Name: fabrication of low temperature carbon nanotube vertical interconnects compatible with semiconductor technology
Uploaded: 2015-12-07T13:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Low Temperature Carbon Nanotube Vertical Interconnects Compatible with Semiconductor Technology at JoVE.com

Part of the work has been performed in the project JEMSiP_3D, which is funded by the Public Authorities in France, Germany, Hungary, The Netherlands, Norway and Sweden, as well as by the ENIAC Joint Undertaking. The authors would like to thank the Dimes Technology Centre staff for processing support.

सावधानी: उपयोग करने से पहले सभी प्रासंगिक सामग्री सुरक्षा डाटा शीट (एमएसडीएस) से परामर्श करें। इस निर्माण की प्रक्रिया में प्रयुक्त रसायनों के कई तीव्रता से विषाक्त और कैंसर हैं। Nanomaterials उनके थोक समकक्?...

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	<li>Sun, S. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Process+technologies+for+advanced+metallization+and+interconnect+systems.">Process technologies for advanced metallization and interconnect systems.</a> Technical digest of the IEEE International Electron Devices Meeting. , 765-768 (1997).</li><li>Robertson, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+of+nanotubes+for+electronics.">Growth of nanotubes for electronics.</a> Mater. Today. 10 (1-2), 36-43 (2007).</li><li>Wei, B. Q., Vajtai, R., Ajayan, P. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Reliability+and+current+carrying+capacity+of+carbon+nanotubes.">Reliability and current carrying capacity of carbon nanotubes.</a> Appl. Phys. Lett. 79 (8), 1172-1174 (2001).</li><li>Rossnagel, S. M., Wisnieff, R., Edelstein, D., Kuan, T. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Interconnect+issues+post+45nm.">Interconnect issues post 45nm.</a> Technical digest of the IEEE International Electron Devices Meeting. , 89-91 (2005).</li><li>Pop, E., Mann, D., Wang, Q., Goodson, K., Dai, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thermal+Conductance+of+an+Individual+Single-Wall+Carbon+Nanotube+above+Room+Temperature.">Thermal Conductance of an Individual Single-Wall Carbon Nanotube above Room Temperature.</a> Nano Lett. 6 (1), 96-100 (2006).</li><li>Chiodarelli, N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Measuring+the+electrical+resistivity+and+contact+resistance+of+vertical+carbon+nanotube+bundles+for+application+as+interconnects.">Measuring the electrical resistivity and contact resistance of vertical carbon nanotube bundles for application as interconnects.</a> Nanotechnology. 22 (8), 085302 (2011).</li><li>Choi, Y. -. M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Integration+and+Electrical+Properties+of+Carbon+Nanotube+Array+for+Interconnect+Applications.">Integration and Electrical Properties of Carbon Nanotube Array for Interconnect Applications.</a> Proceedings of the Sixth IEEE Conference on Nanotechnology. , 262-265 (2006).</li><li>Dijon, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultra-high+density+Carbon+Nanotubes+on+Al-Cu+for+advanced+Vias.">Ultra-high density Carbon Nanotubes on Al-Cu for advanced Vias.</a> Technical digest of the IEEE International Electron Devices Meeting. , 33-34 (2010).</li><li>Kreupl, F., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Carbon+nanotubes+in+interconnect+applications.">Carbon nanotubes in interconnect applications.</a> Microelectron. Eng. 64 (1-4), 399-408 (2002).</li><li>Vereecke, B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Characterization+of+carbon+nanotube+based+vertical+interconnects.">Characterization of carbon nanotube based vertical interconnects.</a> Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials. , 648-649 (2012).</li><li>Vollebregt, S., Ishihara, R., Derakhshandeh, J., vander Cingel, J., Schellevis, H., Beenakker, C. I. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Integrating+low+temperature+aligned+carbon+nanotubes+as+vertical+interconnects+in+Si+technology.">Integrating low temperature aligned carbon nanotubes as vertical interconnects in Si technology.