Name: light enhanced hydrofluoric acid passivation: a sensitive technique for detecting bulk silicon defects
Uploaded: 2016-01-04T14:00:01
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1. प्रायोगिक सेटअप <ol><li> माप तकनीक के लिए एक उपयुक्त धूआं हुड जानें, और बेहतर वायु प्रवाह की अनुमति और cluttering कम करने के लिए किसी भी अप्रासंगिक उपकरण हटा दें। धूआं हुड में Hydrofluoric एसिड (एचएफ) के अलावा अन्य किस?...

<ol>
	<li>Sinton, R. A., Cuevas, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Contactless+determination+of+current-voltage+characteristics+and+minority-carrier+lifetimes+in+semiconductors+from+quasi-steady-state+photoconductance+data.">Contactless determination of current-voltage characteristics and minority-carrier lifetimes in semiconductors from quasi-steady-state photoconductance data.</a> Appl. Phys. Lett. 69 (17), 2510-2512 (1996).</li><li>Wan, Y., McIntosh, K. R., Thomson, A. F., Cuevas, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low+surface+recombination+velocity+by+low-absorption+silicon+nitride+on+c-Si.">Low surface recombination velocity by low-absorption silicon nitride on c-Si.</a> IEEE J. Photovoltaics. 3 (1), 554-559 (2013).</li><li>Hoex, B., Schmidt, J., Pohl, P., van de Sanden, M. C. M., Kessels, W. M. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+surface+passivation+by+atomic+layer+deposited+Al2O3.">Silicon surface passivation by atomic layer deposited Al2O3.</a> J. App. Phys. 104 (4), 044903 (2008).</li><li>Dauwe, S., Schmidt, J., Hezel, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Very+low+surface+recombination+velocities+on+p.-+and+n.-type+silicon+wafers+passivated+with+hydrogenated+amorphous+silicon+films.">Very low surface recombination velocities on p.- and n.-type silicon wafers passivated with hydrogenated amorphous silicon films.</a> , 1246-1249 (2012).</li><li>Macdonald, D., Cuevas, A., Wong-Leung, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Capture+cross-sections+of+the+acceptor+level+of+iron-boron+pairs+in+p-type+silicon+by+injection-level+dependent+lifetime+measurements.">Capture cross-sections of the acceptor level of iron-boron pairs in p-type silicon by injection-level dependent lifetime measurements.</a> J. App. Phys. 89 (12), 7932-7339 (2001).</li><li>Schmidt, J., Bothe, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Structure+and+transformation+of+the+metastable+boron-+and+oxygen-related+defect+center+in+crystalline+silicon.">Structure and transformation of the metastable boron- and oxygen-related defect center in crystalline silicon.</a> Phys. Rev. B. 69 (2), 024107 (2004).</li><li>Rougieux, F., Grant, N., Murphy, J., Macdonald, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=D.+Influence+of+Annealing+and+Bulk+Hydrogenation+on+Lifetime+Limiting+Defects+in+Nitrogen-Doped+Floating+Zone+Silicon.">D. Influence of Annealing and Bulk Hydrogenation on Lifetime Limiting Defects in Nitrogen-Doped Floating Zone Silicon.</a> IEEE J. Photovoltaics. 5 (2), 495-498 (2014).</li><li>Zheng, P., Rougieux, F., Grant, N., Macdonald, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evidence+for+vacancy-related+Recombination+Active+Defects+in+as-grown+n-type+Czochralski+Silicon.">Evidence for vacancy-related Recombination Active Defects in as-grown n-type Czochralski Silicon.</a> IEEE J. Photovoltaics. 5 (1), 183-188 (2014).</li><li>Grant, N. E., Rougieux, F. E., Macdonald, D., Bullock, J., Wan, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Grown-in+point+defects+limiting+the+bulk+lifetime+of+p.-type+float-zone+silicon+wafers.">Grown-in point defects limiting the bulk lifetime of p.-type float-zone silicon wafers.</a> J. App. Phys. 117 (5), 055711 (2015).</li><li>Hallam, B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hydrogen+passivation+of+B-O+defects+in+Czochralski+silicon.">Hydrogen passivation of B-O defects in Czochralski silicon.</a> Energy Procedia. 38, 561-570 (2013).</li><li>Hallam, B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Advanced+bulk+defect+passivation+for+silicon+solar+cells.">Advanced bulk defect passivation for silicon solar cells.</a> IEEE J. Photovoltaics. 4 (1), 88-95 (2014).</li><li>Hornyi, T. S., Pavelka, T., Ttt, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=In+situ+bulk+lifetime+measurement+on+silicon+with+a+chemically+passivated+surface.">In situ bulk lifetime measurement on silicon with a chemically passivated surface.</a> App. Surf. Sci. 63 (1-4), 306-311 (1993).</li><li>Meier, D. L., Page, M. R., Iwaniczko, E., Xu, Y., Wang, Q., Branz, H. