subramanyam, T. K., Srinivasulu Naidu, ., S, S., Uthanna, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Effect+of+substrate+temperature+on+the+physical+properties+of+DC+reactive+magnetron+sputtered+ZnO+films.">Effect of substrate temperature on the physical properties of DC reactive magnetron sputtered ZnO films.</a> Opt. Mater. 13, 239-247 (1999).</li><li>Iwanaga, H., Kunishige, A., Takeuchi, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Anisotropic+thermal+expansion+in+wurtzite-type+crystals.">Anisotropic thermal expansion in wurtzite-type crystals.</a> J. Mater. Sci. 35, 2451-2454 (2000).</li><li>Okaji, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Absolute+thermal+expansion+measurements+of+single-crystal+silicon+in+the+range+300-1300+K+with+an+interferometric+dilatometer.">Absolute thermal expansion measurements of single-crystal silicon in the range 300-1300 K with an interferometric dilatometer.</a> Int. J. Thermophys. 9, 1101-1109 (1988).</li><li>Pearse, R. W. B., Lichtenberg, A. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> The identification of molecular spectra. , (1976).</li><li>Chao, C. H., Wei, D. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+of+non-polar+ZnO+thin+films+with+different+working+pressures+by+plasma+enhanced+chemical+vapor+deposition.">Growth of non-polar ZnO thin films with different working pressures by plasma enhanced chemical vapor deposition.</a> Jpn. J. Appl. Phys. 53, 11RA05 (2014).</li><li>Lin, B., Fu, Z., Green Jia, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=luminescent+center+in+undoped+zinc+oxide+films+deposited+on+silicon+substrate.">luminescent center in undoped zinc oxide films deposited on silicon substrate.</a> Appl. Phys. Lett. 79, 943-945 (2001).</li><li>Koida, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Radiative+and+nonradiative+excitonic+transitions+in+nonpolar+(110)+and+polar+(000)+and+(0001)+ZnO+epilayers.">Radiative and nonradiative excitonic transitions in nonpolar (110) and polar (000) and (0001) ZnO epilayers.</a> Appl. Phys. Lett. 84 (110), 1079 (2004).</li></ol>

Passaggi critici e modifiche Nella fase 1, i substrati devono essere puliti e passi 1,3-1,5 seguire per fare in modo che non ci sia grasso o contaminazioni organiche ed inorganiche sui substrati. Qualsiasi grasso o contaminazioni organici e inorganici sulla superficie del substrato ridurrà significativamente l&#39;adesione del film. Fase 2 è la procedura più importante prima del processo di preparazione del film ZnO. DEZn è molto tossico e reagisce violenteme...