</a> Proceedings of the 11th IEEE Conference on Nanotechnology. , 985-990 (2011).</li><li>Yokoyama, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electrical+Properties+of+Carbon+Nanotubes+Grown+at+a+Low+Temperature+for+Use+as+Interconnects.">Electrical Properties of Carbon Nanotubes Grown at a Low Temperature for Use as Interconnects.</a> Jpn J. App. Phys. 47 (4), 1985-1990 (2008).</li><li>Van der Veen, M. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electrical+Improvement+of+CNT+Contacts+with+Cu+Damascene+Top+Metallization.">Electrical Improvement of CNT Contacts with Cu Damascene Top Metallization.</a> Proceedings of the IEEE International Interconnect Technology Conference. , 193-195 (2013).</li><li>Istratov, A. A., Hieslmair, H., Weber, E. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Iron+contamination+in+silicon+technology.">Iron contamination in silicon technology.</a> Appl. Phys. A. 70, 489-534 (2000).</li><li>Vollebregt, S., Tichelaar, F. D., Schellevis, H., Beenakker, C. I. M., Ishihara, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Carbon+nanotube+vertical+interconnects+fabricated+at+temperatures+as+low+as+350+&#176;C.">Carbon nanotube vertical interconnects fabricated at temperatures as low as 350 &#176;C.</a> 71, 249-256 (2014).</li><li>Kikkawa, T., Inoue, K., Imai, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cobalt+silicide+technology.">Cobalt silicide technology.</a> Silicide Technology for Integrated Circuits. , 77-94 (2004).</li><li>Vollebregt, S., Ishihara, R., Tichelaar, F. D., Hou, Y., Beenakker, C. I. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Influence+of+the+growth+temperature+on+the+first+and+second-order+Raman+band+ratios+and+widths+of+carbon+nanotubes+and+fibers.">Influence of the growth temperature on the first and second-order Raman band ratios and widths of carbon nanotubes and fibers.</a> Carbon. 50 (10), 3542-3554 (2012).</li><li>Lim, S. C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Contact+resistance+between+metal+and+carbon+nanotube+interconnects:+Effect+of+work+function+and+wettability.">Contact resistance between metal and carbon nanotube interconnects: Effect of work function and wettability.</a> Appl. Phys. Lett. 95 (26), 264103 (2009).</li><li>Awano, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Carbon+nanotube+via+interconnect+technologies:+size-classified+catalyst+nanoparticles+and+low-resistance+ohmic+contact+formation.">Carbon nanotube via interconnect technologies: size-classified catalyst nanoparticles and low-resistance ohmic contact formation.</a> Phys. Status Solidi (a). 203 (14), 3611-3616 (2006).</li><li>Van der Veen, M. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electrical+characterization+of+CNT+contacts+with+Cu+Damascene+top+contact.">Electrical characterization of CNT contacts with Cu Damascene top contact.</a> Microelectron. Eng. 106, 106-111 (2012).</li><li>Horibe, M., Nihei, M., Kondo, D., Kawabata, A., Awano, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Mechanical+Polishing+Technique+for+Carbon+Nanotube+Interconnects+in+ULSIs.">Mechanical Polishing Technique for Carbon Nanotube Interconnects in ULSIs.</a> Jpn J. App. Phys. 43 (9A), 6499-6502 (2004).</li><li>Vollebregt, S., Chiaramonti, A. N., Ishihara, R., Schellevis, H., Beenakker, C. I. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Contact+resistance+of+low-temperature+carbon+nanotube+vertical+interconnects.">Contact resistance of low-temperature carbon nanotube vertical interconnects.</a> Proceedings of the 12th IEEE Conference on Nanotechnology. , 424-428 (2012).</li><li>Fiorentino, G., Vollebregt, S., Tichelaar, F. D., Ishihara, R., Sarro, P. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Impact+of+the+atomic+layer+deposition+precursors+diffusion+on+solid-state+carbon+nanotube+based+supercapacitors+performances.">Impact of the atomic layer deposition precursors diffusion on solid-state carbon nanotube based supercapacitors performances.</a> Nanotechnology. 26 (6), 064002 (2015).</li></ol>