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determination+of+surface+recombination+velocities+for+thermal+oxide+and+amorphous+silicon+on+float+zone+silicon.">Determination of surface recombination velocities for thermal oxide and amorphous silicon on float zone silicon.</a> , (2007).</li><li>Chhabra, B., Bowden, S., Opila, R. L., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High+effective+minority+carrier+lifetime+on+silicon+substrates+using+quinhydrone-methanol+passivation.">High effective minority carrier lifetime on silicon substrates using quinhydrone-methanol passivation.</a> App. Phys. Lett. 96 (6), 063502 (2010).</li><li>Chhabra, B., Weiland, C., Opila, R. L., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Surface+characterization+of+quinhydrone-methanol+and+iodine-methanol+passivated+silicon+substrates+using+X-ray+photoelectron+spectroscopy.">Surface characterization of quinhydrone-methanol and iodine-methanol passivated silicon substrates using X-ray photoelectron spectroscopy.</a> Phys. Stat. Sol. (a). 208 (1), 86-90 (2011).</li><li>Yablonovitch, E., Allara, D. L., Chang, C. C., Gmitter, T., Bright, T. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Unusually+low+surface+recombination+velocity+on+silicon+and+germanium+surfaces.">Unusually low surface recombination velocity on silicon and germanium surfaces.</a> Phys. Rev. Lett. 57 (2), 249-252 (1986).</li><li>Grant, N. E., McIntosh, K. R., Tan, J. T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evaluation+of+the+bulk+lifetime+of+silicon+wafers+by+immersion+in+hydrofluoric+acid+and+illumination.">Evaluation of the bulk lifetime of silicon wafers by immersion in hydrofluoric acid and illumination.</a> J. Solid State Sci. Technol. 1 (2), P55-P61 (2012).</li><li>Grant, N. E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Light+enhanced+hydrofluoric+acid+passivation+for+evaluating+silicon+bulk+lifetimes.">Light enhanced hydrofluoric acid passivation for evaluating silicon bulk lifetimes.</a> 28.th. European Photovoltaic Solar Energy Conference. , 883-887 (2013).</li><li>Grant, N. E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Surface passivation and characterization of crystalline silicon by wet chemical treatments. , (2012).</li><li>Kern, W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+evolution+of+silicon+wafer+cleaning+technology.">The evolution of silicon wafer cleaning technology.</a> J. Electrochem. Soc. 137 (6), 1887-1892 (1990).</li><li>Angermann, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Wet-chemical+passivation+of+atomically+flat+and+structured+silicon+substrates+for+solar+cell+application.">Wet-chemical passivation of atomically flat and structured silicon substrates for solar cell application.</a> App. Surf. Sci. 254 (12), 3615-3625 (2008).</li><li>Angermann, H., Henrion, W., Rseler, A., Rebien, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Wet-chemical+passivation+of+Si(111)-+and+Si(100)-substrates.">Wet-chemical passivation of Si(111)- and Si(100)-substrates.</a> Mat. Sci. Eng. B. 73 ((1-3)), 178-183 (2000).</li><li>Bertagna, V., Plougonven, C., Rouelle, F., Chemla, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=p-+and+n-type+silicon+electrochemical+properties+in+dilute+hydrofluoric+acid+solutions.">p- and n-type silicon electrochemical properties in dilute hydrofluoric acid solutions.</a> J. Electrochem. Soc. 143 (11), 3532-3538 (1996).</li><li>Bertagna, V., Erre, R., Rouelle, F., Chemla, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ionic+components+dependence+of+the+charge+transfer+reactions+at+the+silicon/HF+solution+interface.">Ionic components dependence of the charge transfer reactions at the silicon/HF solution interface.</a> J. Solid State Electrochem. 4 (1), 42-51 (1999).</li><li>Kolasinski, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+mechanism+of+Si+etching+in+fluoride+solutions.">The mechanism of Si etching in fluoride solutions.</a> Phys. Chem. Chem. Phys. 5 (6), 1270-1278 (2003).</li><li>Trucks, G. W., Raghavachari, K., Higashi, G. S., Chabal, Y. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Mechanism+of+HF+etching+of+silicon+surfaces:+A+theoretical+understanding+of+hydrogen+passivation.">Mechanism of HF etching of silicon surfaces: A theoretical understanding of hydrogen passivation.</a> Phys. Rev. Lett. 65 (4), 504-507 (1990).</li><li>Zhang, X. G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Electrochemistry of silicon and its oxide. , (2001).</li></ol>