ZnO è un wide-band-gap materiale semiconduttore funzionale promettente grazie alle sue proprietà uniche come l&#39;elevata stabilità chimica, a basso costo, atossicità, a bassa soglia di potenza per il pompaggio ottico, larga banda proibita diretta (3,37 eV) a temperatura ambiente e grandi eccitonico energia di ~ 60 meV 1-2 vincolante. Recentemente, film sottili ZnO sono stati impiegati in molti campi di applicazione contenenti ossido conduttivo (TCO) pellicole trasparenti, dispositivi emettitori di luce blu, transistori ad effetto di campo, e sensori di gas 3-6. D&#39;altra parte, ZnO è un materiale candidato per sostituire ossido di stagno indio (ITO) a causa di indio e stagno essendo raro e costoso. Inoltre, ZnO possiede alta trasmissione ottica nella regione di lunghezza d&#39;onda visibile e bassa resistività rispetto ITO film 7-8. Pertanto, fabbricazione, caratterizzazione e applicazione di ZnO è stato ampiamente riportato. Questo studio si concentra sulla sintesi (0002) ZnO film sottili di alta c -axis da un semplice und efficace metodo e la sua applicazione pratica verso una cellula fotoelettrica UV. Le recenti scoperte rapporto di ricerca indicano che la ZnO film sottile di alta qualità può essere sintetizzato mediante varie tecniche, come metodo sol-gel, magnetron sputtering a radiofrequenza, metallo organico deposizione di vapore chimico (MOCVD), e così via 9-14. Ogni tecnica ha i suoi vantaggi e svantaggi. Ad esempio, un vantaggio principale di deposizione sputtering è che i materiali bersaglio con molto elevato punto di fusione sono facilmente atomizzate sul substrato. Al contrario, il processo di sputtering è difficile combinare con un lift-off per strutturare il film. Nel nostro studio, il sistema potenziato a plasma chemical vapor deposition (PECVD) è stato impiegato per sintetizzare alta qualità c -axis film sottili ZnO. Bombardamento plasma è un fattore chiave nel processo di sintesi che può aumentare la densità di film sottile e migliorare la velocità di reazione di decomposizione di ioni 15. InInoltre, il tasso di crescita elevata e di grande superficie uniforme deposizione sono altri vantaggi distintivi per tecnica PECVD. Fatta eccezione per la tecnica di sintesi, la buona adesione sul substrato è un altro problema considerato. In molti studi, lo zaffiro c -Plane è stato ampiamente utilizzato come substrato per sintetizzare alta c -axis film sottili ZnO perché il ZnO e zaffiro hanno la stessa struttura reticolo esagonale. Tuttavia, la ZnO è stato sintetizzato su substrato di zaffiro esibendo morfologia superficiale ruvida e alte concentrazioni residue carrier (difetto relative) a causa delle grandi disadattati reticolari tra ZnO e c -Plane zaffiro (18%) orientate nella direzione 16 in piano. Rispetto al substrato di zaffiro, un wafer di Si è ampiamente usato un altro substrato per la sintesi ZnO. Wafer di Si sono stati ampiamente utilizzati nel settore dei semiconduttori; e quindi, la crescita di film sottili ZnO alta qualità su substrati di Si è molto importante e necessario. Purtroppo, la struttura cristallina e il coefficiente di espansione termica tra il ZnO e Si sono ovviamente diverse conseguente deterioramento della qualità di cristallo. Negli ultimi dieci anni, sono stati fatti notevoli sforzi per migliorare la qualità di film sottili su substrati di Si ZnO utilizzando vari metodi tra ZnO strati tampone 17, ricottura in atmosfera di gas diversi 18, e passivazione del substrato superficiale di Si 19. Il presente studio ha offerto con successo un metodo semplice ed efficace per sintetizzare alta c -axis ZnO film sottile su substrati di Si, senza strato tampone o pre-trattamento. I risultati dell&#39;esperimento è emerso che i film sottili ZnO sintetizzati sotto la temperatura di crescita ottimale mostrato il cristallo e buona qualità ottiche. La struttura cristallina, la composizione del plasma RF, morfologia superficiale e le proprietà ottiche di film sottili ZnO sono stati studiati mediante diffrazione di raggi X (XRD), spettroscopia di emissione ottica (OES), Field Emission scAnning microscopia elettronica (FE-SEM), e RT fotoluminescenza (PL) spettri rispettivamente. Inoltre, la trasmissione di film sottili ZnO è stato confermato anche e segnalato. Il film sottile ZnO come per sintesi servito come uno strato di rilevamento per l&#39;applicazione fotorivelatore UV è stata studiata anche in questo studio. Il rivelatore fotoelettrico UV ha grandi potenziali applicazioni nel monitoraggio UV, interruttore ottico, allarme fiamma, e il sistema di riscaldamento del missile 20-21. Ci sono molti tipi di fotorivelatori che sono state effettuate come modalità negativa intrinseco positivo (pin) e metallo-semiconduttore-metallo (MSM) strutture compreso il contatto ohmico e Schottky contatto. Ogni tipo ha i suoi vantaggi e svantaggi. Attualmente, le strutture fotorivelatori MSM hanno attirato l&#39;interesse intenso a causa della loro eccezionali prestazioni in responsività, l&#39;affidabilità e la risposta e il tempo di recupero 22-24. I risultati qui presentati dimostrano che la modalità di contatto ohmico MSM è stato impiegatofabbricare ZnO film sottile cellula fotoelettrica UV based. Tale tipo di fotorivelatore rivela in genere una buona responsività e affidabilità, indicando che l&#39;alta c -axis ZnO film sottile è uno strato di rilevamento adatto per fotorivelatore UV.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0">
	<tbody>
		<tr>
			<td>RF power supply</td>
			<td>ADVANCED ENERGY</td>
			<td>RFX-600</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Butterfly valve</td>
			<td>MKS</td>
			<td>253B-1-40-1</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Mass flow conctroller</td>
			<td>PROTEC INSTRUMENTS</td>
			<td>PC-540</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Pressure conctroller</td>
			<td>MKS</td>
			<td>600 series&#160;</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Heater</td>
			<td>UPGRADE INSTRUMENT CO.</td>
			<td>UI-TC 3001</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sputter gun</td>
			<td>AJA INTERNATIONAL</td>
			<td>A320-HA</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>DEZn 1.5M</td>
			<td>ACROS ORGANIC USA, New Jersey</td>
			<td></td>
			<td>also called Diethylzinc (C2H5)2Zn</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Spin coater&#160;</td>
			<td>SWIENCO</td>
			<td>PW - 490</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>I-V measurement</td>
			<td>Keithley</td>
			<td>Model: 2400</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Photocondutive measurement&#160;</td>
			<td>Home-built</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>UV light sourse</td>
			<td>Panasonic</td>
			<td>ANUJ 6160</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Mask aligner</td>
			<td>Karl Suss</td>
			<td>MJB4</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Photoresist</td>
			<td>Shipley a Rohm &#38; Haas company</td>
			<td>S1813</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Developer</td>
			<td>Shipley a Rohm &#38; Haas company</td>
			<td>MF319</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Silicon wafer</td>
			<td>E-Light Technology Inc</td>
			<td>12/0801</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Glass substrate</td>
			<td>CORNING</td>
			<td>1737</td>
			<td>P-type / Boron</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