चित्रा 1 इस काम में गढ़े संरचना का एक योजनाबद्ध सिंहावलोकन प्रदर्शित करता है, और जो 4 सूत्री जांच माप के लिए इस्तेमाल किया गया था। संभावित कोई मौजूदा ले जाने जांच के माध्यम से मापा जाता है, केंद्री?...

कॉपर और टंगस्टन, वर्तमान में राज्य के अत्याधुनिक बहुत बड़े पैमाने पर एकीकरण (वीएलएसआई) प्रौद्योगिकी के क्षेत्र में interconnects के लिए उपयोग किया जाता है, जो धातु, विश्वसनीयता और विद्युत चालकता 1 के मामले में अपने भौतिक सीमाओं से आ रहे हैं। नीचे स्केलिंग ट्रांजिस्टर आम तौर पर उनके प्रदर्शन को बेहतर बनाता है, यह वास्तव में प्रतिरोध और परस्पर की वर्तमान घनत्व बढ़ जाती है। इस देरी और बिजली की खपत 2 के संदर्भ में एकीकृत सर्किट (आईसी) के प्रदर्शन पर हावी interconnects में हुई। कार्बन नैनोट्यूब (सीएनटी) कार्यक्षेत्र interconnects सीएनटी के रूप में (विअस) आसानी से 3 खड़ी विकसित किया गया सकता है, खासकर के लिए, घन और डब्ल्यू धातुरूप के लिए विकल्प के रूप में सुझाव दिया गया है। सीएनटी घन 4 से 1,000 गुना अधिक वर्तमान घनत्व के लिए एक ऊपर की इजाजत दी, उत्कृष्ट बिजली विश्वसनीयता के लिए दिखाया गया है। इसके अलावा, सीएनटी सतह और अनाज सीमा बिखरने से ग्रस्त नहीं है, जो आर बढ़ती जा रही हैनैनोमीटर स्तर 5 पर घन की esistivity। अंत में, सीएनटी वीएलएसआई चिप्स में थर्मल प्रबंधन में सहायता कर सकते हैं, जो उत्कृष्ट थर्मल कंडक्टर 6, होना दिखाया गया है। वीएलएसआई प्रौद्योगिकी के क्षेत्र में सीएनटी के सफल एकीकरण के लिए यह सीएनटी के लिए विकास की प्रक्रिया अर्धचालक निर्माण के साथ संगत किया जाता है कि महत्वपूर्ण है। यह सामग्री और बड़े पैमाने पर निर्माण करने के लिए संगत और स्केलेबल माना जाता है, जो उपकरण का उपयोग कर सीएनटी (&lt;400 डिग्री सेल्सियस) से कम तापमान वृद्धि की आवश्यकता है। सीएनटी परीक्षण विअस के कई उदाहरण साहित्य 7,8,9,10,11,12,13,14 में प्रदर्शन किया गया है, इनमें से सबसे आईसी में एक contaminant 15 के निर्माण के रूप में माना जाता है, जो उत्प्रेरक के रूप में फे का उपयोग करें। इसके अलावा, इन कार्यों में से कई में इस्तेमाल किया विकास तापमान 400 डिग्री सेल्सियस की ऊपरी सीमा से काफी ज्यादा है। अधिमानतः सीएनटी भी आधुनिक कम κ dielectrics या लचीला के साथ एकीकरण अनुमति देने के लिए, 350 डिग्री सेल्सियस से नीचे हो जाना चाहिएsubstrates। यहाँ हम उत्प्रेरक के रूप में 16 सह का उपयोग कर 350 डिग्री सेल्सियस के रूप में के रूप में कम तापमान पर सीएनटी बढ़ के लिए एक स्केलेबल तरीका मौजूद है। इस विधि, एकीकृत सर्किट में खड़ी गठबंधन सीएनटी से मिलकर विभिन्न विद्युत संरचनाओं fabricating सुपर capacitors और क्षेत्र उत्सर्जन उपकरणों को आपस में और इलेक्ट्रोड से लेकर के लिए ब्याज की है। टिन एक बार इस्तेमाल किया बाधा सामग्री 7 है, जबकि सह उत्प्रेरक धातु अक्सर सिलिसाइड के 17 के निर्माण के लिए आईसी निर्माण में प्रयोग किया जाता है। इसके अलावा, हम केवल मानक अर्धचालक विनिर्माण से तकनीकों का उपयोग करते समय सीएनटी परीक्षण विअस fabricating के लिए एक प्रक्रिया का प्रदर्शन। इस के साथ, सीएनटी परीक्षण विअस इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी (SEM) और रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी, और विद्युत विशेषता स्कैनिंग द्वारा निरीक्षण, गढ़े हैं।