ऊपर वर्णित थोक सिलिकॉन जीवन भर माप तकनीक के सफल कार्यान्वयन के तीन महत्वपूर्ण कदम (i) रासायनिक 1 मिनट 17 के लिए एक 15% एचएफ समाधान और (iii) रोशनी (ii) विसर्जन, सफाई और सिलिकॉन वेफर्स नक़्क़ाशी पर आधारित है, 18,19?...

उच्च जीवन भर (&gt; 1 मिसे) monocrystalline सिलिकॉन उच्च दक्षता सौर कोशिकाओं के लिए कभी अधिक महत्वपूर्ण होता जा रहा है। एम्बेडेड दोष के पुनर्संयोजन विशेषताओं को समझना गया है, और एक महत्वपूर्ण विषय बनी हुई है। सयाना में दोष के पुनर्संयोजन गतिविधि की जांच करने के लिए सबसे व्यापक रूप से इस्तेमाल किया तकनीकों में से एक एक photoconductance विधि 1 के द्वारा होता है। इस तकनीक से यह इस प्रकार यह मुश्किल देसी में दोष के पुनर्संयोजन विशेषताओं की जांच करने के लिए कर रही है, थोक पुनर्संयोजन से पूरी तरह से अलग सतह के लिए अक्सर मुश्किल होता है। सौभाग्य &lt;5 सेमी / सेकंड की बहुत कम प्रभावी सतह पुनर्संयोजन वेग (एस EFF) को प्राप्त करने के लिए, और इस प्रकार प्रभावी ढंग से सतह पुनर्संयोजन बाधित कर सकते हैं जो कई अचालक फिल्मों वहाँ मौजूद हैं। 2, एल्यूमीनियम ऑक्साइड (अल 2 ओ 3) 3 और आकारहीन सिलिकॉन (एक -si: एच) 4: ये सिलिकॉन नाइट्राइड (एच पाप एक्स), कर रहे हैं। बयान और एकइन अचालक फिल्मों के तापमान (~ 400 डिग्री सेल्सियस) nealing पर्याप्त स्थायी रूप से दोष सयाना में के पुनर्संयोजन गतिविधि निष्क्रिय करने के लिए नहीं कम माना जाता है। इस के उदाहरण 6 दोष लोहे बोरान 5 और बोरान ऑक्सीजन है। हालांकि, हाल ही में यह n प्रकार Czochralski (CZ) सिलिकॉन में रिक्ति ऑक्सीजन और रिक्ति फास्फोरस दोष पूरी तरह से 250-350 डिग्री सेल्सियस 7.8 के तापमान पर निष्क्रिय किया जा सकता है कि पाया गया था। इसी नाव-क्षेत्र (FZ) पी प्रकार सिलिकॉन में एक दोष ~ 250 डिग्री सेल्सियस 9 में निष्क्रिय करने के लिए पाया गया था। इसलिए, इस तरह प्लाज्मा बढ़ाया रासायनिक वाष्प जमाव (PECVD) और परमाणु परत बयान (ALD) के रूप में पारंपरिक passivation तकनीक देसी में थोक दोष जांच करने के लिए सतह पुनर्संयोजन बाधा के लिए उपयुक्त नहीं हो सकता। इसके अलावा, पाप x: एच और एक सी: एच फिल्मों हाइड्रोजनीकरण 10,11 के माध्यम से थोक सिलिकॉन दोषों को निष्क्रिय करने के लिए दिखाया गया है। इसलिए पुनर्संयोजन गतिविधि ओ जांच करने के लिए<html> च सयाना में दोष, एक आर टी सतह passivation तकनीक आदर्श होगा। गीले रासायनिक सतह passivation इस आवश्यकता को पूरा करता है। 1990 के दशक में Horanyi एट अल। एस eff &lt;10 सेमी / सेकंड 12 को प्राप्त करने, आयोडीन इथेनॉल में सिलिकॉन वेफर्स के विसर्जन (आईई) समाधान सिलिकॉन वेफर्स passivate करने के लिए एक साधन प्रदान करता है कि प्रदर्शन किया। 2007 में मायर एट अल। 2009 में छाबड़ा एट अल। 5 सेमी की एस eff / सेकंड सिलिकॉन वेफर्स डुबो कर प्राप्त किया जा सकता है कि प्रदर्शन करते हुए आयोडीन मेथनॉल (आईएम) के समाधान, 7 सेमी / सेकंड 13 के लिए सतह पुनर्संयोजन कम कर सकते हैं कि पता चला quinhydrone-मेथनॉल (QM) समाधान 14,15 में। आईई, आईएम और QM समाधान द्वारा हासिल उत्कृष्ट सतह passivation के बावजूद, वे उच्च शुद्धता सिलिकॉन वेफर्स के थोक जीवनकाल को मापने के लिए पर्याप्त सतह passivation (एस eff &lt;5 सेमी / सेक) प्रदान नहीं करते हैं। NT &quot;&gt; एक और साधन एचएफ एसिड में सिलिकॉन वेफर्स डुबो कर सतह passivation के एक उच्च स्तर प्राप्त करने के लिए। सिलिकॉन वेफर्स passivate करने एचएफ उपयोग करने का विचार पहली Yablonavitch एट अल द्वारा पेश किया गया था। के रिकार्ड निचले एस eff का प्रदर्शन किया है जो 1986 में 0.25 ± 0.5 सेमी / सेकंड 16। उत्कृष्ट सतह passivation उच्च प्रतिरोधकता वेफर्स पर प्राप्त किया गया था, इसलिए हम लगातार हासिल करने से अनिश्चितता को सीमित रखें। इस प्रकार जीवन भर के माप के लिए एक बड़ी अनिश्चितता जोड़ने, गैर repeatable होने की तकनीक पाया है एक बहुत कम एस EFF (~ 1 सेमी / सेक), हम तीन महत्वपूर्ण कदम को शामिल किया गया है कि एक नई एचएफ passivation तकनीक (i) रासायनिक सफाई और सिलिकॉन वेफर्स नक़्क़ाशी, एक 15% एचएफ समाधान (ii) विसर्जन और (iii) विकसित किया है रोशनी 1 मिनट 17,18 के लिए। यह प्रक्रिया ऊपर सूचीबद्ध पारंपरिक PECVD और ALD बयान तकनीक की तुलना में सरल और समय कुशल दोनों है।