synthesis and characterization of high c-axis zno thin film by plasma enhanced chemical vapor deposition system and its uv photodetector application

In questo studio, l&#39;ossido di zinco (ZnO) film sottili con alta c -axis (0002) orientamento preferenziale sono stati correttamente ed efficacemente sintetizzato su silicio (Si) substrati con diverse temperature sintetizzati utilizzando plasma maggiore deposizione di vapore chimico sistema (PECVD). Gli effetti di diverse temperature di sintesi sulla struttura cristallina, morfologie di superficie e proprietà ottiche sono stati indagati. La diffrazione dei raggi X (XRD) modelli indicato che l&#39;intensità del picco (0002) diffrazione divenne più forte con l&#39;aumentare della temperatura sintetizzato fino 400 ° C. L&#39;intensità di diffrazione di (0002) di picco è diventato gradualmente più debole di accompagnamento con l&#39;apparenza di (10-10) di picco di diffrazione quando la temperatura sintetizzato fino all&#39;eccesso di 400 ° C. La RT fotoluminescenza (PL) spettri mostrato un forte nei pressi di banda-edge (NBE) emissione osservata a circa 375 nm e un trascurabile livello profondo (DL) emissione situato a circa 575 nm under alta c -axis ZnO film sottili. Campo microscopia elettronica a scansione emissione (FE-SEM) immagini hanno rivelato la superficie omogenea e con una distribuzione di piccole dimensioni del grano. I film sottili ZnO sono stati sintetizzati su substrati di vetro sotto gli stessi parametri di misurazione della trasmittanza. Ai fini dell&#39;applicazione ultravioletta (UV) fotorivelatore, il platino interdigitata (Pt) film sottile (spessore ~ ​​100 nm) fabbricato via convenzionale processo di litografia ottica e frequenza radio (RF) magnetron sputtering. Per raggiungere il contatto ohmico, il dispositivo è stato ricotto in circostanze argon a 450 o C per sistema rapido ricottura termica (RTA) per 10 min. Dopo le misurazioni sistematiche, la corrente-tensione (I - V) Curva di foto e risultati di risposta fotocorrente corrente e tempo-dipendente scuri esibito un buon responsività e affidabilità, indicando che l&#39;alta c -axis ZnO film sottile è uno strato di rilevamento adattoper l&#39;applicazione fotorivelatore UV.

Il ZnO (0002) film sottili con alta c -axis orientamento preferenziale sono stati sintetizzati con successo sui substrati di Si utilizzando il sistema PECVD. L&#39;anidride carbonica (CO 2) e la dietilzinco (DEZn) sono stati utilizzati come precursori di ossigeno e zinco, rispettivamente. La struttura cristallina di film sottili ZnO è stato caratterizzato da diffrazione dei raggi X (figura 4), ​​indicando che il film sottile ZnO sintetizzato a 400 ° C con la più for...