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="905">
	<colgroup>
		<col />
		<col />
		<col />
		<col />
	</colgroup>
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Materials</td>
			<td style="width:188px;">Company</td>
			<td style="width:119px;">Catalog Number</td>
			<td style="width:291px;">Comments/Description</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Si (100) wafer 4&#34;</td>
			<td style="width:188px;">International Wafer Service</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>Resisitivity: 2-5 m&#937;-cm, thickness: 525 &#181;m&#160;</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Ti-sputtertarget (99.995 % purity)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Al (1% Si)-sputtertarget (99.999 % purity)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Co (99.95 % purity)</td>
			<td style="width:188px;">Kurt J. Lesker</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Chemicals</td>
			<td style="width:188px;">Company</td>
			<td style="width:119px;">Catalog Number</td>
			<td>Comments/Description</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">SPR3012 positive photoresist</td>
			<td style="width:188px;">Dow Electronic Materials</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">MF-322 developer</td>
			<td style="width:188px;">Dow Electronic Materials</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">HNO3 (99.9 %)</td>
			<td style="width:188px;">KMG Ultra Pure Chemicals</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">HNO3 (69.5%)</td>
			<td style="width:188px;">KMG Ultra Pure Chemicals</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">HF 0.55%</td>
			<td style="width:188px;">Honeywell</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Tetrahydrofuran</td>
			<td style="width:188px;">JT Baker</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Acetone</td>
			<td style="width:188px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">ECI3027 positive photoresist</td>
			<td style="width:188px;">AZ</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Tetraethyl orthosilicate (TEOS)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Gasses</td>
			<td style="width:188px;">Company</td>
			<td style="width:119px;">Catalog Number</td>
			<td>Comments/Description</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">N2 (99.9990%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">O2 (99.9999%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">CF4 (99.9970%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">CL2 (99.9900%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">HBr (99.9950%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Ar (99.9990%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">C2F6 (99.9990%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">CHF3 (99.9950%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">H2 (99.9950%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">C2H2 (99.6000%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Equipment</td>
			<td style="width:188px;">Company</td>
			<td style="width:119px;">Catalog Number</td>
			<td>Comments/Description</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">EVG 120 coater/developer</td>
			<td style="width:188px;">EVG</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">ASML PAS5500/80 waferstepper</td>
			<td style="width:188px;">ASML</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">SPTS &#937;mega 201 plasma etcher</td>
			<td style="width:188px;">SPTS</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>Used for Si and metal etching</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">SPTS &#931;igma sputter coater</td>
			<td style="width:188px;">SPTS</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Novellus Concept One PECVD</td>
			<td style="width:188px;">LAM</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Drytek 384T plasma etcher</td>
			<td style="width:188px;">LAM</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>Used for oxide etching</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">CHA Solution e-beam evaporator</td>
			<td style="width:188px;">CHA</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">AIXTRON BlackMagic Pro CVD tool</td>
			<td style="width:188px;">AIXTRON</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>Carbon nanotube growth</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Philips XL50 scanning electron microscope</td>
			<td style="width:188px;">FEI</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Tepla 300</td>
			<td style="width:188px;">PVA TePla</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>Resist plasma stripper</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Avenger rinser dryer</td>
			<td style="width:188px;">Microporcess Technologies</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Leitz MPV-SP reflecometer</td>
			<td style="width:188px;">Leitz</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Renishaw inVia Raman spectroscope</td>
			<td style="width:188px;">Renishaw</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Agilent 4156C parameter spectrum analyzer</td>
			<td style="width:188px;">Agilent</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Cascade Microtech probe station</td>
			<td style="width:188px;">Cascade Microtech</td>
			<td style="width:119px;"></td>
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fabrication of low temperature carbon nanotube vertical interconnects compatible with semiconductor technology

We demonstrate a method for the low temperature growth (350 &#176;C) of vertically-aligned carbon nanotubes (CNT) bundles on electrically conductive thin-films. Due to the low growth temperature, the process allows integration with modern low-&#954; dielectrics and some flexible substrates. The process is compatible with standard semiconductor fabrication, and a method for the fabrication of electrical 4-point probe test structures for vertical interconnect test structures is presented. Using scanning electron microscopy the morphology of the CNT bundles is investigated, which demonstrates vertical alignment of the CNT and can be used to tune the CNT growth time. With Raman spectroscopy the crystallinity of the CNT is investigated. It was found that the CNT have many defects, due to the low growth temperature. The electrical current-voltage measurements of the test vertical interconnects displays a linear response, indicating good ohmic contact was achieved between the CNT bundle and the top and bottom metal electrodes. The obtained resistivities of the CNT bundle are among the average values in the literature, while a record-low CNT growth temperature was used.

इस काम में इस्तेमाल किया माप संरचना के डिजाइन चित्रा 1 में पाया जा सकता है। जांच और तार प्रतिरोध धोखा कर रहे हैं, के रूप में सीएनटी बंडल प्रतिरोध और धातु सीएनटी संपर्क resistances के माप सही ढंग से निर्धा?...