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Hydrofluoric acid (48%)</td>
			<td>Merck Millipore,&#160; &#160;http://www.merckmillipore.com/AU/en/product/Hydrofluoric-acid-48%25,MDA_CHEM-100334</td>
			<td>1003340500</td>
			<td>Harmful and toxic. Any supplier could be used provided the chemical is Analytical Reagent (AR) grade.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrochloric acid 32%, AR</td>
			<td>ACI Labscan, http://www.rcilabscan.com/modules/productview.php?product_id=1985</td>
			<td>107209</td>
			<td>Harmful and toxic. Any supplier could be used provided the chemical is Analytical Reagent (AR) grade.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Ammonia (30%) Solution AR</td>
			<td>Chem-supply, https://www.chemsupply.com.au/aa005-500m</td>
			<td>AA005</td>
			<td>Harmful and toxic. Any supplier could be used provided the chemical is Analytical Reagent (AR) grade.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrogen Peroxide (30%)</td>
			<td>Merck Millipore, http://www.merckmillipore.com/AU/en/product/Hydrogen-peroxide-30%25,MDA_CHEM-107209</td>
			<td>1072092500</td>
			<td>Harmful and toxic. Any supplier could be used provided the chemical is Analytical Reagent (AR) grade.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Tetramethylammonium hydroxide (25% in H2O)</td>
			<td>J.T Baker, https://us.vwr.com/store/catalog/product.jsp?product_id=4562992</td>
			<td>5879-03</td>
			<td>Harmful and toxic. Any supplier could be used provided the chemical is Analytical Reagent (AR) grade.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>640 mL round plastic container</td>
			<td>Sistema, http://sistemaplastics.com/products/klip-it-round/640ml-round</td>
			<td>N/A</td>
			<td>This is a good container for storing the 15% HF solution in.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>WCT-120 lifetime tester</td>
			<td>Sinton Instruments, http://www.sintoninstruments.com/Sinton-Instruments-WCT-120.html</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Dell workstation with Microsoft Office Pro, Data acquisition card and software including Sinton Software under existing license.</td>
			<td>Sinton Instruments, http://www.sintoninstruments.com</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Halogen optical lamp, ELH 300W, 120V</td>
			<td>OSRAM Sylvania, http://www.sylvania.com/en-us/products/halogen/Pages/default.aspx</td>
			<td>54776</td>
			<td>Any equivalent lamp could be used.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Voltage power source</td>
			<td>Home made power supply</td>
			<td>N/A</td>
			<td>Any power supply could be used provided it can produce up to 90 Volts and 1-5 Amps.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Conductivity meter</td>
			<td>WTW, http://www.wtw.de/uploads/media/US_L_07_Cond_038_049_I_02.pdf</td>
			<td>LF330</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