Watch this Scientific Journal Video about Synthesis and Characterization of High c-axis ZnO Thin Film by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System and its UV Photodetector Application at JoVE.c

Synthesis and Characterization of High c-axis ZnO Thin Film by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System and its UV Photodetector Application

We offered a method to directly synthesize high c-axis (0002) ZnO thin film by plasma enhanced chemical vapor deposition. The as-synthesized ZnO thin film combined with Pt interdigitated electrode was used as sensing layer for ultraviolet photodetector, showing a high performance through a combination of its good responsivity and reliability.

Sintesi e caratterizzazione di alta c-asse ZnO film sottile da potenziato a plasma Chemical Vapor Deposition del sistema e la sua applicazione Rilevatori UV

In this study, zinc oxide (ZnO) thin films with high c-axis (0002) preferential orientation have been successfully and effectively synthesized onto ...

Research

JoVE Journal

Engineering

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

Celle in silicio policristallino solari a film sottile con plasmoniche-enhanced Light-trapping

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Ricerca

Ingegneria

Encapsulation and Permeability Characteristics of Plasma Polymerized Hollow Particles

Caratteristiche di incapsulamento e di permeabilità di plasma particelle polimerizzate Hollow

In this protocol, core-shell nanostructures are synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition. We produce an amorphous barrier by plasma ...

Nanomoulding of Functional Materials, a Versatile Complementary Pattern Replication Method to Nanoimprinting

Nanomoulding di materiali funzionali, un modello versatile complementare replica Metodo di nanoimprinting

We describe a nanomoulding technique which  allows low-cost nanoscale patterning of functional materials, materials stacks  and full devices. Nanomoulding ...

Synthesis and Microdiffraction at Extreme Pressures and Temperatures

Sintesi e microdiffrazione a pressioni e temperature estreme

High pressure compounds and polymorphs are investigated for a broad range of purposes such as determine structures and processes of deep planetary ...

Making Record-efficiency SnS Solar Cells by Thermal Evaporation and Atomic Layer Deposition

Rendere record efficienza SnS celle solari per evaporazione termica e Atomic Layer Deposition

Tin sulfide (SnS) is a candidate absorber material for Earth-abundant, non-toxic solar cells. SnS offers easy phase control and rapid growth by congruent ...

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells

In Situ Monitoring of the Accelerated Performance Degradation of Solar Cells and Modules: A Case Study for CuIn,GaSe2 Solar Cells

In Situ Monitoraggio del degrado prestazioni accelerate di celle e moduli solari: un caso di studio per le celle solari di Cu (In, Ga) Se2

The levelized cost of electricity (LCOE) of photovoltaic (PV) systems is determined by, among other factors, the PV module reliability. Better prediction ...

Well-aligned Vertically Oriented ZnO Nanorod Arrays and their Application in Inverted Small Molecule Solar Cells

Ben allineati verticalmente orientato ZnO Nanorod matrici e la loro applicazione in invertito piccola molecola solare celle

This manuscript describes how to design and fabricate efficient inverted solar cells, which are based on a two-dimensional conjugated small molecule ...

Fabrication of Ultra-thin Color Films with Highly Absorbing Media Using Oblique Angle Deposition

Fabbricazione di film ultra-sottile di colore con altamente assorbente Media mediante deposizione di angolo obliquo

Ultra-thin film structures have been studied extensively for use as optical coatings, but performance and fabrication challenges remain.&#160; We present ...

Bulk and Thin Film Synthesis of Compositionally Variant Entropy-stabilized Oxides

Massa e sintesi di Film sottile di ossidi compositivamente varianti entropia-stabilizzato

Here, we present a procedure for the synthesis of bulk and thin film multicomponent (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x))O (Co variant) and ...

Film Control to Study Contributions of Waves to Droplet Impact Dynamics on Thin Flowing Liquid Films

Controllo del film di studiare i contributi delle onde a goccia impatto Dynamics su pellicole liquide sottile che scorre

Droplet impact is a very common phenomenon in nature and attracts attention due to its aesthetic fascination and wide-ranging applications. Previous ...