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Fabrication of Low Temperature Carbon Nanotube Vertical Interconnects Compatible with Semiconductor Technology

A method for the growth of low temperature vertically-aligned carbon nanotubes, and the subsequent fabrication of vertical interconnect electrical test structures using semiconductor fabrication is presented.

सेमीकंडक्टर तकनीक के साथ संगत कम तापमान कार्बन नैनोट्यूब कार्यक्षेत्र interconnects के निर्माण

We demonstrate a method for the low temperature growth (350 &#176;C) of vertically-aligned carbon nanotubes (CNT) bundles on electrically conductive ...

Research

JoVE Journal

Engineering

Fabrication, Densification, and Replica Molding of 3D Carbon Nanotube Microstructures

3 डी कार्बन नैनोट्यूब Microstructures के निर्माण, densification, और प्रतिकृति मोल्डिंग

The introduction of new materials and processes to microfabrication has, in large part, enabled many important advances in microsystems, lab-on-a-chip ...

Dry Oxidation and Vacuum Annealing Treatments for Tuning the Wetting Properties of Carbon Nanotube Arrays

सूखी ऑक्सीकरण और वैक्यूम कार्बन नैनोट्यूब arrays के गीला गुण ट्यूनिंग के लिए उपचार एनीलिंग

In this article, we describe a simple method to reversibly  tune the wetting properties of vertically aligned carbon nanotube (CNT) arrays.  Here, CNT ...

Synthesis and Functionalization of Nitrogen-doped Carbon Nanotube Cups with Gold Nanoparticles as Cork Stoppers

कॉर्क डाट के रूप में सोने के नैनोकणों के साथ नाइट्रोजन डाल दिया गया कार्बन नैनोट्यूब कप के संश्लेषण और functionalization

Nitrogen-doped carbon  nanotubes consist of many cup-shaped graphitic compartments termed as  nitrogen-doped carbon nanotube cups (NCNCs).  These ...

Writing and Low-Temperature Characterization of Oxide Nanostructures

लेखन और आक्साइड nanostructures की कम तापमान विशेषता

Oxide nanoelectronics is a rapidly growing field which seeks to develop novel materials with multifunctional behavior at nanoscale dimensions.  Oxide ...

Ohmic Contact Fabrication Using a Focused-ion Beam Technique and Electrical Characterization for Layer Semiconductor Nanostructures

Ohmic संपर्क निर्माण एक केंद्रित आयन बीम तकनीक और बिजली के लक्षण वर्णन लेयर सेमीकंडक्टर Nanostructures के लिए उपयोग करना

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor ...

Advanced Experimental Methods for Low-temperature Magnetotransport Measurement of Novel Materials

सामग्री के उपन्यास की कम तापमान Magnetotransport मापन के लिए उन्नत प्रयोगात्मक विधियों

Novel electronic materials are often produced for the first time by synthesis processes that yield bulk crystals (in contrast to single crystal thin film ...

Precision Milling of Carbon Nanotube Forests Using Low Pressure Scanning Electron Microscopy

कार्बन नैनोट्यूब वन प्रेसिजन मिलिंग कम दबाव स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी का उपयोग

A nanoscale fabrication technique appropriate for milling carbon nanotube (CNT) forests is described. The technique utilizes an environmental scanning ...

High Temperature Fabrication of Nanostructured Yttria-Stabilized-Zirconia (YSZ) Scaffolds by In Situ Carbon Templating Xerogels

High Temperature Fabrication of Nanostructured Yttria-Stabilized-Zirconia YSZ Scaffolds by In Situ Carbon Templating Xerogels

द्वारा Nanostructured yttria स्थिर-YSZ (zirconia) scaffolds के उच्च तापमान निर्माण<em&gt; सीटू</em&gt; कार्बन Templating xerogels

We demonstrate a method for the high temperature fabrication of porous, nanostructured yttria-stabilized-zirconia (YSZ, 8 mol% yttria - 92 mol% zirconia) ...

Fabrication of 3D Carbon Microelectromechanical Systems (C-MEMS)

Fabrication of 3D Carbon Microelectromechanical Systems C-MEMS

3 डी कार्बन माइक्रोइलेक्ट्रोमैकेनिकल सिस्टम्स (सी-एमईएमएस) का निर्माण

A wide range of carbon sources are available in nature, with a variety of micro-/nanostructure configurations. Here, a novel technique to fabricate long ...

Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices

प्रवाह असिस्टेड Dielectrophoresis: उच्च प्रदर्शन समाधान के निर्माण के लिए एक कम लागत विधि-प्रक्रिया Nanowire उपकरणों

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of ...