light enhanced hydrofluoric acid passivation: a sensitive technique for detecting bulk silicon defects

एक प्रक्रिया प्रस्तुत किया है Hydrofluoric एसिड (एचएफ) में वेफर्स डुबो जब अस्थायी रूप से सतह passivation की एक बहुत ही उच्च स्तर को प्राप्त करने से सिलिकॉन वेफर्स के थोक जीवनकाल (&gt; 100 μsec) को मापने के लिए। इस प्रक्रिया के द्वारा तीन महत्वपूर्ण कदम थोक जीवन भर प्राप्त करने के लिए आवश्यक हैं। सबसे पहले, एचएफ में सिलिकॉन वेफर्स डुबो करने से पहले, वे रासायनिक साफ कर रहे हैं और बाद में 25% tetramethylammonium हाइड्रॉक्साइड में etched। दूसरे, रासायनिक उपचार वेफर्स तो एचएफ और हाइड्रोक्लोरिक एसिड का एक मिश्रण से भरा एक बड़े प्लास्टिक कंटेनर में रखा जाता है, और फिर photoconductance (पीसी) के मापन के लिए एक प्रेरक का तार पर केन्द्रित। तीसरा, सतह पुनर्संयोजन रोकना और थोक जीवनकाल को मापने के लिए, वेफर्स 1 मिनट के एक हैलोजन लैंप प्रयोग करने के लिए 0.2 सूर्य पर प्रकाशित कर रहे हैं, रोशनी बंद है, और एक पीसी माप तुरंत लिया जाता है। इस प्रक्रिया के द्वारा, थोक सिलिकॉन दोषों की विशेषताओं सही ढंग से निर्धारित किया जा सकता है। फरthermore, यह उनकी एकाग्रता (&lt;10 12 सेमी -3) कम है जब एक संवेदनशील आरटी सतह passivation तकनीक थोक सिलिकॉन दोषों की जांच के लिए जरूरी होगा कि अनुमान है।

चित्रा 1 ए एक योजनाबद्ध दिखाता है और चित्रा 1 बी प्रयोगात्मक स्थापना की एक तस्वीर से पता चलता है। एक सिलिकॉन वेफर एचएफ समाधान में डूब जाता है, चित्रा 2 में नीला त्रिकोण के रूप में दिखाय?...

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Light Enhanced Hydrofluoric Acid Passivation: A Sensitive Technique for Detecting Bulk Silicon Defects

लाइट बढ़ी Hydrofluoric एसिड Passivation: थोक सिलिकॉन दोष का पता लगाने के लिए एक संवेदनशील तकनीक

थोक सिलिकॉन दोषों के पुनर्संयोजन गतिविधि की जांच करने के लिए एक आर टी तरल सतह passivation तकनीक में वर्णित है। 1 मिनट के लिए 15% Hydrofluoric एसिड और (iii) रोशनी में (मैं) रासायनिक सफाई और सिलिकॉन की नक़्क़ाशी, सिलिकॉन (ii) विसर्जन: तकनीक सफल होने के लिए, तीन महत्वपूर्ण कदम के लिए आवश्यक हैं।

A procedure to measure the bulk lifetime (&#62;100 &#181;sec) of silicon wafers by temporarily attaining a very high level of surface passivation when ...

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Fabrication and Operation of Acoustofluidic Devices Supporting Bulk Acoustic Standing Waves for Sheathless Focusing of Particles

निर्माण और Acoustofluidic उपकरणों के संचालन के लिए थोक Sheathless ध्वनिक खड़े तरंगों सहायक कण का ध्यान केंद्रित

Acoustophoresis refers to the displacement of suspended objects in response to directional forces from sound energy. Given that the suspended objects must ...